「solid-state device」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a treatment method for filtrate wastewater which easily removes resin fine powder contained in the filtrate wastewater containing organic solvents and water, obtained after the solid-liquid separation of a slurry suspension of the resin, without requiring a special device, and a method for recovering the resin in a usable state.例文帳に追加

本発明は、樹脂のスラリー状懸濁液を固液分離した後の、有機溶媒と水を含有する濾液排水に含まれる樹脂の微粉を、特殊な装置を必要とせずに、容易に除去する濾液排水の処理方法を提供する。 - 特許庁

A solid-state image pickup device is provided with a photodiode 1 where the n-type impurity region is formed in an active region 9, a transfer switch 2 transferring the optical signal charge and FD 3 (floating diffusion region) being a transfer destination of the optical signal charge.例文帳に追加

固体撮像装置は、アクティブ領域９にＮ型不純物領域を形成してなるフォトダイオード１と、光信号電荷を転送する転送スイッチ２と、光信号電荷の転送先であるＦＤ（浮遊拡散領域）３とを有する。 - 特許庁

To provide an A/D converter, an A/D conversion method, and a solid-state imaging device capable of obtaining a digital output value with an improved linearity accuracy without being affected by characteristics of rising and falling propagation delay times of a delay element.例文帳に追加

遅延素子の伝搬遅延時間の立ち上がりと立ち下がりとの特性に影響されることなく、リニアリティ精度を向上したデジタル出力値を得ることができるＡ／Ｄ変換装置、Ａ／Ｄ変換方法および固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device in which the influence on electric characteristic etc. due to distortion, is reduced by suppressing the generation of the distortion due to following of an imaging element to a substrate surface, even when the imaging element is joined to the substrate surface having insufficient flatness.例文帳に追加

平坦度が不十分な基板面に撮像素子が接合された場合でも、撮像素子が基板面に沿うことによる歪みの発生が抑制され、歪みによる電気的特性等への影響が軽減された固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

In a solid state image pickup device 70, a plurality of amplifier circuits arranged in parallel at an upper end side of a pixel region 20 provided at a center part are arranged symmetrically with a plurality of amplifier circuits arranged in parallel at a lower end side of the pixel region 20.例文帳に追加

固体撮像装置７０では、中央部に設けられる画素領域２０の上端側に並列配置される複数の増幅回路が、画素領域２０の下端側に並列配置される複数の増幅回路に対して対称配置される。 - 特許庁

The birefringence optical device is disposed so that a displacement direction S_2 between the double images corresponding to a relative displacement direction between the O ray image I_o and the E ray image I_e coincides with a direction (X direction) of the pixel array of the solid state image sensor 11.例文帳に追加

ここで、Ｏ光線像Ｉ_ｏとＥ光線像Ｉ_ｅとの相対的変位方向である重像間変位方向Ｓ_２と、固体撮像素子１１の画素配列の一方向（ｘ方向）とが一致するように、複屈折光学素子が配置される。 - 特許庁

An image pickup apparatus includes a solid-state image pickup device including a plurality of pixels arranged in a two-dimensional array, a circuit necessary for the pixel structure being shared between the pixels of a predetermined number having the same arrangement pattern.例文帳に追加

２次元アレイ状に配列される複数の画素を、画素の配列パターンが同一となる所定の複数個の画素ずつを１組みとした共有画素に対して、画素構成に必要な回路を共有する構成とされた固体撮像素子を備える。 - 特許庁

To solve a problem that the electrical characteristic such as threshold voltage for driving is liable to fluctuate with time in a conventional solid-state image pickup device having gate electrodes to which a relatively high voltage is applied and gate electrodes to which a relatively low voltage is applied.例文帳に追加

比較的高い電圧が印加されるゲート電極と比較的低い電圧が印加されるゲート電極とを有する従来の固体撮像装置は、電気的特性、例えば駆動させる際の閾値電圧が経時的に変動しやすい。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus and imaging method capable of reducing costs of the imaging apparatus by reducing storage capacity of a memory by reading images within an imaging range corresponding to a zoom magnification from a solid-state imaging device during digital zooming.例文帳に追加

