「solid-state device」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

To deposit a film substantially on the same level from an imaging section to a peripheral circuit by reducing stepped portions on a boundary of the imaging section and the peripheral circuit, even if a wiring layer in the peripheral circuit of a solid-state imaging device is multilayered, and to prevent a dielectric breakdown without exposing a wiring pattern during the etch-back of an upper layer film to improve sensitivity characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子の周辺回路部における配線層が多層化した場合でも、撮像部と周辺回路部との境界部分における上層膜の段差をなくすことで、上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜し、また、上層膜のエッチバック時に配線パターンを露出せずに絶縁破壊を防止し、感度特性を良好にすること。 - 特許庁

The solid-state image pickup device 1 is constructed by disposing pixels in a matrix, providing vertical transfer registers 3 for transferring signal charged stored in each pixel row, connecting a shunt wiring 4 to transfer electrodes of the registers 3, and extending the shunt wiring 4 in a direction crossing the resisters 3 to connect the wiring 4 to bus lines 5 outside an image pickup region 2.例文帳に追加

画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタ３が設けられ、この垂直転送レジスタ３の転送電極にシャント配線４が接続され、このシャント配線４が垂直転送レジスタ３と交差する方向に伸びて撮像領域２外のバスライン５に接続されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

The method for correcting smear of a CCD solid state imaging device comprises first step for lowering the level of a large smear signal extracted from a smear detection line by regulating the gain thereof, and second step for suppressing horizontal noise of the smear signal by detecting the intermediate value of noise sequentially from each specified region of the smear signal in the horizontal direction.例文帳に追加

本発明のＣＣＤ固体撮像装置のスミア補正方法は、スミア検出ラインから抽出したスミア信号にゲイン調整を行って大きなスミア信号のレベルを低減する第１ステップと、スミア信号の水平方向の各指定領域から順次ノイズの中間値を検出して、スミア信号の水平方向のノイズを抑制する第２ステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

The imaging apparatus comprises a timing controller which sequentially fetches outputs presented by pixels of an infrared solid-state imaging device into the frame memory and sequentially switching fetching cycles to a preset value, and flicker defect pixels are detected in a predetermined cycle based on a difference between an integration pixel output integrating the frame memory over a plurality of cycles and an average value of all pixel outputs.例文帳に追加

赤外線固体撮像素子の各画素が呈する出力を順次フレームメモリに取り込み、その取り込み周期をあらかじめ設定した値に順次切り替えるタイミングコントローラを備えて、フレームメモリを複数に亘り積分した積分画素出力と全画素出力の平均値との差分に基づいて、点滅欠陥画素を所定の周期で検出するようにした。 - 特許庁

The electrolyte for an electrochemical device contains a supporting electrolyte mainly containing a lithium imide salt, and a mixture solvent prepared by dissolving a BF_3-alkyl carbonate complex that is in a solid state at ordinary temperature by a preparing solvent, wherein the electrolyte is characterized in that the mixture solvent contains ≥10 wt.% of the BF_3-alkyl carbonate complex.例文帳に追加

本発明は、リチウムイミド塩を主体とする支持塩と、常温で固体のＢＦ_３−アルキルカーボネート錯体を調製用溶媒で溶解してなる混合溶媒とを有し、上記混合溶媒が、上記ＢＦ_３−アルキルカーボネート錯体を１０重量％以上含有することを特徴とする電気化学デバイス用電解液を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a curable composition excellent in storage stability and having favorable developability, and further, a curable composition excellent in dispersibility and dispersion stability of a pigment, having favorable developability and excellent in pattern forming property even when the composition contains a pigment, and to provide a color filter having a color region formed of the composition, a method for manufacturing the color filter, and a solid-state imaging device having the color filter.例文帳に追加

