「solid-state device」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid-state imaging device includes: a data holding part 22 holding operation setting data input from the outside; a collective-reflection part 23 collectively latching the operation setting data held in the data holding part 22 in synchronization with a reflection timing control signal, and outputting the latched operation setting data to a driving part; and a toggle check part 24 outputting the reflection timing control signal.例文帳に追加

外部から入力された動作設定データを保持するデータ保持部２２と、反映タイミング制御信号に同期してデータ保持部２２に保持された動作設定データを一括してラッチして駆動部に出力する一括反映部２３と、反映タイミング制御信号を出力するトグルチェック部２４とを備える。 - 特許庁

Moreover, the solid-state imaging device is manufactured by having a process of depositing the silicon nitride film 14 by a reduced pressure CVD (chemical vapor deposition) method by connecting with the transfer electrode or the buffer layer 11d and a process of depositing the refractory metal layer 13 on that to form the shunt wiring layer 7d.例文帳に追加

また、転送電極又は緩衝層１１ｄに接続して、減圧ＣＶＤ（化学的気相成長）法により窒化珪素膜１４を成膜する工程と、その上に高融点金属層１３を成膜してシャント配線層７ｄを形成する工程とを有して前記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

A 1-bit shift register is formed by pn junction photo diodes Pa11-Pamn, Pb11-Pbmn, Pc11-Pcmn, and Pd11-Pdmn as pixels arranged as a matrix and 4 unit transfer stages Vsaij, Vsbij, Vscij and Vsdij, and the solid- state image pickup device consists of the 1-bit shift register and vertical shift registers VS1-VSm.例文帳に追加

マトリクス状に配された画素となるｐｎ接合フォトダイオードＰａ11〜Ｐａmn，Ｐｂ11〜Ｐｂmn，Ｐｃ11〜Ｐｃmn，Ｐｄ11〜Ｐｄmnと、４つの単位転送段ＶＳａij，ＶＳｂij，ＶＳｃij，ＶＳｄijによって１ビットのシフトレジスタを形成するとともに埋込チャネルＣＣＤで構成された垂直シフトレジスタＶＳ1〜ＶＳmとから構成される。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with an image arraying unit for generating a pixel signal in accordance with incident light per pixel unit, a vertical transfer unit for reading out the pixel signal in the vertical direction of a pixel array, and a horizontal signal line for reading out the pixel signal by a vertical transfer unit in the horizontal direction.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、入射光に応じた画素信号を画素単位に生成する画素配列部と、これら画素信号を画素配列の垂直方向に読み出す垂直転送部と、垂直転送部を経由した画素信号を水平方向に読み出す水平信号線とを備える。 - 特許庁

A second conductive type semiconductor region 21 is buried in a part of the inside of a sensor 11 composed of a first conductive type semiconductor region 4, and a joining capacity is formed by the second conductive type semiconductor region 21 and the first conductive type semiconductor region 4 to constitute the solid-state imaging device.例文帳に追加

第１導電型の半導体領域４から成るセンサ部１１の内部の一部に、第２導電型の半導体領域２１が埋め込まれて形成され、この第２導電型の半導体領域２１と第１導電型の半導体領域４とにより接合容量が形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device comprises a pixel portion 6 where multiple pixels 5 for converting a physical quantity into an electric signal are arranged two-dimensionally, a vertical signal line 10 for reading signals from the pixels 5, and a column circuit 11 arranged to correspond to the column of the pixel portion 6 and captures signals from the vertical signal line 10 in the pixel portion 6.例文帳に追加

物理量を電気信号に変換する複数の画素５が２次元状に配列された画素部６と、画素５からの信号が読み出される垂直信号線１０と、画素部６の内部で垂直信号線１０から信号を取り込み、画素部６の列に対応して配列されたカラム回路１１とを有する。 - 特許庁

To seal a pack opening section by press-fitting a sealing device 2 into a folded-up section after folding up the opening section 4 of a pack 8 (a bag having various quality of the material, size and shape) into which all kinds of materials in the state of liquid, gas and solid are put.例文帳に追加

