「solid-state imaging device」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

In the third inspection process, the solid-state imaging device is inspected per predetermined range set in advance, and the number of peculiar pixels within each range is counted, and at the same time, the sum of brightness data of the individual peculiar pixels within each range is calculated as a defect level.例文帳に追加

第３検査工程では、予め設定されている所定範囲ごとに固体撮像素子の検査が行われ、この所定範囲内の特異画素の個数が計数されると同時に、この所定範囲内の各特異画素の輝度データの合計値が欠陥レベルとして算出される。 - 特許庁

The solid state imaging device is manufactured through a process of forming conductive layers 13, 14 containing the metallic element on the semiconductor substrate 6 to form the electrode 15 by patterning the conductive layers 13, 14, and another process of forming the nitride silicon film 16 on the surface of the electrode 15.例文帳に追加

また、半導体基体６上に金属元素を含む導電体層１３，１４を成膜し、この導電体層１３，１４をパターニングして電極１５を形成する工程と、この電極１５の表面に窒化珪素膜１６を形成する工程とを有して、上記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

The solid-state imaging device 14 has a light reception surface 14-1 tilted with respect to the surface of the circuit board 11, and is mounted on the surface of the circuit board 11 so that the light reception surface 14-1 is located at the position at which the return light from the document 12 forms an image by the SELFOC lens array 15a.例文帳に追加

固体撮像装置１４は、回路基板１１面に対して傾斜した受光面１４−１を有し、この受光面１４−１が、セルフォックレンズアレー１５ａによって原稿１２の反射光が結像される位置に配置されるように、回路基板１１の表面上に実装される。 - 特許庁

A defective pixel correction circuit 11 performs correction processing on a defective pixel included in a solid-state imaging device 1 equipped with a color filter 2 using a plurality of same-color pixels each being positioned within the range of two pixels from the defective pixel and corresponding to the same color as a corresponding color of the defective pixel.例文帳に追加

欠陥画素補正回路１１は、カラーフィルタ２を備えた固体撮像素子１に含まれる欠陥画素の補正処理を、欠陥画素から２画素分の範囲内に位置し且つ欠陥画素の対応色と同色に対応する同色画素を複数用いて行う。 - 特許庁

In the CCD solid-state imaging device, a read section 4 and an element separation section 7 in the unit pixel cell 2 are arranged while the position relationship is inverted between the left and right sides of an effective pixel region 9, and the read section 4 faces the peripheral side of the effective pixel region 9.例文帳に追加

本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、単位画素セル２における読み出し部４と素子分離部７が、有効画素領域９の左側と右側で位置関係を逆にして配置され、前記読み出し部４が有効画素領域９の周辺側を向いていることを特徴とする。 - 特許庁

The integration means integrates signal values outputted from pixels in an effective pixel region in a solid-state imaging device including color filters, for each of predetermined pixel columns disposed in a longitudinal direction of the effective pixel region and for each type of pixels determined according to an array method of color filters.例文帳に追加

積算手段は、カラーフィルタを有する固体撮像素子における有効画素領域の画素が出力する信号値を、有効画素領域の縦方向に並んだ所定の画素列毎に、かつカラーフィルタの配列方法により定められた画素の種類毎に積算する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device for improving the charge/voltage conversion efficiency, discharging the charge stored under a ring-like gate electrode to a substrate at a low voltage, and moreover, realizing a collective shutter.例文帳に追加

受光部の信号電荷を読み出し用の表面チャネルＭＯＳトランジスタの信号電荷蓄積部に転送するための転送用のゲート電極を設けてグローバルシャッタ機能を実現する従来素子では電荷のソースへの集中が行われないので、電荷から電圧への変換率が低い。 - 特許庁

In a solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 303 is formed in a P^-type well region 302, a light-blocking film 315 and a transparent conductive film 321 are formed on the N-type photoelectric conversion region 303 through a second interlayer insulation film 314.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁

The CCD solid-state imaging device 10 adopts the number of vertical transfer paths 14 thinned every other columns, high sensitivity pixels 16 with relatively higher sensitivity capable of sufficiently producing many signal electric charges even when the number of pixels is higher, and low sensitivity pixels 18 with relatively lower sensitivity for reading signal electric charges as information of the real pixels.例文帳に追加

