「solid-state device」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

In a solid-state imaging device, when photographing is performed at a field angle having unused image regions in a horizontal pixel direction, output of electronic shutter pulse ΦSUB or vertical transfer pulse (ΦV1-ΦV4) is performed in an output position of horizontal transfer pulse ΦH corresponding to unused image regions, thereby improving the frame rate.例文帳に追加

水平画素方向に映像未使用領域を有する画角で撮影する際に、電子シャッタパルスΦＳＵＢや垂直転送パルス（ΦＶ１〜ΦＶ４）の出力を、映像未使用領域に対応する水平転送パルスΦＨの出力位置で行うことにより、フレームレートを向上することができる。 - 特許庁

A solid-state image pickup device 1 includes a pixel part X having a plurality of pixels; a peripheral circuit part Y which is electrically connected to the pixel part X; and a substrate 12 which is disposed to face the peripheral circuit part Y and in which a first wiring 31 that is electrically connected to the peripheral circuit part Y is arranged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、複数の画素を有する画素部Ｘと、画素部Ｘと電気的に接続される周辺回路部Ｙと、周辺回路部Ｙに対向して配置されるとともに、周辺回路部Ｙと電気的に接続される第１の配線３１が設けられた基板１２とを備える。 - 特許庁

A laser device 1 converting a seed beam Lb output from a solid-state laser 10 into a laser beam L1 having a wavelength shorter than that of the seed beam Lb and then amplifying the laser beam L1 to be output includes a low coherence mechanism 20 which reduces the coherence of the seed beam Lb before converting the seed beam Lb into the short-wavelength laser beam L1.例文帳に追加

固体レーザ１０から出力されたシード光Ｌｂをシード光Ｌｂよりも短波長のレーザ光Ｌ１に変換した後、レーザ光Ｌ１を増幅して出力するレーザ装置１は、シード光Ｌｂを短波長のレーザ光Ｌ１に変換する前に、シード光Ｌｂを低コヒーレンス化する低コヒーレンス機構２０を備える。 - 特許庁

A pixel part A of a solid-state imaging device comprises: a photo diode PD formed on a semiconductor substrate 101; a first insulating film 150 having a recess 117 on its upper portion above the photo diode PD; and a second insulating film 160 formed on the first insulating film 150 so as to fill the recess 117.例文帳に追加

固体撮像装置の画素部Ａは、半導体基板１０１に形成されたフォトダイオードＰＤと、該フォトダイオードＰＤの上側部分に凹部１１７を有する第１の絶縁膜１５０と、該第１の絶縁膜１５０の上に、凹部１１７を埋め込むように形成された第２の絶縁膜１６０とを有している。 - 特許庁

A back-illuminated CMOS solid-state imaging device includes: a pixel region 23 where a plurality of pixels 24 comprising a photoelectric conversion part PD and a pixel transistor Tr are arrayed; a light-shielding film 39 formed in the pixel region 23; and a planarization film 41 formed immediately above the light-shielding film 39.例文帳に追加

本発明は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒからなる複数の画素２４が配列された画素領域２３と、画素領域２３に形成された遮光膜３９と、遮光膜３９の直上に形成された平坦化膜４１とを有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes: a normal pixel 22 disposed in a pixel section capable of performing a global shutter, and including at least a photoelectric conversion part PD and a memory part 36 adjacent to the photoelectric conversion part PD; and a leak-light correcting pixel 24, disposed in the pixel section and correcting degradation of an image quality originated from leak light leaked into the memory part 36.例文帳に追加

グローバルシャッタが行える画素部内に配置され、少なくとも光電変換部ＰＤと、光電変換部ＰＤに隣接するメモリ部３６を含む通常画素２２と、画素部内に配置され、メモリ部３６への漏れ込み光による画質劣化を補正する漏れ込み光補正用画素２４とを有する。 - 特許庁

In a shutter system in the solid-state imaging device 1, the start of a charge accumulation period is common in all rows of the light receiving part 10 for imaging, but the end of the charge accumulation period is different for every row of the light receiving part 10 for imaging and each row of the light receiving part 10 for imaging has a signal readout period following the charge accumulation period.例文帳に追加

