「process device」に関連した英語例文の一覧と使い方(300ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a digital video signal decoder device to generate a clock of the suitable frequency for Y/C separation, synchronism separation, and demodulation processing from a clock obtained from an oscillator of the suitable frequency for the MPEG for process.例文帳に追加

ＭＰＥＧに適した周波数の発振器から得られるクロックから、Ｙ／Ｃ分離及び、同期分離・復調処理に適した周波数のクロックを生成して、処理を行うディジタルビデオ信号デコーダ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which damage on the interlayer insulating film group is reduced during laser processing, and the processing profile of a trench formed by laser processing can be improved.例文帳に追加

本発明は、レーザ加工をする際における層間絶縁膜群のダメージを低減するとともにレーザ加工によって形成される溝の加工形状を改善することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This cleaner for exhaust gas generated in the board manufacturing device having a photo process is equipped with an exhaust gas inlet, a combustion means, and an exhaust gas outlet, and as the combustion means, a regenerative combustion means is used.例文帳に追加

フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置として、排ガスの流入口と、燃焼手段と、排ガスの流出口とを備え、燃焼手段として、蓄熱式燃焼手段を用いる。 - 特許庁

In this case, when the color print mode is subsequently performed after the confirmation of the receiving of the subsequent print command, a black developing process can be performed immediately since the black developing device has been located in the developing position.例文帳に追加

ここで、次の印字命令の受取を確認し、次のカラー印字モードを実行する際、すでにブラックの現像器が現像位置に位置しているため、直ちにブラックの現像工程を実行することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacture in which evenness of an interlayer insulation film is improved and detailed work for an upper layer wiring is made easy to rationalize manufacturing process, in a semiconductor device containing a capacitor using a two-layer polysilicon.例文帳に追加

２層ポリシリコンを用いたキャパシタをもつ半導体装置において、層間絶縁膜の平坦性を改善し、上層配線の微細加工を容易にして製造工程を合理化した製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for removing phosphorus impurities or boron impurities from crude liquid polychlorosilanes in a manufacturing process for obtaining a high-purity silicon crystal from metal class silicon, and to provide a removing agent.例文帳に追加

金属級シリコンから高純度シリコン結晶を得る製造工程において、粗製液体ポリクロロシランからリン不純物又はホウ素不純物を除去する方法及び装置、並びに除去剤を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, which comprises a multilayer wiring, wherein a connection hole and a groove are formed in a simple process, improved in yield and reduced in processes and costs.例文帳に追加

簡易なプロセスで接続孔と溝とを形成することができ、歩留まりを向上させるとともに工程数やコストを低減できる多層配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the interrupt occurs in the remote node, a raw packet including the address of a host device that should process the interrupt and an event identifier is selected among preprepared raw packets and transmitted to a host node through the network 115.例文帳に追加

遠隔ノードにおいて割り込みが発生すると、それを処理すべきホストデバイスのアドレスとイベントの識別子を含む生パケットを予め準備された中から選択してネットワーク１１５を介してホストノードへ送出する。 - 特許庁

To provide the contact formation method of a semiconductor device that two-stage self-aligned contact etching process of different conditions of etching processes is performed, to form a contact hole having stable characteristics.例文帳に追加

食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、安定的な特性を有するコンタクトホールを形成する半導体素子のコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a needle-like body efficiently performing the APFIM analysis of a flat sheet-like or thin film-like sample, used in a semiconductor process or the development of a semiconductor device, having high reproducibility and reliability.例文帳に追加

半導体プロセスや半導体デバイス開発などで用いられる平板状・薄膜状の試料のＡＰＦＩＭ分析を高い再現性・信頼性で効率よく可能にするような針状体を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition of high selectivity that the polishing rate of a tantalum compound is small though a copper polishing rate is large in the CMP processing process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The method and a system for controlling, monitoring, optimizing and manufacturing a device and its components and related base members on a semiconductor in an in-situ process includes a light irradiation system and an electric probe circuit.例文帳に追加

半導体上でデバイス及び構成要素、並びに関連する基材をｉｎ−ｓｉｔｕのプロセスで制御、モニター、最適化、及び製造する方法及びシステムは、光照射システム及び電気プローブ回路を含む。 - 特許庁