CCD固体撮像素子10は、垂直転送路14の本数を一列おきに間引き、高感度画素16では相対的に感度を高くし高画素化しても信号電荷の十分な生成を可能にし、低感度画素18では相対的に低くした実画素の情報として信号電荷を読み出す。 - 特許庁

Accordingly, scraping of the nitride film 13 due to dry etching upon forming the electric charge transfer gate can be stopped by the oxide film 15 on the nitride film 13 whereby the solid state imaging device can be provided with the structure of the gate insulating film, in which faulty transfer or the like in transferring electric charge will hardly be occurred.例文帳に追加

そのため、電荷転送ゲート形成時のドライエッチングによる窒化膜１３の削れを、窒化膜１３上の酸化膜１５で止めることが可能となり、電荷転送時の転送不良等の発生しにくいゲート絶縁膜の構造を持った固体撮像素子を提供できる。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a plurality of pixels having photoelectric conversion elements 24, a ferroelectric film 28 which is formed on the respective photoelectric conversion elements 24 of the pixels with an insulating film 25 disposed therebetween and which is polarized, and a transparent electrode film 29 formed on the ferroelectric film 28.例文帳に追加

固体撮像装置は、光電変換素子２４を有する複数の画素と、各画素の光電変換素子２４上に、絶縁膜２５を介して形成された分極処理された強誘電体膜２８と、強誘電体膜２８上に形成された透明電極膜２９とを有する。 - 特許庁

An effective region setting means 1d sets an effective region to the image signal reading means 1e so that pixel signals of all pixels of the solid-state imaging device 1a are read out vertically or horizontally to the effective region and that there are excessive pixels in the other direction.例文帳に追加

有効領域設定手段１ｄが、有効領域の垂直または水平方向の一方が固体撮像素子１ａの全画素の画素信号を読み出し、他方の方向に余剰画素があるように画像信号読出手段１ｅに対して有効領域を設定する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that compares a reset signal of a VOB region with a ramp-wave reference signal (VREF), automatically sets a clamp enabling pulse timing period in 1H according to the comparison result of whether the reset signal is deviated from an input range of A-D conversion, and improves characteristics, particularly in a dark state such as the suppression of vertical stripes.例文帳に追加

ＶＯＢ領域のリセット信号とランプ波の参照信号（ＶＲＥＦ）とを比較し、リセット信号がＡＤ変換の入力レンジが外れたどうかの比較結果に応じて自動的に１Ｈ中のクランプイネーブルパルスタイミング期間を設定し、縦筋の抑制など、特に暗時における特性を改善させる固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for correcting smear of a CCD solid state image sensor in which overcorrection can be relaxed when a large smear is detected by suppressing horizontal noise of a smear signal extracted from a smear detection line and regulating the gain of the smear signal appropriately, and to provide an electronic apparatus comprising a CCD solid imaging device employing the smear correction method.例文帳に追加

本発明は、スミア検出ラインから抽出したスミア信号の水平方向のノイズを抑制し、さらにスミア信号に適度なゲイン調整を掛けることにより大きなスミアを検出した時の過補正を緩和できるようにしたＣＣＤ固体撮像素子のスミア補正方法及びこのスミア補正方法を用いたＣＣＤ固体撮像装置を備えた電子機器を提供するものである。 - 特許庁

The imaging apparatus comprises a timing controller which sequentially fetches outputs presented by pixels of an infrared solid-state imaging device into the frame memory and sequentially switching fetching cycles to a preset value, and flicker defect pixels are detected in a predetermined cycle based on a difference between an integration pixel output integrating the frame memory over a plurality of cycles and an average value of all pixel outputs.例文帳に追加

赤外線固体撮像素子の各画素が呈する出力を順次フレームメモリに取り込み、その取り込み周期をあらかじめ設定した値に順次切り替えるタイミングコントローラを備えて、フレームメモリを複数に亘り積分した積分画素出力と全画素出力の平均値との差分に基づいて、点滅欠陥画素を所定の周期で検出するようにした。 - 特許庁