液体、気体、固体状の各種物体が投入されたパック８(様々な材質・大きさ・形状を有する袋)の開口部４を折り畳んだ後に、この折り畳まれた部分に密閉装置２を圧入式に嵌め付けてパック開口部の密閉を達成するパック密閉方法及びその密閉装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device 1 photoelectrically converts light from an object to be imaged incident into a rear surface S2 of the semiconductor substrate 10 in the semiconductor substrate 10 or in the semiconductor layer 20, and then receives signal charges generated by the photoelectric conversion by the light-receiving section 30 to image the object to be imaged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部または半導体層２０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した信号電荷を受光部３０で受けて上記被撮像体を撮像する。 - 特許庁

The solid-state imaging device 101 capable of reading all picture elements contains picture element arrays arranged in lines with multiple picture elements (photo diode 121(122)), each having two lines of vertical charge-coupled devices (vertical CCDs) 141, 142 (143, 144).例文帳に追加

全画素読み出し型の固体撮像素子１０１であって、複数の画素（フォトダイオード１２１（１２２））を配列した画素列が複数列に配列されていて、前記画素（フォトダイオード１２１（１２２））が１画素当たり２本の垂直電荷結合素子（垂直ＣＣＤ）１４１、１４２（１４３、１４４）を有することを特徴とする。 - 特許庁

To suppress flickers appearing in video signals by the cyclic fluctuation of the light quantity of a fluorescent lamp in terms of a circuit and to enlarge an automatic light quantity control range at the time of automatically controlling the light quantity by using electronic shutter control and automatic gain control together in an image pickup device provided with a solid-state image pickup element.例文帳に追加

固体撮像素子を備えた撮像装置において、自動光量制御を電子シャッター制御と自動利得制御とを併用しながら行うときに、蛍光灯の光量の周期的変動により映像信号に現れるフリッカの抑圧を回路的に行い、かつ自動光量制御範囲を拡大する。 - 特許庁

In a method for driving the solid-state image sensing device provided with pixels which have photoelectric conversion parts 104 and 105 and output means 102 and 103 which output signals from photoelectric conversion parts, photoelectric charge stored in photoelectric conversion part during a storage period of one unit is divided and read out through output means.例文帳に追加

光電変換部１０４，１０５と、光電変換部から信号を出力する出力手段１０２，１０３とを有する画素を備えた固体撮像装置の駆動方法において、一単位の蓄積期間中に光電変換部に蓄積された光電荷を分割して出力手段を介して読み出す。 - 特許庁

In a solid state imaging device equipped with a multilayered charge transfer electrode, a multilayered polycrystalline silicon electrode is formed, a side wall insulating film is interposed between side walls, and a silicide film is formed in a self-aligned manner on the exposed surface of the polycrystalline silicon film coming up from the side wall insulating film.例文帳に追加

多層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子において、複数層の多結晶シリコン電極を形成し、これらの側壁に側壁絶縁膜を介在させ、側壁絶縁膜から露呈する多結晶シリコン膜表面に自己整合的にシリサイド膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a new high sensitivity initiator which can produce a color filter for liquid crystal display having high color reproducibility in a short time exposure step and also provides color pixels having a good pattern profile even in a color filter for high resolution solid-state image sensing device, a pigment dispersion, and a colored photocurable composition.例文帳に追加

高色再現性の液晶表示装置用カラーフィルタを短時間の露光工程で製造でき、また高解像度の固体撮像素子用カラーフィルタでもパターンプロファイルが良好な着色画素を提供する新規高感度開始剤、顔料分散液および着色光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

In the cassette for detecting radiation 1 where the radiation solid state detector 10 being an imaging device is arranged in the housing where a frame 13 is stuck in upper and lower shell halves 11 and 12, four corners of the detector 10 are held by leaf springs 41 and 42 stuck to the frame 13.例文帳に追加

上下シェルハーフ１１、１２内にフレーム１３が固着された筐体内に、撮像デバイスである放射線固体検出器１０と等が配置された放射線検出用カセッテ１において、放射線固体検出器１０の四隅を、フレーム１３に固着された板バネ４１および４２により挟持する。 - 特許庁