固体撮像装置１におけるシャッター方式では、電荷蓄積期間の開始は撮像用受光部１０の全行で共通であるが、電荷蓄積期間の終了は撮像用受光部１０の行毎に異なり、撮像用受光部１０の各行で電荷蓄積期間に続いて信号読出し期間がある。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device with an excellent optical characteristics, together with a method for manufacturing it, wherein the characteristics of a micro lens and a color filter is not damaged even with a multilayer interconnection comprising a minuteness of element and additional function, the condensing effect with the micro lens is sufficiently exhibited while defectives such as color mixture of a color filter are settled.例文帳に追加

素子の微細化や機能付加による多層配線化によっても、マイクロレンズやカラーフィルタの特性を損なわず、マイクロレンズによる集光効果を十分発揮させると共に、カラーフィルタの混色などの不具合を解消して、優れた光学特性を備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Photoelectric conversion of an image signal of each pixel imaged in the same frame is confirmed, and various parameters such as a color correction coefficient of a color correction circuit 10, a gradation conversion characteristic by a gradation conversion circuit 11, and an LPF coefficient and a coring count of a coring circuit 12 are switched on the basis of the dynamic range of the solid-state imaging device 2.例文帳に追加

同一フレームで撮像された各画素の画像信号の光電変換を確認し、色補正回路１０の色補正係数や、階調変換回路１１の階調変換特性や、コアリング回路１２のＬＰＦ係数やコアリング計数などの各種パラメータを、固体撮像素子２のダイナミックレンジに基づいて切り換える。 - 特許庁

The imaging device divides a light-receiving surface of a solid state image sensor (image sensor)1 into at least two, images an optical image from an imaging lens part 101 onto each light-receiving surface, and switches drive so as to perform one light-receiving surface readout with a pixel mixed readout and the other readout with an all pixels readout, respectively.例文帳に追加

固体撮像素子（イメージセンサ）１の１つの受光面を少なくとも２つに分け、撮像レンズ部１０１からの光学像を各々の受光面に結像し、１つの受光面の読み出しを画素混合読み出しで、他方の読み出しを全画素読み出しでそれぞれ読み出すように駆動を切り替える。 - 特許庁

This target device 5 is provided with a solid-state target 10 formed of a substance generating neutrons by being irradiated with a proton beam L, and a cooling plate 15 contacting the target 10, and is structured such that spiral grooves 17 closed by the target 10 and used for making cooling water W pass therethrough are formed on the cooling plate 15.例文帳に追加

陽子線Ｌの照射を受けて中性子を発生する物質からなる固体状のターゲット１０と、ターゲット１０に接する冷却板１５とを備え、冷却板１５には、ターゲット１０によって塞がれると共に、冷却水Ｗが通過する螺旋溝１７が形成されているターゲット装置５とした。 - 特許庁

Or this is a solid-state image pickup device where the unit cell consists of the effective region 13 for sensing light, the OB region 11 adjoining this effective region 13 and outputting dark voltage signals, and the dummy regions 12 and 60 adjoining this OB region 11 and absorbing the signals which leak from the opposite side from the OB region 11.例文帳に追加

または、単位セルが、光を感知する有効領域と、この有効領域に隣接し、暗電圧信号を出力するＯＢ領域と、このＯＢ領域に隣接し、前記ＯＢ領域とは反対側から漏れてくる信号を吸収するダミー領域とからなることを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁

The solid state imaging device 1 has the structure in which an independent first conductive type region 9 separated from a photodiode 5 and a transistor, is provided in at least a part of two or more pixels 1a, and the independent first conductive type region 9 is so provided that this region 9 continues between adjacent pixels and arranged unevenly in each pixel.例文帳に追加

固体撮像装置１を、複数の画素１ａのうち、少なくとも一部において、フォトダイオード５及びトランジスタと分離された独立第１導電型領域９が設けられ、独立第１導電型領域９が、隣り合う画素間で連続して、かつ、各画素内では不均一に設けられた構成とする。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises an MOS transistor T2 having a source connected with the drain of a MOS transistor T1 having a transfer gate connected with a buried photodiode PD, a MOS transistor T5 having a gate connected with the drain of the MOS transistor T1, and a capacitor C connected with the source of the MOS transistor T5.例文帳に追加

埋込型フォトダイオードＰＤに接続された転送ゲートを備えたＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにソースが接続されたＭＯＳトランジスタＴ２と、ＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにゲートが接続されたＭＯＳトランジスタＴ５と、ＭＯＳトランジスタＴ５のソースに接続されたコンデンサＣと、を備える。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition with which a pattern with a low refractive index, excellent film strength and few development defects can be formed at high resolution, a pattern forming material, as well as a photosensitive film using it, a pattern forming method, a pattern film, a low refractive index film, an antireflection film, an optical device and a solid state imaging element.例文帳に追加

