「positive film」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method for a structure having thin holes comprises a process to prepare a base board 2 having recesses at the surface, a process to form a film 11 as work to be processed on the surface of the board, and a process to subject the film as work to be processed to a positive electrode oxidation.例文帳に追加

本発明の細孔を有する構造体の製造方法は、（１）表面に凹部を有する基板２を用意する工程と、（２）前記基板表面に被加工物膜１１を配置する工程と、（３）前記被加工物膜を陽極酸化する工程とを有する。 - 特許庁

The life of the battery is prolonged by manufacturing it by continuously laminating unit cells formed by sticking the positive electrode plate and the negative electrode plate cut into a size with a prescribed standard fast to the separation film and by winding them with the lamination film held with a constant tensile force, while rotating them.例文帳に追加

一定の規格に切断された正極板および負極板を分離膜に密着させた単位セルを回転させるものの、一定の引張力で保持される分離膜で巻取って連続的に積層して作製することによって、電池の寿命を延ばす。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition capable of forming a thick photosensitive film with good adhesiveness even on a substrate of copper, an iron-nickel alloy or the like having inferior adhesiveness and capable of forming a space pattern with good perpendicularity, and to provide a board with a photosensitive film and a resist pattern forming method.例文帳に追加

銅や鉄−ニッケル合金等の接着性の悪い基板上に対しても膜厚の感光性膜を接着性よく形成でき、スペースパターンを垂直性よく形成可能なポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、レジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

After a positive photosensitive film pattern is formed at the upper part of the gate electrode of the insulating layer, an organic semiconductor and an insulator are formed at the upper part of the gate electrode by etching the organic semiconductor layer and the insulating layer, using the photosensitive film pattern as an etching mask.例文帳に追加

また、絶縁層のゲート電極上部に陽性の感光膜パターンを形成した後、感光膜パターンをエッチングマスクとして有機半導体層と絶縁層をエッチングしてゲート電極の上部に有機半導体と絶縁体を形成する。 - 特許庁

To provide a highly sensitive and high-resolution positive type photosensitive resin composition which is excellent in hardening film property, and which is characterized by the fact that it causes little decrease in the film thickness or no loss of the pattern shape and that there is no scum of the photosensitive resin composition remaining in the exposure part.例文帳に追加

本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、膜減りが少なく、パターン形状の崩れがなく、更に露光部の感光性樹脂組成物の残り（スカム）がない特性を有する高感度で高解像度、かつ硬化膜物性に優れるものである。 - 特許庁

The optical information part is divided into a dark part and a bright part in this way (S72), when a lump of dark parts is larger than a prescribed value, it is decided as a positive film (S74 to S76) and when it is less than the prescribed value, it is decided as a negative film (S74, S75 and S77).例文帳に追加

このようにして光学情報部を暗部と明部に分け（Ｓ７２）、暗部のかたまりが所定値より大きいとき、ポジフィルムと判定し（Ｓ７４，Ｓ７５，Ｓ７６）、所定値未満のとき、ネガフィルムと判定する（Ｓ７４，Ｓ７５，Ｓ７７）。 - 特許庁

An optical electric conduction film 5 of which substance is the same with that of a positive hole injection layer 421 is formed to the organic EL element 1 and the organic EL element 1 is connected with the organic EL element drive circuit 2 by witch the drive current of the organic EL element 1 changes in proportion to the electric resistance of the optical electric conduction film 5.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は正孔注入層４２１と同材料である光導電膜５が形成されており、光導電膜５の電気抵抗に比例して有機ＥＬ素子１の駆動電流が変化する有機ＥＬ素子駆動回路２に接続される。 - 特許庁

A current collecting element 5, which is arranged with a positive electrode 2 and a negative electrode 3 face to face via a separator 4, is sealed with film-like laminate bodies 9 formed by covering a metal thin film 6 with an inner laminate resin 7 and an outer laminate resin 8 to form a battery device 1 of a laminate case.例文帳に追加

セパレータ４を介して陽極２と陰極３を対向させた集電素子５を、金属薄膜６を内側ラミネート樹脂７と外側ラミネート樹脂８とで被覆したフィルム状のラミネート体９で密封して、ラミネートケースの蓄電装置１を形成する。 - 特許庁

In this structure, when positive potential V_S is applied to a high potential electrode 2 with reference to a low potential electrode 3, then the potential V_S is also applied to the end of the spiral thin film layer 6 connected to the high potential electrode 2, thereby forming uniform potential distribution over the spiral thin film layer.例文帳に追加

この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位Ｖ_S を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位Ｖ_S が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。 - 特許庁