The production method comprises a process in which an inert gas is allowed to flow through in an amount no less than 3 vol% of the volume of a polymerizing device per minute under stirring when the blocked polyether amide resin composition is polymerized.例文帳に追加

ならびに、該ブロックポリエーテルアミド樹脂組成物を重合する際に、攪拌しながら不活性ガスを１分間あたり重合装置容量の３容量％以上流通させることを特徴とする製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus which can control the substrate surface temperature during an etching treatment, until immediately after etching or completion of an etching process.例文帳に追加

エッチング直後および、エッチング終了直後の過渡的瞬間までも、基板表面のエッチング処理温度を制御することができる半導体素子の製造方法、及び半導体素子の製造装置を提供する。 - 特許庁

To shorten a semiconductor measurement time in a semiconductor measurement device used in a semiconductor product inspection process testing electric characteristics of a semiconductor, a break in a wire, and the like, for example.例文帳に追加

本発明は、例えば、半導体の電気的特性、断線等を検査する半導体製品検査工程において使用される半導体測定装置に関し、半導体測定時間の短縮を図ることが課題である。 - 特許庁

The capacitor in a semiconductor device can be manufactured by a simple process, wherein an aluminum nitride layer acting as an insulating layer is formed, by applying a plasma containing nitrogen on the upper part of an aluminum layer in the capacitor region.例文帳に追加

半導体素子内のキャパシタはキャパシタの領域のアルミニウム層の上部に窒素を含有したプラズマを用いて絶縁層として働く窒化アルミニウム層を形成する簡単な工程で製作することができる。 - 特許庁

To provide a receiving device capable of taking sufficient time to process respective packet signals even when a packet signal such as an OFDM packet signal is continuously received.例文帳に追加

ＯＦＤＭパケット信号などのパケット信号が連続して受信される場合であっても、各パケット信号のそれぞれの信号処理に十分な時間をかけることが可能な受信装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The antireflection coating is formed at PN junction with a photodiode and in a CMOS process for assembly/manufacture of a CMOS device for amplifying a photodetector signal, with a polysilicon gate layer used as an etching stop here.例文帳に追加

反射防止コーティングをフォトダイオードでのＰＮ接合と光検出器信号を増幅するためのＣＭＯＳ装置を組立製造するためのＣＭＯＳ工程で形成し、ここでポリシリコンゲート層をエッチイングストップとして用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a gate insulating film is formed on a semiconductor substrate only by one time of a film formation process and gate electrodes having conductive materials of different job functions are then formed.例文帳に追加

半導体基板上に１回のみの成膜工程でゲート絶縁膜を形成した後、仕事関数の異なる導電材料を有するゲート電極を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

ANTISTATIC THERMOPLASTIC RESIN FOAMED MOLDING AND ITS PRODUCTION PROCESS, MOLDING DIE FOR PRODUCING ANTISTATIC THERMOPLASTIC RESIN FOAMED MOLDING AND MOLDING DEVICE FOR PRODUCING ANTISTATIC THERMOPLASTIC RESIN FOAMED MOLDING例文帳に追加

帯電防止性熱可塑性樹脂発泡成形体とその製造方法、帯電防止性熱可塑性樹脂発泡成形体製造用成形型及び帯電防止性熱可塑性樹脂発泡成形体製造用成形装置 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the parasitic capacitance is reduced between the collector region and the semiconductor substrate by a simplified process using a low-cost semiconductor substrate.例文帳に追加

製造工程を簡素化しつつ安価な半導体基板を用いて、コレクタ領域と半導体基板との間に寄生するコレクタ基板容量を低減することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a fuel injection control device for a multi-cylinder internal combustion engine, capable of suppressing deterioration of a combustion state of each cylinder and lowering of torque which accompanies the deterioration and improving idling stability, in a warming-up process.例文帳に追加

暖機過程において、各気筒の燃焼状態の悪化及びそれに伴うトルク低下を抑制し、アイドル安定性を向上することができる多気筒内燃機関の燃料噴射制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide method of recovering gas and a gas recovery device and a gas recovery system for making it possible to efficiently process or reuse gas exhausted from gas supply facility or gas service facility.例文帳に追加

