| 意味 | 例文 |
solid-state deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5496件
Next, the case 16 is exposed by polishing the fixing plate 46 from the back side of the CCD 10 with a polishing device 55, and afterwards the case 16 is further polished from the back side, thus exposing the solid-state image sensor chip 12.例文帳に追加
続いて、研磨装置55によりCCD10の背面側から固定プレート46を研磨してケース16を露呈させた後、さらに、ケース16を背面側から研磨して固体撮像素子チップ12を露呈させる。 - 特許庁
To suppress the generation of a crack in a surface protective film in a solid state imaging device having the surface protective film on a semiconductor substrate on which a light receiving section is formed to generate charge by light incident thereto.例文帳に追加
光が入射することによって電荷を発生する受光部が形成された半導体基板上に表面保護膜を有する固体撮像装置において、表面保護膜にクラックなどが発生するのを抑制する。 - 特許庁
To provide a solid state imaging device manufacturable accurately in wafer level in which the height can be adjusted while suppressing mixture of a bubble and a highly reliable hard hermetic sealing is provided.例文帳に追加
気泡の混入を抑えることができると共に高さ調整が可能で、強度のある高信頼性の気密封止部を備え、且つウエーハレベルで精度よく製造可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device and its drive method that can accurately detect a motion of a mobile object and accurately recognize an image even in the fast moving object and to provide a motion detector.例文帳に追加
前フレームの画像データと現フレームの画像データとを比較演算する構成を採ると、動きの速い物体の場合には、1フレーム期間に移動する物体の距離が長くなるため画像が二重になって見える。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device whereby the junction of a rib and a transparent plate joined to the upper end face of the rib can have improved durability against stress acting on the rib and the plate due to thermal deformation or the like.例文帳に追加
リブとその上端面に接合される透明板の接合が、熱変形等に起因して両者間に作用する応力に対して改善された耐久性を有する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
To prevent an effect of level difference due to an opening for extracting an electrode to be formed in a manufacturing step to manufacture an optical component with high accuracy, etc. in a backside illuminated solid-state imaging device.例文帳に追加
裏面照射型の固体撮像装置において、製造工程中に形成する電極取り出し用の開口による段差の影響を抑制し、精度の高い光学部品等を製造できるようにすること。 - 特許庁
The clock pulse generation means 12 generates the driving signal of the solid-state imaging device 10, the driving signal s14 of the camera signal processing means 11 and a synchronizing signal so that they can be synchronized with the matching signal of the frame.例文帳に追加
クロックパルス発生手段12はこのフレームの一致信号と同期がとれるように固体撮像素子10の駆動信号とカメラ信号処理手段11の駆動信号s14 及び同期信号を生成する。 - 特許庁
To obtain a solid-state scanning optical writing device in which the sensitivity for detection of light quantity by a light shutter element is good, the quantity of transmitted light can be always stably maintained, and moreover, a stable good image can be obtained.例文帳に追加
光シャッタ素子の光量検出の感度が良好で、透過光量を常時安定して維持でき、ひいては安定した良好な画像を得ることのできる固体走査型光書込み装置を得る。 - 特許庁
This MOS-type solid-state image pickup device is produced by forming an amplifying transistor with an embedding channel-type and first conductivity-type MOS transistor and by forming a gate electrode 26 with a second conductivity-type polysilicon.例文帳に追加
MOS型の固体撮像装置において、増幅トランジスタを埋込みチャネル型且つ第1導電型のMOSトランジスタで形成し、ゲート電極26を第2導電型のポリシリコンで形成した構成とする。 - 特許庁
To provide a method for producing a curable coloring composition exhibiting little mingling of foreign matters, and to provide a color filter and a solid-state image pick-up device using the curable coloring composition and having high yield.例文帳に追加
異物の混入が少ない硬化性着色組成物の製造方法を提供すること、さらに、該硬化性着色組成物を用いた歩留まりが高いカラーフィルタ及び固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁
This cover glass for solid-state imaging device is provided with an infrared cut filter in a multilayer structure on a light transmission surface and the light transmittance of ultraviolet rays, having a wavelength of about 350 nm being ≥50%.例文帳に追加
本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、多層構造の赤外線遮断フィルタを光透過表面に備え、波長約350nmの紫外線の光透過率が50%以上であることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device which can increase transmittance on a light receiving sensor to improve sensitivity and can reduce the occurrence of dark current through hydrogen annealing during manufacturing.例文帳に追加
受光センサ部上の透過率を高くして感度の向上を図ることができると共に、製造中の水素アニールにより暗電流の発生を抑制することが可能な構造の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
To obtain a process for fabricating a solid state imaging device in which defects occurring in an isolation region can be reduced sharply and a photodiode can be formed while self-aligned with a gate electrode.例文帳に追加
素子分離領域に発生する欠陥を大幅に低減することが可能となり、かつ、ゲート電極に対してセルフアラインでフォトダイオードを形成することができる、固体撮像装置の製造方法を実現する。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device capable of securing an incident light quantity as much as possible to a photo diode even if a shading film is formed in a position deviated to the photo diode; and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
フォトダイオードに対して遮光膜がずれた位置に形成されてしまった場合にも、フォトダイオードへの入射光量を可能な限り確保できるようにした固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加
本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁
The solid state imaging device 10 includes a substrate 11, a plurality of pixels 40 formed on the substrate 11, and a first multilayer wiring layer 21a and a second multilayer wiring layer 23a formed on the pixels 40.例文帳に追加
固体撮像装置10を、基板11と、基板11に形成された複数の画素40と、画素40上に形成された第1多層配線層21a及び第2多層配線層23aとを備える構成にする。 - 特許庁
A semiconductor element 10 for a solid-state imaging device has a semiconductor element body (a semiconductor chip) 12 comprising an imaging region 14 having an imaging element 11 and a connecting region 15 having electrodes 13.例文帳に追加
固体撮像装置用半導体素子10は、撮像素子部11を有する撮像領域14と電極13を有する接続領域15とを備える半導体素子本体(半導体チップ)12を具備する。 - 特許庁
To attain proper photographing by limiting a setting range of photographing conditions of a silver salt film at imaging by a solid-state imaging device without allowing a photographer to particularly be conscious of which of photographing.例文帳に追加
銀塩フィルムでの撮影条件の設定範囲を固体撮像素子での撮像時に、制限するようにすることで、いずれによる撮影かを撮影者が特に意識することなく、好適な写真撮影を可能にする。 - 特許庁
To properly perform white balance control to obtain an image with excellent color reproducibility at an imaging apparatus employing a solid-state imaging device provided with a plurality of pixels with different spectral sensitivity characteristics.例文帳に追加
それぞれ分光感度特性の異なる複数種類の画素を備えた固体撮像素子を使用する撮像装置において、ホワイトバランス制御を適切に実施可能とし、色再現性に優れた撮影画像を得る。 - 特許庁
To provide a solid-state image sensing device and its manufacturing method, wherein electrodes are prevented from being deformed due to thermal oxidation, and high dielectric strength is ensured between electrodes without producing a potential difference between the electrodes.例文帳に追加
熱酸化による電極の変形を防止でき、電極間のポテンシャル段差を生じさせることなく、良好な電極間耐圧を確保できる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To easily perform the direct-read-after-write of position information on a defective pixel, which is generated in a solid-state imaging device, into a storage means and to flexibly deal with a correction to a defective pixel generated later.例文帳に追加
固体撮像素子で発生した欠陥画素の位置情報を容易に記憶手段に追記できるようにすると共に、後天的に発生した欠陥画素に対する補正について柔軟に対処できるようにする。 - 特許庁
In the color filter for the solid-state image sensing device, film thicknesses of the second and the subsequent order colors that are arranged adjacently in sides of the colorant pixels are larger than the film thickness of the colorant pixel arranged in the first color of the color filter.例文帳に追加
