「solid-state device」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid-state imaging device having a plurality of unit pixels which have photoelectric conversion parts different in a depth direction has an operation processing means for operating by using signals based on the photoelectric conversion part different in unit pixels.例文帳に追加

深さ方向に異なる光電変換部を有する単位画素を複数有する固体撮像装置は、前記単位画素の異なる光電変換部に基づく信号を用いて演算を行う演算処理手段を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor chip and its manufacturing method which can seal surely a gap to a solid-state device like another semiconductor chip and reduce the manufacturing time and manufacturing cost.例文帳に追加

別の半導体チップなどの固体装置との間の隙間を確実に封止でき、かつ、製造時間の短縮および製造コストの削減を図ることができる半導体チップおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CCD solid-state imaging device capable of reading all picture elements with a high resolution even in a structure for obtaining a wide dynamic range or a structure capable of obtaining multiple color signals from the same picture element.例文帳に追加

全画素読み出しのＣＣＤ型の固体撮像素子において、広いダイナミックレンジを得る構造であっても、同一画素より複数の色信号を取り出せる構造であっても、高い解像度を得ることを可能とする。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device and its manufacturing method that improve the rate of convergence on a photodiode and preventing color mixture from an adjacent color filter to improve sensitivity and obtain a fine image.例文帳に追加

フォトダイオードへの集光率を向上し、かつ隣接するカラーフィルタからの混色を防止し、よって感度を向上させると共に精細な画像が得られる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device having a long lifetime and high reliability by securely filling sealing resin and preventing air or dust from permeating into an optically effective region in which imaging is possible in an imaging region.例文帳に追加

封止樹脂を確実に充填し、撮像領域で撮像可能な光学的有効領域内に空気やゴミが浸入しないようにし、長寿命で信頼性の高い固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To surely perform potential control over a channel region of each charge readout transistor of a CMOS solid-state imaging device while making a pixel size very small by employing vertical constitution for a gate electrode of the charge readout transistor.例文帳に追加

ＣＭＯＳ固体撮像装置における電荷読み出しトランジスタのゲート電極を縦型構成として画素サイズの微細化を可能にしつつ、各トランジスタにおけるチャネル領域の電位コントロールを確実ならしめる。 - 特許庁

To provide an amplification type solid state imaging device for reducing crosstalk between pixels with visible rays of light, and for increasing sensitivity with infrared rays of light by extending the depletion layer of each pixel to the original depth.例文帳に追加

各画素の空乏層を本来の深さまで伸びるようにし、可視光での画素間のクロストークを低減すると共に赤外光での感度を高めることが可能な増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device which reduces a reflecting light in the front surface of a microlens and the front surface of a region where the microlens is not arranged and which has high reliability corresponding to lead free reflow.例文帳に追加

マイクロレンズの表面と、マイクロレンズの配置されてない領域の表面とにおける反射光を減少させると共に、鉛フリーリフローに対応する高信頼性を有する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and a driving method thereof that can receive visible light and infrared light and control an exposure time of the infrared light independently of an exposure time of the visible light.例文帳に追加

可視光および赤外光を受光することができ、赤外光の露光時間を、可視光の露光時間とは独立して制御を行うことができる固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

In this solid-state image pickup device, a fuse 13 that melts down when a prescribed voltage is applied between electrodes 27 and 29 is provided between the semiconductor substrate 18, the P-type diffused layer 25 or a ground and the electrodes 27 and 29.例文帳に追加

この固体撮像素子では、半導体基板１８、Ｐ型拡散層２５又はグランドと、電極２７、２９との間に、電極２７、２９に所定の電圧が印加されたときに溶断するヒューズ１３が配設されている。 - 特許庁

When a balloon explodes as a prescribed event showing a change in a photographing object, the amplitude of drive voltage for driving a CCD type solid-state imaging device (CCD) is at least controlled according to the explosion.例文帳に追加

撮影対象の変化を示す所定の事象として風船が爆発したときにその爆発に基づいてＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）を駆動する駆動電圧の振幅を少なくとも制御する。 - 特許庁

A device structure consisting of fullerene molecules has a solid-state structure in which a fullerene molecule layer is interposed between electrodes, and allows the conductivity of the fullerene molecule layer to be controlled through application of a voltage to the electrodes.例文帳に追加

