「solid-state device」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

The recycled water 16, after being used for cooling of the solid polymer fuel cell 1a in a state mixed with the cooling water 12, has carbon dioxide degassed by getting in contact with the air 9 with the cathode humidifier 24, whereby, the cooling water 12 with a dissolved concentration of the carbon dioxide suppressed is treated at the water purifying device 17.例文帳に追加

回収水１６は冷却水１２に混合した状態で固体高分子型燃料電池１ａの冷却に供した後、カソード加湿器２４で空気９と気液接触させることで二酸化炭素を脱気処理させ、これにより、二酸化炭素の溶存濃度が低く抑えられる冷却水１２を純水装置１７で処理させる。 - 特許庁

In the solid-state imaging device, the lower electrodes 113 and the contact wiring 111 are connected through openings provided in the light-shielding film 112 each corresponding to the contact wiring 111, and the light-shielding film 112 is formed in the entire region of the gaps between the adjacent lower electrodes 113 on the insulating film 110 except for the places of the openings.例文帳に追加

そして、固体撮像装置は、下部電極の１１３とコンタクト配線１１１とが、遮光膜１１２にそれぞれ対応して設けられた開口を介して接続されており、遮光膜１１２が、絶縁膜１１０上において、開口された箇所を除き、隣接する下部電極１１３間の隙間の全域に形成されている。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of photoelectric conversion regions adjoining in one direction of two-dimensional matrix, respectively, of which the threshold voltage of channel is controlled by the optical generation charge held by a modulation well, to output pixel signals corresponding to the optical generation charges.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、変調用ウェルに保持された前記光発生電荷によってチャネルの閾値電圧が制御され、前記光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

A CCD type solid-state image pickup device incorporates at least voltage generating circuits (11-17) for obtaining a plurality of or a single trigger pulse and two kinds of positive and negative power supplies from the outside to drive a vertical CCD, a horizontal CCD, a reset transistor and an output circuit using a predetermined pulse voltage and a DC voltage by inputting the trigger pulse.例文帳に追加

ＣＣＤ型固体撮像素子において、外部から複数個のまたは単一のトリガパルスと正、負の２電源の供給を得て、垂直ＣＣＤ、水平ＣＣＤ、リセットトランジスタおよび出力回路をトリガパルスの入力により所定のパルス電圧および直流電圧により駆動する電圧発生回路（１１〜１７）を少なくとも内蔵することとする。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a driving means for reading, in a first field output period, the signal charge of the field from a reading gate electrode VΦ1 to which a middle voltage has been applied in a horizontal effective period, thereby setting at a low level a gate electrode VΦ3 corresponding to a second field which has not been read in the first field output period.例文帳に追加

本固体撮像装置は、第１フィールド出力期間において、水平有効期間中にミドルレベル電圧が印加された読み出しゲート電極ＶΦ１から当該フィールドの信号電荷を読み出す駆動手段を備えることにより、第１フィールド出力期間において読み出されていない第２フィールドに対応するゲート電極ＶΦ３をローレベルにする。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a circuit board mounted with an imaging element and the case covering the circuit board, and also has the filter holding unit holding the IR cut filter, the IR cut filter bonded to the filter holding unit, and a lens in the case, wherein the IR cut filter is provided with the recessed part or an opening for preventing an adhesive from flowing out.例文帳に追加

撮像素子を実装した回路基板と、前記回路基板を覆う筐体とを有し、前記筐体内部にはＩＲカットフィルタを保持するフィルタ保持部と、フィルタ保持部に接着されたＩＲカットフィルタと、レンズとを有する固体撮像装置において、前記ＩＲカットフィルタに接着剤の流出を防止するための凹部または開口を設けた。 - 特許庁

A solid-state image pickup device 2 comprises a plurality of photoelectric transducer elements 106 which are arranged in proximity to each other on a silicon semiconductor substrate 104, with each photoelectric transducer element 106 comprising a p-type region 115 and an n-type region 116 which are locally deposited in layers on the surface of the semiconductor substrate 104.例文帳に追加

