「solid-state imaging device」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

Only when it is discriminated the misalignment of the object is not caused between the respective frame images, the photographing is performed plural times at prescribed time intervals by an image pickup means provided with a solid-state imaging device 16, and the quantity of exposure to be controlled by an exposure control part 32 is changed every time the image is picked up.例文帳に追加

そして、各コマ画像間において被写体の位置ずれが生じないと判別されたときのみ、固体撮像素子１６を含む撮像手段により所定の時間間隔をもって複数回撮影させるとともに、露光制御部３２によって制御する露光量を各撮像ごとに変更させる。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition with which a pattern with a low refractive index, excellent film strength and few development defects can be formed at high resolution, a pattern forming material, as well as a photosensitive film using it, a pattern forming method, a pattern film, a low refractive index film, an antireflection film, an optical device and a solid state imaging element.例文帳に追加

本発明は、屈折率が低く、更には、膜強度に優れ、現像欠陥が少ないパターンを高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、反射防止膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The CCD-type solid-state imaging device of a honeycomb pixel array is so structured that a primary pixel line, with which an R pixel and a B pixel are abreast and a secondary pixel line adjacent to this, with which a G pixel is abreast share a primary vertical electric charge transmission path 2 adjacent to the primary pixel line and a secondary vertical electric charge transmission path adjacent to the secondary pixel line.例文帳に追加

ハニカム画素配列のＣＣＤ型固体撮像素子において、Ｒ画素とＢ画素が並ぶ第１画素列と、これに隣接するＧ画素が並ぶ第２画素列とが、第１画素列に隣接する第１垂直電荷転送路２と第２画素列に隣接する第２垂直電荷転送路とを共用する構成とする。 - 特許庁

Photoelectric conversion of an image signal of each pixel imaged in the same frame is confirmed, and various parameters such as a color correction coefficient of a color correction circuit 10, a gradation conversion characteristic by a gradation conversion circuit 11, and an LPF coefficient and a coring count of a coring circuit 12 are switched on the basis of the dynamic range of the solid-state imaging device 2.例文帳に追加

同一フレームで撮像された各画素の画像信号の光電変換を確認し、色補正回路１０の色補正係数や、階調変換回路１１の階調変換特性や、コアリング回路１２のＬＰＦ係数やコアリング計数などの各種パラメータを、固体撮像素子２のダイナミックレンジに基づいて切り換える。 - 特許庁

The solid state imaging device 1 has the structure in which an independent first conductive type region 9 separated from a photodiode 5 and a transistor, is provided in at least a part of two or more pixels 1a, and the independent first conductive type region 9 is so provided that this region 9 continues between adjacent pixels and arranged unevenly in each pixel.例文帳に追加

固体撮像装置１を、複数の画素１ａのうち、少なくとも一部において、フォトダイオード５及びトランジスタと分離された独立第１導電型領域９が設けられ、独立第１導電型領域９が、隣り合う画素間で連続して、かつ、各画素内では不均一に設けられた構成とする。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises an MOS transistor T2 having a source connected with the drain of a MOS transistor T1 having a transfer gate connected with a buried photodiode PD, a MOS transistor T5 having a gate connected with the drain of the MOS transistor T1, and a capacitor C connected with the source of the MOS transistor T5.例文帳に追加

埋込型フォトダイオードＰＤに接続された転送ゲートを備えたＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにソースが接続されたＭＯＳトランジスタＴ２と、ＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにゲートが接続されたＭＯＳトランジスタＴ５と、ＭＯＳトランジスタＴ５のソースに接続されたコンデンサＣと、を備える。 - 特許庁

This capsule type medical device is provided with the optical units 4 and 7 for respectively image-forming the image of the inside of the object on the light receiving surfaces of solid-state imaging elements 5 and 8, and the illumination substrates 19a and 19f where the openings for inserting the respective lens frames 4d and 7d of the optical units 4 and 7 are respectively formed.例文帳に追加

本発明にかかるカプセル型医療装置は、被検体内部の画像を固体撮像素子５，８の受光面にそれぞれ結像する光学ユニット４，７と、光学ユニット４，７の各レンズ枠４ｄ，７ｄを挿入する開口部がそれぞれ形成された照明基板１９ａ，１９ｆと、を備える。 - 特許庁