ガス供給設備またはガス使用設備から排気されるガスを効率よく処理または再利用することができるようにするためのガス回収方法およびガス回収装置ならびにガス回収システムを提供する。 - 特許庁

ECU for a solenoid control device performs a process based on integration operation of rail pressure deviation and varies frequency of control signal according to calculated integration term when duty ratio of control signal is calculated.例文帳に追加

ソレノイド制御装置のＥＣＵは、制御信号のデューティ比を算出する際に、レール圧偏差に対して積分動作に基づく処理を行い、算出された積分項に応じて制御信号の周波数を可変する。 - 特許庁

To provide the grinding method and device for a crankpin improved its roundness by trial-grinding a crankpin in at least one cut in process and formal-grinding by the correction data based on its error.例文帳に追加

クランクピンを少なくとも１つの切り込み工程で試し研削し、その誤差に基づく補正データにより正規の研削を行うことにより、真円度の向上したクランクピンの研削方法及び研削装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the group III nitride semiconductor device 10 includes a process in which one or more layers of the group III nitride semiconductor crystal layers 40 are grown up on the group III nitride semiconductor crystal substrate 12.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス１０の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１２上に、１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層４０を成長させる工程を含む。 - 特許庁

A process is also disclosed for removing photoresist and the residue of etching and ashing of electronic device substrates by contacting the substrate with a formulation comprising deionized water, carboxylic acid, glycol, glycol ether and ammonium fluoride.例文帳に追加

および、電子素子基板に、脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含む調合物を接触させることによって、そのフォトレジストならびに基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去する方法。 - 特許庁

In unladen state wherein only a shaft rotating unit is working, an unladen torque measurement process (S7) measuring an unladen torque value with a measuring device from a motor current based upon a load received by the AC servomotor is performed.例文帳に追加

シャフト回転ユニットのみが作動している無負荷状態において、ＡＣサーボモータが受ける負荷に基づくモータ電流から、測定装置により無負荷トルク値を測定する無負荷トルク測定処理を行う（Ｓ７）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its production process for restricting ferroelectric capacitor impairment caused by hydrogen, by improving coating property of a barrier metal layer on an upper electrode of the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上部電極に対するバリアメタル層の被覆性を改善し、水素による強誘電体キャパシタの劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can function to receive a signal and information externally, and to transmit a signal and information externally while achieving miniaturization and thinning, and to provide its manufacturing process.例文帳に追加

外部からの信号、情報の受信、外部への信号、情報の送信をして機能することが可能であるとともに、小型化、薄型化を図ることが可能な半導体装置、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a developing device, a process cartridge, and an electrophotographic image forming apparatus which suppress leakage of toner and reduce the amount of scattering toner to form images of high quality.例文帳に追加

本発明は、トナーの漏洩をおさえ、トナーの飛散量を減少させ、高品位な画像形成を行うことができる現像装置及びプロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a device that is capable of preforming even processing without generating processing nonuniformity and does not damage a film formed on a substrate when processing is performed on the substrate by using process liquid containing ice particulate.例文帳に追加

氷の微粒子を含む処理液を用いて基板の処理を行う場合に、処理むらを生じることなく均一な処理が可能であり、基板上に形成された被膜にダメージを与えることもない装置を提供する。 - 特許庁

The single SoC independent multiprocessor subsystem core can execute a multi-threading operation process for an SoC device when it is structured as a DSP, a hybrid ASIC or a network processing structure.例文帳に追加

単一のＳｏＣ独立マルチプロセッサ・サブシステム・コアは、ＤＳＰ、コプロセッサ、ハイブリッドＡＳＩＣまたはネットワーク処理構成として構成されるとき、ＳｏＣデバイスのためのマルチスレッド化オペレーション処理を実行することができる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device including a capacitor employing a metal oxide dielectric in which reaction between a wiring material of Al and an electrode material of Pt can be suppressed effectively.例文帳に追加