本発明は、屈折率が低く、更には、膜強度に優れ、現像欠陥が少ないパターンを高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、反射防止膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

Then, an amount of defocus on an image formation surface is measured by an imaging signal of a resolution chart by a solid-state imaging device 3'; inclination of the lens is calculated; an amount of adjustment is obtained in the XY direction; and the pressing pins 39, 49 are driven by Xy axis driving motors 31, 41 to eliminate the inclination of the lens.例文帳に追加

そして、固体撮像素子３’による解像度チャートの撮像信号により結像面のデフォーカス量を測定し、レンズの傾きを算出するとともにＸＹ方向の調整量を得て、Ｘｙ軸駆動モータ３１，４１でＸＹ押圧ピン３９，４９を駆動しレンズの傾きを解消するようにする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the solid-state image pickup device, gate insulating films 4, gate electrodes 5, 6, and 7, side walls 13 provided on the side faces of the gate electrodes 7, and impurity diffusing layers 8, 9, and 10, are formed in an area A which is the image pickup area and another area B in which an NMOS transistor is provided.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置の製造方法では、撮像領域であるＡ領域と、ＮＭＯＳトランジスタが設けられるＢ領域とに、ゲート絶縁膜４と、ゲート電極５, ６, ７と、ゲート電極７の側面上に設けられるサイドウォール１３と、各不純物拡散層８, ９, １０とを形成する。 - 特許庁

The image display device consists of an image display plate which comprises a powder fluid exhibiting high fluidity in an aerosol state, in which a solid substance as a dispersoid is stably floating in a gas, sealed in a gap between substrates of which at least one is transparent placed opposite to each other and makes the powder fluid travel, and a touch panel integrated with each other.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な対向する基板間に、気体中に固体状物質が分散質として安定に浮遊するエアロゾル状態で高流動性を示す粉流体を封入し、粉流体を移動させる画像表示板と、タッチパネルが一体化されている画像表示装置。 - 特許庁

The solid state image pickup further comprises a light shield mask 150 formed on the low-pass filter, microlenses 160, a seal resin 170, a window 180 in the light shield mask, a transparent conductive film 190, an antireflection film 195, a device hole 210, a lead 220 for dropping the transparent conductive film to GND, and a conductive paste 230 for connecting the lead.例文帳に追加

１５０はローパスフィルターに形成された遮光マスク、１６０はマイクロレンズ、１７０はシール樹脂、１８０は遮光マスクの窓部、１９０は透明導電膜、１９５は反射防止膜、２１０はデバイスホール、２２０は透明導電膜をＧＮＤに落とすリード、２３０はリードを接続する導電ペーストである。 - 特許庁

This capsule type medical device is provided with the optical units 4 and 7 for respectively image-forming the image of the inside of the object on the light receiving surfaces of solid-state imaging elements 5 and 8, and the illumination substrates 19a and 19f where the openings for inserting the respective lens frames 4d and 7d of the optical units 4 and 7 are respectively formed.例文帳に追加

本発明にかかるカプセル型医療装置は、被検体内部の画像を固体撮像素子５，８の受光面にそれぞれ結像する光学ユニット４，７と、光学ユニット４，７の各レンズ枠４ｄ，７ｄを挿入する開口部がそれぞれ形成された照明基板１９ａ，１９ｆと、を備える。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device that vertically mixes signals of the same color components while minimizing reduction in the resolution in a horizontal direction, and to provide its drive method and a camera system.例文帳に追加

色差信号Ｃｒ，Ｃｂが五の目状の配置の補色カラーコーディングの場合には、２画素分だけ離れた同じカラー成分の信号同士の加算によって垂直圧縮処理を実現することになるため、水平方向の色解像度が通常の水平２繰り返しコーディングに対して水平４繰り返しと同程度に、即ち１／２に低下する。 - 特許庁

A solid state image pickup device 100 includes: a plurality of AD conversion sections 140 disposed to each respective column for converting a pixel signal 151 converted by each of a plurality of unit pixels 111 arranged in the corresponding column into N-bit digital data 154; and a plurality of data holding sections 141 disposed to respective columns.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置１００は、列毎に一つ設けられ、対応する列に配置された複数の単位画素１１１により変換された画素信号１５１をＮビットのデジタルデータ１５４に変換する複数のＡＤ変換部１４０と、列毎に一つ設けられた複数のデータ保持部１４１とを備える。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a first substrate having a principal surface on which a photoelectric conversion element is arranged, a first wiring structure having a first joint including a conductor, a second substrate having a principal surface on which a part of the peripheral circuit is arranged, and a second wiring structure having a second joint including a conductor.例文帳に追加

