「off current」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

The resonance of a parallel resonance circuit 4 and a voltage induced in the secondary winding CT1b of a current transformer CT1 cause the transistor Q1 to turn on and off repeatedly to light a fluorescent lamp FL at high frequency.例文帳に追加

並列共振回路４の共振および電流トランスCT1 の二次巻線CT1bに誘起される電圧により、トランジスタQ1のオン、オフを繰り返し、蛍光ランプFLを高周波点灯する。 - 特許庁

Moreover, it is possible to perform the high-speed on-off control by reducing the area and the parasitic capacitance parasitic on an output end 110 by sharing the use of the output current generator 101.例文帳に追加

また、出力電流生成器１０１の構成を兼ねることにより面積を減少し、出力端１１０に付く寄生容量を減らして高速にオン／オフ制御することができる。 - 特許庁

Because the resistor 21 consumes current flowing by the arc discharge between a cathode 13 of the electron gun 8 and the anode 14 at a moment, the arc discharge is cut-off at a moment.例文帳に追加

抵抗器２１が、この電子銃８のカソード１３とアノード１４との間でアーク放電した電流を瞬時に消費することにより、このアーク放電を瞬時に遮断する。 - 特許庁

To take a large on/off ratio as a transistor and to prevent a hysteresis from occurring on a current value with respect to sweep of gate voltage or source-drain voltage.例文帳に追加

トランジスタとしてのｏｎ／ｏｆｆ比を大きくとることができるとともに、ゲート電圧あるいはソース−ドレイン電圧掃引に対して電流値にヒステリシスを生じることがないようにする。 - 特許庁

A TFT having a high mobility is formed in the circumferential circuit part and a TFT having a low OFF current is formed in the pixel part in order to enhance the charge holding rate.例文帳に追加

そして、周辺回路部分においては、高移動度を有するＴＦＴを形成し、画素部分においては、電荷保持率を高めるためにオフ電流の小さいＴＦＴを形成する。 - 特許庁

LDD regions 128a to 128d not overlapped with the gate electrode are formed in a pixel TFT 304 which forms the pixel part to form a TFT structure with a low off current.例文帳に追加

また、画素部を形成する画素ＴＦＴ３０４にはゲート電極に重ならないＬＤＤ領域１２８a〜１２８dが配置され、低オフ電流値のＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁

The initial charging means PCM comprises an AC switch, and an AC switch controller for turning the AC switch off for some time interval after zero-cross of system current.例文帳に追加

また、前記初期充電手段ＰＣＭは、交流スイッチと、系統電流のゼロクロスからある時間間隔の間、前記交流スイッチをターンオフする交流スイッチ制御器を包含する。 - 特許庁

To provide a gate turnoff thyristor device that prevents failure, from being caused between anode and a gate by a surge voltage due to an off-gate current, and achieves miniaturization.例文帳に追加

オフゲート電流によるサージ電圧によるアノードとゲートとの間の故障の発生を回避可能で信頼性を向上でき、かつ、小型化を図れるゲートターンオフサイリスタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor heterojunction field effect transistor where a normally-off action can be attained, a sufficient channel current can be acquired, and a threshold voltage can be easily controlled.例文帳に追加

ノーマリオフ動作を達成でき、充分なチャンネル電流を得ることができ、かつしきい値電圧の制御が容易な窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

This permits a gate voltage of a NMOS7 to be reduced by a diode 14, thus positively turning off the NMOS7 before a current running into a secondary winding 2b of a transformer 2 becomes zero.例文帳に追加

これにより、ＮＭＯＳ７のゲート電圧がダイオード１４により減少し、トランス２の二次巻線２ｂに流れる電流がゼロになる前に、確実にＮＭＯＳ７をオフすることができる。 - 特許庁

By employing a current source selectively started, a bias of a channel is turned off when each multiplexer channel (11) has the channel not selected for switching operations.例文帳に追加

選択的に起動される電流源を使用することにより、各マルチプレクサチャンネル(11)にスイッチング動作用に選択されていないチャンネルがある場合には、そのチャンネルのバイアスをオフにする。 - 特許庁

By turning on or off the zener diodes 45 and 47 according to a current to be detected (namely, a voltage across the resistance circuit 40), the resistance value of the resistance circuit 40 is switched appropriately.例文帳に追加

検出する電流（即ち当該抵抗回路４０の両端電圧）に応じて、ツェナーダイオード４５，４７がオン，オフすることにより、当該抵抗回路４０の抵抗値が適宜切り替わる。 - 特許庁

A new silicon carbide and silicon (SiC/Si) hetero structure N- type negative differential resistance semiconductor switch with a low power loss and a large on/off current ratio is provided.例文帳に追加

