「solid-state device」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid-state imaging device 1 has a light-receiving part 10, a signal reading part 20, a control part 30, light-receiving parts 11 and 12 for dummies including photodiodes for dummies, a discharge means for discharging a junction capacitance part of the photodiodes for dummies, and a scintillator layer 50 so provided as to cover the light-receiving part 10.例文帳に追加

固体撮像装置１は、受光部１０、信号読出部２０、制御部３０、ダミー用フォトダイオードを含むダミー用受光部１１，１２、ダミー用フォトダイオードの接合容量部を放電する放電手段、および、受光部１０を覆うように設けられたシンチレータ層５０を備える。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a horizontally striped pattern and a mottle pattern due to the characteristic dispersion and the performance deterioration of a CCD by an image signal outputted from a solid-state image pickup device (CCD) on which an RGB primary color filter such as Bayer's arrangement is mounted and to improve image quality.例文帳に追加

ベイヤ配列などのＲＧＢ原色フィルタを搭載した固体撮像素子（ＣＣＤ）から出力される画像信号によって、ＣＣＤの特性のばらつきや性能の劣化でもって横縞模様やまだら模様が生じることを防ぎ、画像品質を改善する。 - 特許庁

In the radiographing apparatus in which an X-ray transmitted through the chest of the human body under breathing is periodically detected by a solid-state imaging device and the respiratory movement of the chest of the human body is imaged, the radiographing apparatus is composed of an imaging means for imaging the respiratory movement in a plurality of different directions.例文帳に追加

呼吸状態にある人体胸部を透過した放射線を固体撮像素子により周期的に検出し、人体胸部の呼吸動態を撮影する放射線撮影装置を、呼吸動態を複数の異なる方向から撮影する撮影手段から構成する。 - 特許庁

Further, the solid-state image sensing device includes: a conductive material layer formed in contact with at least part of the semiconductor area; an electrode layer formed inside the insulating layer and for connecting with external wiring; and an opening provided above the electrode layer from the rear face of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、半導体領域内の少なくとも一部に接して形成されている導電材料層と、絶縁層内に形成されている外部配線との接続用の電極層と、電極層の上方に半導体基体の裏面から設けられた開口部とを備える。 - 特許庁

To provide a method for driving a solid-state imaging device, which can evade the problem such as color mixture resulting from crosstalk between pixels without needing a large read voltage or without causing the degradation of image quality due to incomplete read even in the case of reading all pixels.例文帳に追加

全画素読み取りの場合であっても、大きな読み出し電圧が必要になったり不完全読み出しによる画質の劣化が生じたりすることなく、画素間におけるクロストークによる混色発生等の問題を回避することができる、固体撮像素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a light receiver 5 formed in a substrate 10; a micro lens 50 formed in the upper layer of the substrate 10 with respect to the light receiver 5; and a transparent protecting film 60 which covers the micro lens 50 and is lower than the micro lens 50 in refractive index.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、基板１０に形成された受光部５と、基板１０の上層であって受光部５に対応して形成されたマイクロレンズ５０と、マイクロレンズ５０を被覆し、マイクロレンズ５０よりも屈折率の低い透明保護膜６０とを有する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device which is not influenced by the potential of scanning lines even when a region of forming photoelectric conversion elements is enlarged to improve photoelectric conversion characteristics and can unfailingly prevent the generation of an optical leakage current of a field effect transistor.例文帳に追加

光電変換素子の形成領域を広げて光電変換特性を向上した場合でも、走査線の電位の影響を受けることがなく、さらに、電界効果型トランジスタの光リーク電流の発生を確実に防止することのできる固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a color television camera device that applies digital signal processing to an image pickup output by a solid-state image sensor, having a discrete pixel structure such as a CCD and simplifies the hardware of a low- pass filter applying band limit processing to a color difference signal Q of a standard television system.例文帳に追加