フラーレン分子層を電極間に配設した固体素子構造を有し、電極への電圧の印加状態によってフラーレン分子層の導電性を制御可能としているフラーレン分子デバイス構造とする。 - 特許庁

The exposure control of the imaging apparatus is made, which includes a signal processing means for processing the output signal of a solid-state imaging device, a diaphragm control means for controlling a diaphragm, and an external sensor for detecting the brightness of an object.例文帳に追加

固体撮像素子の出力信号に対する信号処理手段、絞りを制御する絞り制御手段、被写体の明るさを検出する外部センサを有する撮像装置の露出制御を行う。 - 特許庁

The spectral prisms 24, 26, 28 split the light which is made incident from an object through a lens 30 into the light traveled straight in the forward direction and the refracted light, and they are respectively made incident onto each solid-state imaging device.例文帳に追加

レンズ３０を通じて入射した被写体からの光は、各分光プリズム２４、２６、２８により真っ直ぐに進行する光と、屈曲した光とに分割され、各固体撮像装置にそれぞれ入射する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which is capable of amplifying a signal in a column closest to a pixel during low illuminance and has a column amplifier having the smaller number of components and the smaller number of wires between the components.例文帳に追加

低照度時に画素に最も近いコラム部において信号を増幅することができ、構成素子数及び当該構成素子間の配線数の少ないコラムアンプを備える固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device driving method by which an electronic shutter is perfectly functioned even in the case of a long exposure period and a defective picture caused by an unnecessary electric charge is prevented and also to provide an imaging unit.例文帳に追加

露光期間が長い場合でも電子シャッタ機能の完全を図り、不要電荷を原因とする画面不良を防止することができる固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置を提供すること。 - 特許庁

A defective pixel correcting part 160 corrects a corresponding signal of the pixel in a picked-up image signal obtained by the solid-state imaging device, at a correction timing based on the position information stored in the defective pixel information holding part 140.例文帳に追加

欠陥画素補正部１６０は、欠陥画素情報保持部１４０に記憶された位置情報に基づく補正タイミングで、固体撮像素子による撮像画像信号中の対応する画素の信号を補正する。 - 特許庁

At the pixel portion of a solid-state imaging device 31, a photosensor 24 is arranged on a bottom, and above which, a smoothed layer 22 consisting of four layers and a metal wires 23 consisting of three wires are alternately stacked in such order as described.例文帳に追加

固体撮像素子３１の画素部分においては、底面にフォトセンサ２４が配置され、その上部に４層の平滑化層２２と３層の金属配線２３とが、記載の順に交互に積層されている。 - 特許庁

In a pixel 1a of the solid-state imaging device 1, there is provided a light blocking interlayer connection member 15 for connecting each layer of a multilayered structure to at least a part of a peripheral wiring part 14 in a periphery of a photodiode 17.例文帳に追加

固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。 - 特許庁

To provide a frequency converter operable within a wide frequency range from a microwave to a terahertz wave which does not use a solid state device having non-linear characteristic and does not need a complicated resonator structure.例文帳に追加

非線形特性を持つ固体素子を使用せず、複雑な共振器構造も必要としない、マイクロ波からテラヘルツ波に至る幅広い周波数範囲で動作可能な周波数変換装置を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the solid-state image pickup device, a pad insulation film 2 and an oxidation resistant film 3 are formed on a silicon substrate 1 for patterning, thus forming an opening 4 for opening the region for separating elements.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置の製造方法では、シリコン基板１の上に、パッド絶縁膜２と耐酸化性膜３とを形成し、パターニングを行うことにより、素子分離用領域を開口する開口４を形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device of high optical sensitivity, where the degree of convergence of the light which enters a light-receiving surface obliquely is increased and a received optical image can be converted into an electric signal with high efficiency.例文帳に追加

本発明は、受光面に斜めに入射する光の集光度を高め、受光した光学像を高効率で電気信号に変換することができる光感度の高い固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

In a solid-state image pickup device of this invention, four pixels are used as a repeating unit, such that the pixels for "Green" are laid in row direction on top of each other; and alongside them, the pixels for Blue and Green are arranged in rows.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置では、Ｇｒｅｅｎの画素を行方向に上下に並べ、その横にＢｌｕｅ、Ｇｒｅｅｎの画素を行方向に並べた４つの画素を一つの繰り返し単位としている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device having such a configuration as to improve the impairment of images resulting from a dark current by remarkably reducing the indraft amount of the dark current at the time of the integration of signal charges, and to provide its control method.例文帳に追加

