「solid-state device」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

A solid-state imaging device includes a photoelectric conversion portion 43, consisting of a first photodiode 64 and a second photodiode 65 in each unit pixel, and the second photodiode 65 is located in proximity to a transfer gate electrode 72, and has an impurity concentration which is higher than that of the first photodiode 64.例文帳に追加

単位画素内に、第１のフォトダイオード６４と、第２のフォトダイオード６５とからなる光電変換部４３を有し、第２のフォトダイオード６５が、転送ゲート電極７２近傍に位置し、第１のフォトダイオード６４よりも高い不純物濃度を有している。 - 特許庁

In a solid-state image sensing device having a picture element region wherein a picture element with a photoelectric conversion function is disposed two-dimensionally, a photoelectric conversion part of a picture element is divided into two, and the picture element region is constituted of a plurality of kinds of the picture elements of different division directions.例文帳に追加

光電変換機能を有する画素を２次元状に配置した画素領域を備えた固体撮像装置において、画素の光電変換部は２分割され、画素領域は、分割の方向が異なる複数種類の該画素により構成されている。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device capable of setting a data output rate at a low speed, using a low-speed interface, and executing moving image processing, in real time, without being restricted in operation, and to provided a drive method thereof and a camera system.例文帳に追加

データの出力レートを低速度化することが可能で、インターフェイスも低速度のものでよく、動画処理において動作を制限されることなくリアルタイムに処理を行うことが可能な固体撮像装置およびその駆動方法、並びにカメラシステムを提供する。 - 特許庁

A longitudinal expansion button 14 or a transversal expansion button 15 on a digital camera 1 is operated, an image pickup effective range setting table 41 is used to change the image pickup effective range in the longitudinal direction and that in the transversal direction of a solid-state imaging device 40.例文帳に追加

ディジタルカメラ１は、縦方向拡大ボタン１４または横方向拡大ボタン１５が操作されると、撮像有効範囲設定テーブル４１を用いて、固体撮像素子４０における縦方向の撮像有効範囲および横方向の撮像有効範囲を変更する。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 10, a signal from an image pickup section 11 of two-dimensional honey-comb arrangement where layout positions of light receiving elements are deviated with each other is fed to a gamma transform processing section 12a of a color signal processing section 12 and an A/D converter section 12b converts the signal into a digital signal (hereinafter called data).例文帳に追加

固体撮像装置10は、受光素子の配設位置が互いにずれた２次元のハニカム配置された撮像部11からの信号をカラー信号処理部12のガンマ変換処理部12a に供給した後、A/D 変換部12b でディジタル信号（以下、データという）に変換する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and the like comprising an ADC circuit for each column capable of reducing power consumption and improving actual operational precision by using a clock to be used for a counter with a clock of low frequency by using the counter having bits less than bits of an output digital signal.例文帳に追加

出力デジタル信号のビット数よりも少ないビット数のカウンタを用いることで、カウンタに用いるクロックを低い周波数のクロックを使用でき、それにより消費電力の低減と実動作の精度向上を実現できるカラム毎のＡＤＣ回路を備える。 - 特許庁

A signal processor circuit 4 previously measures the input/output characteristics (relation between the input and output levels of an incident light ) in nonlinear ranges around and above a knee point of a solid state imaging device 1 every pixel and stores the result in a memory 5.例文帳に追加

信号処理回路４により、予め固体撮像素子１のニーポイント前後及びニーポイント以上の直線性の無い領域の入出力特性（入力光の入力レベルと出力レベルとの関係）を画素毎に測定して記憶装置５に記憶しておく。 - 特許庁

To provide a solid-state image-sensing device capable of performing photo-electric transducing operation for outputting an electric signal logarithm-transformed with respect to the amount of incident light, and eliminating kTC noise when performing image sensing by global shuttering.例文帳に追加