By the negative bias, positive holes are distributed unevenly in an n^+-type embedded region 3 and an n-type semiconductor layer 4 close to the trench insulation film 5, so that the center of the flow of electrons is shifted not only to the center of a pn junction but also to the side of the trench insulation film 5.例文帳に追加

この負バイアスにより、トレンチ絶縁膜５に近いｎ＋型埋め込み領域３及びｎ型半導体層４内に正孔が偏在し、これにより電子の流れの中心はｐｎ接合の中心だけではなく、トレンチ絶縁膜５側にシフトする。 - 特許庁

In this organic light emitting device wherein an organic layer using an organic material is formed between a transparent positive electrode 1 and a negative electrode 3, the organic layer 2a is formed so that a first layer comprising a part with a thick film and a second layer comprising a part with a thin film appear by turns.例文帳に追加

透明陽極１と陰極３との間に有機材料を用いた有機層が形成された有機発光素子において、有機層２ａが、膜厚の厚い部分からなる第１の層と、膜厚の薄い部分からなる第２の層とが交互に出現するように形成される。 - 特許庁

An enclosure 3 of a fluorescent print head contains filamentous negative electrodes 7, a multiplicity of dot-like positive electrodes 4 each equipped with a phosphor, a getter film formed on an inner surface of the enclose by the vapor from a getter 10, and a screening plate 30 for preventing CH4 emitted from the getter film from moving to the phosphors.例文帳に追加

蛍光プリントヘッドの外囲器３内には、フィラメント状の陰極７と、蛍光体を備えた多数のドット状の陽極４と、ゲッター１０が蒸発して外囲器内面に形成したゲッター膜と、ゲッター膜から放出されたＣＨ_4 が蛍光体に移動するのを防止する遮蔽板３０がある。 - 特許庁

The method of manufacturing a solid electrolytic capacitor includes a step (b) to form a dielectric oxide film 3 on the entire surface of a positive electrode 1 and a part of the surface of an anode lead 2 by electrochemical treatment, and steps (c) and (d) to form a conductive high polymer layer 4 on the dielectric oxide film 3.例文帳に追加

固体電解コンデンサの製造方法は、電解化成処理により陽極体１の全表面および陽極リード体２の一部表面に誘電体酸化皮膜３を形成する工程（ｂ）と、誘電体酸化皮膜３上に導電性高分子層４を形成する工程（ｃ），（ｄ）とを備える。 - 特許庁

A collector layer 20, a positive electrode active material layer 30, a solid electrolyte layer 40, and an oxide conductive film layer 50 functioning as a negative electrode active material layer, are laminated on a substrate 10 in this order, and the oxide conductive film layer 50 comprises a substance having a resistivity of not more than 1×10^-2 Ωcm.例文帳に追加

基板１０上に、集電体層２０、正極活物質層３０、固体電解質層４０、負極活物質層として機能する酸化物導電膜層５０がこの順に積層され、酸化物導電膜層５０は、抵抗率が１×１０^−２Ω・ｃｍ以下の物質からなる。 - 特許庁

In the application of the alleviation pulse, a positive voltage is applied to the selection gate in a state that holes are distributed at the selection gate side of a charge accumulating film, and 0V is applied to the memory gate to connect the hole and the electron, and thereby electric charges in the charge accumulating film are stabilized.例文帳に追加

緩和パルス印加では、電荷蓄積膜の選択ゲート側にホールが電子より多く分布している状態において、選択ゲートに正電圧を印加し、メモリゲートに０Ｖを印加して、ホールと電子とを結合させて、電荷蓄積膜中の電荷を安定化させる。 - 特許庁

An anion conductive polymer solid electrolyte film 9 is used as a polymer solid electrolyte film of an oxygen concentration adjusting means 5, and a positive electrode 11 side of the oxygen concentration adjusting means 5 is connected to a sealed food storage container 6, which enables a food storage space 7 to have the atmosphere of high oxygen concentration and high humidity.例文帳に追加

酸素濃度調整手段５の高分子固体電解質膜としてアニオン伝導性高分子固体電解質膜９を用い、前記酸素濃度調整手段５の陽極１１側を、密閉された食品保存容器６に接続する。 - 特許庁

The close range visual acuity chart 1 has a positive film 2 as a target sheet wherein a target 4 is formed to a transparent film and the sheetlike surface light emitting element 10 arranged to the back surface of the target sheet and the target 4 of the close range visual acuity chart 1 is illuminated and displayed from the back surface by the emission of light of the surface light emitting element 10.例文帳に追加