保存安定性に優れ、現像性が良好な硬化性組成物、さらに、顔料を含む場合であっても、顔料の分散性、分散安定性に優れ、且つ、現像性が良好でパターン形成性に優れた硬化性組成物、それにより形成された着色領域を有するカラーフィルタ、その製造方法、並びに該カラーフィルタを備えた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To effectively prevent a white hurt and generation of dark current by reducing damage by intrusion of iodine into a photodiode part (photoelectric conversion part) from a photoresist film used as an impurity injection prevention film used in forming the photodiode part (photoelectric conversion part) and each impurity injection region adjacent to the photodiode part, thereby improving the yield of a solid-state imaging device.例文帳に追加

フォトダイオード部（光電変換部）、及び、フォトダイオード部に隣接する各不純物注入領域を形成する時に用いる、不純物注入阻止膜として使用するフォトレジスト膜からのフォトダイオード部（光電変換部）へヨウ素の侵入によるダメージを低減することによって、白傷や暗電流の発生を有効に阻止し、固体撮像装置の歩留まり向上を図る。 - 特許庁

To attain a solid-state imaging device 100 of a mounting structure wherein an imaging element chip 2 is sealed within a sealing package 1 with a hollow space provided above a microlens 8, and corrosion or the like of element wiring is avoided within the sealing package with an excellent moisture resistance and a high reliability even when moisture enters the interior of the sealing package.例文帳に追加

封止パッケージ１内に収容された撮像素子チップ２を、そのマイクロレンズ８上に中空空間を設けて封止する実装構造を有する固体撮像装置１００において、該封止パッケージ内部に水分侵入があった場合でも、該封止パッケージ内での素子配線の腐食等を招くことがなく、耐湿性に優れた信頼性の高い固体撮像装置を実現する。 - 特許庁

In the pixel of a solid-state imaging device, there are provided a photoelectric converter (photodiode), a transfer transistor transferring the signal charge generated by this photoelectric converter to an FD, a plurality of amplification transistors divided in parallel to the FD, a reset transistor resetting the FD (gate of the amplification transistor), and a plurality of selection transistors selecting the output of the amplification transistors.例文帳に追加

固体撮像素子の１つの画素内に、光電変換部（フォトダイオード）と、この光電変換部で生成した信号電荷をＦＤ部に転送する転送トランジスタと、ＦＤ部に対して並列分割された複数の増幅トランジスタと、ＦＤ部（増幅トランジスタのゲート）をリセットするリセットトランジスタと、増幅トランジスタの出力を選択する複数の選択トランジスタとを設けた。 - 特許庁

The solid-state laser device 10 comprises a rod-shaped laser crystal 2, a holder 6 which has a cavity with opening parts to accommodate the laser crystal therein and makes the end face of the laser crystal exposed from the opening part, and a plurality of elastic members 3a, 3b for holding the end of the laser crystal at the plurality of points along its circumference.例文帳に追加

固体レーザ装置１０は、ロッド状レーザ結晶２と、内部に空洞を有すると共に、前記空洞の開口部を有し、前記レーザ結晶を前記空洞に収納すると共に、前記レーザ結晶の端面が開口部から露出しているホルダ６と、前記レーザ結晶の端部を周方向に沿って複数箇所で把持する複数の弾性部材３ａ、３ｂとを備える。 - 特許庁

The solid-state image pickup device comprises a signal transmission path T which connects a cathode of a photo-diode 1 to an inverted input terminal of a charge amplifier CAP, a capacitor 11 which connects one terminal with the signal transmission path T and is parallel connected to the photo-diode, and a signal transmission switch S11 provided within the signal transmission path T between the photo-diode 1 and the capacitor 11.例文帳に追加

この固体撮像装置は、フォトダイオード１のカソードをチャージアンプＣＡＰの反転入力端子に接続する信号伝達経路Ｔと、信号伝達経路Ｔと一端を接続し前記フォトダイオードに対して並列に接続されたキャパシタ１１と、フォトダイオード１とキャパシタ１１との間の信号伝達経路Ｔ内に設けられた信号伝達スイッチＳ１１とを備えている。 - 特許庁