固体撮像素子２は、シリコンから成る半導体基板１０４上に相互に近接して配列された複数の光電変換素子１０６を備え、各光電変換素子１０６は半導体基板１０４の表面部に局所的に積層されたｐ型領域１１５およびｎ型領域１１６を含んで構成されている。 - 特許庁

A solid state image pickup device is composed by forming a plurality of imaging pixels 100 with a semiconductor substrate 101 as a base, and each imaging pixel 100 includes a photoconductive film 126 for photoelectrically converting incident light and generating signal charges, and a storage diode 104 formed inside the semiconductor substrate 101 for storing the charges generated in the photoconductive film 126.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板１０１をベースに、複数の撮像画素１００が形成されてなり、各撮像画素１００は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する光導電膜１２６と、半導体基板１０１内に形成され、光導電膜１２６で生成された電荷を蓄積する蓄積ダイオード１０４と、を有する。 - 特許庁

By converting an output voltage obtained from the floating diffusion of a solid-state imaging device into current signals, shifting a DC level by using the current signals, lowering the power supply voltage and outputting it from a drive circuit, the power supply voltage of the output buffer circuit is lowered and power consumption is reduced without lowering the conversion efficiency and the frequency characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子のフローティングディフュージョンから得られる出力電圧を電流信号に変換し、該電流信号を用いて直流レベルシフトして電源電圧を下げて駆動回路から出力することにより、変換効率や周波数特性を低下させることなく、出力バッファ回路の電源電圧を下げて消費電力を削減する。 - 特許庁

A solid-state imaging device includes: a pixel array unit having plural pixels arranged in a row direction and a column direction; a weighted addition unit performing weighted addition on pixel signals read out from the plural pixels as analog signals; an A/D converter performing A/D conversion of the pixel signals on which weighted addition is performed; and a computing unit computing the A/D converted pixel signals.例文帳に追加

個体撮像デバイスに、行方向および列方向に配列された複数の画素を有する画素アレイ部と、複数の画素から読み出された画素信号をアナログ信号として加重加算する加重加算部と、加重加算された画素信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部と、Ａ／Ｄ変換された画素信号を演算する演算部とを設ける。 - 特許庁

The thermal-type infrared solid-state imaging device 10 is equipped with a substrate 11 which has transistors, an insulating film 12 coating the substrate 11, a dead space 13 bored in the insulating film 12, and a heat detector 16 demarcated in a membrane section 14 above the dead space 13 in the insulating film 12 for infrared detection, along with the transistors.例文帳に追加

熱型赤外線固体撮像装置１０は、トランジスタが形成された基板１１と、基板１１上に形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２中に形成された空隙１３と、絶縁膜１２における空隙１３の上側のメンブレン部１４に形成され且つトランジスタと共に赤外線検出を行なうための熱検出部１６とを備える。 - 特許庁

Also, when a logarithmically converted electrical signal to the quantity of incidence light is outputted by the solid-state image pickup device 10, white balance adjustment and γ correction are made through a dynamic processing circuit 12 and a γ-correction circuit 13b, before being sent to a matrix conversion circuit 15 through a logarithm/linear conversion circuit 14.例文帳に追加

又、固体撮像素子１０より、入射光量に対して対数変換された電気信号が出力されるとき、ホワイトバランス回路１１ｂ、ダイナミック処理回路１２及びγ補正回路１３ｂを通じてホワイトバランス調整及びγ補正が施され、対数／線形変換回路１４を経てマトリクス変換回路１５に送出される。 - 特許庁

The NMOS solid-state image pickup device 100 is provided with a pixel part 101 composed of a plurality of pixels 101a disposed in a two-dimensional matrix, a vertical scanner 102 for outputting a row select signal for selecting any arbitrary pixel row, and a horizontal scanner 103 for outputting a column select signal for selecting any arbitrary pixel column.例文帳に追加