To attain a solid-state imaging device 100 of a mounting structure wherein an imaging element chip 2 is sealed within a sealing package 1 with a hollow space provided above a microlens 8, and corrosion or the like of element wiring is avoided within the sealing package with an excellent moisture resistance and a high reliability even when moisture enters the interior of the sealing package.例文帳に追加

封止パッケージ１内に収容された撮像素子チップ２を、そのマイクロレンズ８上に中空空間を設けて封止する実装構造を有する固体撮像装置１００において、該封止パッケージ内部に水分侵入があった場合でも、該封止パッケージ内での素子配線の腐食等を招くことがなく、耐湿性に優れた信頼性の高い固体撮像装置を実現する。 - 特許庁

To provide a signal converting device that is suitably constituted as a solid-state imaging element including a floating diffusion amplifier formed of an FD region, assuring small capacity and higher charge-voltage converting efficiency as a signal charge detecting means; and to provide a method for manufacturing the same device ensuring higher productivity and manufacturing yield, and a signal measuring system using the same signal converting device.例文帳に追加

信号電荷検出手段として、容量が小さく、電荷−電圧変換効率の高いＦＤ領域からなるフローティングディフュージョン増幅器を備え、固体撮像素子などとして構成されるに好適な信号変換装置、及び生産性および製造歩留まりに優れたその製造方法、並びにその信号変換装置を用いた信号計測システムを提供すること。 - 特許庁

To provide a high-storage stability dispersion composition having a high dispersibility of titanium black and not undergoing titanium black settlement even after a lapse of time; and to provide a photosensitive composition which, when used in pattern formation, prevents residues in an unexposed area and has a high adhesion sensitivity, a light-shielding color filter of a high light-shielding property, a solid state imaging device, and a liquid display device.例文帳に追加

チタンブラックの分散性が高く、経時後もチタンブラックが沈降しない保存安定性の高い分散組成物を提供し、パターン形成したときに未露光部における残渣が抑制され、さらに密着感度が高い感光性組成物、遮光性の高い遮光性カラーフィルタ、固体撮像素子、及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A bias voltage is applied to a source of a MOS transistor of a CMOS circuit section being a component of the solid-state imaging device and destruction of the device is prevented by escaping signal electric charges supplied from the photoelectric conversion film and stored in the drain of the transistor to a substrate of the CMOS circuit section when the voltage applied to the drain of the transistor reaches a prescribed voltage.例文帳に追加

固体撮像素子を構成するCMOS回路部のMOSトランジスタのソースにバイアス電圧を印加し、前記ドレインに印加される電圧が所定の電圧に達したときに、前記光電変換膜から供給され、及び前記ドレインに蓄積された信号電荷を、前記CMOS回路部の基板へ逃がすことにより素子の破壊を防止する。 - 特許庁

In a solid-state imaging device wherein a plurality of unit pixels which convert incident lights into signal charges and output them as electric signals, and have a plurality of photodiodes formed being laminated in the direction of depth to convert the incident lights into electric signals are arranged, the an output signal corresponding to each signal charge and an output signal corresponding to a reset state are differentiated and outputted.例文帳に追加

入射光を信号電荷に変換し電気信号として出力する単位画素を複数配列し、該画素は深さ方向に重ねて形成された入射光を電気信号に変換するための複数のフォトダイオードを有する固体撮像装置において、信号電荷に対応した出力信号とリセット状態に対応した出力信号を差分処理して出力する。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a first substrate having a principal surface on which a photoelectric conversion element is arranged, a first wiring structure having a first joint including a conductor, a second substrate having a principal surface on which a part of the peripheral circuit is arranged, and a second wiring structure having a second joint including a conductor.例文帳に追加

固体撮像装置は、光電変換素子が主面に配された第１基板と、導電体を含む第１の接合部を有する第１配線構造と、周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、導電体を含む第２の接合部を有する第２配線構造と、を有する。 - 特許庁

To each pixel 100a of a solid-state imaging device 100, a shield line 7 held at a constant potential is formed at a side with a source line 6a of a pixel adjacent to the pixel in X direction to a first electrode 81a, a drain electrode 6c, and a drain of a field effect transistor 30.例文帳に追加