本発明は、低い電力損と大きいオン／オフ電流比を持つ、新規の炭化シリコンおよびシリコン（ＳｉＣ／Ｓｉ）ヘテロ構造Ｎ型ネガティブディファレンシャルレジスタンス半導体スイッチである。 - 特許庁

The value just before the OFF operation out of the voltage applied to the nonreversed input terminal of the comparator 90 for inhibition processing becomes roughly constant regardless of an output current by superposing sawtooth waves.例文帳に追加

鋸波を重畳することで、禁止処理用コンパレータ９０の非反転入力端子に印加される電圧のうちオフ作動直前値が、出力電流にかかわらず略一定となる。 - 特許庁

To realize a semiconductor device in which an off-leak current hardly increases, even if a silicide region of nickel or nickel alloy is formed on a source and drain of an n-channel MISFET.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置を実現する。 - 特許庁

The SiC GTO device can control a surge voltage, generated between an anode electrode 12 and a gate electrode 13 by an off-gate current, by using a zener diode structural part 6.例文帳に追加

このＳｉＣ ＧＴＯ装置によれば、オフゲート電流によって発生するアノード電極１２とゲート電極１３との間のサージ電圧をツェナーダイオード構造部６によって抑制できる。 - 特許庁

To enable prevention of power loss by eliminating the occurrence of a leakage current occurring due to a diode for cutting off an overcurrent caused by static electricity.例文帳に追加

静電気による過電流遮断用のダイオードによって発生する漏洩電流の発生を除去し電力消耗の浪費を防止できるＩ２Ｃ通信方式のカメラモジュールに関する。 - 特許庁

When the level of usage is above the threshold level, the method is realized by providing an offer including an incentive to use the system during a future off-peak hours to the current user.例文帳に追加

使用状況が閾値レベルを上回る場合、現ユーザに対し、後のオフピーク時間帯におけるシステムの使用のインセンティブを含む申し入れがなされることによって実現される。 - 特許庁

As the transistor having a low leakage current in an OFF state, a transistor including an oxide semiconductor layer and having a channel forming region in the oxide semiconductor layer is used.例文帳に追加

また、オフ状態でのリーク電流が低いトランジスタとしては、酸化物半導体層を有し、且つ酸化物半導体層にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることである。 - 特許庁

A drain off current is prevented from flowing from the insulating film 16 side surface of one source-drain electrode 14 to the other source-drain electrode 14 through the semiconductor layer 15.例文帳に追加

一方のソース／ドレイン電極１４の絶縁膜１６側表面から半導体層１４を介して他方のソース／ドレイン電極１４にドレイン・オフ電流が流れることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has higher performance of transistor characteristics through improvement in driving power, a decrease in sub-threshold coefficient, reduction of an off current, and reduction of a driving voltage, and is reduced in power consumption.例文帳に追加

駆動力向上、サブスレッショルド係数低減、オフ電流低減、駆動電圧の低減等トランジスタ特性の高性能化、低消費電力化を実現する半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a structurally simple pushbutton switch which can perform on/off operations of a contact together with a clicking operation without flowing electric current through a spring material generating the clicking operation.例文帳に追加

クリッキング動作を生ぜしめるバネ材に電流を流すことなく接点のオン・オフ動作をクリッキング動作とともに行うことができ、かつ構造が簡単な押しボタンスイッチを得ようとすること。 - 特許庁

Normally, a terminal A is set to a Lo level and a transistor Tr2 is turned off but a first transistor Tr1 is turned on by a base current flowing through R3.例文帳に追加

通常時、端子ＡはＬｏレベルに設定され、トランジスタＴｒ２はＯＦＦ状態となり、Ｒ３を介して、第一トランジスタＴｒ１にベース電流が流れてＴｒ１がＯＮ状態となる。 - 特許庁

When the low potential side output transistors Q3, Q4 are turned off by PWM control, the driving coil L2 through which a sync current is made to flow generates counter electro-motive force of the power source voltage or higher.例文帳に追加

シンク電流が流れている駆動コイルＬ２は、ＰＷＭ制御で低電位側出力トランジスタＱ３、Ｑ４がオフすると、電源電圧以上の逆起電圧を発生する。 - 特許庁

Then, the MOSFET (T2) is turned on during part of a period when the electronic switch T1 is turned off, and a return current flowing through the motor M1 is made to flow into the MOSFET (T2).例文帳に追加

そして、電子スイッチＴ１がオフとされている期間の一部の期間にてＭＯＳＦＥＴ（Ｔ２）をオンとして、モータＭ１に流れる還流電流をＭＯＳＦＥＴ（Ｔ２）に流す。 - 特許庁