デジタルズーム時には、ズーム倍率に応じた撮像範囲の画像を固体撮像素子から読み出すことによりメモリの記憶容量を低減し、これにより撮像装置のコストを低減することができる撮像装置および撮像方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a solid-state image pickup element and a photographing device using the same capable of always appropriately performing photometry in spite of various different photographing conditions in the case of close-up photographing or in the case of using a telephoto lens, a wide-angle lens or a stroboscope.例文帳に追加

接写撮影や、望遠レンズ、広角レンズ、或いはストロボを使用した際に、異なる種々の撮影条件に拘わらず、測光を常に適正に行うことができる固体撮像素子、及び該固体撮像素子を用いた撮影装置を提供する。 - 特許庁

Also, by thermally treating the solid-state imaging device at or higher than 400°C, hydrogen atoms in the USG film and having the passivation film discharged and bonded with dangling bonds on the surface of the Si semiconductor substrate surface, the dark current is reduced.例文帳に追加

また、この固体撮像装置を４００℃以上で熱処理することにより、ＵＳＧ膜およびパッシベーション膜中の水素原子を放出させ、Ｓｉ半導体基板表面の未不結合手と結合することにより、暗時電流を低減する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which performs tuning for columns or rows of a pixel array part or allows multi-row and multi-column tuning based on that in many parts, and has no difficulty in process such as voltage resistance generated in an SOC structure.例文帳に追加

画素アレイ部の行数分、列数分またはそれに準ずるような複数行、複数列の多数箇所のチューニング補正が可能で、かつ、ＳＯＣ構造で生じる耐圧などのプロセス的に困難を伴わない固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A solid state imaging device 1 includes: a pixel 11 for performing photoelectric conversion on incident light; and an amplification circuit 16 to which a signal from the pixel 11 or a signal corresponding thereto is input, and which has a function for amplifying the input signal with a gain whose absolute value is smaller than 1.例文帳に追加

固体撮像素子１は、入射光を光電変換する画素１１と、画素１１からの信号又はこれに応じた信号が入力され、絶対値が１よりも小さいゲインで増幅する機能を有する増幅回路１６とを備える。 - 特許庁

To reduce the width of a trench-type element isolation region in a peripheral circuit forming region, and to suppress increase of the area of this region, even if the number of elements of the peripheral circuit and the like id increased, while maintaining the sensitivity of a solid-state image pick-up device.例文帳に追加

固体撮像装置の感度を維持しながら、周辺回路形成領域におけるトレンチ型の素子分離領域幅を縮小し、周辺回路の素子数などが増加してもこの領域の面積が増大するのを抑制する。 - 特許庁

To reduce the intensity of diffraction light spreading to parts other than a photoelectric conversion unit by diffraction effect of light incident upon an opening in the photoelectric conversion unit serving as a light-receiving unit to increase the sensitivity, thereby suppressing noise such as smear or color mixture in a solid-state image pickup device.例文帳に追加

固体撮像装置において、受光部となる光電変換部の開口部に入射した光の回折効果で光電変換部以外に広がる回折光の強度を弱め、感度向上を図り、スミアあるいは混色などのノイズを抑制する。 - 特許庁

The solid-state imaging device including a photoelectric conversion element, a floating/diffusing part and an element isolation region in a first semiconductor region includes a first conductivity-type second semiconductor region arranged in an upper part of the first semiconductor region.例文帳に追加

光電変換素子、浮遊拡散部および素子分離領域を第１の半導体領域に有する固体撮像装置において、第１の半導体領域の上部に配された第１導電型の第２の半導体領域を有している。 - 特許庁

A control section 15 obtains a level difference (absolute value) of two pilot signals in an output signal from the solid-state imaging device 11 by each channel and allows a gain correction section 17 to correct the levels so that the level differences of the pilot signals of the two channels are equal to each other.例文帳に追加

制御部１５は、固体撮像素子１１の出力信号中の２つのパイロット信号のレベル差（絶対値）をチャンネル別に求め、２チャンネルのパイロット信号信号のレベル差が等しくなるように、ゲイン補正部１７でレベル補正する。 - 特許庁

To reduce the gap between microlenses, and to reduce the dead space, and improve sensitivity of a solid-state image pickup device by forming an antipreventing film on the microlenses, while reducing the increase of film thickness in the gap between the microlenses.例文帳に追加