配線材料であるＡｌと電極材料であるＰｔとの反応を効果的に抑制することができる、金属酸化物誘電体を用いたキャパシタを備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which processing tolerance between gate electrodes of different polarity is small and damage on a gate insulating film or a semiconductor substrate is minimized.例文帳に追加

異なる極性のゲート電極における、ゲート電極間の加工寸法差が小さく、かつ、ゲート絶縁膜や半導体基板に与えるダメージを極力低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a molding device capable of easily precisely forming a synthetic resin-made surface layer suitable for each surface on each of both surfaces of a synthetic resin-made molded body without complicating a manufacturing process.例文帳に追加

合成樹脂からなる成形体の両面に各面に適した合成樹脂からなる表面層を製造工程を煩雑化することなく容易にかつ高精度に形成すること可能とする成形装置を提供する。 - 特許庁

According to the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, a photomask provided with a light-shielding pattern made of metal or a photomask MR1 provided with a light-shielding pattern 7a made of resist film is used for exposure.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造過程に応じて、メタルからなる遮光パターンを有するフォトマスクと、レジスト膜からなる遮光パターン７ａを有するフォトマスクＭＲ１とで使い分けて露光処理を行う。 - 特許庁

This liquid crystal display device is provided with a display manufactured by a liquid crystal dropping process using a nematic liquid crystal composition with positive dielectric anisotropy comprising a fluorine-containing compound with ≥4 fluorine atoms.例文帳に追加

フッ素原子を４個以上有するフッ素含有化合物を含有し、正の誘電異方性を有するネマチック液晶組成物を用いて、液晶滴下法により作成された表示体を備えている液晶表示装置。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electronic device which includes a plating film forming process for preferentially burying a plating film in the recess of a substrate by an electroplating processing in a state where a surface is made almost flat.例文帳に追加

電解めっき処理により基材の凹部にめっき膜を優先的にかつ表面が略平坦化された状態で埋め込むことが可能なめっき膜形成工程を含む電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an efficient method/device for mounting capable of simplifying a process by effectively preventing primary oxidization and secondary oxidization of the electrode of materials to be joined so as to realize jointing without flux.例文帳に追加

被接合物の電極の一次酸化および二次酸化を効果的に防止でき、フラックスレスでの接合まで可能とする、工程の簡略化が可能な効率のよい実装方法および実装装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning device which excellently controls polarity of non-transferred toner, maintains good cleaning performance and achieves energy saving, an image forming apparatus, and a process cartridge.例文帳に追加

転写残トナーの極性制御を良好に行うことができ、良好なクリーニング性能を維持することができ、かつ、省エネルギー化を実現することのできるクリーニング装置および画像形成装置およびプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To improve the operating efficiency for an ion implantation apparatus for conducing ion implantation, in order to form an impurity dispersed layer on a semiconductor wafer, for example, the producing process of a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、例えば、半導体装置の製造過程における、半導体ウェーハに不純物拡散層を形成するためにイオン注入を行うイオン注入装置に関し、稼働効率を向上させることが課題である。 - 特許庁

To provide a resist residue remover and cleaner capable of removing dry etching residue in a semiconductor device manufacturing process and particles and metal impurities on a wafer surface without corroding wiring and gate metals.例文帳に追加

半導体デバイス製造プロセスにおけるドライエッチング残渣及びウエーハ表面のパーティクル粒子、金属不純物を配線及びゲート金属を腐食することなく除去可能な除去剤・洗浄剤を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride chemical semiconductor substrate which requires no device process, such as a lateral growth when growing a gallium nitride chemical semiconductor layer thereon, and which has a uniform low defect region.例文帳に追加

基板への窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において、横方向成長等のデバイス工程を無くし、さらに低欠陥領域を均一に有する窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To improve responsiveness in changeover operation of a direction changeover valve by improving responsiveness in pressure regulation of a pressure reducing valve not by a software process, and by equipping with warm up function, in this pilot operating device of the direction changeover valve.例文帳に追加

方向切換弁のパイロット操作装置において、ソフトウェア的処理によらずに減圧弁の調圧の応答性を向上しかつ暖気機能を持たせることで、方向切換弁の切り換え操作の応答性を改善する。 - 特許庁