固体撮像素子用カラーフィルタにおいて、カラーフィルタの第1色目に配設された色素画素の膜厚に対し、色素画素の辺に隣接して配置された第2色目以降の色素画素の膜厚が厚いこと。 - 特許庁
To provide a solid-state image pickup device which can reduce the power consumption without requiring a separate power source.例文帳に追加
多段のソースフォロワ回路からなる出力回路において、2段目もしくはそれ以降の電源電圧を低電圧化した場合には、別電源を必要とすることから、電源端子を増加したり、専用の電源を確保しなければならない。 - 特許庁
This solid-state imaging device 1 is provided with a light receiving part 10 having the m-th row light receiving area 11_m (m=1 to M), M first signal processing parts 20_1 to 20M, M second signal processing parts 30_1 to 30M or the like.例文帳に追加
固体撮像装置1は、第m行受光領域11_m(m=1〜M)を有する受光部10、M個の第1信号処理部20_1〜20_MおよびM個の第2信号処理部30_1〜30_M等を備えている。 - 特許庁
To provide a drive method, capable of performing an output whose S/N ratio is high in the case of performing driving in low resolution, with respect to high resolution in a solid-state image pickup device obtained by arranging a plurality of sensor strings in parallel.例文帳に追加
複数のセンサ列を並列配置してなる固体撮像装置において最高解像度に対して低解像度での駆動を行う場合、SN比の高い出力を行うことが可能な駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a new driving method of a solid-state imaging device which is capable of reading all charges by two fields and has a configuration capable of generating color image data even by one field.例文帳に追加
2フィールドで全ての電荷を読み出し可能な固体撮像素子であって、片方のフィールドだけでもカラー画像データを生成することが可能な構成を持つ固体撮像素子の新しい駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a solid-state image pickup device for preventing deviation in position between a optoelectric conversion part and a change reading electrode, and for stabilizing the reading characteristics of the signal charge from the optoelectric converting part to a vertical charge transfer part.例文帳に追加
光電変換部と電荷読出し電極との位置ずれをなくし、光電変換部から垂直電荷転送部への信号電荷の読出し特性を安定させることが可能な固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a solid-state imaging device which has a gap of 0.2 μm or less between lenses, in which sensibility is not lowered and reflected light from a non-opening section between micro-lenses is inhibited, and from which noises are reduced.例文帳に追加
0.2μm以下のレンズ間ギャップを備えた、感度低下のない、またマイクロレンズ間の非開口部からの反射光を抑制し、ノイズを低減させた固体撮像素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device having a waveguide formed by embedding the inside of a waveguide opening with an optically-transparent material without producing a void, and thereby improving a light condensation characteristic; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
ボイドの発生なく導波路開口内が光透過性材料で埋め込まれてなる導波路を有し、これにより集光特性を向上させることが可能な固体撮像装置および製造方法を提供する。 - 特許庁
Moreover, the fact that the light element can be easily accelerated is used to form a proximity gettering layer at a desired deep position with favorable productivity, and to obtain a gettering structure of the solid-state image pickup device having a favorable noise characteristic.例文帳に追加
また軽元素の加速が容易であることを利用して、良好な生産性にて所望の深い位置に近接ゲッタリング層を形成し、ノイズ特性の良好な固体撮像素子のゲッタリング構造を得る。 - 特許庁
In a pixel 1a of the solid-state imaging device 1, a light shielding interlayer connection member 15 for connecting each layer of a multilayered structure are provided to at least a part of a peripheral wiring part 14 in a periphery of a photodiode 17.例文帳に追加
固体撮像装置1の画素1aにおいて、フォトダイオード17の周辺の周辺配線部14の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材15を設ける。 - 特許庁
An image intensifier 9c is arranged at the preceding stage of a CCD type solid-state imaging device (CCD) 1, and the image intensifier 9c multiplies the incident light to thereby perform imaging even with a minute incident light.例文帳に追加