ＮＭＯＳ型固体撮像装置１００は、２次元行列状に並べられた複数の画素１０１ａから構成される画素部１０１と、任意の画素行を選択するための行選択信号を出力する垂直走査器１０２と、任意の画素列を選択するための列選択信号を出力する水平走査器１０３とを備えている。 - 特許庁

The imaging device comprises solid-state imaging elements 11a, 11b, and 11c wherein a photonic crystal having a periodic refractive-index structure having low refractive-index materials 1 and high refractive-index materials 2 alternately laminated and having a periodic refractive-index structure of a similar shape (circle or polygon) concentric to an in-plane direction is located on photoelectric conversion elements.例文帳に追加

低屈折率材料１と高屈折率材料２とを交互に積層した屈折率周期構造と、面内方向に同心的な相似形状（円または多角形）の屈折率周期構造とを有するフォトニック結晶を、各光電変換素子上に配置した固体撮像装置１１ａ、１１ｂおよび１１ｃを構成する。 - 特許庁

To provide a color solid state imaging device of an XY address type for which color filters are Bayer-arrayed, in which G pixel signals based on the G pixel signal charges of respective rows are outputted from the same output circuit, and which is capable of easily rearranging pixel signals outputted from a multiplexer according to Bayer array at a low cost.例文帳に追加

色フィルタをベイヤー配列したＸＹアドレス型のカラー固体撮像装置にして各行のＧ画素信号電荷に基づくＧ画素信号が同じ出力回路から出力される固体撮像装置であって、マクチプレクサから出力される画素信号を、簡単安価にベイヤー配列に従って並べ変えることができるカラー固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The dummy output period is provided to secure a period in which interpolation processing is performed, and consequently readout processing for a pixel signal from the solid-state imaging device 10 and write processing to a line buffer memory 312, and horizontal interpolation processing in a horizontal interpolation processing part 314 and vertical interpolation processing in a vertical resolution conversion processing part 320 are performed simultaneously in parallel.例文帳に追加

ダミー出力期間を設けることで、補間処理を行なう期間を確保し、これにより、固体撮像素子１０からの画素信号の読出処理やラインバッファメモリ３１２への書込処理と水平補間処理部３１４における水平補間処理や垂直解像度変換処理部３２０における垂直補間処理とを同時並行的に実施する。 - 特許庁

To obtain a polymerizable composition for color filter, which suppresses illuminance dependency upon forming a color pattern even when exposure machines having different illuminance values are used, achieves excellent curability of a formed color pattern, and forms a rectangular pattern with superior resolution, to provide a color filter having high color separation property, and to provide a solid-state imaging device having high resolution.例文帳に追加

着色パターンを形成するに際して、照度の異なる露光機を用いても照度依存性を抑制することができ、形成された着色パターンの硬化性に優れ、解像度の優れた矩形のパターンを得ることができるカラーフィルタ用の重合性組成物を得ることであり、色分離性が良好なカラーフィルタ、および高解像度の固体撮像素子を得る。 - 特許庁

To solve the problems of the conventional technology such that at fixing an unit of a solid-state imaging device of CCD and CMOS or the like to an electronic camera by using TAB package technique, an extremely high accuracy of component machining is required, and that it is impossible to heat from the side of the camera for melting solder at the deep depth.例文帳に追加

ＣＣＤやＣＭＯＳ等の固体撮像素子ユニットをＴＡＢパッケージ技術を用いて電子カメラ等に固定する場合、極めて高い部品加工精度が要求され、また、奥行が深い場所にははんだを溶融させるための側面からの加熱が不可能等の従来技術の問題点を解消する手段を提供する。 - 特許庁

In a 2nd linear matrix compensation part 50 of the solid state imaging device 10, color shading compensation is made by subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to one side of red pixels from outputs of red pixels, and subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to blue pixels from outputs of blue pixels.例文帳に追加