本発明は、入射光量に対して対数変換した電気信号を出力する光電変換動作を行うとともに、グローバルシャッター方式による撮像動作を行う際にｋＴＣノイズの除去が可能となる固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a back-irradiation type solid-state imaging device that has a capability to improve an optical transmittance of a transparent insulating film at the light incidence side on a substrate, and a dark current suppression function and a quantum efficiency loss prevention function.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させることができ、かつ、暗電流抑制機能と量子効率ロスの防止機能を備えた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

An opening which passes through the semiconductor substrate 30 from the light-incident surface to expose the pad 45 of the wiring layer 40, and the solid-state image pick up device is constituted to supply a voltage from the outside to the pad 45 of the wiring layer 40 and the shading film 63.例文帳に追加

そして、光入射面側から半導体基板３０を貫通して配線層４０のパッド４５を露出する開口が形成されており、配線層４０のパッド４５と遮光膜６３へ外部から電圧を供給し得るように構成されている。 - 特許庁

To (1) eliminate an OB (Optical Black) picture element, (2) reduce time required for clamp method, (3) provide stable clamp level with respect to fluctuation of dark level due to defect, stray light, or the like in the OB picture element in a semiconductor solid-state image pickup device.例文帳に追加

半導体固体撮像装置において、（１）ＯＢ画素が必要でなくなる、（２）クランプ手段に必要な期間を短縮できる、（３）ＯＢ画素の欠陥や迷光等によるダークレベルの変動に対して安定したクランプレベルを供給できる、ということを課題とする。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device in which the occurrence of distortion due to an imaging element extending along the surface of a substrate is suppressed even when the imaging element is bonded to the surface of a substrate having insufficient flatness, and an influence of distortion on the electric characteristics or the like is lessened.例文帳に追加

平坦度が不十分な基板面に撮像素子が接合された場合でも、撮像素子が基板面に沿うことによる歪みの発生が抑制され、歪みによる電気的特性等への影響が軽減された固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

When a transparent base plate or one surface (the photodetecting surface) of an optical filter 1 is set as a reference surface, the solid-state image pickup device 2 is mounted facedown on the other surface, and also a lens holder 4 having a recessed part to support a lens 5 is formed by taking the photodetecting surface as the reference surface.例文帳に追加

透明基板または光学フィルタ１の一方の面（受光面）を基準面として、他方の面に固体撮像素子２をフェースダウン実装し、さらに、その受光面を基準面として、レンズ５を支持するための凹部を有するレンズホルダ４を形成する。 - 特許庁

An imaging apparatus 5 includes: a solid-state imaging device 20 where a plurality of light receiving elements 3 are formed in a matrix shape; and a visual field control material 60 arranged on the side of the light receiving surfaces of the light receiving elements 3 and restricting the incident angle of light to the respective light receiving elements 3.例文帳に追加

複数の受光素子３がマトリクス状に形成された固体撮像デバイス２０と、受光素子３の受光面側に設けられ、各受光素子３への光の入射角度を制約する視界制御材６０とを備えることができる撮像装置５である。 - 特許庁

In this CCD solid-state imaging device having a line memory, the depth of a potential barrier which determines the capacity of the line memory is made shallower than that of a potential barrier formed in a transfer channel for transferring the electric charge accumulated in the line memory in a predetermined direction.例文帳に追加

ラインメモリを有するＣＣＤ型の固体撮像素子であって、ラインメモリの容量を決定するポテンシャルバリアの深さを、ラインメモリに蓄積した電荷を所定の方向に転送するための転送チャネルに形成されるポテンシャルバリアの深さよりも浅くした。 - 特許庁

In this solid-state imaging device, the pixel effective area 75a of a CCD bare chip 75 faces opposite to a glass substrate, a transparent adhesive agent S1 is interposed between the CCD bare chip 75 and glass substrate 71, and the CCD bare chip 75 is mounted on the glass substrate 71.例文帳に追加