This solid-state image pickup device is an interline transfer type CCD image sensor of a progressive scan system having a four-phase driven vertical register, is provided with photodiodes 1, transfer gates 2, a vertical register 3, a horizontal register 4, a control gate 5 and a drain 6, and the drain 6 discharging unnecessary charge and the control gate 5 controlling discharge are provided adjacently to the register 4.例文帳に追加

本固体撮像装置は、４相駆動垂直レジスタを有するプログレッシブスキャン方式のインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサであって、図１に示すように、フォトダイオード１、トランスファゲート２、垂直レジスタ３、水平レジスタ４、コントロールゲート５、及びドレイン６を備えていて、不要な電荷を排出するドレイン６と排出を制御するコントロールゲート５が、水平レジスタ４に隣接して設けられている。 - 特許庁

In a preamplifier unit (column region unit) 61 of a solid-state imaging device 10, a pixel signal control unit 200 is provided which independently detects a magnitude of each pixel signal through a pixel signal detection unit 210 independently at an output side of a pixel signal amplification unit 230 for each vertical signal line 158 and sets a gain to the pixel signal amplification unit 230 independently in accordance with the signal magnitude.例文帳に追加

固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁

A solid state imaging device of single layer electrode structure having a planar surface is fabricated by forming an interelectrode insulating film 6 on the sidewall of a first electrode 3 and then etching back a second electrode 7 using mask patterns 4 and 5 for forming the pattern of the first electrode as an etching stopper.例文帳に追加

単層電極構造の固体撮像素子を形成するに際し、第１の電極３の側壁に電極間絶縁膜６を形成したのち、第１の電極のパターンを形成するためのマスクパターン４，５をエッチングストッパとして第２の電極７をエッチバックするようにし、平坦な表面をもつ単層電極構造の固体撮像素子を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

This imaging apparatus is equipped with a front-end signal processor 31 including an A/D converter 6 which performs analog-digital conversion to an imaging signal outputted from a CCD solid-state imaging device 3, a YUV conversion part 12 which converts a digitally converted imaging signal into a color image signal separated into pieces of information about luminance and colors and a RAM 17 which stores the color image signal.例文帳に追加

撮像装置は、ＣＣＤ固体撮像素子３から出力される撮像信号をアナログ−ディジタル変換するＡ／Ｄ変換器６を含むフロントエンド信号処理部３１、ディジタル変換された撮像信号を輝度と色の情報に分離したカラー画像信号に変換するＹＵＶ変換部１２および前記カラー画像信号を保存するＲＡＭ１７を具備する。 - 特許庁

In a solid-state image pickup device, which has condensing lenses for condensing incident light and a photoelectric conversion element for converting the light condensed by the lenses into an electrical signal and is provided with a plurality of pixels, each of the pixel being constituted into a structure such that the optical axes of the condensed lights coincide with the center of gravity of the light-receiving part of the photoelectric conversion element.例文帳に追加

入遮光を集光する集光レンズと、前記集光レンズにより集光された光を電気信号に変換する光電変換素子とを有する画素を複数備えた固体撮像装置において、前記複数の画素の各々は、前記集光された光の光軸と前記光電変換素子の受光部の重心とが一致するように構成されている。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition suitable for electronic components of an integrated circuit device, a liquid crystal display, a solid-state image sensor, etc., and giving a resin film excellent in sensitivity to radiation and excellent also in light resistance and dielectric characteristics, and to provide a laminate obtained by forming a resin film using the radiation sensitive composition on a substrate and a method for manufacturing the laminate.例文帳に追加