ＣＣＤ等の離散的な絵素構造を有する固体イメジーセンサによる撮像出力についてディジタル信号処理を施すカラーテレビジョンカメラ装置において、標準テレビジョン方式の色差信号Ｑに帯域制限処理を施すローパスフィルタのハードウエアの簡略化を図る。 - 特許庁

To provide a color separation circuit in a single plate color camera wherein smooth slanting lines can be obtained in a slanting line portion where a change of an R signal (or of a B signal) outputted from a solid-state image pickup device is remarkable but a change of a G signal is small.例文帳に追加

この発明は、固体撮像デバイスから出力されるＲ信号（またはＢ信号）の変化は大きいが、Ｇ信号の変化が小さい斜線部分において、滑らかな斜線が得られるようになる単板式カラーカメラにおける色分離回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device of low-consumption electric power by which the photo-receiving efficiency of a photoelectric transfer part is improved by reducing the thickness of an electric charge transfer electrode region and high-speed and high-sensitivity transfer can be performed without lowering a withstand voltage between the electric charge transfer electrodes.例文帳に追加

電荷転送電極領域の厚さを薄くして、光電変換部の受光効率を向上させるとともに、電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、高速かつ高感度の転送が可能で低消費電力の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

By using the solid-state imaging device, potential of a node pd of a photodiode 1 is excluded from a transition region W of a comparator 2 by impressing voltage ΔV1 to a horizontal control line 6 as first control voltage by a variable voltage generation circuit 71 for a signal accumulation period T2.例文帳に追加

この固体撮像素子によれば、信号蓄積期間Ｔ２において、可変電圧発生回路７１が水平制御線６に第１の制御電圧として電圧ΔＶ１を印加することによって、フォトダイオード１のノードｐｄの電位をコンパレータ２の遷移領域Ｗから外す。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device capable of carrying out mode switching between still picture photographing in a full pixel read mode and animation recording in a pixel mixed read mode, wherein that higher quality for animation recording is attained by avoiding aliasing due to high frequency components of an optical image in excess of mixed pixel pitches.例文帳に追加

全画素読み出しモードの静止画撮影と画素混合読み出しモードの動画記録との切換えが可能な固体撮像装置において、混合画素ピッチを上回る光学像の高周波成分による折り返し歪みを生じないようにして動画記録を更に高品質にする。 - 特許庁

To provide a defective pixel processing apparatus and method which, when a correction processing of a defective pixel existing in a solid-state imaging device is performed, realize the setting of a correction position and its range so that a sense of incongruity of the appearance on a monitor screen decreases, thereby realizing prevention of deterioration in image quality.例文帳に追加

固体撮像素子に存在する欠陥画素の補正処理を行う場合において、モニタ画面上での見た目の違和感が少なくなるように補正位置とその範囲を設定して、画質の劣化を防止することができる欠陥画素処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A position of the objective optical element 10 and a position of the solid-state imaging element 30 as a focal position are made fixed, and a rotation optical magnification device 20 located between those elements switches optical elements by rotation driving at a right angle to the optical axis of the objective optical element 10 to switch the focal distances.例文帳に追加

対物光学素子１０と焦点位置である固体撮像素子３０の位置を固定とし、両者間に設置した回転光学変倍器２０により、対物光学素子１０の光軸に直角な回転駆動で光学素子を入れ替えて焦点距離を切り替えるようにしている。 - 特許庁

A timing pulse 23 generated by a TG 15 is adjusted by a transmission timing adjusting section 31 for image signals to generate a transmission timing control pulse 27, and an image signal 22 stored in the temporary storage section 32 is transmitted to a display part 4 within a blanking term of a solid-state imaging device (CCD 2).例文帳に追加

ＴＧ１５で生成されるタイミングパルス２３を撮像信号の伝送タイミング調整部３１で調整して伝送タイミング調整パルス２７を生成し、固体撮像素子（ＣＣＤ２）のブランキング期間内に、一時記憶部３２に記憶されている撮像信号２２を表示部４に伝送させる。 - 特許庁

