「solid-state device」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

With respect to the method which sets a processing system for image information obtained form the solid-state imaging device, at least, one picked-up image data 1 is processed by a preliminarily prepared two-dimensional matrix operation library 2, and parameters of a two-dimensional matrix operation command are set on the basis of the processing result.例文帳に追加

固体撮像素子から得られる画像情報の処理方式を設定する方法であって、予め用意された２次元行列演算ライブラリ２により少なくとも１つの撮像画像データ１を処理し、処理結果に基づいて２次元行列演算コマンドのパラメータを設定する。 - 特許庁

To provide an inter-line transfer type solid-state imaging device, together with a method for manufacturing it, of wide dynamic range, high sensitivity, and low smear wherein the dispersion in signal-reading characteristics from a photo-electric conversion part to a charge transfer part is less while a dark current and white blemish occurring at the photoelectric transfer part is suppressed.例文帳に追加

光電変換部から電荷転送部への信号読み出し特性のバラツキが少なく、光電変換部で発生する暗電流や白キズを抑制した、広ダイナミックレンジ、高感度、低スミアのインターライン転送型の固体撮像装置及びその製法を提供する。 - 特許庁

In the device, projections 5 and 9 provided in a central part of an outer stopper 3 and an inner stopper 2 are joined, in a state of their being fit into the toner discharging opening, and the contact of the inner stopper side surface with the toner discharging port is made more solid by having the projection 9 of the outer stopper 3 pressurize against the projection 5 of the inner stopper.例文帳に追加

外栓３と内栓２の中央部分に設けた突起５、９が、トナー吐出口にはめ込まれた状態で接合し、外栓３の突起９により内栓の突起５を押圧することにより、内栓側面のトナー吐出口との接触をより強固なものとすることができる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and a method of manufacturing it, which is superior in controllability of space between lenses at microlens formation and obtains high effective sensitivity and proper color reproducibility, by suppressing the generation of lens non-forming part due to lens fusing and enhancing microlens formation stability.例文帳に追加

マイクロレンズ形成時のレンズ間スペースの制御性に優れ、またレンズ融着によるレンズ未形成部分の発生を抑え、マイクロレンズ形成安定性を高めることにより実効感度の高く、かつ、良好な色再現性が得られる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Calculating a correction coefficient on the basis of an image signal obtained by imaging a uniform imaging object and multiplying the correction coefficient with an image signal obtained by imaging an optional imaging object can accurately correct sensitivity dispersion of each pixel of the solid-state imaging device.例文帳に追加

均一な撮像対象を撮像して得られる画像信号に基づいて補正係数を算出し、当該補正係数を任意の撮像対象を撮像して得られた画像信号に乗算することにより、固体撮像素子の各画素の感度ばらつきを精密に補正することができる。 - 特許庁

The solid state imaging device constituted by arraying a plurality of pixels each having a photoelectric converting element formed on a semiconductor substrate and a color filter layer formed on the photoelectric converting element is characterized in that each color filter layer is formed thicker at the center part than at the peripheral part.例文帳に追加

半導体基板上に形成された光電変換素子と前記光電変換素子の上に形成されたカラーフィルタ層とを有する画素が、複数配列された固体撮像装置であって、前記カラーフィルタ層のそれぞれの膜厚は周辺部よりも中央部が厚く形成される。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus provided with a solid-state imaging device that switches automatically between a linear conversion characteristic and a logarithmic conversion characteristic in its photoelectric conversion characteristic and capable of applying white balance processing even to a signal outputted with either characteristic.例文帳に追加

本発明は、その光電変換特性において線形変換特性と対数変換特性とが自動的に切り替わる固体撮像素子を備えるとき、いずれの特性により出力される信号に対してもホワイトバランス処理を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate that can reduce problems, such as occurrence of uneven peel of passivation film or watermark and impurity adsorption onto a Si substrate, thereby effectively preventing occurrence of white scratch defects due to dark current when making a solid state imaging device with the substrate.例文帳に追加

表面保護膜の剥離ムラやウォーターマークの発生、及びＳｉ基板への不純物吸着等の問題を抑制することにより、固体撮像装置を作製した場合に暗電流の白傷欠陥の発生を効果的に防止可能なエピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An object is irradiated with a specific wavelength wave of a wavelength corresponding to a specific wavelength in which the electromagnetic wave energy level is lower than that of other wavelengths, the specific wavelength wave reflected on the object is detected by a solid-state imaging device 314 and based on obtained detection information, information resulting from the specific wavelength wave is obtained.例文帳に追加