イメージインテンシファイア9cをCCD型固体撮像素子(CCD)1の前段に配設し、入射光をイメージインテンシファイア9cが増倍させることで、微小な入射光であっても撮像を行うことができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a tempered glass substrate, by which the treating time can be shortened and the productivity can be improved when cover glass used for a solid-state imaging device is subjected to ion exchange; and to provide the tempered glass substrate manufactured by the method.例文帳に追加
固体撮像装置に使用するカバーガラスをイオン交換するに際し、その処理時間を短縮できるため、生産性を向上することが可能な強化ガラス基板と、その製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, the solid-state imaging device 10 outputs image information of the a single selected pixel Ca, namely, photoelectric conversion signal according to an amount of incident light generated by photoelectric conversion, as the output signal Do.例文帳に追加
そして、固体撮像装置10は、選択した1つの画素Caの画像情報、つまり光電変換により生成した入射光量に応じた光電変換信号を出力信号Doとして出力する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a solid-state imaging device in which a transfer electrode is precisely formed at a desired position, and a transfer barrier is formed precisely to a desired depth and concentration.例文帳に追加
転送電極を所望の位置に精度よく形成することができ、かつ、転送バリア部を所望の深さおよび濃度に精度よく形成することができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device having a condensing element effective in improving sensitivity by reducing increases in condensing loss and color mixing due to an increase in angle of light entering a waveguide when the light is obliquely incident.例文帳に追加
斜め入射時において、導波路内に入射する光の角度の増加による集光ロスおよび混色の増加を低減し、感度向上に有効な集光素子を備えた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
The edge faces 10a and 10b of the pilot pin 8 are made to bear against the package 2 along the truncated chevron-shaped edges of the pilot 6, so that the solid-state image sensing device can be restrained from being rotated not only by the guide pin 9 but also by the pilot pin 8.例文帳に追加
パイロットピン8の端面10a、10bは、パイロット部6の略ハ字状の端部に沿って当接し、ガイドピン9のみによってではなく、パイロットピン8によっても固体撮像装置の回転が押さえられる。 - 特許庁
To provide an solid-state image pickup device capable of suppressing white blurring or black blurring on the photographed surface without increasing the dynamic range of each pixel in itself, even if large difference in quantity of light is generated between objects within a photographing scope.例文帳に追加
画素自体のダイナミックレンジを上げることなく、撮像範囲内の被写体間に大きな光量差がある場合でも、撮像画面に白ツブレや黒ツブレが発生するのを抑えた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
To provide a digital camera with a charge accumulation time program mounted thereon produced on the basis of a proper hand-shake limiting charge accumulation time, and equipped with a solid-state image pickup device and an imaging optical system.例文帳に追加
固体撮像素子及び撮影光学系を具備して成るデジタルカメラであって、適正な手ブレ限界電荷蓄積時間に基づいて作成された電荷蓄積時間プログラムを搭載したデジタルカメラを提供する。 - 特許庁
The solid-state image pickup device 100 further includes data switching sections 142a, 142b for switching between a first state to hold the digital data 154 converted by the AD conversion sections 140 in the data holding sections 141 of the corresponding columns and a second state to connect in series the N flip-flops 145 included in each of the plurality of data holding sections 141.例文帳に追加
固体撮像装置100は、さらに、AD変換部140により変換されたデジタルデータ154を、対応する列のデータ保持部141に保持させる第1状態と、複数のデータ保持部141の各々に含まれるN個のフリップフロップ145を直列に接続する第2状態とを切り替えるデータ切替部142a及び142bを備える。 - 特許庁
To provide a DA converter that reduces influence on a current output of thermal noise or 1/f noise generated in a device without increasing the size, while improving image quality, and to provide a solid-state imaging device and a camera system.例文帳に追加