The solid-state imaging device 1 photoelectrically converts light from an object to be imaged incident into a rear surface S2 of the semiconductor substrate 10 in the semiconductor substrate 10 or in the semiconductor layer 20, and then receives signal charges generated by the photoelectric conversion by the light-receiving section 30 to image the object to be imaged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部または半導体層２０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した信号電荷を受光部３０で受けて上記被撮像体を撮像する。 - 特許庁

The solid-state imaging device 101 capable of reading all picture elements contains picture element arrays arranged in lines with multiple picture elements (photo diode 121(122)), each having two lines of vertical charge-coupled devices (vertical CCDs) 141, 142 (143, 144).例文帳に追加

全画素読み出し型の固体撮像素子１０１であって、複数の画素（フォトダイオード１２１（１２２））を配列した画素列が複数列に配列されていて、前記画素（フォトダイオード１２１（１２２））が１画素当たり２本の垂直電荷結合素子（垂直ＣＣＤ）１４１、１４２（１４３、１４４）を有することを特徴とする。 - 特許庁

A second conductive type semiconductor region 21 is buried in a part of the inside of a sensor 11 composed of a first conductive type semiconductor region 4, and a joining capacity is formed by the second conductive type semiconductor region 21 and the first conductive type semiconductor region 4 to constitute the solid-state imaging device.例文帳に追加

第１導電型の半導体領域４から成るセンサ部１１の内部の一部に、第２導電型の半導体領域２１が埋め込まれて形成され、この第２導電型の半導体領域２１と第１導電型の半導体領域４とにより接合容量が形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

In a solid state imaging device equipped with a multilayered charge transfer electrode, a multilayered polycrystalline silicon electrode is formed, a side wall insulating film is interposed between side walls, and a silicide film is formed in a self-aligned manner on the exposed surface of the polycrystalline silicon film coming up from the side wall insulating film.例文帳に追加

多層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子において、複数層の多結晶シリコン電極を形成し、これらの側壁に側壁絶縁膜を介在させ、側壁絶縁膜から露呈する多結晶シリコン膜表面に自己整合的にシリサイド膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

In the cassette for detecting radiation 1 where the radiation solid state detector 10 being an imaging device is arranged in the housing where a frame 13 is stuck in upper and lower shell halves 11 and 12, four corners of the detector 10 are held by leaf springs 41 and 42 stuck to the frame 13.例文帳に追加

上下シェルハーフ１１、１２内にフレーム１３が固着された筐体内に、撮像デバイスである放射線固体検出器１０と等が配置された放射線検出用カセッテ１において、放射線固体検出器１０の四隅を、フレーム１３に固着された板バネ４１および４２により挟持する。 - 特許庁

To provide an image data processing circuit and an image data processing method, capable of highly accurately determining a reference signal level equivalent to the black of images by suppressing the generation of line dependency or the like in dark current component signals included in image data outputted from a solid-state imaging device.例文帳に追加

固体撮像素子から出力される画像データに含まれる暗電流成分信号に、ライン依存性等が発生することを抑えることで、高い精度で画像の黒に相当する基準信号レベルを決定することが可能な画像データ処理回路および画像データ処理方法を提供すること。 - 特許庁

In the solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 403 is formed in a P^--type well region 402, a P^++-type hole storage region 407 is formed at a portion excluding the edge of the N-type photoelectric conversion region 403 and a P-type impurity region 430 is formed on a surface layer of the region including the edge.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域４０２内にＮ型光電変換領域４０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域４０３の端部を除く部分にＰ^++型正孔蓄積領域４０７を、当該端部を含む領域の表層部上にＰ型不純物領域４３０を形成する。 - 特許庁

A dummy period is provided which does not contribute to readout processing and writing processing by extending cycles of a horizontal synchronizing signal supplied to a drive control section 96 (12c) at the same rate with the magnification of electronic zooming when pixel information is read out of a solid-state imaging device 10 in a horizontal scanning direction and the read-out pixel information is written in a line buffer memory 312.例文帳に追加

水平走査方向に画素情報を固体撮像素子１０から読み出したり、読み出した画素情報をラインバッファメモリ３１２に書き込んだりする際に、電子ズームの倍率と同じ割合で駆動制御部９６（１２ｃ）へ供給される水平同期信号の周期を延長して、読出処理や書込処理に寄与しないダミー期間を設ける。 - 特許庁