In a solid-state image pickup device, provided with first and second retention volumes Cs and Cn, which respectively retain first and second signals read out from each pixel 300, the lengths (gate lengths L) of the volumes Cs and Cn in their widthwise directions are made longer than the arranging pitch of the pixels 300.例文帳に追加

各画素３００から読み出される第１信号及び第２信号をそれぞれ保持する第１保持容量Ｃｓ及び第２保持容量Ｃｎを備えた固体撮像装置において、第１保持容量Ｃｓ及び第２保持容量Ｃｎの短手方向の長さ（ゲート長Ｌ）を、画素ピッチよりも長くする。 - 特許庁

To provide an image data processing circuit and an image data processing method, capable of highly accurately determining a reference signal level equivalent to the black of images by suppressing the generation of line dependency or the like in dark current component signals included in image data outputted from a solid-state imaging device.例文帳に追加

固体撮像素子から出力される画像データに含まれる暗電流成分信号に、ライン依存性等が発生することを抑えることで、高い精度で画像の黒に相当する基準信号レベルを決定することが可能な画像データ処理回路および画像データ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a camera module which is connected to the main part of an electronic apparatus through the use of a flexible printed circuit board, the whole of which including the flexible printed circuit board can be shielded well, and moreover wherein a solid-state image pickup device can be shielded well from an image processing element, and an electronic apparatus on which the camera module is mounted.例文帳に追加

カメラモジュールと電子機器本体との接続にフレキシブルプリント基板を使用し、フレキシブルプリント基板も含めてカメラモジュール全体を良好にシールド可能とし、更にカメラモジュール内部の固体撮像素子と画像処理素子間も良好にシールド可能なカメラモジュール及び、同カメラモジュールを搭載した電子機器を提供する。 - 特許庁

A freely vertically movable and rotatably spindle 44 is disposed on the upper surface of a control base 43 provided with wheels 42, a supporting base 46 is mounted on the spindle 44 and a solid-state image pickup device 52 composed of a semiconductor two-dimensional sensor is freely openably and closably attached through a hinge 51 to the supporting base 46.例文帳に追加

車輪４２を有する制御台４３の上面に上下動及び回転自在の支軸４４が設けられており、支軸４４上に支持台４６が設けられており、この支持台４６には蝶番５１を介して半導体二次元センサから成る固体撮像装置５２が開閉自在に取り付けられている。 - 特許庁

In the solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 403 is formed in a P^--type well region 402, a P^++-type hole storage region 407 is formed at a portion excluding the edge of the N-type photoelectric conversion region 403 and a P-type impurity region 430 is formed on a surface layer of the region including the edge.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域４０２内にＮ型光電変換領域４０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域４０３の端部を除く部分にＰ^++型正孔蓄積領域４０７を、当該端部を含む領域の表層部上にＰ型不純物領域４３０を形成する。 - 特許庁

The fuel cell power generation state display device is constructed of a fuel cell section that has a precious metal catalyst electrode and a polymer solid electrolyte and generates electricity by an alcoholic fuel, an operating section that operates by the electricity supplied from the fuel cell section, and an evaluation section that displays the relationship of the generation state of the fuel cell section and the operation of the operation section qualitatively and quantitatively.例文帳に追加

貴金属触媒電極と高分子固体電解質とを具備しアルコール系燃料によって発電する燃料電池部と、当該燃料電池部から供給される電気によって作動する動作部と、当該燃料電池部の発電状態と当該動作部の動作との関係を定性的または定量的に表示する評価部とから燃料電池発電状態表示装置を構成する。 - 特許庁

This volatile component extracting device is provided with a sample tube 10 for hosing a sample formed of the solid matter containing the volatile component, a gas-filling device 16 for filling the sample tube with an inert gas, a thermostatic chamber 12 for housing the sample tube for holding the sample housed in the sample tube at a predetermined temperature, and a canister 20 in a previously decompressed state selectively connected to the sample tube.例文帳に追加