放射線に対する感度に優れ、耐光性にも優れ、更に誘電特性にも優れた樹脂膜を与える、集積回路素子、液晶表示素子、固体撮像素子等の電子部品に好適な感放射線組成物、この感放射線組成物を用いてなる樹脂膜を基板上に形成した積層体、及びこの積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state photoelectric device having a desired geometric form including complex and minute forms and holding the characteristics of an organic semiconductor compound effectively, along with superior electrical contact between the organic semiconductor and an electrode, and to provide a manufacturing method for fabricating the device easily, without complex processes and connecting the electrode without damaging the organic semiconductor, when the organic semiconductor compound and the electrode are connected.例文帳に追加

複雑且つ微細な形状を含む任意の幾何学的形状を備え、用いる有機半導体化合物の特性を有効に保持でき、また用いる有機半導体化合物と電極との電気的接触が良好な固体光電子デバイスと、このようなデバイスを煩雑な工程を必要とせずに容易に製造でき、また用いる有機半導体化合物と電極とを接続する際に該有機半導体を損傷させること無く電極を接続し得る該デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a plurality of unit pixels arrayed which consist of: a storage well 2 for accumulating electric charges generated by a photoelectric conversion element with incident light; a transfer control element region TT for transferring electric charges to a floating diffusion region; and an output transistor Tm for outputting pixel signals amplified using the electric charges transferred to the floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、入射した光によって光電変換素子が発生した電荷を蓄積する蓄積ウェル２と、電荷をフローティングディフュージョン領域へ転送するための転送制御素子領域ＴＴと、フローティングディフュージョン領域に転送された電荷に基づいて増幅された画素信号を出力するための出力用トランジスタＴｍと、を備えた単位画素を、複数配列して構成される。 - 特許庁

The infrared solid state imaging device includes a detection array (502) which is arranged a plurality of arrays of a pixel containing the field effect transistor as the heat sensitive body which outputs the temperature change as the electric signal change, a predetermined load (704) forming the grounded source amplifier circuit connecting to the field effect transistor, a signal reading circuit (509) which reads the output signal of the grounded source amplifier circuit.例文帳に追加

赤外線固体撮像装置は、温度変化を電気信号の変化として出力する感熱体として電界効果トランジスタを含む画素が複数個アレイ状に配置されてなる検出器アレイ（５０２）と、電界効果トランジスタと接続され、ソース接地増幅回路を形成する所定の負荷（７０４）と、ソース接地増幅回路の出力信号を読み出す信号読み出し回路（５０９）とを備える。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises: a multilayer wiring layer 73; a semiconductor layer 64 that is provided on the multilayer wiring layer 73 and has a penetration trench; a first conductive layer 69 embedded inside the penetration trench; a first insulation film 32 formed on the periphery of the first conductive layer 69; and a first impurity diffusion layer 36 of a first conductive type formed on the periphery of the first insulation film 32.例文帳に追加

固体撮像装置は、多層配線層７３と、前記多層配線層上に設けられ、貫通トレンチを有する半導体層６４と、前記貫通トレンチ内部に埋め込まれた第１導電層６９と、前記第１導電層の周囲に形成された第１絶縁膜３２と、前記第１絶縁膜の周囲に形成された第１導電型の第１不純物拡散層３６とを備える。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a pixel region, a plurality of differential output amplifiers for amplifying signals, and a plurality of terminals including a plurality of output terminals for outputing output signals of the amplifiers to the outside.例文帳に追加

画素領域と、信号を増幅する差動出力型の複数の増幅器と、前記増幅器の出力信号を外部へ出力する複数の出力端子を含む複数の端子と、を有する固体撮像装置であって、前記増幅器と、前記増幅器からの信号が伝達される複数の出力端子の各々との間に配される第１配線及び第２配線を有し、前記第１配線及び第２配線の長さが以下の式を満たす。 - 特許庁

This solid-state image pickup device 1 in which a plurality of first pixels 31 and a plurality of second pixels 41 having higher sensitivity than the first pixels 31 has first control signal lines 32 for controlling the first pixels 31 and second control signal lines 42 for controlling the second pixels 41, wherein the fist control signal lines 32 and the second control signal lines 42 are independently driven.例文帳に追加