Both of a rear group lens 112 and a focus lens 113 are rotated between a position on the optical axis and a retreat position close to a recessed part 104 beside a CCD solid-state imaging device 120, or between the position on the optical axis and a retreat position where a front group lens 111, the rear group lens 112 and the focus lens 113 are arranged on nearly the same plane.例文帳に追加

後群レンズ１１２とフォーカスレンズ１１３の双方を、光軸上の位置と、ＣＣＤ固体撮像素子１２０の脇の窪み部分１０４に入り込んだ退避位置との間、あるいは、光軸上の位置と、前群レンズ１１１、後群レンズ１１２、およびフォーカスレンズ１１３がほぼ一平面上に並んだ退避位置との間で旋回させる。 - 特許庁

A preamplifier section (column region section) 61 of a solid-state imaging device 10 is provided with a pixel signal control section 200 wherein a pixel signal detection section 210 independently detects the level of each pixel signal at the output side of pixel signal amplifier sections 230 and independently sets a gain to each of the pixel signal amplifier sections 230 in accordance with the level of the signal.例文帳に追加

固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁

To provide a duty correction circuit, delay locked loop (DLL) circuit, column A/D converter, solid-state imaging device and camera system in which one element is enabled to deal with both the cases where a duty ratio is greater and smaller than 50%, and not only the number of elements but also the number of times of switching can be reduced, thereby reducing current consumption.例文帳に追加

デューティ比が５０％より大きい場合も小さい場合も両方を一つの素子で対応が可能であり、素子数を削減できるだけではなく、スイッチング回数を削減することが可能で、消費電流を削減することができるデューティ補正回路、ＤＬＬ回路、カラムＡ／Ｄ変換器、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has: a first semiconductor region 23 of a first conductivity type; a photoelectric conversion unit PD having a second semiconductor region 25 of a second conductivity type that is formed in a region isolated by an element isolation region 28 in the first semiconductor region; and pixel transistors (Tr1 to Tr4) formed in the first semiconductor region.例文帳に追加

第１導電型の第１の半導体領域２３と、第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域２５を有する光電変換部ＰＤと、第１の半導体領域に形成された画素トランジスタ（Ｔｒ１〜）Ｔｒ４）を有する。 - 特許庁

To provide a preparation method of a color curable composition excellent in dispersibility and dispersion stability; and to provide a color curable composition obtained by the method, a method for producing a color filter having high color purity and reduced color unevenness, a color filter obtained by the production method, and a solid-state imaging device having high resolution.例文帳に追加

分散性、分散安定性に優れた着色硬化性組成物の調製方法を提供し、それによって得られた着色硬化性組成物を提供し、また、色純度が高く、色ムラ発生が抑えられたカラーフィルタの製造方法を提供し、それによって得られたカラーフィルタを提供し、さらに高解像度の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

A solid state imaging device includes: a transfer gate 32 transferring signal charges accumulated in the photon-to-current conversion part to the charge-to-voltage conversion part 26; wiring 42 for outputting a signal voltage generated in the charge-to-voltage conversion part 26; and a relay electrode 38 relaying electric connection between the charge-to-voltage conversion part 26 and the wiring 42.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、光電変換部に蓄積された信号電荷を電荷電圧変換部２６に転送する転送ゲート３２と、電荷電圧変換部２６で生成された信号電圧を出力するための配線４２と、電荷電圧変換部２６と配線４２との電気的な接続を中継する中継電極３８とを備える。 - 特許庁

The solid-state imaging device including a photoelectric conversion part (1) having a photodiode, a charge storage part (3), a charge transfer part (5), a first control gate part (2) provided between the photoelectric conversion part (1) and the charge storage part (3), and a second control gate part (4) provided between the charge storage part (3) and the charge transfer part (5), is constituted.例文帳に追加

フォトダイオードを有する光電変換部（１）と、電荷蓄積部（３）と、電荷転送部（５）と、その光電変換部（１）とその電荷蓄積部（３）との間に設けられた第１制御ゲート部（２）と、その電荷蓄積部（３）とその電荷転送部（５）との間に設けられた第２制御ゲート部（４）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