揮発性成分を含む固形物からなる試料を収納する試料管１０と、この試料管に不活性ガスを充填するガス充填装置１６と、前記試料管を収容して該試料管に収納された前記試料を所定の温度に保つ恒温槽１２と、予め減圧された状態で前記試料管に選択的に接続されるキャニスタ２０とを備える。 - 特許庁

In the filter 3, various parameters such as the grating height h(x) and the grating cycle F of the grating 33 and a distance D between an image formation surface 41a on a solid-state image pickup device 41 and the grating 33 are properly adjusted, and cutoff frequency in MTF characteristic by the filter 3 by itself is larger than Nyquist frequency decided by the pixel pitch of the device 41.例文帳に追加

このローパスフィルター３は、位相格子３３の格子高さｈ（ｘ）、その格子周期Ｆ、固体撮像素子４１上の結像面４１ａと位相格子３３との距離Ｄといった各種パラメータが適宜調整され、当該ローパスフィルター３単独でのＭＴＦ特性におけるカットオフ周波数が、固体撮像素子４１の画素ピッチにより定まるナイキスト周波数よりも大きいものである。 - 特許庁

The solid-state solar photovoltaic generator circuit includes a source of activating radiation 14, a photodiode array 16 responsive to the radiation, a switching device 18 coupled to the photodiode array 16 for responding to an electrical signal therefrom, and a high-impedance resistor made of substantially single-crystal silicon, in which the high-impedance resistor is formed during formation of the switching device 18.例文帳に追加

固体太陽光発電回路は、活性化放射線１４源と、該放射線に反応するフォトダイオード・アレイ１６と、フォトダイオード・アレイ１６に接続され、そこから受信した電気信号に反応するスイッチング・デバイス１８と、実質的に単結晶のシリコンで作製された高インピーダンス抵抗器を具備し、該高インピーダンス抵抗器はスイッチング・デバイス１８の形成中に形成される。 - 特許庁

Related to a wavelength conversion laser device wherein a second harmonic generating wavelength conversion element comprising a non- linear element and a sum frequency generation wavelength conversion element 5 are inserted in a resonator comprising a solid-state laser active medium 2 to generate a sum frequency laser beam, at least one polarization direction rotating element 3 is provided in the resonator.例文帳に追加

非線形素子で構成された第２高調波発生用波長変換素子、和周波発生用波長変換素子を固体レーザ活性媒質を含む共振器内に挿入して、和周波レーザビームを発生させる波長変換レーザ装置において、共振器内に少なくとも一個以上の偏光方向回転素子を配置した。 - 特許庁

In the solid state imaging device, a foreign matter entry prevention member is interposed between the case and the lens holder.例文帳に追加

少なくとも、回路基板上に固体撮像素子が搭載され、前記回路基板上に雌ネジ部を有する筐体が前記固体撮像素子を覆うように搭載され、雄ネジ部を有し内部にレンズを具備するレンズホルダーが該筐体上部に螺合されてなる固体撮像装置において、前記筐体と前記レンズホルダーの間に異物侵入防止部材を挟持した固体撮像装置とする。 - 特許庁

A dummy period is provided which does not contribute to readout processing and writing processing by extending cycles of a horizontal synchronizing signal supplied to a drive control section 96 (12c) at the same rate with the magnification of electronic zooming when pixel information is read out of a solid-state imaging device 10 in a horizontal scanning direction and the read-out pixel information is written in a line buffer memory 312.例文帳に追加

水平走査方向に画素情報を固体撮像素子１０から読み出したり、読み出した画素情報をラインバッファメモリ３１２に書き込んだりする際に、電子ズームの倍率と同じ割合で駆動制御部９６（１２ｃ）へ供給される水平同期信号の周期を延長して、読出処理や書込処理に寄与しないダミー期間を設ける。 - 特許庁

Both of a rear group lens 112 and a focus lens 113 are rotated between a position on the optical axis and a retreat position close to a recessed part 104 beside a CCD solid-state imaging device 120, or between the position on the optical axis and a retreat position where a front group lens 111, the rear group lens 112 and the focus lens 113 are arranged on nearly the same plane.例文帳に追加