固体撮像装置10は、第２のリニアマトリクス補正部50において、赤画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、赤画素の出力から減算し、青画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、青画素の出力から減算して色シェーディング補正する。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a highly sensitive and highly reliable solid state imaging element by flattening a surface without generating the deterioration of an yield while securing the degree of freedom in a process as it is, and improving the working accuracy of a photodiode unit even upon microfabrication, pixel increasing and enlarging, in an electric charge transfer device employing an electric charge transfer electrode of a single layer structure.例文帳に追加

単層構造の電荷転送電極を用いた電荷転送装置において、微細化、多画素化、大型化に際しても、工程の自由度を確保したままで歩留まり低下を生じることなく、表面の平坦化をはかり、フォトダイオード部の加工精度の向上をはかることにより、高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The drive circuit of the solid-state imaging device has a multinomial operation part (17) for carrying out a multinomial operation of a first order or more, an operation control part (16) for generating a variable of the multinomial to control the multinomial operation part, and a pulse generation part (14) for generating a pulse based on a multinomial operation result in the multinomial operation part.例文帳に追加

１次以上の多項式の演算を行う多項式演算部（１７）と、前記多項式の変数を発生し前記多項式演算部の演算を制御する演算制御部（１６）と、前記多項式演算部の多項式の演算結果を基にパルスを生成するパルス生成部（１４）とを有することを特徴とする固体撮像素子の駆動回路が提供される。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a plurality of light receiving portions 5 arranged on a substrate 10, a plurality of microlenses 50 arranged on the substrate 10 in correspondence with the light receiving portions 5, and a transparent film 60 formed on the microlense 50 and having a refractive index lower than that of the microlense 50 wherein the surface of the transparent film 60 has a curved surface shape.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、基板１０に配置された複数の受光部５と、受光部５に対応して基板１０上に配置された複数のマイクロレンズ５０と、マイクロレンズ５０上に形成され、マイクロレンズ５０よりも低い屈折率をもつ透明膜６０とを有し、透明膜６０の表面が、曲面形状をもつ。 - 特許庁

The solid-state image pick-up device comprises a photoelectric conversion unit PD, and a plurality of disposed unit pixels 35 each having a transfer transistor 32 for reading out a signal charge accumulated in the photoelectric conversion unit PD, wherein a gate electrode 45 on the active region of the transfer transistor 32 is formed to have two kinds or more of gate lengths g1, g2.例文帳に追加

光電変換部ＰＤとこの光電変換部ＰＤに蓄積された信号電荷を読み出す転送トランジスタ３２を有する単位画素３５が複数配列されてなる固体撮像装置であって、転送トランジスタ３２の活性領域上のゲート電極４５が、２種類以上のゲート長ｇ１，ｇ２を有するように形成されている。 - 特許庁

In a solid-state imaging device including a protection circuit connected to a terminal, there are included a first circuit connected between the terminal and a negative potential line for providing a negative voltage, a second circuit connecting a protection circuit between the terminal and a ground potential line and a third circuit forming a protection circuit between the ground potential line and another terminal.例文帳に追加

端子に接続する保護回路を有するものにあって、端子と負電圧を供給する負電位線との間に接続される第１の回路を有するとともに保護回路が端子とグランド電位線との間に接続される第２の回路を有し、グランド電位線と他の端子との間に保護回路をなす第３の回路を有する。 - 特許庁

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.例文帳に追加

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁

The method of manufacturing a sheet glass used in a solid state image pick-up device includes a functional film formation step for forming a functional film on at least one of two translucent surfaces of the sheet glass facing each other in the thickness direction thereof, and a step for etching a chamfered sheet glass prior to the functional film formation step.例文帳に追加

ガラス板の板厚方向に対向する２つの透光面の少なくとも一方の面に機能膜を形成する機能膜形成工程を備え、面取りされたガラス板を前記機能膜形成工程の前にエッチングする工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置に用いられる板状ガラスの製造方法である。 - 特許庁