近距離視力表１は、透明フィルムに視標４を形成した視標シートとしてのポジフィルム２と、その背面に配設されたシート状の面発光素子１０とを有し、近距離視力表１の視標４は背面から面発光素子１０の発光により照明表示される。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition capable of forming a pattern of ≤0.8 μm width with good perpendicularity and having no dependence on baking when a resist film of ≥3.0 μm is patterned on a stepped board and to provide a board with a photosensitive film and a resist pattern forming method.例文帳に追加

３．０μｍ以上のレジスト被膜を段差基板上に、幅０．８μｍ以下のパターンを形成する際、垂直性のよく形成でき、ベーク処理に依存性がないポジ型ホトレジスト組成物と感光性膜付基板とレジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

Plural rectangular-solid thin film structures 2 formed of positive type photoresist and having a width of 200 μm, a length of 500 μm and a thickness of 1,000 nm are mounted on a base material 1 formed of a silicon wafer, and a lid body 3 is mounted on the base material 1 through a cushioning film 4.例文帳に追加

シリコンウエハからなる基材１上にポジ型フォトレジストからなり幅が２００μｍ、長さが５００μｍ、厚さが１０００ｎｍの直方体の薄膜構造体２を複数設け、基材１上には緩衝膜４を介して蓋体３を搭載する。 - 特許庁

To provide a positive-working original plate for a printing plate for an infrared laser and for so-called direct plate making capable of improving film strength and reduction in film thickness while retaining sensitivity and capable of direct plate making particularly from digital signals of a computer or the like.例文帳に追加

感度を維持しながら、膜強度、膜減りを向上することができる、赤外線レーザ用ポジ型の、特にコンピュータ等のディジタル信号から直接製版できるいわゆるダイレクト製版用のポジ型印刷版用原版を提供する。 - 特許庁

A third passivation film 45 is provided beneath an EL element 203 made up of a pixel electrode (positive electrode) 46, an EL layer 47, and a negative electrode 48, and prevents an alkaline metal in the EL element 203 formed by an ink-jet mode from being diffused toward a TFT(thin-film transistor).例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

A stainless product on which the oxide coating film is produced is dipped into an acidic water containing sulphate ion, one side of stainless product is connected to a positive (+) electrode, the other side of stainless product is connected to a negative (-) electrode, a direct current is applied and, thus, oxide coating film removal treatment is performed.例文帳に追加

硫酸イオンを含む酸性水中に、酸化被膜が発生したステンレス製品を漬け、一方のステンレス製品を（＋）電極に接続し、他方のステンレス製品を（−）電極に接続して、直流電流を印加し、酸化被膜除去処理を実施するようにした。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity positive photosensitive resin composition for use in formation of a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide having such properties as high hardness, high resoluiton, high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant.例文帳に追加

高硬度、高解像度、高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition which retains high transmission coefficient even when burned at high temperature after film formation and which is suitable for material for forming a patterned insulation film used for a liquid crystal display element, an organic EL display element, a solid imaging element or the like, and suitable for color filter material or the like.例文帳に追加

膜形成後に高温下で焼成しても高い透過率を維持し、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子、固体撮像素子等に使用されるパターン状絶縁性膜を形成するための材料やカラーフィルタ用材料等に好適なポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

In the thin-type battery comprising to pinch a power generation element consisting of a positive electrode 3, a negative electrode 1 and an electrolyte 2 by two sheath materials 4, 5, a heat-fusible plastic film having a metal layer is used on one sheath material 4, and a metal film is used on the other sheath material 5.例文帳に追加

正極３、負極１、電解質２からなる発電要素を二つの外装材４、５で挟持してなる薄型電池において、一方の外装材４に金属層を有する熱融着性プラスチックフィルムを用い、他方の外装材５に金属フィルムを用いている。 - 特許庁

To obtain an alkali-soluble unsaturated resin capable of forming a positive-type resist film which has high sensitivity, developability and film remaining rate and also high heat resistance, chemical resistance, adhesion to a substrate and optical transparency in the visible light region, and a radiation-sensitive resin composition including the resin.例文帳に追加

感度、現像性に優れ、残膜率に優れるとともに、耐熱性、耐薬品性、基板との密着性、可視光領域における透明性に優れたポジ型レジスト膜を形成しうるようなアルカリ可溶性不飽和樹脂およびこの樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for suppressing the generation of residues after the development of a resist film thereof, while maintaining good adhesion of the resist film to a substrate so as to form a fine resist pattern, and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