ＣＣＤベアチップ７５の画素有効領域７５ａがガラス基板７１に対向し、ＣＣＤベアチップ７５とガラス基板７１との間に透明な接着剤Ｓ１が介在して、ＣＣＤベアチップ７５がガラス基板７１に実装されている固体撮像装置に関する。 - 特許庁

A solid-state imaging device such as a CCD image sensor or a CMOS image sensor has a filter layer provided on a sensor chip constituted of a non-filter part for transmitting light from visible to near-infrared regions without dispersion and a color filter part for dispersing in a visible light region.例文帳に追加

ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像装置において、センサチップ上に設けるフィルタ層を、可視光から近赤外領域の光を分光せずに透過する無フィルタ部と、可視光領域で分光を行うカラーフィルタ部とで構成する。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises first and second waveguide layers 3 and 5 consisting of transparent films and for guiding the incident light to a photoelectric conversion region 6, and the refractive index of the central second waveguide layer 5 is made higher than that of the surrounding first waveguide layer 3.例文帳に追加

固体撮像素子は、透明膜からなり入射光を光電変換領域６に導く第１、第２の導波層３、５を備え、周囲の第１の導波層３の屈折率に対して、中央の第２の導波層５の屈折率を高くしてある。 - 特許庁

To provide a detection method of a target material capable of removing an influence caused by dispersion of a fixing state of a probe carried by a probe immobilization carrier to a solid phase carrier on a measurement result of the target material, and the probe immobilization carrier, a device or the like therefor.例文帳に追加

標的物質の測定結果へのプローブ固定担体の有するプローブの固相担体への固定状態のバラツキによる影響を排除できる標的物質の検出方法及びそのためのプローブ固定担体及び装置などを提供すること。 - 特許庁

To improve a picture quality by preventing transverse stripe patterns or speckled patterns from being generated by dispersion of CCD characteristics or deterioration of performance in an image signal outputted from a solid-state imaging device (CCD) with RGB primary color filters of Bayer array or the like packaged therein.例文帳に追加

ベイヤ配列などのＲＧＢ原色フィルタを搭載した固体撮像素子（ＣＣＤ）から出力される画像信号によって、ＣＣＤの特性のばらつきや性能の劣化でもって横縞模様やまだら模様が生じることを防ぎ、画像品質を改善する。 - 特許庁

The solid-state imaging device manufacturing method comprises the step of exposing a transparent resin layer on a semiconductor substrate, forming a first and a second resin patterns with heights different from each other, and forming a first and a second microlenses with heights different from each other.例文帳に追加

半導体基板上の透明樹脂層を露光する工程と、互いに高さが異なる第１、第２の樹脂パターンを形成する工程と、互いに高さが異なる第１、第２のマイクロレンズを形成する工程と、を具備する固体撮像装置の製造方法。 - 特許庁

To solve the technical difficulty in manufacturing a solid-state image pickup device with two horizontal transfer paths, where a pair of control electrodes of the two horizontal transfer routes occupies a pixel unit respectively, and micronization of pixel pitch is needed.例文帳に追加

２本の水平転送路を有する固体撮像装置では、２本の水平転送路のそれぞれの制御電極１組が１画素単位の大きさであるため、画素ピッチの微細化が進むと、加工における技術的難易度が飛躍的に高くなり、実現困難である。 - 特許庁

In the method for mounting a video sensor, the adhesive tape, whose substrate is polyethylenenaphthalate, which has an adhesive layer on one face, and whose other face is applied with an antistatic agent, is stuck to a light-receiving part of the video sensor in a mounting step of the video sensor using a solid-state imaging device.例文帳に追加

固体撮像デバイスを用いた映像センサの実装工程において、ポリエチレンナフタレートを基材とし、かつ、片面に粘着層を有し、他の面に帯電防止剤を塗布する粘着テープを、前記映像センサの受光部に貼り合せることを特徴とする。 - 特許庁