複数の第１画素３１と、前記第１画素３１よりも感度の高い複数の第２画素４１とが配置された固体撮像装置１において、前記第１画素３１を制御する第１制御信号線３２と、前記第２画素４１を制御する第２制御信号線４２とを有し、前記第１制御信号線３２と前記第２制御信号線４２とが独立に駆動されるものである。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a substrate 6, a plurality of unit pixels disposed on the substrate 6, a wiring layer 4 formed on the plurality of unit pixels, an optical waveguide area 401 formed on photoelectric conversion areas included in the unit pixels and penetrating the wiring layer 4, and the condensing element 501 formed on the optical waveguide area 401, the condensing element 501 having an effective refractive index distribution.例文帳に追加

基板６と、基板６上に配置された複数の単位画素と、複数の単位画素上に形成された配線層４と、単位画素に含まれる光電変換領域上に形成された配線層４を貫く光導波領域４０１と、光導波領域４０１上に形成された集光素子５０１とを備え、集光素子５０１は実効屈折率分布を有することを特徴とする。 - 特許庁

By uniformly shaving the solid lubricant 22 by the brush roller 21 of a lubricant coating device 20, provided in the image forming apparatus 10 and suitably applying the shaved lubricant in a powder state to the surface of the image carrier 1; a toner image formed on the image carrier 1 is excellently transferred to transfer material P, so that excellent image forming is performed in the image forming apparatus 10.例文帳に追加

画像形成装置１０に備えられる潤滑剤塗布装置２０のブラシローラ２１が固形状潤滑剤２２を均一に削り取り、削り取った粉体状の潤滑剤を好適に像担持体１の表面に塗布することで、像担持体１に形成されたトナー像を転写材Ｐに良好に転写することができるようになり、画像形成装置１０において良好な画像形成を行うことが可能になる。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 which are formed on the surface layer of a pixel area of a silicon (semiconductor) substrate 1 with an interval and a transfer gate 12 formed on the silicon substrate 1 between the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 through a gate insulating film 5c and having ruggedness turned to the side of the floating impurity diffusion area 22.例文帳に追加

シリコン（半導体）基板１の画素領域の表層に、互いに間を隔てて形成されたフォトダイオードPD及び浮遊不純物拡散領域２２と、フォトダイオードPDと浮遊不純物拡散領域２２との間のシリコン基板１上に、ゲート絶縁膜５ｃを介して形成され、浮遊不純物拡散領域２２側に向けて凹凸を有する転送ゲート１２とを有する固体撮像装置による。 - 特許庁

In a controller 22 of a projector 2 which constitutes the projection system 1, a sound information processing part 224 has a sound information modulation part 2242 which modulates sound information to output modulated sound information and a light source drive control part 2243 which performs power variation control for varying power to be supplied to a solid-state light emitting element constituting a light source device 211 based on the modulated sound information.例文帳に追加

プロジェクションシステム１を構成するプロジェクタ２の制御装置２２において、音声情報処理部２２４は、音声情報を変調して変調音声情報を出力する音声情報変調部２２４２と、変調音声情報に基づいて、光源装置２１１を構成する固体発光素子に供給される電力を変動させる電力変動制御を実施する光源駆動制御部２２４３とを備える。 - 特許庁

The laminated solid-state imaging device constituted by pressing and joining a photoelectric transfer part 3 and a signal charge readout circuit 20 formed on different substrates stably operates by preventing the electric characteristics from deteriorating and is improved in production yield by providing a pressure reducing layer 110 to at least one of the photoelectric transfer part 30 and signal charge readout circuit 20.例文帳に追加