固体撮像装置１００の各画素１００ａには、第１電極８１ａ、ドレイン電極６ｃ、および電界効果型トランジスタ３０のドレインに対して、当該画素に対してＸ方向で隣接する画素のソース線６ａが位置する側に、定電位に保持されたシールド線７が形成されている。 - 特許庁

The signal processing part 200 comprises: an image generating section 7 which generates three image signals according to the amount of light entering each of the first, second and third transmission regions, on the basis of a signal output from the solid state imaging device 1; and a parallax estimation part 40 which estimates a parallax from the three image signals.例文帳に追加

信号処理部２００は、固体撮像素子１から出力される信号に基づいて第１、第２、および第３の透過領域の各々に入射する光の量に応じた３つの画像信号を生成する画像生成部７と、３つの画像信号から視差を推定する視差推定部４０とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the solid state imaging device comprises the forming process of the nitride film 13 on the surface of a semiconductor substrate 11, the forming process of a semiconductor film 14 on the nitride film 13, the forming process of an oxide film 15 by oxidizing the semiconductor film 14, and the forming process of an electric charge transfer gate electrode 18 on the oxide film 15.例文帳に追加

半導体基板１１の表面上に窒化膜１３を形成する工程と、窒化膜１３上に半導体膜１４を形成する工程と、半導体膜１４を酸化し酸化膜１５にする工程と、酸化膜１５上に電荷転送ゲート電極１８を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a charge transfer channel 4, and a transfer channel 14 arranged oppositely to a part of the transfer channel 4 while sandwiching an insulating film 33 wherein the transfer channel 14 has a metal portion 14a surrounded by polysilicon 14b through a film 14c for preventing the reaction of metal and polysilicon.例文帳に追加

電荷を転送する転送チャネル４と、絶縁膜３３を挟み転送チャネル４の一部分に対向して配置された転送電極１４とを備え、転送電極１４は、金属と多結晶シリコンとの反応を防止する反応防止膜１４ｃを介して金属部位１４ａが多結晶シリコン１４ｂに包囲されている。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a horizontal transfer part 10 for horizontally transferring the signal charge in response to application of driving pulses ϕH1 and ϕH2, and a sorting transfer part 20 having a plurality of photoelectric conversion parts 50 and an independent driving electrode in a row direction for controlling the readout of a signal electric field to a vertical transfer part 40.例文帳に追加

駆動パルスφＨ１及びφＨ２の印加に応じて信号電荷を水平方向に転送する水平転送部１０と、複数の光電変換部５０および垂直転送部４０への信号電界の読み出しを制御する列方向に独立の駆動電極とを有する振り分け転送部２０を備えている。 - 特許庁

In the solid state imaging device comprising a large number of photoelectric conversion elements, and a large number of microlenses formed above the large number of photoelectric conversion elements through no gap, the focal length of each of the large number of microlenses depends on the color detected by a photoelectric conversion element existing under each microlens.例文帳に追加

多数の光電変換素子と、多数の光電変換素子の上方にギャップレスで形成された多数のマイクロレンズとを有する固体撮像素子であって、多数のマイクロレンズの各々の焦点距離が、各々のマイクロレンズの下方にある光電変換素子の検出する色に応じて決まっている固体撮像素子。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

The solid state imaging device 10 photoelectrically converts light from a subject incident on a light incidence surface S1 (corresponding to the surface of a wiring layer 30) in the light receiving part 14 formed in the semiconductor substrate 12 to image the subject according to the magnitude of electric charges generated by the photoelectric conversion.例文帳に追加

固体撮像装置１０は、光入射面Ｓ１（配線層３０の表面に相当）に入射した被撮像体からの光を、半導体基板１２中に形成された受光部１４内で光電変換し、その光電変換により発生した電荷の量の大小によって上記被撮像体を撮像する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device with an excellent optical characteristics, together with a method for manufacturing it, wherein the characteristics of a micro lens and a color filter is not damaged even with a multilayer interconnection comprising a minuteness of element and additional function, the condensing effect with the micro lens is sufficiently exhibited while defectives such as color mixture of a color filter are settled.例文帳に追加

