line-widthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3395件
In the optical filter translucent electromagnetic wave shielding film of a plasma display, the conductive metal is formed of a mesh-like thin line whose line width is 1 μm to 40 μm, thickness of line width is 1 μm to 6 μm, and a haze value is 0.1% to 10%.例文帳に追加
透明支持体上に乳剤層を設けてなる銀塩感光材料に導電性金属部と可視光透過性部をパターニングして形成された透光性電磁波シールド膜において、該導電性金属部が線幅1μmから40μmのメッシュ状の細線から形成され、該線幅の厚みが1μmから6μmであり、かつヘイズ値が0.1%以上10%以下であることを特徴とするプラズマディスプレイの光学フィルター用透光性電磁波シールド膜。 - 特許庁
The counter part 2 for thick line plotting inputs X coordinates and Y coordinates at each point on the outermost circumference or innermost circumference outputted from a counter part 1 for circle plotting and the thick line width control signal S2 outputted from the plotting control circuit 3, changes coordinates in an X or Y axial direction being a plotting direction in a one-pixel unit and outputs plotting signals only for a designated thick line width.例文帳に追加
太線描画用カウンタ部2は、円描画用カウンタ部1から出力される最外円周上または最内円周上の各点でのX座標およびY座標と、描画制御回路3から出力される太線幅制御信号S2とを入力して、描画方向であるX軸方向またはY軸方向の座標を1ピクセル単位で変化させ、指定された太線幅だけの描画信号を出力する。 - 特許庁
To improve the uniformity of a line width of a resist pattern in the face of a substrate by properly setting conditions in a photolithographic process for forming a resist pattern on a wafer.例文帳に追加
ウェハにレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程における条件設定を適正に行い,レジストパターンの線幅の基板面内の均一性を向上する。 - 特許庁
To provide a resist coating and developing apparatus, a resist coating and developing method, a resist-film processing apparatus, and a resist-film processing method, for reducing a line width roughness.例文帳に追加
ライン幅ラフネスをより低減することが可能なレジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法、並びにレジスト膜処理装置およびレジスト膜処理方法を提供する。 - 特許庁
Preferably, the sum of the width on the straight line for connecting the connection sections 3a, 3b at the opening 4 is not less than 4L/7 in the opening formation region 100.例文帳に追加
またかつ、開口部4の接続部3a、3b間を結ぶ直線上における幅の総計は、開口部形成領域100内に4L/7以上であることが好ましい。 - 特許庁
To provide a method for forming a stripe-like light shielding layer which is uniform in line width and is free from unevenness to a lenticular lens sheet used for a transmission type screen.例文帳に追加
透過型スクリーンに用いられるレンチキュラーレンズシートへ線幅が均一で、むらのないストライプ状の遮光層の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To precisely control time until an exposed substrate is heat-treated and to form an uniform line width.例文帳に追加
露光後の基板を加熱処理するまでの時間を正確に管理することができ、均一な線幅を形成することが可能な基板受け渡し装置及び塗布現像理システムの提供。 - 特許庁
To provide a forming method to easily obtain a conductive pattern which is comparatively thick without any deposition spot even in the line width which is smaller than the deposition diameter of ink.例文帳に追加
より簡便に比較的厚さが大きく、インクの着弾径より小さな線幅でも着弾痕のない導電性パターンを得る形成方法を提供することにある。 - 特許庁
In a PMOS transistor, a p-type active region 122 is formed so as to be overlapped on the partial region of an n-type active region 121 in the width direction of a line.例文帳に追加
PMOSトランジスタにおいて、p型活性領域122が、ラインの幅方向においてn型活性領域121の一部の領域と重なるように形成される。 - 特許庁
To provide a method and a device therefor by which a coating film of uniform thickness distribution in the width direction can be obtained in in-line die coating in a process of producing a plastic film.例文帳に追加
プラスチックフィルムの製造工程内でのインライン・ダイ・コーティングにおいて幅方向に均一な厚み分布の塗膜を得ることができる方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
To provide a waveguide/transmission line converter in which the fluctuation (deterioration) of the characteristics of resonance frequencies or the like can be hardly generated against the fluctuation of the tube width of a waveguide.例文帳に追加