電磁波エネルギレベルが他の波長よりも低い特定波長と対応した波長の特定波長波を物体に照射し、物体で反射した特定波長波を固体撮像素子３１４で検知し、得られた検知情報に基づき特定波長波に由来する情報を取得する。 - 特許庁

Projection portions 6 and recessed portions 7 therefore function as an optical low-pass filter extracting constant diffracted light intensity from incident light intensity at respective wavelengths, and then the solid-state imaging element cover 41 and imaging device 20 can be obtained which can faithfully reproduce the color tone of the subject in the visible light range.例文帳に追加

したがって、凸部６、凹部７は、各波長において入射光強度に対し一定の回折光強度を取り出せる光学ローパスフィルタとして機能し、可視光領域で被写体の色調を忠実に再現できる固体撮像素子カバー４１および撮像装置２０を得ることができる。 - 特許庁

In a conventional CCD solid-state imaging device, the potential of an n-type impurity zone of a vertical charge transfer (charge transfer region) is pulled up at its both sides with round shapes, which becomes a cause of deterioration of a transfer characteristic.例文帳に追加

従来のＣＣＤ固体撮像素子において、垂直電荷転送部（電荷転送領域）のｎ型不純物領域のポテンシャルは、隣接するｐ型不純物領域の影響によって両側が丸みを帯びた状態で引き上げられ、転送特性劣化の要因となる。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of, adjoining in one direction of two-dimensional matrix, photoelectric conversion regions, respectively, to output pixel signals corresponding to optical generation charges held in a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

The endoscope is provided with a temperature sensor detecting the temperature near the distal end, a temperature data superimposing means superimposing the detected temperature data on an output signal outputted by a solid-state image sensing device, and a temperature data acquiring means acquiring the temperature data based on the signal after the superimposition.例文帳に追加

先端部近傍の温度を検出する温度センサと、検出された温度データを、該固体撮像素子が出力する出力信号に重畳させる温度データ重畳手段と、重畳後の信号に基づいて該温度データを取得する温度データ取得手段とを電子内視鏡に配置する。 - 特許庁

When the solid-state image sensing device is to be manufactured by forming a photoelectric conversion element or the like at one surface side of a semiconductor substrate, a step is formed between a light incidence surface out of the surfaces of the photoelectric conversion element and the surface of the semiconductor substrate around the photoelectric conversion element.例文帳に追加

半導体基板の一表面側に光電変換素子等を形成して固体撮像装置を作製するにあたって、光電変換素子表面のうちの光入射面と光電変換素子周囲の半導体基板表面との間に段差を形成する。 - 特許庁

To provide a checking method for a solid-state imaging device by which the processing time required for a check can be shortened.例文帳に追加

第１，第２フィールドの２フィールド分の画素情報を用いて検査を行うと、画像処理時間が長くなることによってコスト、デリバリーに与える影響は非常に大きく、また、欠陥についての解析が遅くなることから、その解析結果を前工程へフィードバックする際のフィードバックもかけにくくなる。 - 特許庁

When an electrical signal that is converted linearly into the quantity of incidence light is outputted from the solid-state image pickup device 10, white balance adjustment and γ correction are executed through a white balance circuit 11a and a γ-correction circuit 13a, before being sent to a matrix conversion circuit 15.例文帳に追加

固体撮像素子１０より、入射光量に対して線形変換された電気信号が出力されるとき、ホワイトバランス回路１１ａ及びγ補正回路１３ａを通じてホワイトバランス調整及びγ補正が施されてマトリクス変換回路１５に送出される。 - 特許庁

This solid-state imaging device is equipped with a photodiode 11, formed in the upper part of a silicon substrate 10 to perform optical conversion, a silicon oxide film 17 formed on the silicon substrate 10 so as to cover the photodiode 11, and a silicon nitride film 18 formed on the silicon oxide film 17.例文帳に追加

固体撮像素子は、シリコン基板１０における上部に形成された光電変換を行うフォトダイオード１１と、シリコン基板１０上に、フォトダイオード１１を覆うように形成されたシリコン酸化膜１７と、シリコン酸化膜１７の上に形成されたシリコン窒化膜１８とを備える。 - 特許庁

To provide a digital camera capable of exactly taking a photograph intended by a photographer, by which image data indicating a subject image by subject light via an image pickup optical system is obtained by forming the subject image on a solid-state image sensing device.例文帳に追加

本発明は、撮影光学系を経由してきた被写体光による被写体像を固体撮像素子上に結像させて該被写体像を表す画像データを得るデジタルカメラに関し、撮影者の意図する写真を正確に撮影することのできるデジタルカメラを提供することを目的とする。 - 特許庁