微細なレジストパターンを形成するためにレジスト膜と基板との密着性を良好に維持しつつも、レジスト膜の現像後の残渣の発生を少なく抑えることができるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist applicable to both a process using an antireflection film and a process not using the film, excellent in resist pattern shape, sensitivity, focal depth-width quality and post-exposure temporal stability and having no substrate dependence.例文帳に追加

反射防止膜を用いたプロセス及び用いないプロセスのいずれにも適用することができ、レジストパターン形状、感度、焦点深度幅特性及び引き置き経時安定性に優れ、かつ基板依存性のない化学増幅型ポジ型レジストを提供する。 - 特許庁

In forming the overcoat layer on the color filter with a resin black matrix and coloring pixels formed thereon, the desired thick film overcoat layer is formed by providing a thick coating film 24 with a positive type photosensitive resin, by exposing it with ultraviolet rays 28 and by etching it with a developer 29.例文帳に追加

樹脂ブラックマトリックス、着色画素が形成されたカラーフィルタ上にオーバーコート層を形成する際に、ポジ型感光性樹脂で厚膜の塗布膜２４を設け、紫外線２８露光を行い、現像液２９でエッチングし、所望の厚膜のオーバーコート層を形成すること。 - 特許庁

The hydrogen storage metal alloy-air cell is constituted using cation exchange resin or a cation exchange resin film as an electrolyte, using the hydrogen storage metal alloy electrode, which has the coating film of the conductive polymer on the surface of the above hydrogen storage metal alloy as a negative electrode, and using an air electrode as a positive electrode.例文帳に追加

上記水素吸蔵合金の表面に導電性高分子の被膜を有する水素吸蔵合金電極を負極として用い、空気極を正極として用い、カチオン交換樹脂またはカチオン交換樹脂膜を電解質として用いて水素吸蔵合金−空気電池を構成する。 - 特許庁

In the capacitor device 1, the capacitive element 2 having a dielectric 2d intervening between a positive electrode film 2b and a negative electrode film 2c is fixed to a case 11 by a first shaft 5 and a second shaft 6 inserted in its hollow part 2a.例文帳に追加

本発明のコンデンサ装置１は、正極膜２ｂと負極膜２ｃとその間に介在する誘電体２ｄとを有するコンデンサ素子２を、その中空部２ａに挿通した第１シャフト５と第２シャフト６によってケース１１へ固定する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which is excellent in a pattern form with uniformity, high sensitivity and high resolution in thick film pattern forming, is excellent in substrate adhesiveness, film leaving property and storage stability, can obtain a high throughput, and can bear a metallic growth stress.例文帳に追加

厚膜パターン形成において、均一性、高感度・高解像度でパターン形状に優れ、基板密着性、残膜性、貯蔵安定性に優れ、高スループットが得られ、かつ金属成長応力に耐え得るポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The film for thermocompressing bonding print lamination is characterized by that an ethylenic adhesive resin layer is laminated on one face of a biaxially oriented polypropylene film, and the shrinkage in the width direction among heat shrinkages at 90°C is a positive value of ≤0.20% and the face shrinkage is 1.2-2.0%.例文帳に追加

二軸延伸ポリプロピレンフィルムの片面にエチレン系接着性樹脂層が積層され、９０℃における熱収縮率のうち幅方向収縮率が０．２０％以下の正値であり、かつ面収縮率が１．２〜２．０％であることを特徴とする熱圧着プリントラミネート用フィルム。 - 特許庁

The end face of at least one of the peripheral part of the positive electrode active material containing layer 4 and the negative electrode active material containing layer 7 is covered by an insulating resin film 10 which is a resin film having a thermal resistant resin with thermal resistant temperature of 150°C or more as a base body and contains a thermoplastic resin inside.例文帳に追加

正極活物質含有層４および前記負極活物質含有層７の少なくとも一方の周端部の端面を、１５０℃以上の耐熱温度を有する耐熱性樹脂を基体とする樹脂膜であって、その内部に熱可塑性樹脂を含む絶縁性樹脂膜１０により被覆する。 - 特許庁

Even when positive electric charges are stored in a gate oxide film by irradiation with X rays, the P channel MOSFET has no false channel formed right below the gate oxide film and can reduce a leak through a channel as compared with an N channel MOSFET.例文帳に追加

Ｘ線の照射によってゲート酸化膜に正の電荷が蓄積した場合でも、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴではゲート酸化膜直下に擬似的なチャネルが形成されず、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴに比べてチャネルを通したリークを軽減することができる。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition for a thick film capable of obtaining a good resist pattern with high sensitivity even on a support having a portion formed of copper on an upper surface thereof, and a method for producing a thick film resist pattern.例文帳に追加