In this solid-state image pickup device 100, a plurality of photoelectric converters 150 and 160 which are arranged in a square lattice shape in the row direction (X direction) and in the column direction (Y direction) perpendicular to the row direction on a semiconductor substrate surface convert light intensity into an electric charge signal and store the electric charge signal.例文帳に追加

固体撮像素子１００は、半導体基板表面に行方向（Ｘ方向）とこれに直交する列方向（Ｙ方向）に正方格子状に配設された複数の光電変換素子１５０、１６０によって、光強度を電荷信号に変換し蓄積する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which can be improved in the condensing efficiency by reducing a level difference between an effective pixel region including an inner-layer lens and the other light-blocked region while reducing the distance between the inner-layer lens and the light receiving surface of a photoelectric conversion element, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層内レンズと光電変換素子の受光面との距離の低減を図りながら、層内レンズを含めた有効画素領域とそれ以外の遮光された領域との段差を低減し、集光効率を高めることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The MOS type solid state imaging device comprises a dummy counter circuit 5 being driven by a horizontal select circuit driving pulse and beginning to operate upon receiving the final output from the horizontal select circuit 3, and a pulse generation circuit 6 for generating vertical select circuit driving pulse using the output from the dummy counter circuit 5.例文帳に追加

水平選択回路駆動パルスによって駆動され水平選択回路部３の最終出力が入力となり動作し始めるダミーカウンタ回路５と、ダミーカウンタ回路５の出力を用いて垂直選択回路駆動パルスを生成するパルス生成回路６とを設ける。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of photodiode units 1, a plurality of vertical charge transmission units 2 for reading a signal charge and transmitting the same into the vertical direction, a plurality of light shielding films 5 having conductivity and a balancing unit for supplying transmission pulse through the light shielding films 5.例文帳に追加

複数のフォトダイオード部１と、信号電荷を読み出し、それを垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部２と、導電性を有する複数の遮光膜５と、遮光膜５を介して転送パルスを供給するバスライン部とを備える固体撮像装置を用いる。 - 特許庁

An imaging apparatus includes: an accumulation means 61 for extracting an accumulated charge output SX by accumulating charges in proportion with an optical image formed on a solid-state imaging device 11 through a lens 10; and a combination control means 65 for performing timing control or saturation control of the accumulation means 61.例文帳に追加

レンズ１０を介して固体撮像素子１１上に結像し光像に比例した電荷量を蓄積し、蓄積電荷出力ＳＸを取出す蓄積手段６１と、蓄積手段６１のタイミング制御や、飽和量制御などを行う合成制御手段６５とを備える。 - 特許庁

To provide a method of driving a solid state imaging device capable of outputting a pixel signal having a high compression rate while suppressing deterioration of the S/N of the pixel signal and deterioration of resolution and image quality of an outline caused by a noise component such as smear with no increase in the number of terminals.例文帳に追加

端子数の増加を伴わずに、スミアなどノイズ成分に起因する画素信号のＳ／Ｎの悪化、並びに解像度および輪郭の画質劣化を抑制しつつ、高圧縮率の画素信号を出力することが可能な固体撮像素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device further comprises a multilayer wiring layer 28 formed on the surface on the opposite side of a light incident side of the semiconductor substrate 22, a supporting substrate 41 composed of a semiconductor bonded to the surface on the multilayer wiring layer side, and a light reflection-preventing structure 51 formed on the bonding surface side of the supporting substrate 41.例文帳に追加

さらに、半導体基板２２の光入射側とは反対側の面上に形成された多層配線層２８と、多層配線層側の面に接合された半導体による支持基板４１と、支持基板４１の接合面側に形成された光の反射防止構造５１を有する。 - 特許庁