A digital camera 10 transfers signal electric charges with each color attribute stored in a light receiving element 160 in a solid-state imaging device 16c up to a line memory 162, and a horizontal transfer register 164 mixes the signal electric charges in the same color read from the memory 162 in a horizontal direction to interleave the electric charges in the horizontal direction.例文帳に追加

ディジタルカメラ10は、固体撮像素子16cにおいて受光素子160に蓄積した各色属性の信号電荷をラインメモリ162まで転送し、メモリ162から読み出した信号電荷を水平転送レジスタ164で同色同士水平混合を行して水平間引きする。 - 特許庁

A solid state image pickup device according to an embodiment comprises a photodiode 5 that is provided in a photodiode formation region 50 and includes at least one impurity layer 55 and a cavity 59 that is provided in the photodiode formation region 50 and under the photodiode 5.例文帳に追加

本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 - 特許庁

A plurality of detection areas which are formed on different positions at least in the vertical direction are set on an imaging surface of a solid state imaging device and an AF detection processing circuit 20 extracts a high frequency component of each detection area from an image signal obtained by image.例文帳に追加

固体撮像素子の撮像面上に少なくとも垂直方向に対する位置の異なる複数の検波領域が設定され、ＡＦ検波処理回路２０は、撮像により得られた画像信号から検波領域ごとに高周波成分を抽出する。 - 特許庁

To supply an appropriate clock pulse whose voltage drop and deterioration of a voltage waveform are reduced as much as possible to respective unit cells which constitute an image pickup region in a two-dimensional array shape without enlarging a chip size in a CMOS-type solid-state image pickup device.例文帳に追加

例えばＣＭＯＳ型の固体撮像装置において、撮像領域部を２次元アレイ状に構成する各単位セルに、電圧降下及び電圧波形の劣化を極力低減した適正なクロックパルスを、チップサイズを拡大させることなく供給する。 - 特許庁

The solid state image sensing device comprises a plurality of vertical charge transfer lines 2 arranged at pitches A in a horizontal direction in photoelectric conversion regions, and at pitches B narrower than the pitch A in regions for inputting signals to horizontal charge transfer lines 17, 18,..., 19 for receiving signals from the vertical charge transfer lines.例文帳に追加

固体撮像素子において、複数の垂直電荷転送路２を、水平方向について、光電変換領域内ではピッチＡで配列し、水平電荷転送路１７，１８・・・１９に信号を入力する部分ではピッチＡよりも狭いピッチＢで配列する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device in which the image quality of a reproduction screen is prevented from deteriorating by reducing a leak current being generated as the interface level increases due to crystal defect, or the like, in the vicinity of the substrate surface in a region where a photodiode is fabricated.例文帳に追加

フォトダイオードが形成されている領域の基板表面近辺において、結晶欠陥などに起因する界面準位の増加によって発生するリーク電流を低減し、再生画面の画質の劣化を抑止する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which prevents a deviation of a black level due to a change in a black reference signal, by suppressing the inflow of excessive signal charges caused by the light which has passed through a lightproof film into a vertical transfer register in an optical black region.例文帳に追加

オプティカルブラック領域において、遮光膜を透過した光によって生じる余分な信号電荷の垂直転送レジスタへの流入を抑制し、黒基準信号の変動による黒レベルのずれを防止することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

Pilot signal electric charges are injected to signal electric charges transferred in the vertical direction of a solid-state imaging device 11 twice per field at a different potential (by different injected electric charge amount) in the image pickup apparatus having a plurality of channels wherein an imaging area is divided into a plurality of divisions.例文帳に追加

撮像エリアが複数に分割された複数チャンネルの撮像装置において、固体撮像素子１１の垂直方向に転送される信号電荷中にパイロット信号電荷をフィールド当たり２回、異なる電位で（異なる注入電荷量で）注入する。 - 特許庁