固体撮像装置は、光電変換素子が主面に配された第１基板と、導電体を含む第１の接合部を有する第１配線構造と、周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、導電体を含む第２の接合部を有する第２配線構造と、を有する。 - 特許庁

To each pixel 100a of a solid-state imaging device 100, a shield line 7 held at a constant potential is formed at a side with a source line 6a of a pixel adjacent to the pixel in X direction to a first electrode 81a, a drain electrode 6c, and a drain of a field effect transistor 30.例文帳に追加

固体撮像装置１００の各画素１００ａには、第１電極８１ａ、ドレイン電極６ｃ、および電界効果型トランジスタ３０のドレインに対して、当該画素に対してＸ方向で隣接する画素のソース線６ａが位置する側に、定電位に保持されたシールド線７が形成されている。 - 特許庁

A stereo image recognition device 4 performs pedestrian detection processing from a solid obtained based on an image from a stereo camera 3 to detect a pedestrian, and outputs a signal to an LED 9 or speaker 10 based on the position of this pedestrian, the own vehicle speed, a signal state from a direction indicator, or the like to perform various warnings.例文帳に追加

ステレオ画像認識装置４は、ステレオカメラ３からの画像を基に得られる立体物から歩行者検出処理を行って歩行者を検出し、この歩行者の位置や、そのときの自車速、ウインカスイッチ７からの信号状態等に基づいてＬＥＤ９やスピーカ１０に信号を出力して各種警報を行う。 - 特許庁

The thickness of an insulating film 28, the width and thickness of a wiring 25, the length of the wiring 25 or the diameter of a bump portion 26 formed on the wiring 25 are formed so that the capacitance of a capacitor structure generated among a solid-state imaging device chip 20, the wiring 25 and bump portion 26 is less than a desired value.例文帳に追加

絶縁膜２８の厚み、または配線２５の線幅と厚み、または配線２５の長さ、または配線２５上に形成されるバンプ部２６の径を、固体撮像素子チップ２０と配線２５及びバンプ部２６との間に発生するコンデンサ構造の静電容量を所望の値以下とするように形成する。 - 特許庁

The binoculars with a photographic function comprises a pair of observation optical systems (12R and 12L), photographic optical systems (68 and 70), a solid-state image pickup element 74 for performing photoelectric transfer on a shot subject image focused by the photographic optical system to an image signal, and a monitor device 85 for displaying the subject image based on the image signal.例文帳に追加

撮影機能付双眼鏡は、一対の観察光学系（１２Ｒ、１２Ｌ）と、撮影光学系（６８、７０）と、この撮影光学系で結像された被写体像を画像信号に光電変換する固体撮像素子７４と、該画像信号に基づいて被写体像を表示するモニタ装置８５とを具備して成る。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a semiconductor member 101 wherein a light receiving part 102 is formed, a protection film 108 having hydrogen supply capability which is arranged above the semiconductor member 101, and at least two metal layers 105 and 107 which are arranged between the semiconductor member 101 and the protection film 108.例文帳に追加

固体撮像装置は、受光部１０２が形成された半導体部材１０１と、半導体部材１０１の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜１０８と、半導体部材１０１と保護膜１０８との間に配置された少なくとも２つの金属層１０５、１０７とを備える。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus capable of performing white balance processing of a signal whether the signal has been outputted by a linear conversion characteristic or logarithmic conversion characteristic, when the apparatus is provided with a solid-state imaging device which performs a switchover of its photoelectric conversion characteristic to the linear conversion characteristic or logarithmic conversion characteristic automatically.例文帳に追加

本発明は、その光電変換特性において線形変換特性と対数変換特性とが自動的に切り替わる固体撮像素子を備えるとき、いずれの特性により出力される信号に対してもホワイトバランス処理を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the cleaning device 15 equipped with a fur brush 161 which removes residues such as remaining toner after transfer on a photoreceptor 5, each of fur brush bundles 120 of the fur brush 161 spreads at its tip more than at its bottom, tilts in a fixed direction, and grinds off and applies the lubricity imparting agent 162 in a solid state to the photoreceptor 5.例文帳に追加