By converting an output voltage obtained from the floating diffusion of a solid-state imaging device into current signals, shifting a DC level by using the current signals, lowering the power supply voltage and outputting it from a drive circuit, the power supply voltage of the output buffer circuit is lowered and power consumption is reduced without lowering the conversion efficiency and the frequency characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子のフローティングディフュージョンから得られる出力電圧を電流信号に変換し、該電流信号を用いて直流レベルシフトして電源電圧を下げて駆動回路から出力することにより、変換効率や周波数特性を低下させることなく、出力バッファ回路の電源電圧を下げて消費電力を削減する。 - 特許庁

In a 2nd linear matrix compensation part 50 of the solid state imaging device 10, color shading compensation is made by subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to one side of red pixels from outputs of red pixels, and subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to blue pixels from outputs of blue pixels.例文帳に追加

固体撮像装置10は、第２のリニアマトリクス補正部50において、赤画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、赤画素の出力から減算し、青画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、青画素の出力から減算して色シェーディング補正する。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a highly sensitive and highly reliable solid state imaging element by flattening a surface without generating the deterioration of an yield while securing the degree of freedom in a process as it is, and improving the working accuracy of a photodiode unit even upon microfabrication, pixel increasing and enlarging, in an electric charge transfer device employing an electric charge transfer electrode of a single layer structure.例文帳に追加

単層構造の電荷転送電極を用いた電荷転送装置において、微細化、多画素化、大型化に際しても、工程の自由度を確保したままで歩留まり低下を生じることなく、表面の平坦化をはかり、フォトダイオード部の加工精度の向上をはかることにより、高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The drive circuit of the solid-state imaging device has a multinomial operation part (17) for carrying out a multinomial operation of a first order or more, an operation control part (16) for generating a variable of the multinomial to control the multinomial operation part, and a pulse generation part (14) for generating a pulse based on a multinomial operation result in the multinomial operation part.例文帳に追加

１次以上の多項式の演算を行う多項式演算部（１７）と、前記多項式の変数を発生し前記多項式演算部の演算を制御する演算制御部（１６）と、前記多項式演算部の多項式の演算結果を基にパルスを生成するパルス生成部（１４）とを有することを特徴とする固体撮像素子の駆動回路が提供される。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a plurality of light receiving portions 5 arranged on a substrate 10, a plurality of microlenses 50 arranged on the substrate 10 in correspondence with the light receiving portions 5, and a transparent film 60 formed on the microlense 50 and having a refractive index lower than that of the microlense 50 wherein the surface of the transparent film 60 has a curved surface shape.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、基板１０に配置された複数の受光部５と、受光部５に対応して基板１０上に配置された複数のマイクロレンズ５０と、マイクロレンズ５０上に形成され、マイクロレンズ５０よりも低い屈折率をもつ透明膜６０とを有し、透明膜６０の表面が、曲面形状をもつ。 - 特許庁

A solid-state imaging device includes: a pixel array unit having plural pixels arranged in a row direction and a column direction; a weighted addition unit performing weighted addition on pixel signals read out from the plural pixels as analog signals; an A/D converter performing A/D conversion of the pixel signals on which weighted addition is performed; and a computing unit computing the A/D converted pixel signals.例文帳に追加

個体撮像デバイスに、行方向および列方向に配列された複数の画素を有する画素アレイ部と、複数の画素から読み出された画素信号をアナログ信号として加重加算する加重加算部と、加重加算された画素信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部と、Ａ／Ｄ変換された画素信号を演算する演算部とを設ける。 - 特許庁

The thermal-type infrared solid-state imaging device 10 is equipped with a substrate 11 which has transistors, an insulating film 12 coating the substrate 11, a dead space 13 bored in the insulating film 12, and a heat detector 16 demarcated in a membrane section 14 above the dead space 13 in the insulating film 12 for infrared detection, along with the transistors.例文帳に追加

熱型赤外線固体撮像装置１０は、トランジスタが形成された基板１１と、基板１１上に形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２中に形成された空隙１３と、絶縁膜１２における空隙１３の上側のメンブレン部１４に形成され且つトランジスタと共に赤外線検出を行なうための熱検出部１６とを備える。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a LOG image sensor 11, an operational amplifier 12 which adjusts a dynamic range of an output signal of the sensor 11, an AD converter 13 for performing AD conversion of an output signal from the amplifier 12, a frame memory 15 which holds calibration data and an image processing unit 14 which generates image data and outputs it to a monitor.例文帳に追加