The solid state imaging device comprising a semiconductor substrate, and a pixel region including a plurality of pixels having light receiving sections formed on the semiconductor substrate is further formed with first and second wiring layers 14 and 16 formed on the semiconductor substrate and having apertures corresponding to the light receiving sections, and an in-layer lens 18 arranged above the second wiring layer 16.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板に形成された受光部を有する画素を複数含む画素領域を備える固体撮像装置であって、半導体基板上に積層され受光部に対応する開口領域を有する第１および第２の配線層１４，１６と、第２の配線層１６の上方に形成された層内レンズ１８とを備える。 - 特許庁

A video process section 103 segments a 720-pixel region in the vertical direction and 480-pixel region in the horizontal direction out of image signals outputted by a solid-state image pickup device 102 when a viewer rotation position signal is a signal representing 'vertical' and outputs the regions as a recording image to a recording section 104 after the regions are clockwise rotated by 90 degrees.例文帳に追加

映像プロセス部１０３は、ビューア回転位置信号が「垂直」を表す信号である場合は、固体撮像装置１０２が出力した画像信号のうち、垂直方向に７２０画素、水平方向に４８０画素の領域を切り出し、時計回りに９０度回転した後、記録画像として記録部１０４へ出力する。 - 特許庁

The solid-state imaging device is driven by a vertical transfer pulse applying step for applying a vertical transfer pulse to a vertical shift register and transferring signal charge output by a photoelectric conversion unit in a column direction, and a horizontal transfer pulse applying step for applying a horizontal transfer pulse to a horizontal shift register during a horizontal transfer period and transferring the signal charge in a row direction.例文帳に追加

垂直シフトレジスタに垂直転送パルスを印加して、光電変換部が出力した信号電荷を列方向に転送させる垂直転送パルス印加ステップと、水平シフトレジスタに水平転送期間に水平転送パルスを印加して、信号電荷を行方向に転送させる水平転送パルス印加ステップとにより固体撮像装置を駆動する。 - 特許庁

A solid-state imaging device 2 comprises a transparent substrate 17, a plurality of DG-TFT 20 arranged on the transparent substrate 17 in a matrix shape, and a protective insulating film 31 for covering all the DG-TFT 20, a discharging conductive film 32 formed on the insulating film 31, and a liquid-repellent film 33 formed on the conductive film 32.例文帳に追加

固体撮像デバイス２は、透明基板１７と、透明基板１７上にマトリクス状に配列された複数のＤＧ−ＴＦＴ２０と、全てのＤＧ−ＴＦＴ２０を被覆する保護絶縁膜３１と、保護絶縁膜３１上に形成された放電用導電膜３２と、放電用導電膜３２上に形成された撥液膜３３と、を備える。 - 特許庁

The solid-state photographing device is characterized in that it is equipped with: a photographing region where pixels 60 composed of photoelectric conversion unit PDs and transistors Tr1 and Tr2 are arranged; and a multilayered interconnection 62 [621, 622, and 623] formed above the pixels 60 through an interlayer insulating film 61, and that the interlayer insulating film 61 has shading properties.例文帳に追加

光電変換部ＰＤとトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で構成された複数の画素６０が配列された撮像領域と、複数の画素６０の上方に層間絶縁膜６１を介して形成された複数層の配線６２〔６２１、６２２、６２３〕を有し、層間絶縁膜６１が遮光性を有して成ることを特徴とする。 - 特許庁

A solid-state imaging device 101, comprising two-dimensionally arrayed photoelectric conversion elements outputs signal charges read from the photoelectric conversion elements in an order different from the two-dimensional array, a signal converting section 13 converts the signal charges into pixel data, and a rearrangement section 15 rearranges the converted pixel data for 2n+1 rows so as to match the two-dimensional array.例文帳に追加