The mirror 2 is opened/closed with its rotary shaft 2a as an axis, assumes an open state as shown by a solid line during video projection, and is tilted in a direction shown by an arrow and housed inside the housing 1 of the projection display device as shown by a broken line when a power source is turned off.例文帳に追加

非球面投射ミラー２は、非球面投射ミラー回転軸２ａを軸に開閉するようにしており映像投射時は、実線のように開状態となり、電源ＯＦＦ時は矢印の方向に倒れ、破線で示すように投射表示装置の筐体１の内部に格納される。 - 特許庁

To prevent a camera from being deteriorated by radiation, to thereby utilize a camera that uses solid state image sensors such as a CCD (Charge Coupled Device) image sensor, a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor, or the like, and further to be capable of photographing a wide range of area using a lens whose view angle is wide.例文帳に追加

カメラの放射線劣化を抑えることが出来、これによりカメラとしてＣＣＤイメージセンサ やＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子を使用したものを利用することが出来、さらにレンズとして視野角の広いレンズを使用して広範囲なエリアの撮影を可能とする。 - 特許庁

The solid state imaging device further comprises a transfer unit 6 which transfers the charges, that are transferred from the first vertical CCDs 1, to any one of the horizontal CCD 2 or the drain 7, and a drive control unit 15 which controls the transfer unit 6 to transfer the charges to any one of the horizontal CCD 2 or the drain 7.例文帳に追加

第１垂直ＣＣＤ１により転送された電荷を、水平ＣＣＤ２及びドレイン７のいずれかに転送する転送部６と、転送部６から水平ＣＣＤ２及びドレイン７のいずれに電荷が転送されるかを制御する駆動制御部１５とを更に備える。 - 特許庁

To provide a waste liquid treating device in which sludge is made to be in the state of being coagulated easily without being affected by the difficulty of coagulation of crude sludge, etc., solid-liquid separation by an endless traveling filter cloth is made easy, the material cost, etc., such as a coagulant is saved and the prescribed concentrated sludge is invariably obtained.例文帳に追加

本発明は、原汚泥等の凝集の難易に影響されないように、汚泥を凝集し易い状態にして、エンドレスの走行ろ布による固液分離を容易にし、凝集剤等の材料費等を節約し、所定の濃縮汚泥をコンスタントに得る廃液処理装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state image sensing device has transfer registers of single layer electrode structures in which transfer electrodes are formed in single layers and are arranged with a gap between each of them, with widths of gaps at both ends of the transfer electrodes wider than that at the center thereof.例文帳に追加

本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、転送電極が単層で形成され相互にギャップを置いて配列された単層電極構造の転送レジスタを有し、前記転送電極の両端のギャップ幅が中央部よりも広く形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element which uses a charge-coupled device (CCD) for preventing alteration in quality and corrosion of metal-wiring layer, forming a charge detecting portion and reducing the capacity by the metal-wiring layer, without causing reduction in converting efficiency for converting signal charges into a signal voltage in the charge-detecting portion.例文帳に追加

ＣＣＤ型固体撮像素子においては、電荷検出部で信号電荷を信号電圧に変化する変換効率を低下させることなく、該電荷検出部を構成するメタル配線層の変質や腐食を防ぐことができ、該メタル配線層による容量を低減する。 - 特許庁

A solid-state imaging device 100 includes a plurality of pixel circuits 111 arranged in matrix, a plurality of vertical signal lines 103, a plurality of switching transistors 114, and a plurality of column amplifiers 115 connected to the vertical signal lines 103 via the switching transistors 114.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置１００は、行列状に配置された複数の画素回路１１１と、複数の垂直信号線１０３と、複数のスイッチトランジスタ１１４と、スイッチトランジスタ１１４を介して垂直信号線１０３に接続される複数の列増幅部１１５とを備える。 - 特許庁

To provide a solid state image pickup device with high reliability and improved efficiency for transferring a signal charge at a charge transfer part by forming a charge transfer well, whose electric potential is inclined along a charge transfer direction, in an area under each transfer gate of a charge transfer channel at good accuracy and reproducibility.例文帳に追加

電荷転送チャネルの各転送ゲート下の領域に、電荷転送方向に沿って電位が傾斜した電荷転送井戸を精度よくしかも再現性よく形成することができ、これにより電荷転送部での信号電荷の転送効率を改善した信頼性の高い固体撮像装置を得る。 - 特許庁

To provide a solid state image pickup device which, having a plurality of horizontal transfer sections, can perform separate transfers between the horizontal transfer sections surely, reduces the power consumption for horizontal transfers and has its pin counts for supplying drive signals reduced to a possible minimum.例文帳に追加