When an angle 27 of the following side of an input duct is inputted, it is rounded off to an angle to be estimated from a current position 28 of a mouse pointer with a fold point 29 as a reference point.例文帳に追加

入力する管路の次辺の角度２７を入力する際に、折れ点２９を基準点として、マウスポインタの現在位置２８から推定される角度にまるめられる。 - 特許庁

When a DC power supply voltage is input to the first control terminal 4, the transistor Tr1 is turned on while the transistor Tr2 is off and a first current is transmitted to the common terminal 6.例文帳に追加

第１の制御端子４に直流電源電圧が入力されたときにはトランジスタＴｒ１がオンしトランジスタＴｒ２がオフして第１の電流が共通端子６に送出される。 - 特許庁

Each changeover switch 42a, 42b is turned on/off according to a driving signal to cause drive means 40 to supply a driving current to a control terminal 11 of a semiconductor switching element 10.例文帳に追加

各切替スイッチ４２ａ、４２ｂが駆動信号に従ってオン／オフすることにより、駆動手段４０が半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に駆動電流を供給する。 - 特許庁

Since discharge current from a capacitor C_75 stops flowing after a predetermined time, the transistor Q_75 is turned OFF to cause the photo diode PH_1IN to light up again, and the BCR is turned ON to cause the drilling motor to be re-driven.例文帳に追加

所定時間後、コンデンサＣ_75からの放電電流が流れなくなるのでトランジスタＱ_75がオフしてフォトダイオードＰＨ_1INが再度点灯し、ＢＣＲがオンしてドリルモータが再駆動される。 - 特許庁

In the forward pulse shift, a through current is prevented from flowing between a fifth transistor tr5 and a seventh transistor tr7 by turning off a 16th transistor tr16.例文帳に追加

順方向パルスシフト時には、第１６トランジスタｔｒ１６をオフすることによって、第５トランジスタｔｒ５と第７トランジスタｔｒ７間に貫通電流が流れることを防止する。 - 特許庁

The bias current control circuit 4 cuts off bias currents of the first and second comparators 2, 3 and alternately invalidates the comparators to control a charging / discharging period of the capacitor Co.例文帳に追加

バイアス電流制御回路４は、第１、及び第２のコンパレータ２，３のバイアス電流をカットし、それらを交互に無効化することにより、コンデンサＣｏの充放電期間を制御する。 - 特許庁

To prevent sudden increase of current consumption when power is turned on simultaneously for a plurality of printers being turned on/off controllably through a network.例文帳に追加

複数台の電源投入／遮断制御可能な印刷装置がネットワークを介して同時に電源投入された場合、起動時に発生する突発的な消費電流の上昇を防止する。 - 特許庁

In this way, an average ΔI_ave of variation of the charging current and an average ΔV_ave of variation of the cell voltage are calculated when the charge control EFT 12a undergoes ON/OFF.例文帳に追加

このように、充電制御ＦＥＴ１２ａをＯＮ／ＯＦＦさせた場合の充電電流の変動量の平均値ΔＩ_aveと、セル電圧の変動量の平均値ΔＶ_aveとを算出する。 - 特許庁

This on-signal canceling circuit 30 is provided between a switch 40 for carrying a current in a squib 54 and an input terminal 22 for a control signal 1 for on/off control of the switch 40.例文帳に追加

スクイブ５４に電流を流すためのスイッチ４０と、このスイッチ４０のオンオフを制御する制御信号１の入力端子２２との間にオン信号キャンセル回路３０を設ける。 - 特許庁

A switching device 5 controls run or shut-off of primary current running in an ignition coil 2 according to an ignition control signal output from an ECU 1, and high voltage is generated on a secondary side of the coil.例文帳に追加

ＥＣＵ１から出力される点火制御信号に応じて、スイッチング素子５は、点火コイル２に流れる１次電流を通電，遮断制御し、コイル２次側に高電圧を発生させる。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode lighting circuit capable of preventing weak light emission by a light-emitting diode when operating current is intercepted to switch off the light-emitting diode, and to provide a lighting device.例文帳に追加

動作電流を遮断して発光ダイオードを消灯したときに発光ダイオードでの微弱発光を防止することが可能な発光ダイオード点灯回路および照明装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, a contact capacity is not to be increased by the excitation coil 500 when the switch 700 is at an off-state, so that a drive current can be cut down by efficient magnetic coupling.例文帳に追加

したがって、スイッチ７００がオフ状態のとき励磁コイル５００により接点容量が増加することはなく、効率的な磁気カップリングによって駆動電流を小さくすることができる。 - 特許庁