２次元配列された光電変換部を備える固体撮像素子１０１が、光電変換部から読み出した信号電荷を２次元配列と異なる順序で出力し、信号変換部１３が画素データに変換し、前記変換された２ｎ＋１行分の前記画素データを前記２次元配列に合うように再配列部１５が再配列する。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a plurality of light reception sections 5 formed on a semiconductor substrate 4; a color filter layer 11; and a lens 9 for condensing light at the light reception section 5 having the center 9a of the lens that is formed between the semiconductor substrate 4 and the color filter layer 11, and is displaced to the center of the light reception section 5 by specified distance for arrangement.例文帳に追加

この固体撮像装置は、半導体基板４に形成された複数の受光部５と、カラーフィルタ層１１と、半導体基板４とカラーフィルタ層１１との間に形成され、受光部５の中心に対して所定の距離ずらして配置されたレンズ中心９ａを有する受光部５に光を集光するためのレンズ９とを備えている。 - 特許庁

The solid-state imaging device is configured with an NMOS TR (switching TR) 121 which is inversely in operation to an ON/OFF operation of NMOS TRs (reset TRs) 103p and 103q in each pixel cell and placed at a position just before an input node to especially a correlated double sampling circuit 111 on a common read line 109 shared by a plurality of the pixel cells.例文帳に追加

複数の画素セル間において共有される共通読み出し線１０９上の特に相関二重サンプリング回路１１１への入力ノードの直前の位置に、各画素セル内のＮＭＯＳトランジスタ（リセットトランジスタ）１０３ｐおよび１０３ｑのオン／オフ動作と逆に動作するＮＭＯＳトランジスタ（スイッチトランジスタ）１２１を設けて固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

A solid-state imaging device includes: a plurality of pixels which are two-dimensionally arranged to photoelectrically convert incident light; a plurality of vertical signal lines 4 each of which is formed in association with each column of the plurality of pixels and to which output signals of the pixels of the corresponding column are supplied; a plurality of comparison parts 11; and a plurality of reference signal supply parts 14.例文帳に追加

固体撮像素子は、２次元に配置され入射光を光電変換する複数の画素と、各々が前記複数の画素の各列に対応して設けられ対応する列の前記画素の出力信号が供給される複数の垂直信号線４と、複数の比較部１１と、複数の参照信号供給部１４とを備える。 - 特許庁

The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板２０と、ｎ型シリコン基板２０上に形成されたｐ型エピタキシャル層２１と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成されたｎ型センサ部２２と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成され、ｎ型センサ部２２により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁

In a preamplifier portion (column region portion) 61 of a solid-state imaging device 10, a pixel signal control unit 200 is provided which independently detects a magnitude of each pixel signal through a pixel signal detection unit 210 at an output side of a pixel signal amplification unit 230 for each vertical signal line 158 and sets a gain to the pixel signal amplification unit 230 independently in accordance with the signal magnitude.例文帳に追加

固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁

In an amplification type solid-state image pickup device, the timing (time a') of generation and sending of a reset signal RSi for electronic shutter operation is shifted from a conventional timing (time (a)) so that the impression timing of the reset signal RSi for electronic shutter operation may not overlap the period when a pixel row is selected for read operation (period when SLn is in the high level).例文帳に追加

増幅型固体撮像装置において、電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iを生成・送出するタイミング（時刻ａ’）を従来のタイミング（時刻ａ）からずらし、それによって電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iの印加タイミングを読み出し動作のために画素行を選択する期間（ＳＬ_nが「Ｈｉｇｈ」の期間）とは重複しないようにする。 - 特許庁

In the endoscope having a bent portion 3 to be bent continuous to a tip structure portion 2 having a CCD camera (solid-state image picking-up device) 7, a portion from the bent portion to the tip structure portion is covered with a covering material excellent in heat conductivity, for example, a covering material 17 in which pure copper or copper alloy small wires are formed into a mesh.例文帳に追加