導波管の管幅のバラツキに対して、共振周波数等の特性のバラツキ(劣化)が生じにくい導波管・伝送線路変換器の構造を実現する。 - 特許庁
To provide an applying/developing apparatus, capable of transferring a substrate from an exposure system to a heating section, and restraining a resolution reaction from proceeding in a resist so as to improve a developed line in uniformity of width.例文帳に追加
例えば塗布、現像装置において、レジストの解像反応の進行を抑えて露光装置から加熱部まで基板を搬送し、現像線幅の均一性を高めること。 - 特許庁
To quickly and accurately cut a material into a straight line by making a dedicated ruler matching a width from the end of a circular saw base to a cutting blade with a single circular saw to be used.例文帳に追加
使用する一つの丸のこで、丸のこ台の端より切断歯までの巾に合う専用の定規を作り、早く正確な直線を切ることが出来るようにする。 - 特許庁
A notch 13 having the predetermined length is also arranged in a broken line shape at a predetermined interval in parallel to the projection strips 11 on both ends in the panel width direction of the projection strips 11.例文帳に追加
さらに、凸条11のパネル幅方向の両端には、所定長の切込み13が、所定間隔で凸条11と平行に破線状に設けられている。 - 特許庁
An opening state where each portion of a line thermal head 6 in a printer width direction is equally separated from the platen roller 4, is formed because no distortion is generated in the head installing plate 7.例文帳に追加
ヘッド取付板7に捻れが発生しないので、ラインサーマルヘッド6のプリンタ幅方向の各部分が均一にプラテンローラ4から離れた開き状態を形成できる。 - 特許庁
To provide a photosensitive composition that find applications in formation of microscopic patterns for semiconductor production and that is superior to conventional products in exposure latitude, LWR (line width roughness) and pattern collapse performance.例文帳に追加
半導体製造の微細なパターン形成に用いられ、従来品よりも露光ラチチュード、LWR、パターン倒れ性能に優れた感光性組成物を提供すること。 - 特許庁
The member (a pleat frame 105) to be beaten of a resin with a predetermined width are fixed to the apex portion (a ridge line portion 104A) of the pleat Pa of the wave shape filter body (a pleat filter 104).例文帳に追加
波形状フィルタ本体(プリーツフィルタ104)の襞Paの頂部(稜線部104A)に樹脂製で所定幅の被叩き部材(プリーツ枠105)が固着されている。 - 特許庁
The lower wall 24 of the recessed part 17 and the lower end edge 32 of the side part 29 in the upper part 15 of the outer panel 14 are arranged substantially in one line in the width direction of the vehicle body 2.例文帳に追加
車体2の後面視で、バックドア13のアウタパネル14の上部15に窓ガラス16を嵌入させる偏平な凹部17をプレス加工により成形する。 - 特許庁
To provide a heat-developable image recording material having high sensitivity and high γ, and ensuring little variations in photographic performance, such as a character line width due to variations in the environmental humidity during storage.例文帳に追加
高感度、高ガンマで、かつ、保存する環境湿度の変動による、写真性能、例えば、文字線幅の変動が少ない熱現像画像記録材料を提供すること。 - 特許庁
The pattern of a second impurity area 62, formed for adding the impurity has a line width which, is narrower than that of the first impurity area 60 by one rank.例文帳に追加
この不純物を追加するための第2不純物領域62のパターンが、第1不純物領域60のライン幅より一回り狭いライン幅を有している。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition which forms a resist pattern with small LWR (line width roughness) and an excellent pattern shape.例文帳に追加
LWR(Line Width Roughness)が小さく、かつ、パターン形状に優れたレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁
Torsion is not generated in the head mounting plate 7, so that each part in the printer width direction of the line thermal head 6 can form an open state which is uniformly separated from a platen roller 4.例文帳に追加
ヘッド取付板7に捻れが発生しないので、ラインサーマルヘッド6のプリンタ幅方向の各部分が均一にプラテンローラ4から離れた開き状態を形成できる。 - 特許庁
The assist roller 51 is larger in width than the reversing roller 50, and has a parting line P-L in molding is at a position out of the reversing roller 50.例文帳に追加