ＬＯＧイメージセンサ１１と、該センサ１１の出力信号のダイナミックレンジを調整するオペアンプ１２と、該アンプ１２からの出力信号をＡＤ変換するためのＡＤコンバータ１３と、キャリブレーションデータを保持するフレームメモリ１５と、画像データを生成してモニタに出力する画像処理器１４とを備えた固体撮像装置。 - 特許庁

To provide a color solid state imaging device of an XY address type for which color filters are Bayer-arrayed, in which G pixel signals based on the G pixel signal charges of respective rows are outputted from the same output circuit, and which is capable of easily rearranging pixel signals outputted from a multiplexer according to Bayer array at a low cost.例文帳に追加

色フィルタをベイヤー配列したＸＹアドレス型のカラー固体撮像装置にして各行のＧ画素信号電荷に基づくＧ画素信号が同じ出力回路から出力される固体撮像装置であって、マクチプレクサから出力される画素信号を、簡単安価にベイヤー配列に従って並べ変えることができるカラー固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The dummy output period is provided to secure a period in which interpolation processing is performed, and consequently readout processing for a pixel signal from the solid-state imaging device 10 and write processing to a line buffer memory 312, and horizontal interpolation processing in a horizontal interpolation processing part 314 and vertical interpolation processing in a vertical resolution conversion processing part 320 are performed simultaneously in parallel.例文帳に追加

ダミー出力期間を設けることで、補間処理を行なう期間を確保し、これにより、固体撮像素子１０からの画素信号の読出処理やラインバッファメモリ３１２への書込処理と水平補間処理部３１４における水平補間処理や垂直解像度変換処理部３２０における垂直補間処理とを同時並行的に実施する。 - 特許庁

To obtain a polymerizable composition for color filter, which suppresses illuminance dependency upon forming a color pattern even when exposure machines having different illuminance values are used, achieves excellent curability of a formed color pattern, and forms a rectangular pattern with superior resolution, to provide a color filter having high color separation property, and to provide a solid-state imaging device having high resolution.例文帳に追加

着色パターンを形成するに際して、照度の異なる露光機を用いても照度依存性を抑制することができ、形成された着色パターンの硬化性に優れ、解像度の優れた矩形のパターンを得ることができるカラーフィルタ用の重合性組成物を得ることであり、色分離性が良好なカラーフィルタ、および高解像度の固体撮像素子を得る。 - 特許庁

To solve the problems of the conventional technology such that at fixing an unit of a solid-state imaging device of CCD and CMOS or the like to an electronic camera by using TAB package technique, an extremely high accuracy of component machining is required, and that it is impossible to heat from the side of the camera for melting solder at the deep depth.例文帳に追加

ＣＣＤやＣＭＯＳ等の固体撮像素子ユニットをＴＡＢパッケージ技術を用いて電子カメラ等に固定する場合、極めて高い部品加工精度が要求され、また、奥行が深い場所にははんだを溶融させるための側面からの加熱が不可能等の従来技術の問題点を解消する手段を提供する。 - 特許庁

In the solid state imaging device, a foreign matter entry prevention member is interposed between the case and the lens holder.例文帳に追加

少なくとも、回路基板上に固体撮像素子が搭載され、前記回路基板上に雌ネジ部を有する筐体が前記固体撮像素子を覆うように搭載され、雄ネジ部を有し内部にレンズを具備するレンズホルダーが該筐体上部に螺合されてなる固体撮像装置において、前記筐体と前記レンズホルダーの間に異物侵入防止部材を挟持した固体撮像装置とする。 - 特許庁

The semiconductor imaging device comprises a silicon substrate 11, a sensor section 20 provided on the silicon substrate 11 while having a plurality of solid state image sensors pij and electrodes for outputting signal charges by performing photoelectric conversion of received light, and a color filter layer 26 provided on the sensor section 20 wherein the color filter layer contains infrared light absorbing pigment.例文帳に追加