別基板上に作製した光電変換部３０と信号電荷読み出し回路部２０とに圧力を加え接合する積層型固体撮像装置において、光電変換部３０と信号電荷読み出し回路部２０の少なくともいずれか一方に圧力緩和層１１０を設けたことにより、電気的特性の劣化を防いで安定に動作し作製時の歩留まりを向上することができる。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 30, a plurality of photoelectric conversion elements 34 in which a heavily-doped impurity diffusion layer 36 is formed on the surface are formed in a two-dimensional array at the surface of a semiconductor substrate, and an insulating layer 40 is laminated on a semiconductor substrate 32.例文帳に追加

表面に高濃度不純物拡散層３６が形成された複数の光電変換素子３４が半導体基板表面部に二次元アレイ状に配列形成され、半導体基板３２の上に絶縁層４０が積層された固体撮像素子３０において、前記各光電変換素子の直上の絶縁層４０と高濃度不純物層３６との間の界面部分にそれぞれ不純物拡散抑制層５０を形成する。 - 特許庁

To provide a small connector for connecting a cable connected to a first circuit board provided on the distal end of an electronic endoscope and a second circuit board provided inside the electronic endoscope in order to process signals outputted from a solid-state imaging device of the electronic endoscope, wherein the connection work of the cable to the second circuit board is simplified so as to be able to shorten the work time.例文帳に追加

電子内視鏡の固体撮像素子から出力される信号を処理する為に電子内視鏡の先端部に設けられた第１の回路基板に接続されたケーブルとこの電子内視鏡内に設けられた第２の回路基板とを接続する小型コネクタであって、ケーブルの第２の回路基板への接続作業を簡単なものとし、作業時間の短縮化が可能となるものを提供することである。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises photodiodes 4 arranged in matrix including multiple rows, multiple first vertical CCDs 1 which are provided for each row of the photodiodes 4, read the charges from multiple photodiodes 4 included in a corresponding row of the photodiodes 4 and transfer the charges thus read in the vertical direction, horizontal CCDs 2 which transfer the charges in the horizontal direction, and a drain 7 which discharges the charges.例文帳に追加

固体撮像装置は、複数の列を含む行列状に配列されたフォトダイオード４と、フォトダイオード４の列毎に設けられ、対応するフォトダイオード４の列に含まれる複数のフォトダイオード４から電荷を読み出すと共に、読み出した電荷を垂直方向に転送する複数の第１垂直ＣＣＤ１と、電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤ２と、電荷を排出するためのドレイン７とを備える。 - 特許庁

The imaging lens to form a subject image on the solid-state imaging device comprises an aperture diaphragm, a first biconvex lens having positive refractive power, an infrared cut filter and a second meniscus lens having positive refractive power and turning its convex surface to an object side in order from the object side, and the first lens and the second lens respectively have at least one aspherical surface.例文帳に追加

固体撮像素子に被写体像を結像させる撮像レンズであって、物体側より順に、開口絞りと、正の屈折力を有し両凸形状の第１レンズと、赤外線カットフィルタと、正の屈折力を有し物体側に凸面を向けたメニスカス形状の第２レンズと、からなり、前記第１レンズ及び前記第２レンズはそれぞれ少なくとも１面の非球面を有し、以下の条件式を満足することを特徴とする撮像レンズ。 - 特許庁

In a driving method of a CCD type solid-state imaging device which transfers signal charges read out of pixels along a vertical charge transfer line 11 and stops the vertical charge transfer path 11 during transfer on a horizontal charge transfer path to hold the signal charges in a potential well formed below a prescribed vertical transfer electrode during the stop, prescribed vertical transfer electrodes V1 and V2 are alternated at each stop.例文帳に追加

画素から読み出した信号電荷を垂直電荷転送路１１に沿って転送し、垂直電荷転送路１１を水平電荷転送路の転送中に停止させ、該停止中に所定の垂直転送電極の下に形成した電位井戸内に前記信号電荷を保持するＣＣＤ型固体撮像素子の駆動方法において、前記停止毎に、前記所定の垂直転送電極Ｖ１をＶ２，Ｖ１と交互に変更する。 - 特許庁