アシストローラ51の幅は、反転ローラ50の幅よりも大きく形成され、更に成形時のパーティングライン(P・L)が、反転ローラ50から外れた場所に配置されている。 - 特許庁
To provide an illumination optical system which has superior image formation performance and is proper in illumination equality, and can apply a linear beam with a thin line width with a large aspect ratio.例文帳に追加
優れた結像性能を有し、照度均一性が良く、細い線幅の大きなアスペクト比の線状ビームを照射できる照明光学系を提供すること。 - 特許庁
In addition, a plurality of small grooves 37 have an opening width and depth smaller than the score lines 33 are provided in the face part 15 of the body of the head except for the score line formation area 35.例文帳に追加
そして、スコアライン形成領域35を除く、ヘッド本体のフェース部15に、スコアライン33より小さな開口幅と深さを有する複数本の小溝37を設けた。 - 特許庁
To provide a positive resist composition for electron beams, X-rays or EUV rays in which the resist pattern profile and changes in the line width in the post exposure period in a vacuum chamber are improved.例文帳に追加
レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
The center of the respective conductors appearing on a belt cross section is not on a straight line in the belt cross section in the belt width direction of a belt tooth bottom part existing between the belt teeth.例文帳に追加
上記ベルト歯間にあるベルト歯底部のベルト幅方向におけるベルト断面において、該ベルト断面に現れる各心線中心は一直線上にない。 - 特許庁
To provide a radiation sensitive resin composition as a chemically amplified resist that is excellent in depth of focus, LWR (Line Width Roughness), and MEEF (Mask Error Enhancement Factor), and excellent also in preventing the occurrence of a defect in development.例文帳に追加
焦点深度、LWR、MEEFに優れるとともに、現像欠陥にも優れた化学増幅型レジストである感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
Thus, an exposure condition of the fuse FU and the dummy fuse DFU is optimized by an optical proximity correction, thereby forming the fuse FU with the minimum line width.例文帳に追加
したがって、OPCによってヒューズFUおよびダミーヒューズDFUの露光条件が最適化されるので、最小線幅のヒューズFUを形成することができる。 - 特許庁
To provide a pattern printing device which improves uniformity in line width of a pattern to be printed, a film thickness, and printing position during pattern printing, and to provide a letterpress printing plate 50.例文帳に追加
パターン印刷の際、印刷されるパターンの線幅、膜厚、印刷位置の均一性を向上させるパターン印刷装置および凸版印刷版50を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern formation method, a chemical amplification type resist composition and a resist film for improving sensitivity, exposure latitude, mask error enhancement factor, and pattern shape, and for reducing line width variation.例文帳に追加
感度、露光ラチチュード、マスクエラーエンハンスメントファクター、パターン形状に優れ、線幅バラツキを低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜の提供。 - 特許庁
To provide a device and a method for inserting a sleeve for making the center position in the axial direction of a sleeve coincide with the center position in the width direction of the conveying line for metallic strips.例文帳に追加
スリーブの軸方向中心位置と金属ストリップの搬送ラインの幅方向中心位置を一致させるスリーブの挿入装置及びその方法を提供する。 - 特許庁
To expose a linear micropattern having a small line width on a photosensitive material, e.g. photoresist, using proximity field light and to reduce the cost required for exposure.例文帳に追加
近接場光を用いてフォトレジスト等の感光材料に線幅の小さい直線状の微細パターンを露光可能とし、かつ、露光に要するコストを低く抑える。 - 特許庁
To provide a method for forming wiring with a narrow line width in a state that adhesiveness to a substrate is superior, as a method for forming a wiring pattern by an ink jet method.例文帳に追加
インクジェット法による配線パターンの形成方法として、線幅の細い配線を、基板に対する密着性が良い状態で形成できる方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the width size of spaces can equally be formed when forming a line-and-space pattern by a sidewall transfer process.例文帳に追加