シリコン基板１１と、受けた光を光電変換して信号電荷を出力するための複数の固体撮像素子ｐｉｊ及び電極を有してシリコン基板１１に設けられたセンサ部２０と、このセンサ部２０上に設けられたカラーフィルタ層２６とを備え、カラーフィルタ層は、赤外光吸収性の色素を含むものである。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a driving means for reading, in a first field output period, the signal charge of the field from a reading gate electrode VΦ1 to which a middle voltage has been applied in a horizontal effective period, thereby setting at a low level a gate electrode VΦ3 corresponding to a second field which has not been read in the first field output period.例文帳に追加

本固体撮像装置は、第１フィールド出力期間において、水平有効期間中にミドルレベル電圧が印加された読み出しゲート電極ＶΦ１から当該フィールドの信号電荷を読み出す駆動手段を備えることにより、第１フィールド出力期間において読み出されていない第２フィールドに対応するゲート電極ＶΦ３をローレベルにする。 - 特許庁

When a pixel addition mode is selected, a correction signal generation part 130 converts the position information stored in the defective pixel information holding part 140 so that the position information matches a pixel arrangement of the picked-up image signal obtained by the solid-state imaging device in the pixel addition mode, and outputs the correction timing of the defective pixel correcting part 160 on the basis of the converted position information.例文帳に追加

補正信号生成部１３０は、画素加算モードの選択時には、欠陥画素情報保持部１４０に記憶された位置情報を、画素加算モードでの固体撮像素子による撮像画像信号の画素配列に一致するように変換し、変換後の位置情報に基づいて欠陥画素補正部１６０の補正タイミングを出力する。 - 特許庁

To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加

半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a period when both exposure adjustments by a diaphragm and by gain control are not performed when performing automatic exposure adjustment by using both exposure adjustment by the diaphragm and exposure adjustment by the gain control of an electron multiplication type solid-state imaging device.例文帳に追加

この発明は、絞りによる露光調整と電子増倍型固体撮像素子のゲイン制御による露光調整とを併用して自動露光調整を行なう際、絞り及びゲイン制御による露光調整が共に行なわれなくなる期間が発生することを防止し得るカメラの露出制御装置及び露出制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the solid-state imaging device, the lower electrodes 113 and the contact wiring 111 are connected through openings provided in the light-shielding film 112 each corresponding to the contact wiring 111, and the light-shielding film 112 is formed in the entire region of the gaps between the adjacent lower electrodes 113 on the insulating film 110 except for the places of the openings.例文帳に追加

そして、固体撮像装置は、下部電極の１１３とコンタクト配線１１１とが、遮光膜１１２にそれぞれ対応して設けられた開口を介して接続されており、遮光膜１１２が、絶縁膜１１０上において、開口された箇所を除き、隣接する下部電極１１３間の隙間の全域に形成されている。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of photoelectric conversion regions adjoining in one direction of two-dimensional matrix, respectively, of which the threshold voltage of channel is controlled by the optical generation charge held by a modulation well, to output pixel signals corresponding to the optical generation charges.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、変調用ウェルに保持された前記光発生電荷によってチャネルの閾値電圧が制御され、前記光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

In a solid-state imaging device including a protection circuit connected to a terminal, there are included a first circuit connected between the terminal and a negative potential line for providing a negative voltage, a second circuit connecting a protection circuit between the terminal and a ground potential line and a third circuit forming a protection circuit between the ground potential line and another terminal.例文帳に追加

端子に接続する保護回路を有するものにあって、端子と負電圧を供給する負電位線との間に接続される第１の回路を有するとともに保護回路が端子とグランド電位線との間に接続される第２の回路を有し、グランド電位線と他の端子との間に保護回路をなす第３の回路を有する。 - 特許庁

The solid state imaging device comprising a semiconductor substrate, and a pixel region including a plurality of pixels having light receiving sections formed on the semiconductor substrate is further formed with first and second wiring layers 14 and 16 formed on the semiconductor substrate and having apertures corresponding to the light receiving sections, and an in-layer lens 18 arranged above the second wiring layer 16.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板に形成された受光部を有する画素を複数含む画素領域を備える固体撮像装置であって、半導体基板上に積層され受光部に対応する開口領域を有する第１および第２の配線層１４，１６と、第２の配線層１６の上方に形成された層内レンズ１８とを備える。 - 特許庁