後群レンズ１１２とフォーカスレンズ１１３の双方を、光軸上の位置と、ＣＣＤ固体撮像素子１２０の脇の窪み部分１０４に入り込んだ退避位置との間、あるいは、光軸上の位置と、前群レンズ１１１、後群レンズ１１２、およびフォーカスレンズ１１３がほぼ一平面上に並んだ退避位置との間で旋回させる。 - 特許庁

The semiconductor imaging device comprises a silicon substrate 11, a sensor section 20 provided on the silicon substrate 11 while having a plurality of solid state image sensors pij and electrodes for outputting signal charges by performing photoelectric conversion of received light, and a color filter layer 26 provided on the sensor section 20 wherein the color filter layer contains infrared light absorbing pigment.例文帳に追加

シリコン基板１１と、受けた光を光電変換して信号電荷を出力するための複数の固体撮像素子ｐｉｊ及び電極を有してシリコン基板１１に設けられたセンサ部２０と、このセンサ部２０上に設けられたカラーフィルタ層２６とを備え、カラーフィルタ層は、赤外光吸収性の色素を含むものである。 - 特許庁

The display for the autonomous vehicle movement monitor includes: a multi display 12 having a first flat panel display 13, a second flat panel display 14 and a third flat panel display 15 provided to be orthogonal to each other so as to form adjacent three faces of a rectangular solid; and a processing device 30 for displaying the operating state of the autonomous vehicle that temporally changes on each display.例文帳に追加

直方体における隣接する３面を構成するように互いに直交して配置された第１平面ディスプレイ１３、第２平面ディスプレイ１４及び第３平面ディスプレイ１５を有するマルチディスプレイ１２と、時間的に変化する自律航走体の運動状態を、各ディスプレイに表示させる処理装置３０とを備える。 - 特許庁

A birefringence optical device 13 with birefringence characteristics divides light B from a subject 1 into an ordinary ray (O ray B_o) and an extraordinary ray (E ray B_e) with polarization directions orthogonally intersecting, and forms an O ray image I_o and an E ray image I_e respectively at different positions of a solid state image sensor 11 with pixels arranged in a matrix form.例文帳に追加

複屈折特性を有する複屈折光学素子１３により、被写体１からの光Ｂを偏光方向が直交する常光線（Ｏ光線Ｂ_ｏ）と異常光線（Ｅ光線Ｂ_ｅ）とに分離し、マトリクス状に画素が配列された固体撮像素子１１の異なる位置にそれぞれＯ光線像Ｉ_ｏおよびＥ光線像Ｉ_ｅとして結像させる。 - 特許庁

The solid-state image pickup device according to the an embodiment includes: an imager having an imaging area with a plurality of pixel blocks each of which includes a plurality of pixels; an imaging lens for imaging light from a subject onto an imaging surface; and a plurality of aperture elements provided so as to correspond to the plurality of pixel blocks, each of which has an opening part and a shielding part.例文帳に追加

本実施形態の固体撮像装置は、それぞれが複数の画素を含む複数の画素ブロックを有する撮像領域を備えた撮像素子と、被写体からの光を結像面に結像する結像レンズと、前記複数の画素ブロックに対応して設けられ、それぞれが開口部と遮蔽部とを有する複数のアパーチャ要素を含んでいる。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is constructed in such a manner that an overflow control gate OFCG and an overflow drain OFD are provided in a transfer register 10, and a gate electrode 12A of the overflow control gate OFCG is formed so as to overlap on an electrodes St1 and 13 in a lower layer in the register 10 side and the overflow drain OFD side, respectively.例文帳に追加