Among the output signals of respective channels of the solid state imaging device 1, dummy signals outputted from a dummy pixel are supplied to an average value calculation part 3, an average value for each channel is obtained, and then the correction amount of each channel is obtained in a correction amount computing part 4.例文帳に追加

固体撮像装置１の各チャンネルの出力信号のうち、ダミー画素より出力されたダミー信号が平均値算出部３に与えられて各チャンネル毎の平均値が求められた後、各チャンネルの補正量が補正量演算部４で求められる。 - 特許庁

This solid-state image pickup device is formed on a substrate 11 and provided with a light receiving part 12 in which a light-incident region is defined by a light shielding film 17 and with a light guide layer wherein an incident light is confined, propagated and guided to the light-incident region of the light receiving part 12.例文帳に追加

基板１１に形成され、遮光膜１７で光入射領域が特定された受光部１２を有する固体撮像装置であって、入射した光を閉じ込め伝搬させて受光部１２の光入射領域に導く光案内層を有する。 - 特許庁

When a CCD-type solid-state imaging device is driven by an interlace scan system, during an odd-numbered field term and an even-numbered field term, signal charges are inhibited from being read from half photodetection elements 31 among all the photodetection elements 31 subjected to reading.例文帳に追加

ＣＣＤ型固体撮像素子をインターレーススキャン方式で駆動する場合、奇数フィールド期間と偶数フィールド期間とのそれぞれにおいて、読み出し対象となる受光素子３１のうちの半数の受光素子３１から信号電荷の読み出しを禁止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state element device that can actually obtain expectable effects by extracting and solving problems in embodiment of inorganic material sealing processing and performing glass sealing, and is superior in mountability, electronic connectivity, and heat dissipation.例文帳に追加

無機材料封止加工を具現化するための課題を抽出、解決し、ガラス封止を行うことで期待できる効果を実際に得ることができ、さらに実装性に優れ、電気接続性、放熱性に優れる固体素子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To delete data on a proper electronic endoscope when registering the electronic endoscope to a processor for the electronic endoscope in a state where electronic endoscopes are registered in a database of the full storage capacity of the database in the electronic endoscope outputting images in a body cavity as an electric signal by a solid state image pickup device provided at its tip.例文帳に追加

先端に具備された固体撮像素子によって体腔内の画像を電気信号として出力する電子内視鏡において、データベースの記憶容量いっぱいまで電子内視鏡がデータベースに登録された状態で、電子内視鏡用プロセッサに電子内視鏡を登録する際、適切な電子内視鏡のデータを削除可能とすることである。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that compares a reset signal of a VOB region with a ramp-wave reference signal (VREF), automatically sets a clamp enabling pulse timing period in 1H according to the comparison result of whether the reset signal is deviated from an input range of A-D conversion, and improves characteristics, particularly in a dark state such as the suppression of vertical stripes.例文帳に追加

ＶＯＢ領域のリセット信号とランプ波の参照信号（ＶＲＥＦ）とを比較し、リセット信号がＡＤ変換の入力レンジが外れたどうかの比較結果に応じて自動的に１Ｈ中のクランプイネーブルパルスタイミング期間を設定し、縦筋の抑制など、特に暗時における特性を改善させる固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

Moreover, an external connection terminal is disposed on the surface opposing the surface of the semiconductor substrate where the solid-state sensing device is formed, and the external connection terminal is electrically connected to the solid-state sensing device via a through-electrode passing through the semiconductor substrate.例文帳に追加

光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具えた固体撮像素子を形成してなる半導体基板と、前記固体撮像素子の受光領域に対向して空隙をもつように前記半導体基板表面に装着された透光性部材とを具備し、前記半導体基板の前記固体撮像素子形成面と対向する表面に外部接続端子が配設されており、前記外部接続端子は前記半導体基板を貫通する貫通電極を介して前記固体撮像素子に電気的に接続される。 - 特許庁