In a solid-state image pickup device having at least sensor parts 1 and shift registor parts 3 arranged on one side of the sensor parts 1 to read out the signal charge generated corresponding to the photodetected amount in this censor parts 1 to be transferred, the side edges on the sides facing the one side of the sensor parts 1 of the read out electrodes 6 of the signal charge are protruded to the sensor parts 1.例文帳に追加

センサー部１と、このセンサー部１の一側に配置され、このセンサー部において受光量に応じて発生した信号電荷を読み出して転送するシフトレジスタ部３とを少なくとも有する固体撮像装置において、そのシフトレジスタ部の、上記信号電荷を読み出す読み出し電極６の、センサー部１の上記一側に対向する側の側縁が、シフトレジスタ部３を構成する他の電極１１の側縁より、センサー部側に突出する構成とする。 - 特許庁

A solid-state imaging device includes a photoelectric conversion part which converts irradiation light into electric charges, an infrared absorption glass having an antireflection film for absorbing a radioactive component formed on at least one surface and absorbing light of an infrared component of transmitted light, and a package which includes the photoelectric conversion part and to which the infrared absorption glass is fixed such that the photoelectric conversion part and antireflection film face each other.例文帳に追加

照射される光を電荷に変換する光電変換部と、放射性成分を吸収する反射防止膜が少なくとも一面に形成されるとともに、透過される光のうち赤外成分の光を吸収する赤外吸収ガラスと、前記光電変換部を備えるとともに、該光電変換部と前記反射防止膜とが対面するように前記赤外吸収ガラスが固着されるパッケージと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In a solid state imaging device comprising a plurality of pixel cells, each pixel cell includes a photoelectric conversion element provided in a semiconductor substrate and storing signal charges by performing photoelectric conversion of incident light, and a transistor for transferring the signal charges stored in the photoelectric conversion element to a floating junction wherein at least one transfer transistor has a gate electrode covering the photoelectric conversion element.例文帳に追加

本発明の１態様による固体撮像装置は、複数の画素セルを具備する固体撮像装置であって、各画素セルは、半導体基板中に設けられ、入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する光電変換素子と、前記光電変換素子に蓄積された前記信号電荷をフローティングジャンクションに転送する転送トランジスタとを含み、少なくとも１個の前記転送トランジスタは、前記光電変換素子の上方を覆って設けられたゲート電極を具備する。 - 特許庁

The solid state imaging device is characterized by being provided with a first conductivity type semiconductor region 301, a second conductivity type signal storage region 302 for storing signal charges formed in the first conductivity type semiconductor region 301, and a gate electrode 305 formed on the first conductivity type semiconductor region 301 through a gate insulating film 304 to cover a region above the second conductivity type signal storage region 302.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３０１と、前記第１導電型半導体領域３０１に形成された、信号電荷を蓄積する第２導電型信号蓄積領域３０２と、前記第１導電型半導体領域３０１上にゲート絶縁膜３０４を介して形成され、前記第２導電型信号蓄積領域３０２上の領域を覆うよう形成されたゲート電極３０５とを具備したことを特徴とする固体撮像装置である。 - 特許庁

Furthermore, the solid-state image sensing device is equipped with a reset potential generating circuit 22 which switches a reset potential supplied to the one end of the reset transistor 14 from a first reset potential to a second reset potential at the prescribed timing.例文帳に追加

フォトダイオード１１と、フォトダイオードで光電変換されて得られた信号電荷を検出部１２に読み出す読み出しトランジスタ１３と、検出部の電位を設定するリセットトランジスタ１４と、検出部に読み出された信号を増幅して出力するバイポーラ型の増幅トランジスタ１５とを有する画素を、半導体基板上にアレイ状に配置した固体撮像装置であって、リセットトランジスタの一端側に供給するリセット電位を所定のタイミングで第１のリセット電位から第２のリセット電位に切り換えるリセット電位発生回路２２を有する。 - 特許庁