転送レジスタ１０にオーバーフローコントロールゲートＯＦＣＧ及びオーバーフロードレインＯＦＤが設けられ、このオーバーフローコントロールゲートＯＦＣＧのゲート電極１２Ａが転送レジスタ１０側及びオーバーフロードレインＯＦＤ側においてそれぞれ下層の電極Ｓｔ１，１３上に重ねて形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a LOG image sensor 11, an operational amplifier 12 which adjusts a dynamic range of an output signal of the sensor 11, an AD converter 13 for performing AD conversion of an output signal from the amplifier 12, a frame memory 15 which holds calibration data and an image processing unit 14 which generates image data and outputs it to a monitor.例文帳に追加

ＬＯＧイメージセンサ１１と、該センサ１１の出力信号のダイナミックレンジを調整するオペアンプ１２と、該アンプ１２からの出力信号をＡＤ変換するためのＡＤコンバータ１３と、キャリブレーションデータを保持するフレームメモリ１５と、画像データを生成してモニタに出力する画像処理器１４とを備えた固体撮像装置。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 1, comprising a charge transfer unit, the photodetector 12 provided adjacent to the transfer unit, and the on-chip lens 33 provided at a prescribed distance at a light incident side of the photodetector 12, a groove 23 is formed on a transfer electrode 22 of the transfer unit, and the shunt wirings 25 are formed in the groove 23 via an insulating film 24.例文帳に追加

電荷転送部と、この電荷転送部に隣接して設けた受光部１２と、受光部１２の光入射側に所定距離をおいて設けたオンチップレンズ３３とを備えた固体撮像装置１において、電荷転送部の転送電極２２に溝２３を形成し、その溝２３内に絶縁膜２４を介してシャント配線２５を形成したものである。 - 特許庁

In the solid-state imaging device including color filters of a Bayer array, the distance between the center of gravity of pixels with two or more B pixels (pixels of a first color sequence) added thereto and the center of gravity of pixels with two or more R pixels (pixels of a second color sequence) added thereto is set so that pixels to be read during motion picture imaging are arranged at equal intervals.例文帳に追加

Ｂａｙｅｒ配列のカラーフィルタを有する固体撮像素子において、動画撮像時に読み出し対象となる画素を、２以上のＢ画素（第１の色系列の画素）を加算した画素重心と２以上のＲ画素（第２の色系列の画素）を加算した画素重心との距離が等間隔で並ぶように設定する。 - 特許庁

When a pixel addition mode is selected, a correction signal generation part 130 converts the position information stored in the defective pixel information holding part 140 so that the position information matches a pixel arrangement of the picked-up image signal obtained by the solid-state imaging device in the pixel addition mode, and outputs the correction timing of the defective pixel correcting part 160 on the basis of the converted position information.例文帳に追加

補正信号生成部１３０は、画素加算モードの選択時には、欠陥画素情報保持部１４０に記憶された位置情報を、画素加算モードでの固体撮像素子による撮像画像信号の画素配列に一致するように変換し、変換後の位置情報に基づいて欠陥画素補正部１６０の補正タイミングを出力する。 - 特許庁

To provide a compact lithium vapor discharge device excellent in safety which is suitable for instantaneously and continuously vaporizing metal lithium from a solid state, can be used at a fixed position, has excellent resistance to vibration and durability at the time of launching or flying when mounted to a rocket, and has sure lithium discharge performance.例文帳に追加

金属リチウムを固体状態から瞬時かつ持続的に気化させるのに適したリチウム蒸気放出装置を提供することであり、定置での使用は勿論、ロケットに搭載した際、打ち上げ時や飛翔時の耐振動性、耐久性に優れ、確実なリチウム放出性能を有し、小型で安全性に優れたリチウム蒸気放出装置を提供すること。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes: the imaging area 10 where the unit pixels 11 are arranged in two dimensional matrix; a vertical line drive means for driving the unit pixels based on the line and setting the signal accumulation time in the photoelectric conversion means of the driven unit pixels; and an accumulation time control means 23 for variably controlling the signal accumulation time based on line unit.例文帳に追加

単位画素１１が二次元の行列状に配置された撮像領域１０と、単位画素を行単位で駆動し、駆動される単位画素内の光電変換手段における信号蓄積時間を設定する垂直ライン駆動手段と、信号蓄積時間を行単位で可変制御する蓄積時間制御回路２３とを具備する。 - 特許庁