This solid-state image pickup device, where the unit cell consists of an effective region 13 for sensing light, dummy regions 12 and 60 adjoining this effective region 13 and absorbing the signal leaking from the effective region 13, and an OF region 11 adjoining these dummy regions 12 and 60 and outputting dark voltage signals.例文帳に追加

単位セルが、光を感知する有効領域と、この有効領域に隣接し、前記有効領域から漏れてくる信号を吸収するダミー領域と、このダミー領域に隣接し、暗電圧信号を出力するＯＢ領域とからなることを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁

To provide a photocurable composition which has superior photocuring (thermosetting is unnecessary) and developability, superior in application property, uniformity of coating and liquid saving property and whose transmission factor is improved and to provide a component for LCD by using above component, a component for solid-state imaging device and a method for manufacturing them.例文帳に追加

優れた光硬化性（熱硬化が不要）と現像性を有し、塗布性、塗膜の均一性、省液性に優れ、しかも透過率が向上する、光硬化性組成物、それを用いたＬＣＤ用構成部品並びに固体撮像素子用構成部品及びそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The solid-state image sensor 20 includes a semiconductor substrate 22 with photodiodes 26R, 26G and 26B, a device protective film 23 with a convex inner lens 28, and a color filter array with color filter layers 21R, 21G and 21B and separation walls 25 for separating the color filter layers.例文帳に追加

固体撮像素子２０は、フォトダイオード２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂを備えた半導体基板２２と、凸型インナーレンズ２８を有するデバイス保護膜２３と、カラーフィルタ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及びカラーフィルタ層間を隔てて分離する分離壁２５を有するカラーフィルタアレイとを備えている。 - 特許庁

In a second mode during which the solid-state imaging element 3 performs imaging and an image signal is generated, light from the subject is made incident to the optical finder and on a finder, an image formed by the optical finder and an image formed by an electronic display device 5 are overlapped and displayed.例文帳に追加

固体撮像素子３が撮像を行い、画像信号を生成している第２のモードにおいて、被写体からの光は光学ファインダに入射し、ファインダには、光学ファインダによって形成された像と、電子表示装置５によって形成された像とが重なって表示される。 - 特許庁

The lighting device is provided with one vertical lighting optical system and a plurality of oblique lighting optical systems, and in each lighting optical system, a light from a light source 10 uses a lens system 11 to be emitted to a face of a solid-state image pickup element 12 to be checked placed at a rear focal point of the lens system 11 as a Keller lighting.例文帳に追加

１つの垂直照明光学系と複数の斜光照明光学系が設けられ、各照明光学系においては、光源１０からの光をレンズ系１１によってケーラー照明として、レンズ系１１の後焦点位置に置かれた被検固体撮像素子面を照射している。 - 特許庁

To provide a color purity correction filter provided with a near infrared-ray cutting function in addition to a color purity correcting function and constituted so that the whole of an image pickup system can be made compact and inexpensive, and to provide a solid-state image pickup element, a color image pickup device, a board camera, a digital still camera and a scanner all having this filter.例文帳に追加

色純度補正機能に加えて近赤外線カット機能を有し、撮像系全体の小型化、低コスト化を図ることのできる色純度補正フィルター、並びにこれを具えた固体撮像素子、カラー撮像装置、ボードカメラ、デジタルスチルカメラおよびスキャナーを提供することにある。 - 特許庁

The manufacturing method of the device is composed of a lens 1, an approximately cylindrical lens holder 2 fixing the lens 1, a glass 3, a discoid substrate 4, a solid-state image sensing element 5 fixed onto the substrate 4; and an approximately cylindrical box body 8, and lead terminals 6 are extended on one-direction side in parallel with the place of the substrate in the substrate 4.例文帳に追加

レンズ１とレンズ１を固定する略円筒状のレンズホルダ２とガラス３と円盤状の基板４と基板４に固定される固体撮像素子５と略円筒状の筐体８から構成され、基板４にはリード端子６が基板平面と平行で一方向側に延設される。 - 特許庁