信号電荷積分時における暗電流のフォトダイオードへの流入を大幅に低減して、暗電流に起因する画像劣化を改善し得る構成の固体撮像装置及びその制御方法。 - 特許庁

To provide a solid-state image-pickup device and a method for manufacturing the same, capable of providing a reduced dark current effect obtained from a hydrogen treatment effect on a wiring region and preventing image defects due to increased noise on a peripheral section of an image.例文帳に追加

配線領域にも水素処理効果による暗電流低減効果が得られ、画像周辺部のノイズ増加による画像欠陥を防止できる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A videoscope, which is equipped with a charge amplification type solid-state imaging device 54 capable of causing an impact ionization phenomenon so as to amplify an output signal charge, is connected to a processor 10 to which a monitor 39 is connected.例文帳に追加

モニタ３９が接続されるプロセッサ１０に、インパクトイオン化現象を生じさせて出力信号電荷を増幅させることが可能な電荷増幅型固体撮像素子５４を備えたビデオスコープを接続する。 - 特許庁

To provide a device for cooling hot-molded cooked rice in box lunch or the like, which can uniformly, evenly and sanitarily cool the hot-molded cooked rice at a humidity giving a proper solid state without deteriorating the texture and flavor of the hot-molded cooked rice.例文帳に追加

ホット成形した飯を食感、風味を損なうことなく、均等に、ムラなく、衛生的で適当な固さの湿度に冷却する弁当等におけるホット成形した飯の冷却装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device, having a small loss in the quantity of incident light and superior sensitivity characteristics, by reducing the reflection of the light at a substrate surface and on a film interface, where the refractive index differs at the inside and on the surface.例文帳に追加

基板表面及び内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極く小さくして入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reducing flicker noise caused in an XY address type solid-state image pickup device that reduces a flicker noise caused by fluorescent lamps for interior illumination in the case of photographing inside a room.例文帳に追加

本発明は、室内を撮影する際、室内照明用の蛍光燈により生じるフリッカノイズを低減させるＸＹアドレス型固体撮像装置のフリッカノイズ低減方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a heat treatment method by which crystallinity is not deteriorated in a method of manufacturing a solid-state image pickup device having an image pickup area and a peripheral area in which a MOS transistor is provided on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、撮像領域と、ＭＯＳトランジスタが設けられる周辺領域とを有する固体撮像装置の製造方法において、結晶性が劣化しない熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device where an image pickup system with, e.g. several tens of thousands to several millions of pixels is used, signals of the image pickup system and a display system are synchronized and a video image is displayed, well balanced, on the display system.例文帳に追加

たとえば、数十万〜数百万の画素を有して撮像系を用い、撮像系- 表示系の信号を同期させるとともに、表示系にバランスよく映像表示させることのできる固体撮像装置の提供。 - 特許庁

To efficiently dissipate heat released from a light emitting element outside so as to enhance the element in luminous efficacy and to protect the light emitting element against damages caused by thermal stress in an illuminating light source device, where a solid-state light emitting element is used.例文帳に追加

固体発光素子を用いた照明用の光源装置において、発光素子の熱を効率的に外部へ逃がし、発光効率を高めると共に、熱応力によって発光素子がダメージを受けることを防止する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and its drive method that can significantly reduce flickers caused when an electronic shutter is released at a high-speed at image pickup under fluorescent light illumination and to provide a camera system.例文帳に追加

５０［Ｈｚ］の交流電源地域では、１／１００［ｓｅｃ］よりも速い高速で電子シャッターを切ると、シャッタースピードが蛍光灯照明の周期よりも短くなるため、フリッカー軽減の効果が得られない。 - 特許庁

The solid-state image pickup device includes: a plurality of light sensing section 2s; a plurality of vertical transfer registers 3 configured to transfer signal charge of the light sensing sections 2 in the vertical direction; and a horizontal transfer register 4 configured to transfer the signal charge in the horizontal direction.例文帳に追加

複数の受光センサ部２と、受光センサ部２の信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタ３と、信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ４を有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a light-receiving portion 2 which serves as a pixel, and a waveguide 28 which is formed at a location, corresponding to the light-receiving portion 2 and which includes a clad layer 26 and a core layer 27 embedded with a refractive index distribution in the wave-guide direction.例文帳に追加