マイクロレンズ上の反射防止膜を、マイクロレンズ間のギャップにおける膜厚の増大を抑制しながら形成することにより、マイクロレンズ間のギャップの間隔を狭小化させ、デッドスペースを低減させて固体撮像装置の感度を向上させる。 - 特許庁

The application voltage is controlled in accordance with the position of a lens in a solid-state lens group 310, the angular velocity of the imaging apparatus and the ambient temperature of the imaging apparatus, etc., and the light from the object is made vertically incident on each photoelectric conversion element in the imaging device.例文帳に追加

印加電圧は、固体レンズ群３１０におけるレンズの位置、撮像装置の角速度、撮像装置の周囲の温度などに応じて制御され、撮像素子における各光電変換素子に被写体からの光を垂直に入射させる。 - 特許庁

To provide a data transfer circuit which can reduce a parasitic capacity and parasitic resistance on a transfer wire to a data detection circuit, and can accelerate the speed of data transfer to the data detection circuit, and to provide a solid-state image pick-up device and a camera system.例文帳に追加

データ検出回路への転送線上の寄生容量や、寄生抵抗を低減することが可能で、データ検出回路へのデータ転送を高速化することが可能なデータ転送回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

Furthermore, a 2nd engagement section 122 of a pin-like shape is projected from the cover 10 and penetrated through the board 14 and the penetrated tip is fitted to a positioning hole 31 of a printed circuit board 3 on which the solid-state image pickup device 1 is mounted for the positioning.例文帳に追加

また、カバー１０にピン状の第２係合部分１２２を突設して基板１４を貫通させ、貫通した先端部を固体撮像装置１を実装する回路基板３の位置決め孔３１に内嵌して位置決めする構成とした。 - 特許庁

In the CCD solid-state imaging device 2, a readout pulse is applied to the light receiving unit 7 positioned on a (3N-2)-th row in a timing indicated by a code t2 during an exposure period.例文帳に追加

受光部７と、垂直転送部８と、読み出し電極１０と、水平転送部１１とを有するＣＣＤ型固体撮像素子２において、露光期間中の符号ｔ２で示すタイミングで第（３Ｎ−２）行目に位置する受光部７に読み出しパルスを印加する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device where occurrence of dark electrons on a well surface under a gate electrode can be suppressed, a method of control and a circuit never become complicated, and a problem of an after image or kTC noise never occurs; and to provide a method for driving thereof.例文帳に追加

ゲート電極下のウェル表面での暗電子の発生を抑制することができ、かつ、制御方法や回路が煩雑にならず、また、残像やｋＴＣノイズの問題が生じない固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

This solid-state image pickup device 100 is fixed on the wiring board 1 so as to be detachable from the wiring board 1, wherein pressure is applied vertically to side surfaces of a light transmissive lid 3 to sandwich the light transmissive lid 3.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置１００は、配線基板１上に、配線基板１に着脱可能に固定されているとともに、透光性蓋部３の側面に対して垂直に圧力を加え、透光性蓋部３を挟持している。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device in which incident light can be condensed effectively to a photoelectric converting section even if the photoelectric converting section is deviated from a translation symmetry arrangement position.例文帳に追加

光電変換部が並進対称性配列の位置から位置ずれして配置されていても、入射光を光電変換部に効果的に集光することができる固体撮像素子及びその固体撮像素子を用いた撮像装置を提供すること。 - 特許庁

A nucleus generating device 30 for generating minute solid-phase nuclei by the latent heat accumulating material LM in a supercooled (gel-like) state, includes a box-like member 31, and a nucleus generating member 32 and a coil spring 34 which are received in the box-like member 31.例文帳に追加

過冷却状態（ゲル状）の潜熱蓄熱材ＬＭにて微小な固相の核を生成するための発核装置３０は、箱状部材３１と、その箱状部材３１に収容された発核部材３２及びコイルスプリング３４とを備えている。 - 特許庁

To provide a lubricant applying device capable of maintaining stably a lubricant applied state on an image carrier surface over from a factory delivery time up to a product component life, without depending on a using condition and an environmental condition, and capable of preventing a solid lubricant from being abraded unevenly.例文帳に追加