上面に銅によって形成された部分を有する支持体上においても高感度に良好なレジストパターンを得ることが可能な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of forming a resist pattern with a small dimensional change in a thin film and suitable for use in a thin film implantation process, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

薄膜においてレジストパターンの寸法変化の小さいレジストパターンを形成でき、薄膜インプランテーションプロセス用として好適な薄膜インプランテーションプロセス用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A negative electrode portion 3 is constituted by forming a positive electrode oxide film 2 on both surfaces of an aluminum base 1 and sequentially laminating a solid-state electrolytic layer 7 comprising a conductive polymer, a graphite layer 8, and a metal layer 9 in the form of a square on the center of the film.例文帳に追加

アルミニウム基体１の両表面に陽極酸化皮膜２を形成し、その中央部に方形状に導電性高分子からなる固体電解質層７、グラファイト層８、金属層９を順に積層して陰極部３を構成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thick film metal electrode and a method of forming a thick film resist capable of forming a positive-negative inverted resist which has a thickness of 7 μm or more, being excellent in in-plane uniformity, on a circuit element layer formed on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板に形成された回路素子層上に、厚さが７μｍ以上で、かつ面内均一性に優れたポジ−ネガ反転型レジストが形成可能な厚膜金属電極の形成方法、及び厚膜レジストの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive relief pattern forming material for which an alkali developer can be used in a development process as a material for a surface protective film or an interlayer insulation film of a semiconductor device, and which ensures a low residual stress because of a low curing temperature and exhibits excellent heat resistance and mechanical characteristics.例文帳に追加

半導体装置の表面保護膜または層間絶縁膜材料用途として、現像工程でアルカリ現像液が使用でき、低いキュア温度により、残留応力が低く、優れた耐熱性、機械特性等を発現するポジ型感光性レリーフパターン形成材料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor oxide of thin-film transistor that is excellent in switching characteristic and stress resistance of a thin-film transistor of In-Zn-O excluding Ga and particularly that has a small threshold voltage variation before and after positive bias stress application and is excellent in stability.例文帳に追加

Ｇａを含まないＩｎ−Ｚｎ−Ｏの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition that has good radiation sensitivity, and from which high light transmittance, voltage retention, and good developability and pattern forming property capable of reacting on changes in cured film formation condition are provided to an interlayer dielectric film obtained, the interlayer dielectric film formed from the composition and a method for forming the interlayer dielectric film.例文帳に追加

優れた放射線感度を有し、得られる層間絶縁膜が高い光線透過率及び電圧保持率を備えつつ、硬化膜形成条件の変化にも対応できる優れた現像性及びパターン形成性を備えるポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition for an organic insulating film having a wide development margin and forming an interlayer insulating film excellent in transparency, solvent resistance, heat resistance, insulation stability and fitness for ITO, an organic insulating film using the same, and an organic EL display device and a liquid crystal display device including the organic insulating film.例文帳に追加

現像マージンが広く、且つ、透明性、耐溶剤性、耐熱性、絶縁安定性、及びＩＴＯ適性に優れた層間絶縁膜を形成しうる有機絶縁膜用ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた有機絶縁膜、該有機絶縁膜を具備する有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置の提供。 - 特許庁

About the retardation plate and the polarizer on one side of the liquid crystal element 1, the polarizer consists of the transparent substrate 4 and the polarizer film 6 allowed to adhere to each other and the retardation plate consists of the retardation film 8 to which birefringence is imparted by extension and which has positive refractive index anisotropy and the retardation film 8 is allowed to adhere to the polarizer film 6.例文帳に追加

液晶表示素子１に対する一方側の位相差板と偏光板とについて、偏光板は、透明支持体４と偏光子フィルム６とが接着されたものからなり、位相差板は延伸により複屈折性が付与された正の屈折率異方性を有する位相差フィルム８からなり、この位相差フィルム８が偏光子フィルム６に接着されている。 - 特許庁

When the positive film 4 is set by a film setting part 83, at least either the quantity of light radiated from a light emitting part 51a or the amplification factor of a signal representing the transmission amount of light at an amplification part 81 is set by a switching part 86 so that it may be larger than when the negative film 3 is set by the film setting part 83.例文帳に追加

フィルム設定部８３によりポジフィルム４が設定されている場合に、切り換え部８６によって、発光部５１ａから照射される光の量および増幅部８１での光の透過量を表す信号の増幅率の少なくともいずれか一方が、フィルム設定部８３によりネガフィルム３が設定されている場合よりも大きくなるように切り換える。 - 特許庁