To provide a duty correction circuit, delay locked loop (DLL) circuit, column A/D converter, solid-state imaging device and camera system in which one element is enabled to deal with both the cases where a duty ratio is greater and smaller than 50%, and not only the number of elements but also the number of times of switching can be reduced, thereby reducing current consumption.例文帳に追加

デューティ比が５０％より大きい場合も小さい場合も両方を一つの素子で対応が可能であり、素子数を削減できるだけではなく、スイッチング回数を削減することが可能で、消費電流を削減することができるデューティ補正回路、ＤＬＬ回路、カラムＡ／Ｄ変換器、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

A solid state image pickup device includes: a photoelectric conversion section (11) having a plurality of photodiodes; a CCD section (12) supplying a signal charge supplied from the photoelectric conversion section (11) to a charge detection section (14); and a charge storage section (13) provided between the photoelectric conversion section (11) and the CCD section (12) and storing the signal charge.例文帳に追加

複数のフォトダイオードを有する光電変換部（１１）と、光電変換部（１１）から供給される信号電荷を電荷検出部（１４）に供給するＣＣＤ部（１２）と、光電変換部（１１）とＣＣＤ部（１２）との間に設けられ、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部（１３）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has: a first semiconductor region 23 of a first conductivity type; a photoelectric conversion unit PD having a second semiconductor region 25 of a second conductivity type that is formed in a region isolated by an element isolation region 28 in the first semiconductor region; and pixel transistors (Tr1 to Tr4) formed in the first semiconductor region.例文帳に追加

第１導電型の第１の半導体領域２３と、第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域２５を有する光電変換部ＰＤと、第１の半導体領域に形成された画素トランジスタ（Ｔｒ１〜）Ｔｒ４）を有する。 - 特許庁

To provide a preparation method of a color curable composition excellent in dispersibility and dispersion stability; and to provide a color curable composition obtained by the method, a method for producing a color filter having high color purity and reduced color unevenness, a color filter obtained by the production method, and a solid-state imaging device having high resolution.例文帳に追加

分散性、分散安定性に優れた着色硬化性組成物の調製方法を提供し、それによって得られた着色硬化性組成物を提供し、また、色純度が高く、色ムラ発生が抑えられたカラーフィルタの製造方法を提供し、それによって得られたカラーフィルタを提供し、さらに高解像度の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a solid-state imaging device includes: a step for forming an imaging area and a peripheral circuit area on a substrate; a step for forming a plurality of wiring patterns so that the wiring pattern density of the peripheral circuit area may be higher than that of the imaging area; and a step for forming an insulation film to embed among the wiring patterns.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板上に撮像領域と周辺回路領域を形成する工程と、撮像領域よりも周辺回路領域の配線パターン密度が高くなるように複数の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの間を埋め込む絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device includes a pixel region used to generate pixels, the black reference region provided outside the pixel region, and a dummy region provided between the black reference region and the pixel region, and including a light shield pattern 113A for blocking light 10 entering the black region from the pixel region.例文帳に追加

固体撮像装置は、画素の生成に使用される画素領域と、前記画素領域の外側に設けられた黒基準領域と、前記黒基準領域と前記画素領域との間に設けられ、前記画素領域から前記黒領域に侵入する光１０を遮光するための遮光パターン１１３Ａを含むダミー領域とを具備している。 - 特許庁

A solid state imaging device includes: a transfer gate 32 transferring signal charges accumulated in the photon-to-current conversion part to the charge-to-voltage conversion part 26; wiring 42 for outputting a signal voltage generated in the charge-to-voltage conversion part 26; and a relay electrode 38 relaying electric connection between the charge-to-voltage conversion part 26 and the wiring 42.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、光電変換部に蓄積された信号電荷を電荷電圧変換部２６に転送する転送ゲート３２と、電荷電圧変換部２６で生成された信号電圧を出力するための配線４２と、電荷電圧変換部２６と配線４２との電気的な接続を中継する中継電極３８とを備える。 - 特許庁