大型化を招くことなく、装置内で発生する熱ノイズや1/fノイズが電流出力に与える影響を低減することが可能で、ひいては画像の画質の向上を図ることが可能なDA変換装置、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁
To significantly further improve image quality than conventionally concerning the control of an exposure time by an electronic shutter, by applying an imaging device and the processing result of an imaging result to an imaging device by a CMOS solid-state imaging element.例文帳に追加
本発明は、撮像装置及び撮像結果の処理方法に関し、例えばCMOS固体撮像素子による撮像装置に適用して、電子シャッターによる露光時間の制御に関して、従来に比して一段と画質を向上することができるようにする。 - 特許庁
To realize not only space saving around a photoreceptor but also miniaturization of an imaging device by efficiently arranging a solid-state optical writing device and a potential sensor, while preventing the deterioration of image quality caused by environmental change and changes due to aging or the like by using the potential sensor.例文帳に追加
電位センサを用いることにより環境変化、経時変化等による画像品質の劣化を防ぎつつ、固体光書込装置と電位センサとを効率的に配置して感光体周りの省スペース化、ひいては画像形成装置の小型化を図る。 - 特許庁
To provide a solid-state image pickup device that can suppress uneven sensitivity because the reflectivity of incident light on the surface of a light shielding film is uniform, and, in addition, that can make picture elements finer because the thickness of the light shielding film can be reduced, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加
遮光膜表面における入射光の反射率が均一であることから感度ムラを抑えることができ、しかも遮光膜の薄膜化が図れるため画素の微細化が実現できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an image input device with a CCD linear sensor including a main sensor line and an auxiliary sensor line, and a solid state imaging device for protecting a signal of the main senor line from being affected by a signal of the auxiliary sensor line when the signal of the main sensor line is only selectively tread out.例文帳に追加
主センサ列及び副センサ列を有するCCDリニアセンサを用いる画像入力装置、固体撮像装置において、主センサ列の信号のみを選択して読み出すときに主センサ列の信号が副センサ列の信号の影響を受けないようにする。 - 特許庁
To provide an image pickup element for realizing signal charge transfer control corresponding to a photographing mode or another control by simple control, and a solid-state image pickup element and an image pickup device capable of simplifying a signal processing system in an image pickup device using this image pickup element.例文帳に追加
簡素な制御によって撮影モードや他の制御に応じた信号電荷転送制御を実現する固体撮像素子と、該固体撮像素子を用いた撮像装置において信号処理系を簡素化できる固体撮像素子および撮像装置を提供する。 - 特許庁
To provide a solid-state image pickup device, a pixel defect inspection device and a pixel defect correction method that can properly correct a defect of a remarkable area in an image screen and satisfy a requirement for effective utilization of a defect correction performance so as to obtain an excellent image.例文帳に追加
画面での目立つ領域の欠陥補正を的確に行い、かつ欠陥補正能力の有効利用という要求を満足させて良好な画像を得ることのできる固体撮像装置、画素欠陥検査装置および画素欠陥補正方法の提供。 - 特許庁
To restrain deviation in a dry state, in order to surely carry out switching from an aqueous electrolytic device operation to a fuel cell operation, in a reversible cell stack, equipped with a plurality of reversible cells each integrating a solid polymer aqueous electrolytic device and a fuel cell.例文帳に追加
固体高分子形の水電解装置と燃料電池とを一体化させた可逆セルを複数備えた可逆セル・スタックにおいて,水電解装置運転から燃料電池運転への切り替えを安全,かつ確実に行うために,乾燥状態のばらつきを抑える。 - 特許庁
To provide a method of economically manufacturing zirconium hydroxide and zirconium oxide obtained by calcining the zirconium hydroxide which are suitable for a raw material of glass for a solid-state image sensing device package such as a charge-coupled device (CCD) and filler for a semiconductor resin package and have low α-ray emission rate.例文帳に追加
CCDなど固体撮像素子パッケージ用ガラスの原料、半導体樹脂パッケージのフイラーなどに適するα線放出率が低い水酸化ジルコニウム及びそれを仮焼して得られる酸化ジルコニウムを経済的に製造する方法を提案する。 - 特許庁
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