When the temperature of the auxiliary PTC 14 reaches 140°C, a snap action bimetal 18 is turned off to interrupt the current flowing through the main PTC 12 and starting operation of a single-phase induction motor 70 is completed.例文帳に追加

補助ＰＴＣ１４が１４０℃に達すると、スナップアクションバイメタル１８がオフし、主ＰＴＣ１２には電流が流れなくなり、単相誘導電動機７０の起動が完了する。 - 特許庁

Consider the changes in Japan's current balance. The trade balance has leveled-off in the past 20 years, while the income balance has been on the rise along with a growing surplus (see Figure 2-2-2).例文帳に追加

そこで、我が国の経常収支の推移を見ると、貿易収支はここ20年間おおむね横ばいであるのに対し所得収支の黒字が拡大しており、増加基調にある（第2-2-2図）。 - 経済産業省

By closing the power supply switch 9, the base electric potential of transistor Tr becomes GND level, and the transistor Tr works off-action then the electric current is not passed to the relay coil 7a and the relay contact 7b is opened.例文帳に追加

電源スイッチ９が閉じると、トランジスタＴｒのベース電位がＧＮＤレベルとなり、トランジスタＴｒがオフ動作し、リレーコイル７ａに電流が流れなくなり、リレー接点７ｂが開く。 - 特許庁

A transistor Q1, turned on/off by a pulse output from a pulse generation circuit 8, is provided, and a current flows from a constant voltage line Vcc through an excitation coil 4 of the resolver, when the transistor is turned on.例文帳に追加

パルス生成回路８から出力されるパルスによりオンオフするトランジスタＱ１を設け、トランジスタのオン時にレゾルバの励磁コイル４に定電圧ラインＶｃｃから電流を流す。 - 特許庁

This charging set has a switching element which adjusts the charge power to increase or decrease, a PWM control circuit which intermittently switches on or switches off the switching element, a current detecting circuit which detects the current flowing in the switching element, and a correcting circuit which corrects the output voltage of the current detecting circuit, according to the voltage of a power source.例文帳に追加

充電装置は、充電電力を増減調節するスイッチング素子と、そのスイッチング素子を断続的にオン・オフさせるＰＷＭ制御回路と、そのスイッチング素子を流れる電流を検出する電流検出回路と、その電流検出回路の出力電圧を電源電圧に応じて修正する修正回路を有している。 - 特許庁

The overvoltage detection circuit 17 of an overvoltage protection circuit 26 short-circuits a current-limiting resistor 13 by bringing an FET 16 into conduction state, when power supply voltage is within a predetermined range; and when the power supply voltage exceeds 27 V, the overvoltage is clamped and a current is fed to the current limit resistor 13 by turning off the FET 16.例文帳に追加

過電圧保護回路２６の過電圧検出回路１７は、電源電圧が所定範囲である場合はＦＥＴ１６を導通状態にして電流制限抵抗１３を短絡しておき、電源電圧が２７Ｖを超えて上昇すると、その過電圧をクランプすると共にＦＥＴ１６を遮断して電流制限抵抗１３に電流を流す。 - 特許庁

A current-voltage converting circuit 2 includes a first feedback circuit 5 for outputting such a voltage of an output voltage Vout as accords to the magnitude of a low-frequency component at or lower than a predetermined first cut-off frequency, and a shunt transistor Q1 for extracting a current according to the magnitude of the output of the first feedback circuit 5, from an input current Iin.例文帳に追加

電流電圧変換回路２は、出力電圧Ｖｏｕｔのうち所定の第１カットオフ周波数以下の低周波成分の大きさに応じた電圧を出力する第１の帰還回路５と、第１の帰還回路５の出力の大きさに応じた電流を入力電流Ｉｉｎから引き抜く分流用トランジスタＱ１とを備えている。 - 特許庁

The impurity density of a p-base region of each cell which constitutes each IGBT chip is increased, the threshold voltage of the gate is set high, and a collector saturation current of each IGBT chip is suppressed to three times as high as rated current or below in order to increase the breaking current of an IGBT pack 20 (semiconductor device) for performing turn-off wherein the IGBT chips 1 are stored.例文帳に追加

ＩＧＢＴチップを構成する各セルのｐベース領域の不純物濃度を高くして、ゲートしきい値電圧を高く設定し、ＩＧＢＴチップのコレクタ飽和電流値を定格電流の３倍以下に抑制し、ＩＧＢＴチップ１が収納されたＩＧＢＴパック２０（半導体装置）のターンオフ可能遮断電流の向上を図る。 - 特許庁