素子の微細化や機能付加による多層配線化によっても、マイクロレンズやカラーフィルタの特性を損なわず、マイクロレンズによる集光効果を十分発揮させると共に、カラーフィルタの混色などの不具合を解消して、優れた光学特性を備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

In a solid-state imaging device, when photographing is performed at a field angle having unused image regions in a horizontal pixel direction, output of electronic shutter pulse ΦSUB or vertical transfer pulse (ΦV1-ΦV4) is performed in an output position of horizontal transfer pulse ΦH corresponding to unused image regions, thereby improving the frame rate.例文帳に追加

水平画素方向に映像未使用領域を有する画角で撮影する際に、電子シャッタパルスΦＳＵＢや垂直転送パルス（ΦＶ１〜ΦＶ４）の出力を、映像未使用領域に対応する水平転送パルスΦＨの出力位置で行うことにより、フレームレートを向上することができる。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a first wiring layer 19 and a second wiring layer 22 each formed in a ring shape so as to trace the outline of the light-receiving region of a photodiode PD, and thereby all of the first wiring layer 19, the second wiring layer 22 and a third wiring layer 25 are arranged to surround an upper part of the photodiode PD.例文帳に追加

第１配線層１９、第２配線層２２のそれぞれを、ホトダイオードＰＤの受光領域の輪郭をなぞるようなリング形状に形成することによって、第１配線層１９、第２配線層２２、第３配線層２５の全てがホトダイオードＰＤ上部を取り囲むように配置する。 - 特許庁

A pixel part A of a solid-state imaging device comprises: a photo diode PD formed on a semiconductor substrate 101; a first insulating film 150 having a recess 117 on its upper portion above the photo diode PD; and a second insulating film 160 formed on the first insulating film 150 so as to fill the recess 117.例文帳に追加

固体撮像装置の画素部Ａは、半導体基板１０１に形成されたフォトダイオードＰＤと、該フォトダイオードＰＤの上側部分に凹部１１７を有する第１の絶縁膜１５０と、該第１の絶縁膜１５０の上に、凹部１１７を埋め込むように形成された第２の絶縁膜１６０とを有している。 - 特許庁

A back-illuminated CMOS solid-state imaging device includes: a pixel region 23 where a plurality of pixels 24 comprising a photoelectric conversion part PD and a pixel transistor Tr are arrayed; a light-shielding film 39 formed in the pixel region 23; and a planarization film 41 formed immediately above the light-shielding film 39.例文帳に追加

本発明は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒからなる複数の画素２４が配列された画素領域２３と、画素領域２３に形成された遮光膜３９と、遮光膜３９の直上に形成された平坦化膜４１とを有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes: a normal pixel 22 disposed in a pixel section capable of performing a global shutter, and including at least a photoelectric conversion part PD and a memory part 36 adjacent to the photoelectric conversion part PD; and a leak-light correcting pixel 24, disposed in the pixel section and correcting degradation of an image quality originated from leak light leaked into the memory part 36.例文帳に追加

グローバルシャッタが行える画素部内に配置され、少なくとも光電変換部ＰＤと、光電変換部ＰＤに隣接するメモリ部３６を含む通常画素２２と、画素部内に配置され、メモリ部３６への漏れ込み光による画質劣化を補正する漏れ込み光補正用画素２４とを有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes: a data holding part 22 holding operation setting data input from the outside; a collective-reflection part 23 collectively latching the operation setting data held in the data holding part 22 in synchronization with a reflection timing control signal, and outputting the latched operation setting data to a driving part; and a toggle check part 24 outputting the reflection timing control signal.例文帳に追加

外部から入力された動作設定データを保持するデータ保持部２２と、反映タイミング制御信号に同期してデータ保持部２２に保持された動作設定データを一括してラッチして駆動部に出力する一括反映部２３と、反映タイミング制御信号を出力するトグルチェック部２４とを備える。 - 特許庁

Moreover, the solid-state imaging device is manufactured by having a process of depositing the silicon nitride film 14 by a reduced pressure CVD (chemical vapor deposition) method by connecting with the transfer electrode or the buffer layer 11d and a process of depositing the refractory metal layer 13 on that to form the shunt wiring layer 7d.例文帳に追加