感光体５上の転写残トナー等の残留物を除去するファーブラシ１６１を備えるクリーニング装置１５において、ファーブラシ１６１は、ブラシ毛束の１束１２０の先端が根元よりも広がり、かつ一定方向に倒れているとともに、固形状態の潤滑性付与剤１６２を削り、感光体５に塗布する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition for forming a color layer, having little residue even when a pigment concentration is high and giving a good pattern feature, to provide a color filter formed of the radiation-sensitive composition for forming a color filter, and to provide a solid-state imaging device having the color filter.例文帳に追加

本発明は、顔料濃度が高くても残渣が少なく、且つ良好なパターン形状を得ることができる着色層形成用感放射線性組成物、該着色層形成用感放射線性組成物により形成するカラーフィルタおよび該カラーフィルタを具備する固体撮像素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an imaging part of an electronic endoscope which does not generate the degradation or damages or the like of an imaging surface when heated inside an autoclave device or the like even when it is the imaging part of the electronic endoscope structured such that a solid-state imaging element unit of an independently tightly sealed structure is attached to the rear end part of an objective optical system unit.例文帳に追加

単独で密閉された構造の固体撮像素子ユニットが対物光学系ユニットの後端部に取り付けられた構造の電子内視鏡の撮像部であっても、オートクレーブ装置内で加熱されたとき等に撮像面の劣化、破損等が発生しない電子内視鏡の撮像部を提供すること。 - 特許庁

A CCD(chare coupled device) solid-state image pickup element 3 converts an object optical image formed by an image pickup lens 1 into electronic image information in response to a release operation of an operation section 23, a digital signal processing section 6 or the like applies required processing to the image information and the processed information is written to a PC card 10.例文帳に追加

操作部２３のレリーズ操作に応答して、撮像レンズ１により結像された被写体光学像をＣＣＤ（電荷結合素子）固体撮像素子３により電子的な画像情報に変換し、ディジタル信号処理部６等により該画像情報に所要の処理を施して、ＰＣカード１０に書き込む。 - 特許庁

Furthermore, a lens forming layer 22 of photosensitive layer is formed, subject to patterning, and exposed to ultraviolet rays of wavelengths 350 to 400 nm to turn into a lens formation pattern layer 22a, the pattern layer 22a is made to flow by heating to turn into a microlens array 23 composed of microlenses 22b, and thus a solid-state image sensing device 100 is obtained.例文帳に追加

さらに、感光層からなるレンズ形成層２２を形成し、パターニング処理を行って、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を露光してレンズ形成パターン層２２ａを形成し、加熱フローさせてマイクロレンズ２２ｂ及びマイクロレンズアレイアレイ２３が形成された固体撮像素子１００を得る。 - 特許庁

A solid-state image pick up device 10 for charge accumulation is structured by arranging a pn-junction type sensor PD and pixels 11 including at least transfer transistor 13, and by floating the gate of the transfer transistor 13 under the bias condition that the gate of the transfer transistor 13 immediately before charge accumulation is cut off.例文帳に追加

ｐｎ接合型のセンサ部ＰＤと、少なくとも転送用トランジスタ１３を含む画素１１が配列されて成り、電荷蓄積の直前の転送用トランジスタ１３のゲートがカットオフされたバイアス状態で、転送用トランジスタ１３のゲートをフローティング状態にして電荷蓄積を行う固体撮像装置１０を構成する。 - 特許庁

A solid state image sensing device has a complementary color array or a Bayer array of color filters and integrates electric charge from 9 charge coupled devices relative to one color which are placed in a part of 6 lines and 6 rows for each of the parts which are delimited by boundaries displaced by 3 lines or 3 rows for each color and outputs it as one pixel.例文帳に追加

固体撮像素子は補色配列又はベイヤ配列の色フィルタを有し、色ごとに３行又は３列ずれた境界で区切られる６行６列の部分ごとに、その部分に配置される一つの色に関係する９個の光電変換素子からの電荷を、一つに集積して一画素として出力する。 - 特許庁

The solid state image pickup device is equipped with a plurality of photoelectric conversion parts 1, reading parts 2, 4 which read stored signal electric charges, an excess electric charge discharge part which discharges excess electric charges exceeding saturation electric charge quantity set by control voltage from the photoelectric conversion parts, and control voltage supply parts 9, 13 which supply the control voltage.例文帳に追加