ＣＣＤカメラ（固体撮像装置）７を有する先端構成部２に続いて湾曲可能な湾曲部３を有する内視鏡１において、上記湾曲部から先端構成部にかけての部分を熱伝導性が良好な被覆材、例えば、純銅又は銅系合金の細線をメッシュ状に編成して成る被覆材１７によって被覆したものである。 - 特許庁

The solid-state imaging device 1 includes: a silicon layer 2 where a positive charge accumulation region 13 is formed on the surface of a photodiode PD; and an optical waveguide 21 formed above the photodiode PD to guide incident light to the photodiode PD, wherein an insulating layer 22 is formed in the optical waveguide 21, and the insulating layer 22 has a dielectric constant of 5 or greater and negative fixed charge.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤの表面に正電荷蓄積領域１３が形成されたシリコン層２と、フォトダイオードＰＤの上方に形成され、入射光をフォトダイオードＰＤに導くための光導波路２１とを有し、この光導波路２１の内部に、比誘電率が５以上であり、負の固定電荷を有する絶縁層２２が形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

To effectively prevent a white hurt and generation of dark current by reducing damage by intrusion of iodine into a photodiode part (photoelectric conversion part) from a photoresist film used as an impurity injection prevention film used in forming the photodiode part (photoelectric conversion part) and each impurity injection region adjacent to the photodiode part, thereby improving the yield of a solid-state imaging device.例文帳に追加

フォトダイオード部（光電変換部）、及び、フォトダイオード部に隣接する各不純物注入領域を形成する時に用いる、不純物注入阻止膜として使用するフォトレジスト膜からのフォトダイオード部（光電変換部）へヨウ素の侵入によるダメージを低減することによって、白傷や暗電流の発生を有効に阻止し、固体撮像装置の歩留まり向上を図る。 - 特許庁

To attain a solid-state imaging device 100 of a mounting structure wherein an imaging element chip 2 is sealed within a sealing package 1 with a hollow space provided above a microlens 8, and corrosion or the like of element wiring is avoided within the sealing package with an excellent moisture resistance and a high reliability even when moisture enters the interior of the sealing package.例文帳に追加

封止パッケージ１内に収容された撮像素子チップ２を、そのマイクロレンズ８上に中空空間を設けて封止する実装構造を有する固体撮像装置１００において、該封止パッケージ内部に水分侵入があった場合でも、該封止パッケージ内での素子配線の腐食等を招くことがなく、耐湿性に優れた信頼性の高い固体撮像装置を実現する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device comprises a signal transmission path T which connects a cathode of a photo-diode 1 to an inverted input terminal of a charge amplifier CAP, a capacitor 11 which connects one terminal with the signal transmission path T and is parallel connected to the photo-diode, and a signal transmission switch S11 provided within the signal transmission path T between the photo-diode 1 and the capacitor 11.例文帳に追加

この固体撮像装置は、フォトダイオード１のカソードをチャージアンプＣＡＰの反転入力端子に接続する信号伝達経路Ｔと、信号伝達経路Ｔと一端を接続し前記フォトダイオードに対して並列に接続されたキャパシタ１１と、フォトダイオード１とキャパシタ１１との間の信号伝達経路Ｔ内に設けられた信号伝達スイッチＳ１１とを備えている。 - 特許庁

This solid-state image pickup device is an interline transfer type CCD image sensor of a progressive scan system having a four-phase driven vertical register, is provided with photodiodes 1, transfer gates 2, a vertical register 3, a horizontal register 4, a control gate 5 and a drain 6, and the drain 6 discharging unnecessary charge and the control gate 5 controlling discharge are provided adjacently to the register 4.例文帳に追加

本固体撮像装置は、４相駆動垂直レジスタを有するプログレッシブスキャン方式のインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサであって、図１に示すように、フォトダイオード１、トランスファゲート２、垂直レジスタ３、水平レジスタ４、コントロールゲート５、及びドレイン６を備えていて、不要な電荷を排出するドレイン６と排出を制御するコントロールゲート５が、水平レジスタ４に隣接して設けられている。 - 特許庁