複数の水平転送部を備え、水平転送部間での振り分け転送を確実に行うことができ、かつ水平転送のための消費電力を低減し、かつ駆動信号を供給するためのピン数の増加をできる限り抑えた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has: the semiconductor substrate 11; a plurality of photoelectric conversion elements 25 formed on the semiconductor substrate 11; and a side surface isolating portion 51 which is formed on the semiconductor substrate 11 and isolates at least side surfaces of the plurality of photoelectric conversion elements 25 from each other.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１に形成される複数の光電変換素子２５と、半導体基板１１に形成され、複数の光電変換素子２５の少なくとも側面部分を互いに分離する側面分離部５１とを有する。 - 特許庁

In a solid-state imaging device wherein a first chip 2 wherein a plurality of pixels 4 are formed and a second chip 3 wherein a plurality of pixel driving circuits 11 for driving the pixels 4 are formed are laminated, exposure is started simultaneously for all the pixels and exposure is finished simultaneously for all the pixels.例文帳に追加

複数の画素４が形成された第１のチップ２と、画素４を駆動する複数の画素駆動回路１１が形成された第２のチップ３とが積層された構成の固体撮像装置において、全画素同時に露光を開始し、全画素同時に露光を終了する。 - 特許庁

The imaging system having an image sensor 53 (solid-state imaging device) which outputs light incident from an object as an imaging signal S1, has a digital signal processing circuit 10 (signal processing unit) which applies signal processing to the imaging signal S1 and generates a YC signal S2 (image signal).例文帳に追加

被写体から入射した光を撮像信号Ｓ１として出力するイメージセンサ５３（固体撮像装置）を有した撮像システムにおいて、撮像信号Ｓ１に信号処理を行ったＹＣ信号Ｓ２（画像信号）を生成するデジタル信号処理回路１０（信号処理部）を設ける。 - 特許庁

The lens 10A for the imaging apparatus is for use in the imaging apparatus including a solid-state imaging device; the lens has a layer 12, containing near-infrared absorbing particles which are composed of oxide crystallites containing at least Cu and P, and which have a number-average coagulated particle size of 5 to 200 nm.例文帳に追加

撮像装置用レンズ１０Ａは、固体撮像素子を備えた撮像装置に用いられるレンズであって、少なくともＣｕおよび／またはＰを含む酸化物の結晶子からなり、数平均凝集粒子径が５〜２００ｎｍである近赤外線吸収粒子を含有する層１２を備える。 - 特許庁

A solid-state imaging device 20 performs control to reset a photo diode out of a storage period, to simultaneously cancel resetting of photo diodes of all pixels in a predetermined region when starting the accumulation period, and to read signal charges from the photo diodes of all the pixels in the predetermined region after the end of the accumulation period.例文帳に追加

固体撮像素子20は、蓄積期間外にフォトダイオードのリセットを行い、蓄積期間の開始時に所定領域の全画素のフォトダイオードのリセットを同時に解除し、蓄積期間の終了後に所定領域の全画素のフォトダイオードから信号電荷を読み出す制御を行う。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element that improves the efficiency of light condensing on a semiconductor region functioning as a photoelectric conversion portion by reducing a thickness of an interlayer insulating film on the photoelectric conversion portion of the pixel by an easy method, a method of manufacturing the same, and an imaging device.例文帳に追加

簡便な方法で画素の光電変換部の上にある層間絶縁膜の厚さを低減することで、光電変換部として機能する半導体領域への集光効率を向上する固体撮像素子及びその製造方法と撮像装置を提供する。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging device includes inorganic photoelectric conversion units PD1, PD2 having a pn junction and an organic photoelectric conversion unit 39 including an organic photoelectric conversion layer 36, which are laminated in the same pixel 20 in a depth direction from the light incident side and on which light is incident without passing through a color filter.例文帳に追加

さらに、同一の画素２０内で受光面側から深さ方向に積層されてカラーフルタを介さずに光が入射される、ｐｎ接合を有する無機光電変換部ＰＤ１、ＰＤ２及び有機光電変換膜３６を有する有機光電変換部３９を有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a pixel section where pixel sharing units are arranged in an array pattern, and transfer wires 35-38 that are connected with transfer gate electrodes of each transfer transistor on the pixel sharing units and are extended in a horizontal direction when viewed from above, while being arranged in parallel in a vertical direction.例文帳に追加

画素共有単位がアレイ状に配列された画素部と、画素共有単位の各転送トランジスタの転送ゲート電極に接続されて、上面から見て水平方向に延長しかつ垂直方向に並行して配列された転送配線３５〜３８を有する。 - 特許庁