The pixel of the amplification type solid-state imaging device has a first conductivity-type charge storage region for storing signal charge, a second conductivity-type semiconductor region adjacent to at least the back side of a semiconductor substrate out of the outer periphery of the charge storage region, and an amplifier.例文帳に追加

本発明の増幅型固体撮像素子の画素は、信号電荷を蓄積する第１導電型の電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域の外周の内、少なくとも半導体基板の裏面側に隣接する第２導電型の半導体領域と、増幅部とを有する。 - 特許庁

A solid-state image sensing device includes: the photoelectric conversion element formed inside a semiconductor substrate; an insulating layer provided on the surface side of the semiconductor substrate; a plurality of wiring layers formed inside the insulating layer; and a semiconductor area formed inside the semiconductor substrate around the photoelectric conversion element.例文帳に追加

半導体基体内に形成されている光電変換素子と、半導体基体の表面側に設けられている絶縁層と、絶縁層内に形成されている複数の配線層と、光電変換素子の周囲の半導体基体内に形成されている半導体領域とを備える。 - 特許庁

Not only a solid-state imaging device but also a video signal processor, a display data output circuit, a compressed data generation circuit and the like are comprised of one single chip, and an imaging signal processing apparatus outputs display data so as to interleave compressed data simultaneously therewith.例文帳に追加

固体撮像素子だけでなく、映像信号処理器、ディスプレイデータ出力回路、及び圧縮データ生成回路などが、一つの単一チップより構成され、ディスプレイデータの出力と同時に圧縮データをインターリーブするように出力する撮像信号処理装置である。 - 特許庁

To improve an image processing speed, and realize concurrent operations in a screen, easiness in manufacturing process simultaneously with improvement in image quality, improvement of manufacturing yield, and suppression of current consumption for simultaneously driving all pixels or many pixels in a semiconductor module provided with a MOS solid-state imaging device.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置を備えた半導体モジュールにおいて、画像処理スピードの向上、画面内の同時性の実現、画質向上と同時に、製造プロセスの容易化、歩留り向上を図り、また全画素または多数画素を同時に駆動するときの消費電流の抑制を可能にする。 - 特許庁

The solid-state image pickup device 1 photoelectrically converts light from an image-picked up body incident on the rear face S2 (second face) of the semiconductor substrate 10 in the semiconductor substrate 10, receives a charge generated by photoelectric conversion in the light receiving part 20, and image-picks up the image-picked up body.例文帳に追加

固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２（第２面）に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部２０で受けて上記被撮像体を撮像するものである。 - 特許庁

The apparatus has a frame 3 for fixing relative positions of a light source 1 and a CCD type solid-state image sensing device (CCD) 2, scans a surface to be inspected W_S of the substrate W while fixing the relative positions by using the frame 3, and inspects the existence of the foreign matter on the substrate W.例文帳に追加

光源１とＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）２との相対的な位置を固定するフレーム３を備え、そのフレーム３によって上述した相対的な位置を固定しながら基板Ｗの検査面Ｗ_S上を走査して、基板Ｗ上の異物の有無を検査する。 - 特許庁

To provide a colored curable composition which, even with a high pigment content, cures with high sensitivity and forms a cured film excellent in adhesion and is useful for forming a colored area of a color filter, and to provide a color filter using the composition, and a solid-state image pickup device.例文帳に追加

顔料の含有率が高い場合であっても、高感度で硬化しうるとともに密着性に優れた硬化皮膜を形成しうる、カラーフィルタの着色領域形成に有用な着色硬化性組成物、それを用いたカラーフィルタ、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

In a solid-state image-sensing device, integration time of an optical element is varied by making shorter in the center and longer towards edges in columns and rows of an APS array, the sensitivity of the optical element is fixed all over pixels, and a sensed video signal is outputted from the optical element in an average level.例文帳に追加