また、転送電極又は緩衝層１１ｄに接続して、減圧ＣＶＤ（化学的気相成長）法により窒化珪素膜１４を成膜する工程と、その上に高融点金属層１３を成膜してシャント配線層７ｄを形成する工程とを有して前記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition for forming a color layer, having little residue even when a pigment concentration is high and giving a good pattern feature, to provide a color filter formed of the radiation-sensitive composition for forming a color filter, and to provide a solid-state imaging device having the color filter.例文帳に追加

本発明は、顔料濃度が高くても残渣が少なく、且つ良好なパターン形状を得ることができる着色層形成用感放射線性組成物、該着色層形成用感放射線性組成物により形成するカラーフィルタおよび該カラーフィルタを具備する固体撮像素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with an image arraying unit for generating a pixel signal in accordance with incident light per pixel unit, a vertical transfer unit for reading out the pixel signal in the vertical direction of a pixel array, and a horizontal signal line for reading out the pixel signal by a vertical transfer unit in the horizontal direction.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、入射光に応じた画素信号を画素単位に生成する画素配列部と、これら画素信号を画素配列の垂直方向に読み出す垂直転送部と、垂直転送部を経由した画素信号を水平方向に読み出す水平信号線とを備える。 - 特許庁

The thickness of an insulating film 28, the width and thickness of a wiring 25, the length of the wiring 25 or the diameter of a bump portion 26 formed on the wiring 25 are formed so that the capacitance of a capacitor structure generated among a solid-state imaging device chip 20, the wiring 25 and bump portion 26 is less than a desired value.例文帳に追加

絶縁膜２８の厚み、または配線２５の線幅と厚み、または配線２５の長さ、または配線２５上に形成されるバンプ部２６の径を、固体撮像素子チップ２０と配線２５及びバンプ部２６との間に発生するコンデンサ構造の静電容量を所望の値以下とするように形成する。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a semiconductor member 101 wherein a light receiving part 102 is formed, a protection film 108 having hydrogen supply capability which is arranged above the semiconductor member 101, and at least two metal layers 105 and 107 which are arranged between the semiconductor member 101 and the protection film 108.例文帳に追加

固体撮像装置は、受光部１０２が形成された半導体部材１０１と、半導体部材１０１の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜１０８と、半導体部材１０１と保護膜１０８との間に配置された少なくとも２つの金属層１０５、１０７とを備える。 - 特許庁

The solid state imaging device 10 is equipped with photodiodes 11 which are two-dimensionally arranged, a vertical transfer CCD 12 which reads out signal charge from the photodiodes 11, and the horizontal transfer CCD 14 which receives the signal charge transferred from the vertical transfer CCD 12 and transfers it in a horizontal direction.例文帳に追加

固体撮像装置１０は、２次元状に配列されたフォトダイオード１１と、フォトダイオード１１から信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直転送ＣＣＤ１２と、垂直転送ＣＣＤ１２から転送された信号電荷を受け取って水平方向に転送する水平転送ＣＣＤ１４とを備えている。 - 特許庁

The camera main body 1 is constituted so that it has a structure in which a second rear cover 2 with the solid-state imaging device can be mounted in place of a first rear cover 3 for shading a silver salt film, either of the first and second rear covers is mounted to configure the camera, and exposure is possible within a range of prescribed photographing conditions.例文帳に追加

銀塩フィルムを遮光する第１の裏蓋３に代えて、固体撮像素子を搭載する第２の裏蓋２が装着可能な構造を有し、第１及び第２の裏蓋の一方を装着することによってカメラを構成し、所定の撮影条件の範囲内での露光を可能にするカメラ本体１である。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a semiconductor substrate 2 having a plurality of light receiving elements formed on its top surface, an infrared cutting filter layer 6 which is formed of an inorganic material to cover the light receiving elements and cuts infrared rays, and a color filter layer 7 which is formed to cover the top surface of the infrared cutting filter layer 6.例文帳に追加

固体撮像装置１は、表面に複数の受光素子が形成された半導体基板２と、無機材料によって、受光素子を覆うように形成され、赤外線をカットする赤外カットフィルタ層６と、赤外カットフィルタ層６の表面を覆うように形成されるカラーフィルタ層７とを備える。 - 特許庁