This solid-state electronic imaging device includes a signal charge read control means to control reading of signal charge accumulated in photodiodes of a C-MOS sensor 40, wherein the signal charge accumulated in the photodiodes in odd-numbered rows is read in the row direction one row at a time to provide an odd-numbered row image 4.例文帳に追加

Ｃ−ＭＯＳセンサ４０のフォトダイオードに蓄積された信号電荷の読み出しを制御する信号電荷読み出し制御手段を備え、奇数行のフォトダイオードに蓄積された信号電荷は，１行ずつ行方向に読み出され，奇数行画像４が得られる。 - 特許庁

The solid-state imaging device 1 photoelectrically converts light from an object to be imaged, which is incident on a rear surface S2 (a second surface) of the semiconductor substrate 10, within the semiconductor substrate 10, and electrical charge generated by the photoelectric conversion is received by the receiver 20, which results in taking an image of the object to be imaged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２（第２面）に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部２０で受けて上記被撮像体を撮像するものである。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes an imaging element, having a light receiving surface, and a cover member disposed over and opposite to the light receiving surface of the imaging element via a space, and the cover member has a quartz plate, and the optical axis of the crystal of the quartz plate is parallel to the light-receiving surface.例文帳に追加

固体撮像装置は、受光面を有する撮像素子と、前記撮像素子の前記受光面上に空間を介して対向配置されたカバー部材と、を有し、前記カバー部材は水晶板を有し、前記水晶板の結晶の光軸が前記受光面に対して平行である。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a first read circuit 120 which reads a signal from a pixel array, a signal holding unit 107 which holds the signal read out by the first read circuit 120, and a second read circuit 130 which reads out the signal held in the signal holding unit 107.例文帳に追加

固体撮像装置は、画素アレイから信号を読み出す第１読み出し回路１２０と、第１読み出し回路１２０によって読み出された信号を保持する信号保持部１０７と、信号保持部１０７に保持された信号を読み出す第２読み出し回路１３０とを備える。 - 特許庁

A plurality of pixel parts of the solid-state imaging device each include; a photodiode for generating charge of an amount corresponding to quantity of incident light, an FD region as a charge storing part for storing the charge, and a first transistor having a gate electrode electrically connected to the FD region.例文帳に追加

固体撮像装置の複数の画素部それぞれは、入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部としてのＦＤ領域と、ＦＤ領域と電気的に接続されたゲート電極を有する第１トランジスタと、を含む。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。 - 特許庁

The invention relates to the radiation-curable resin composition for a planarized layer comprising a fluorine-containing polymer containing an ethylenic unsaturated group and a solvent, and relates to the planarized layer obtained by curing the same, and a method for producing the flattened layer position-selectively and the solid-state image sensing device comprising the planarized layer.例文帳に追加

エチレン性不飽和基含有含フッ素重合体及び溶剤を含有することを特徴とする平坦化層用放射線硬化性樹脂組成物；それを硬化させてなる平坦化層；位置選択的に平坦化層を製造する方法及びその平坦化層を含む固体撮像素子。 - 特許庁

In a solid-state imaging device 100 wherein an imaging element chip 2 is sealed within a sealing package 1 with a hollow space provided above a microlens 8, the inner surface of the sealing package 1, the surface of the imaging element chip 2, and the surfaces of bonding wires are completely covered with a protective film 4.例文帳に追加

封止パッケージ１内にて撮像素子チップ２を、そのマイクロレンズ８上に中空空間を設けて封止してなる固体撮像装置１００において、封止パッケージ１の内面、撮像素子チップ２の表面およびボンディングワイヤの表面を保護膜４で完全に覆うようにした。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes an electric charge storage region including an n-type intermediate impurity region 11 the depth of which is deeper than the depth of an n^+-type impurity region 12 of an n-type silicon substrate 8, and shallower than the depth of an n-type impurity region 10.例文帳に追加

この固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板８のｎ^＋型不純物領域１２の深さよりも大きく、かつ、ｎ型不純物領域１０の深さよりも小さい深さを有するｎ型中間不純物領域１１を含む電荷蓄積領域を備えている。 - 特許庁

In the third inspection process, the solid-state imaging device is inspected per predetermined range set in advance, and the number of peculiar pixels within each range is counted, and at the same time, the sum of brightness data of the individual peculiar pixels within each range is calculated as a defect level.例文帳に追加

第３検査工程では、予め設定されている所定範囲ごとに固体撮像素子の検査が行われ、この所定範囲内の特異画素の個数が計数されると同時に、この所定範囲内の各特異画素の輝度データの合計値が欠陥レベルとして算出される。 - 特許庁