ＡＰＳアレイの列及び行で光素子の蓄積時間を、中心部は短くして周辺部へ行くほど長くして変化を与え、全体ピクセルで光素子の感度が一定であり、光素子から感知された映像信号の大きさが均一に出力される固体撮像素子。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which hardly causes the generation of a local potential barrier at a transfer channel, is enhanced in yield, improved in the withstand voltage of an insulating film between electrodes, and preventive in light leak-in caused by the local thinning of a light shielding film and the stepped-cut of metal wiring, and its manufacturing method.例文帳に追加

転送チャネルに局所ポテンシャルバリアが発生しにくく、歩留を向上させ、電極間の絶縁膜の耐圧を改善し、遮光膜の局所的薄膜化による光の洩れ込みや金属配線の段切れが防止できる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device, for which an n-type photoelectric conversion region 303, is formed inside a p^--type well region 302, a light-shielding film 315 and a transparent conductive film 321 are formed via a second interlayer insulation film 314 on the n-type photoelectric conversion region 303.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁

This solid-state imaging device has an imaging part 100 containing a sensor part and a transfer register part, a signal-supplying part 200 supplying transfer clocks and readout pulses to the imaging part 100, and a control part 300 for controlling a pulse period of readout pulses to the signal supplying part 200.例文帳に追加

センサ部や転送レジスタ部を含む撮像部１００と、この撮像部１００に転送クロック及び読出しパルスを供給する信号供給部２００と、この信号供給部２００に対して読出しパルスのパルス期間の制御を行なう制御部３００とを有する。 - 特許庁

An imaging apparatus comprises a luminance detecting means 23 for detecting the luminance level within a screen, on the basis of the electrical signal outputted from a solid-state imaging device 12; a smear-correcting means 24 for performing intra-screen smear correction processing, and a control means 21 for deciding whether to carry out smear correction processing.例文帳に追加

撮像装置は、固体撮像素子１２から出力された電気信号を基に画面内の輝度レベルを検出する輝度検出手段２３と、画面内のスミア補正処理を行なうスミア補正手段２４と、スミア補正処理を実行するか否かを判断する制御手段２１と、を備える。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device for performing prescribed signal treatment on a first signal, that is linearly converted to the quantity of incidence light and a second signal that is converted in terms of natural logarithm, and then performing processing with a common circuit.例文帳に追加

本発明は、入射光量に対して線形的に変換された第１信号と入射光量に対して自然対数的に変換された第２信号とを、それぞれ所定の信号処理を施した後、共通の回路で処理することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A solid-state imaging device 100 is configured to include: a substrate 101; a photoelectric conversion part 10; a first impurity layer 51 having a carrier polarity of a second conductive type; a charge voltage conversion part; an amplifying part; and a second impurity layer 52 having a carrier polarity of a second conductive type.例文帳に追加

固体撮像装置１００を、基板１０１と、光電変換部１０と、キャリア極性が第２の導電型である第１不純物層５１と、電荷電圧変換部と、増幅部と、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層５２とを備える構成とする。 - 特許庁

By the formation of the fine projections, the reflection of light, occurring on the surface of the semiconductor substrate or the film interface where the refractive index in the inside differs, can be reduced drastically, thus obtaining a solid-state image pickup device, having small loss in the quantity of incident light and the superior sensitivity characteristics.例文帳に追加

微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。 - 特許庁

This imaging element device eliminates the need to make the imaging element formation layer thin by grinding etc., since the imaging element formation layer 2 originally has a thickness suitable for curving, and strength when the imaging element formation layer 2 and solid-state imaging element 1 are curved is improved.例文帳に追加

この撮像素子装置では、撮像素子形成層２の厚みが、もともと湾曲に適した厚みとなっているので、研削などにより撮像素子形成層を薄肉化する必要がなく、撮像素子形成層２ないしは固体撮像素子１を湾曲させたときの強度が向上する。 - 特許庁