複数の光電変換部１と、蓄積された信号電荷を読み出す読み出し部２、４と、制御電圧により設定された飽和電荷量を超える過剰電荷を光電変換部から排出する過剰電荷排出部と、制御電圧を供給する制御電圧供給部９、１３とを備える。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device and its drive method that can output an image without deteriorating S/N and decreasing the sensitivity even in a high speed read mode, without deteriorating the resolution in the vertical direction, a complicated drive mode and the need for a special circuit configuration.例文帳に追加

高速読み出しモードにおいても、感度が低くならずＳ／Ｎが劣化しない画像を出力することができると共に、垂直方向の解像度が劣化することがなく、また、駆動モードが複雑にならず、特別な回路構成も必要としない固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The imaging lens for forming an image on the solid-state imaging device is constituted of a first meniscus lens turning its convex surface to an object side and having positive power, an aperture diaphragm, and a second meniscus lens turning its convex surface to an image surface side and having positive power in order from the object side, and constituted to satisfy a following conditional expression.例文帳に追加

固体撮像素子に像を形成する撮像レンズであって、物体側から順に、物体側に凸面を向けたメニスカス形状で正のパワーを有する第１レンズと、開口絞りと、像面側に凸面を向けたメニスカス形状で正のパワーを有する第２レンズとで構成され、以下の条件式を満足する構成とする。 - 特許庁

The solid-state laser device is provided with a laser medium 11 for absorbing exciting light 12 from an LD 10 and generating or amplifying light of a predetermined wavelength and a heat sink composed of first to third blocks 15a, 15b and 15c for positioning the laser medium 11, cooling the laser medium 11 and further reflecting the exciting light 12.例文帳に追加

固体レーザ装置は、ＬＤ１０からの励起光１２を吸収し所定波長の光を発生または増幅するレーザ媒質１１と、レーザ媒質１１の位置決めとレーザ媒質１１の冷却、さらには励起光１２の反射を行う第１乃至第３ブロック１５ａ、１５ｂ、１５ｃからなるヒートシンクを備える。 - 特許庁

It is possible to simply and accurately determine whether a light source is a white LED, on the basis of a signal amount of the imaging signal corresponding to the light of a wave length near 80 nm and a signal amount of the imaging signal corresponding to the light of a wave length near 450 nm which are obtained from a solid state imaging device.例文帳に追加

固体撮像素子から得られた８０ｎｍ付近の波長の光に対応する撮像信号の信号量と４５０ｎｍ付近の波長の光に対応する撮像信号の信号量とに基づき、簡便かつ正確に光源が白色ＬＥＤであるか否かを判断することができる。 - 特許庁

The color solid-state imaging device comprises a plurality of first type and second type pixels arranged in two-dimensional array on the surface of a semiconductor substrate wherein each pixel outputs two different signals independently, and spectral sensitivity (Fig. 3(a)) of the first type pixel is different from spectral sensitivity (Fig. 3(b)) of the second type pixel.例文帳に追加

半導体基板の表面に複数の第１種及び第２種の画素が二次元アレイ状に配列形成され、各画素が夫々２つの異なる信号を独立に出力するカラー固体撮像装置であって、第１種の画素の分光感度（図３（ａ））と、第２種の画素の分光感度（図３（ｂ））とが、異なる分光感度である。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a semiconductor substrate 2 having a plurality of light receiving elements formed on its top surface, an infrared cutting filter layer 6 which is formed of an inorganic material to cover the light receiving elements and cuts infrared rays, and a color filter layer 7 which is formed to cover the top surface of the infrared cutting filter layer 6.例文帳に追加

固体撮像装置１は、表面に複数の受光素子が形成された半導体基板２と、無機材料によって、受光素子を覆うように形成され、赤外線をカットする赤外カットフィルタ層６と、赤外カットフィルタ層６の表面を覆うように形成されるカラーフィルタ層７とを備える。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a plurality of photodiodes PD that are provided in a substrate 15 and each have a semiconductor region 17 of a first conductivity type; and an element isolation region 19 that is provided in the substrate 15, is composed of semiconductor regions of a second conductivity type, and isolates the plurality of photodiodes PD.例文帳に追加

固体撮像装置は、基板１５内に設けられ、かつ第１導電型の半導体領域１７をそれぞれが有する複数のフォトダイオードＰＤと、基板１５内に設けられ、かつ第２導電型の半導体領域から構成され、かつ複数のフォトダイオードＰＤをそれぞれ分離する素子分離領域１９とを含む。 - 特許庁