使用条件や環境条件に左右されることなく、像担持体表面の潤滑剤塗布状態が工場出荷時から製品部品寿命時まで安定し、かつ固形潤滑剤の偏摩耗がない潤滑剤塗布装置を提供する。 - 特許庁

Light receiving parts a_i, _j included in the solid-state image pickup device are provided with a photodiode PD, a first capacitance part C11, a second capacitance part C12, an amplification transistor T_1, a transfer transistor T_2, a discharging transistor T_3 and a selection transistor T_4.例文帳に追加

固体撮像装置に含まれる受光部ａ_ｉ,ｊは、フォトダイオードＰＤ、第１容量部Ｃ_１１、第２容量部Ｃ_１２、増幅用トランジスタＴ_１、転送用トランジスタＴ_２、放電用トランジスタＴ_３および選択用トランジスタＴ_４を備える。 - 特許庁

An image sensor use chip CP has a solid-state image pickup element 10 adopting a pixel configuration of 3888×2192 pixels as a whole for setting a black level reference part in order to ensure the optical black in addition to number of pixels that is 4-times of those of an image pickup device adopting the High-Vision system.例文帳に追加

イメージセンサ用チップＣＰは、ハイビジョン方式の撮像装置の４倍の画素数に加えて、光学ブラックを確保するために黒レベル基準部分を設定し、全体として3888×2192の画素構成とされた固体撮像素子１０を有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels which are arranged in a matrix, a plurality of vertical signal lines VL which are wired for each column and connected to pixels in one column in common, and the column amplifier 5 which comprises a plurality of amplifiers AP.例文帳に追加

固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素と、列ごとに配線され、各々が１列の画素に共通に接続された複数の垂直信号線ＶＬと、複数のアンプＡＰで構成されるカラムアンプ５とを備えている。 - 特許庁

Accordingly, a potential change of a data line 6a_2 is less than a potential of the first electrode 81a_1 of the pixel 100a_1, thereby crosstalk between the pixels 100a can be prevented, and the solid-state imaging device 100 having a high resolution can be achieved.例文帳に追加

従って、データ線６ａ_2の電位変化が画素１００ａ_1の第１電極８１ａ_1の電位に及ばないので、画素１００ａ間のクロストークを防止することができ、解像度が高い固体撮像装置１００を実現することができる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that is provided with an organic photoelectric conversion element for applying a voltage to an electrode and that is capable of reducing injection of charges (electron and hole) from an intermediate level to a photoelectric conversion layer to effectively reduce dark current.例文帳に追加

電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子を備える固体撮像素子において、中間準位からの電荷（電子，正孔）の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 1, the photoelectric conversion part is arranged on a front side of a semiconductor substrate, and a gettering site separating metal impurity in the semiconductor substrate from the photoelectric conversion part is arranged on a rear side by separating it from the semiconductor substrate.例文帳に追加

固体撮像装置１を、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、半導体基板から離れて裏面側に設けられた構成とする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device in which the improvement in sensitivity and the reduction of a smear component are possible by leading a light reflected by a metal reflective barrier to a light-receiving section, increasing the amount of light received, and suppressing the leakage of the reflected light by a charge transmission route.例文帳に追加

メタル反射壁で反射した光を受光部へ導き受光量を増加させ、反射光の電荷転送路への漏れを抑えることにより、感度の向上およびスミア成分の低減が可能な固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensing element for converting long wave light, such as light in a terahertz band, to an electronic signal, and then outputting, mainly as a video signal, without being affected by fluctuations caused by radiant heat, a manufacturing method therefor, and an imaging device.例文帳に追加

本発明は、テラヘルツ帯をはじめとする長波長光を、輻射熱揺らぎの影響を受けることなく、電気信号に変換し、おもに映像信号として出力する固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置を提供する。 - 特許庁

Only a first silicon oxide film 30 (a lower-layer film 30-1 and an upper-layer film 30-2) having a thickness, for example, 40 nm or smaller is interposed between a semiconductor substrate 20 and a shielding film 32 on a photoelectric converter 23 of the solid-state image pickup device.例文帳に追加

固体撮像素子の光電変換部２３上において半導体基板２０と遮光膜３２との間に、厚さ例えば４０ｎｍ以下の第１シリコン酸化膜３０（下層膜３０−１と上層膜３０−２）のみが介在するようにする。 - 特許庁