The all-solid-state reflective electrochromic device in which a multilayer thin film is formed on a transparent base material, wherein, at least a transparent conductive film layer, an ion storage layer, a solid electrolyte layer, a catalyst layer and a reflection-controlable layer using a magnesium-nickel-based alloy thin film are formed on the base material.例文帳に追加

透明な基材に、多層薄膜を形成した反射型調光素子であって、少なくとも基材の上に、透明導電膜層、イオン貯蔵層、固体電解質層、触媒層、及びマグネシウム・ニッケル系合金薄膜を用いた反射調光層を形成したことを特徴とする全固体型反射調光エレクトロクロミック素子、及び該反射調光エレクトロクロミック素子が組み込まれた調光部材。 - 特許庁

To provide a method for correcting smear of a CCD solid state image sensor in which overcorrection can be relaxed when a large smear is detected by suppressing horizontal noise of a smear signal extracted from a smear detection line and regulating the gain of the smear signal appropriately, and to provide an electronic apparatus comprising a CCD solid imaging device employing the smear correction method.例文帳に追加

本発明は、スミア検出ラインから抽出したスミア信号の水平方向のノイズを抑制し、さらにスミア信号に適度なゲイン調整を掛けることにより大きなスミアを検出した時の過補正を緩和できるようにしたＣＣＤ固体撮像素子のスミア補正方法及びこのスミア補正方法を用いたＣＣＤ固体撮像装置を備えた電子機器を提供するものである。 - 特許庁

To provide a signal converting device that is suitably constituted as a solid-state imaging element including a floating diffusion amplifier formed of an FD region, assuring small capacity and higher charge-voltage converting efficiency as a signal charge detecting means; and to provide a method for manufacturing the same device ensuring higher productivity and manufacturing yield, and a signal measuring system using the same signal converting device.例文帳に追加

信号電荷検出手段として、容量が小さく、電荷−電圧変換効率の高いＦＤ領域からなるフローティングディフュージョン増幅器を備え、固体撮像素子などとして構成されるに好適な信号変換装置、及び生産性および製造歩留まりに優れたその製造方法、並びにその信号変換装置を用いた信号計測システムを提供すること。 - 特許庁

This solid state imaging device is provided with: a light receiving section 5 that is formed in a semiconductor substrate 4; a color filter layer 13 that is formed on the semiconductor substrate 4; and a lens 11 that is formed between the semiconductor substrate 4 and the color filter layer 13 to concentrate light to the light receiving section 5.例文帳に追加

この固体撮像装置は、半導体基板４に形成された受光部５と、半導体基板４上に形成されたカラーフィルタ層１３と、半導体基板４とカラーフィルタ層１３との間に形成され、受光部５に光を集光するためのレンズ１１とを備えている。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a signal reading circuit for outputting a first drive signal on receiving a judgment signal indicating that a signal at a black level is normal and outputting a second drive signal on receiving a judgment signal indicating that the signal at the black level is abnormal.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子は、黒レベルの信号が正常であることを示す判定信号を受けて第１の駆動信号を出力し、黒レベルの信号が異常であることを示す判定信号を受けて第２の駆動信号を出力する信号読み出し回路を有する。 - 特許庁

To provide a signal processing circuit which can perform suitable defective pixel correction processing by locally determining whether defects of pixels of the same color are consective in an array of read pixels without discriminating a readout method of a solid-state imaging element, and to provide an imaging device with the signal processing circuit.例文帳に追加

固体撮像素子の読み出し方法を区別することなく、読み出し画素の配列で同色画素の欠陥が連続しているかどうかを局所的に判別し、適切な欠陥画素補正処理を行うことができる欠陥補正回路及びそれを備えた撮像装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device 1 is in a back incidence type, photoelectrically converts light from a body to be imaged entering the back S2 in the semiconductor substrate 10 inside the semiconductor substrate 10, and receives charge generated by the photoelectric conversion using the light reception section 14 for imaging the body to be imaged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部１４で受けて当該被撮像体を撮像する。 - 特許庁