側壁転写プロセスによりラインアンドスペースパターンを形成するときに、スペースの幅寸法を等しく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a production method therefor with which the processes of high productivity can be proved, controllability in gate length line width is improved and an effective gate length is extremely fine.例文帳に追加
生産性の良いプロセスで行え、ゲート長線幅の制御性が良く、実効ゲート長の極めて微細な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for easily proceeding with a process for filling metal and at the same time, easily controlling the line width critical dimensions of a formed semiconductor element.例文帳に追加
金属を充填するプロセスが容易に進行できるばかりでなく、形成された半導体素子の線幅臨界次元がより容易に制御される方法を提供する。 - 特許庁
A mask body 122 is fixed in a fixing position A124a arranged on a line passing a center 121 of thermal expansion at the width of a mask frame 120.例文帳に追加
本発明は、マスクフレーム120の幅における熱膨張中心121を通過する線上に配置した固定位置A124aでマスク本体122を固定する。 - 特許庁
In this case, first coils 6 and 7 of the first common mode choke coil 3 are formed having a larger line width T1 than second coils 20 and 21 of the second common mode choke coil 17.例文帳に追加
このとき、第1のコモンモードチョークコイル3の第1コイル6,7は、第2のコモンモードチョークコイル17の第2コイル20,21よりも線路の幅寸法T1を大きく形成する。 - 特許庁
To suppress variation in the line width of a resist pattern due to the variations in the thickness of a resist film when the resist pattern is formed by exposing the chemically amplified resist film.例文帳に追加
化学増幅型のレジスト膜を露光してレジストパターンを形成する際に、レジスト膜の膜厚のばらつきに起因するレジストパターンの線幅のばらつきを抑制する。 - 特許庁
To provide a stencil mask which can control line width with higher accuracy without influence of fine and coarse patterns and pattern size at the time of application of the near exposure method.例文帳に追加
近接露光法を適用する際に、パターンの疎密、パターンサイズに影響されることなく、高精度な線幅制御が可能となるステンシルマスクを提供することである。 - 特許庁
The pair of paper guides 31 and 32 can preferably move symmetrically with respect to the center reference line in the paper width direction of the paper feed pedestal 30.例文帳に追加
一対の用紙ガイド31、32は、好ましくは、給紙台30の用紙幅方向の中央基準線に対して対称に移動可能な中央振分式となっている。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit which can reliably protect an internal circuit having a low voltage resistance by reducing a wiring resistance without involving increase of a width of a power wiring line.例文帳に追加
電源配線の配線幅を増大させることなく配線抵抗を削減し、耐圧の低い内部回路を確実に保護可能な半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
In a printed board 9, the line width of wiring patterns 13a and 13b connected to the leads 1a and 1b is made thicker than that of the other wiring patterns 13c and 13d.例文帳に追加
プリント基板9で、リード部1a、1bと接続されている配線パターン13a、13bは他の配線パターン13c,13dに比べて線幅が太く形成されている - 特許庁
To provide an exposure apparatus that can minimizes the minimum line width of a pattern after a photosensitive material is developed, and can maintain a good edge feature of the pattern.例文帳に追加
感材の現像後のパターンの最小線幅を最小限に抑えるとともにそのパターンのエッジ形状を良好に保つことができる露光装置を提供する。 - 特許庁
To increase the number of semiconductor device that can be formed on a wafer by reducing a region of a scribe line by shortening a dicing width in a simple method.例文帳に追加
簡単な方法でダイシング幅を縮小化しスクライブラインの領域を縮小化することによって、ウエハに形成可能な半導体素子の数量を増加させる。 - 特許庁
Each of the second wiring line 26 is cut into two which in turn are connected by a plurality of third wiring lines 27 having nearly the same width as the first wiring lines 25.例文帳に追加
第2配線26は、半導体チップ10近傍で分断され、且つ第1配線25の線幅と略同一幅の複数の第3配線27で接続される。 - 特許庁
The printing characters on the optical cable jacket are composed so that the maximum width b of the printing line is 1 mm or less in the characters printed by hot stamping on the jacket of the optical cable.例文帳に追加
光ケーブルの外被にホットスタンプによって印字される文字の印字線の最大幅bが1mm以下であるよう構成した光ケーブル外被の印字文字。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|