画素となる受光部２と、受光部２に対応する位置に形成され、クラッド層２６と導波方向に屈折率分布を持って埋め込まれたコア層２７とからなる導波路２８とを有する。 - 特許庁

To prevent the shift of Vth and to improve reliability in the transfer of charge or reset operation by preventing ultraviolet rays from being made incident on a non-shielded MONOS gate, concerning a solid-state image pickup device having sensitivity in an ultraviolet area.例文帳に追加

紫外線領域に感度を持つ固体撮像装置において、遮光されていないＭＯＮＯＳゲートに紫外線が入射するのを防いで、Ｖthがシフトを防止し、電荷の転送やリセット動作の信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device and a color shading compensation method which compensate color shading which occurs by that an incident light passes through a color filter which is equipped with an imaging element, and divides a light into a plurality of color components.例文帳に追加

撮像素子に備えられた複数の色成分に分光するカラーフィルタを入射光が透過することにより生じる色シェーディングを補正する固体撮像装置および色シェーディング補正方法を提供。 - 特許庁

To suppress the production of an artifact and the decrease in S/N due to deterioration in characteristic resulting from the crystallization of a-Se (amorophous Se), as to an imaging device equipped with a solid-state detector including a layer consisting principally of a-Se.例文帳に追加

ａ−Ｓｅを主成分とする層を含む固体検出器を備えた画像撮像装置において、ａ−Ｓｅの結晶化により特性が劣化して生じるアーティファクトの発生や、Ｓ／Ｎの低下を抑える。 - 特許庁

The solid-state imaging device further has a current control unit 112 which controls a current flowing to at least a portion of the first read circuit 120 when the first read circuit 120 reads out the signal.例文帳に追加

固体撮像装置は、更に、第１読み出し回路１２０が信号を読み出している時に第１読み出し回路１２０の少なくとも一部を流れる電流を制御する電流制御部１１２を備える。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device and a signal read method by which an output rate of preliminary reading of signal can be enhanced even when high image quality is attained through high density pixels and the preliminary signal reading can be attained without affecting on a regular image pickup.例文帳に追加

高画素で高画質化しても予備的な信号読出しの出力レートを改善し、本撮像に影響することなく行うことのできる固体撮像装置および信号読出し方法の提供。 - 特許庁

To solve a problem that a power consumption reduction effect is damaged if each of units is recovered in an arbitrary timing when partially stopping an imaging apparatus employing a solid-state imaging device between frames in order to reduce its power consumption.例文帳に追加

固体撮像素子を用いた撮像装置の消費電力を低減するために、フレーム間にて部分的に停止させる場合に、各部の復帰を任意のタイミングで行うと、消費電力の低減効果が損なわれる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that can use one shift register both as scanning for reading stored charge in pixels and that for sweeping stored charge, and can reduce the chip area and improve the operation yield.例文帳に追加

１つのシフトレジスタを画素の蓄積電荷読み出し用走査と画素の蓄積電荷掃き捨て用走査に兼用し、チップ面積の縮小と動作歩留まりの向上を可能にした固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide an element formation substrate for relaxing the concentration of stress by a trench that is an alignment mark, and to provide a semiconductor device, a backside irradiation solid-state imaging apparatus, a liquid crystal display, and each manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、アライメントマークであるトレンチによる応力集中を緩和する素子形成基板、半導体装置、裏面照射型固体撮像装置、液晶表示装置並びに各製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a CCD solid-state imaging device for improving smear due to oblique incident light at the peripheral section of the effective pixel of especially an imaging region even if a unit pixel cell is fined and highly integrated.例文帳に追加

本発明は、単位画素セルを微細化、高集積化しても、特に撮像領域の有効画素周辺部の斜め入射光によるスミアを改善できるＣＣＤ固体撮像素子を提供するものである。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes: a pixel section 22 in which a plurality of cells 12 are two-dimensionally arranged on a semiconductor substrate; and an exposure time control means 32 for controlling the exposure time for performing photoelectric conversion in photodiodes PD.例文帳に追加

固体撮像装置は、セル１２が半導体基板上に二次元的に配置された画素部２２と、フォトダイオードＰＤで光電変換する露光時間を制御する露光時間制御手段３２とを具備する。 - 特許庁