To provide a visibility correction filter glass used for the visibility correction of a solid-state image sensing device and capable of reducing the disorder of a photographed image such as contour blur caused by near ultraviolet chromatic aberration of a lens system.例文帳に追加

固体撮像素子の視感度補正に用いられるフィルタガラスにおいて、レンズ系の近紫外線色収差に起因する輪郭ぼけなどの撮影画像の乱れを低減することのできる視感度補正フィルタガラスを提供することを目的とする。 - 特許庁

The solid-state imaging device has pixel portions arrayed in two dimensions and the respective pixel portions have photoelectric converting portions (2) which convert input light into electric charges and optical filters (6a, 6b, and 6c) having different transmissivity to visible light by photoelectric converting portions (2).例文帳に追加

固体撮像装置は、二次元配列された画素部を備え、各画素部は、入射光を電荷に変換する光電変換部（２）と、光電変換部（２）毎に異なる可視光の透過率を有する光学フィルタ膜（６ａ、６ｂ、６ｃ）とを有する。 - 特許庁

When creating an imaging signal of an interlace system, the device uses all pixel reading type solid-state imaging element 101, drives it by a pixel rate which is twice of a usual rate, transfers both necessary signal charge and unnecessary charge to be ejected, and outputs them.例文帳に追加

インターレース方式の撮像信号を生成する際に、全画素読み出し型固体撮像素子１０１を用いて、通常の２倍の画素レートで駆動し、必要な信号電荷と排出すべき不要電荷を共に転送して出力する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device capable of preventing FPN based on dispersion by the characteristics of an element for composing a CDS circuit without installing any capacitive elements for phase compensation for ensuring a phase margin.例文帳に追加

本発明は、位相余裕を確保するための位相補償用の容量素子を設置することなく、ＣＤＳ回路を構成する素子の特性によるバラツキに基づくＦＰＮを防ぐことができる固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Photodiodes constituting respective pixels, a vertical transfer unit and a horizontal transfer unit for transferring signal charge and a charge detecting unit are provided to inspect a solid-state imaging device having the beam limiting unit for the signal charge in a connecting unit, in between the horizontal transfer unit and the charge detecting unit.例文帳に追加

各画素を構成するフォトダイオードと、信号電荷を転送する垂直および水平転送部と、電荷検出部とを備え、水平転送部と電荷検出部の接続部に信号電荷の絞込み部を有する固体撮像装置を検査する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device wherein an excessive impulse that is generated in a portable apparatus or the like is not applied and the optical axis of an optical lens is prevented from becoming eccentric or a focal distance is prevented from being deviated in an initial focusing control position or the like.例文帳に追加

携帯機器等に生じた過大な衝撃が加わらないようにすると共に、ピントの初期調整位置等において光学レンズの光軸の偏心や焦点距離のずれが生じ無いようにする固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To decrease reflection quantity of light returning from a solid-state image pickup device on an exiting face, and to obtain an image in a favorable color balance and no ghost or flare by appropriately controlling spectral characteristics of a wavelength selective filter which transmits light in a green region.例文帳に追加

緑色域光を透過させる波長選択フィルタの分光特性を適切に調整することにより、光射出面における固体撮像素子からの戻り光の反射量を低減させ、ゴーストやフレアがなく、色バランスの良好な画像を得る。 - 特許庁

The direction of the tangential surface to a silicon crystal axis of a semiconductor substrate 10 of the solid-state imaging device 1 is mutually different about an STI layer 113a in a periphery of the charge storage part 110 and an STI layer 113b in a periphery of the charge transfer part 115.例文帳に追加

固体撮像装置１では、電荷蓄積部１１０の周囲のＳＴＩ層１１３ａと電荷転送部１１５の周囲のＳＴＩ層１１３ｂとで、半導体基板１０におけるシリコン結晶軸に対する接面方向が互いに異なる。 - 特許庁

To provide a comparator in which the amount of an offset and variation in the same in comparators, which result in variation in output codes, are suppressed to reduce the variation in the output codes, and to provide a method of calibrating the comparator, a solid-state imaging device, and a camera system.例文帳に追加

出力コードの変動をもたらす比較器のオフセットの発生量と変動を抑制することで出力コードの変動を低減することができる比較器、比較器の校正方法、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