「solid-state imaging device」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of, adjoining in one direction of two-dimensional matrix, photoelectric conversion regions, respectively, to output pixel signals corresponding to optical generation charges held in a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

To provide a checking method for a solid-state imaging device by which the processing time required for a check can be shortened.例文帳に追加

第１，第２フィールドの２フィールド分の画素情報を用いて検査を行うと、画像処理時間が長くなることによってコスト、デリバリーに与える影響は非常に大きく、また、欠陥についての解析が遅くなることから、その解析結果を前工程へフィードバックする際のフィードバックもかけにくくなる。 - 特許庁

This solid-state imaging device is equipped with a photodiode 11, formed in the upper part of a silicon substrate 10 to perform optical conversion, a silicon oxide film 17 formed on the silicon substrate 10 so as to cover the photodiode 11, and a silicon nitride film 18 formed on the silicon oxide film 17.例文帳に追加

固体撮像素子は、シリコン基板１０における上部に形成された光電変換を行うフォトダイオード１１と、シリコン基板１０上に、フォトダイオード１１を覆うように形成されたシリコン酸化膜１７と、シリコン酸化膜１７の上に形成されたシリコン窒化膜１８とを備える。 - 特許庁

The solid state imaging device further comprises a transfer unit 6 which transfers the charges, that are transferred from the first vertical CCDs 1, to any one of the horizontal CCD 2 or the drain 7, and a drive control unit 15 which controls the transfer unit 6 to transfer the charges to any one of the horizontal CCD 2 or the drain 7.例文帳に追加

第１垂直ＣＣＤ１により転送された電荷を、水平ＣＣＤ２及びドレイン７のいずれかに転送する転送部６と、転送部６から水平ＣＣＤ２及びドレイン７のいずれに電荷が転送されるかを制御する駆動制御部１５とを更に備える。 - 特許庁

This solid state imaging device is provided with: a light receiving section 5 that is formed in a semiconductor substrate 4; a color filter layer 13 that is formed on the semiconductor substrate 4; and a lens 11 that is formed between the semiconductor substrate 4 and the color filter layer 13 to concentrate light to the light receiving section 5.例文帳に追加

この固体撮像装置は、半導体基板４に形成された受光部５と、半導体基板４上に形成されたカラーフィルタ層１３と、半導体基板４とカラーフィルタ層１３との間に形成され、受光部５に光を集光するためのレンズ１１とを備えている。 - 特許庁

The solid-state image pickup device 1 is in a back incidence type, photoelectrically converts light from a body to be imaged entering the back S2 in the semiconductor substrate 10 inside the semiconductor substrate 10, and receives charge generated by the photoelectric conversion using the light reception section 14 for imaging the body to be imaged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部１４で受けて当該被撮像体を撮像する。 - 特許庁

Basically, the electronic shutter mechanism of a CMOS solid-state imaging device is a rolling shutter having an exposure period shifted between pixel lines, and an exposure period of one pixel line is a period from a reading operation of the pixel line to a next reading operation of the pixel line.例文帳に追加

基本的にＣＭＯＳ固体撮像装置の電子シャッタ機能は、画素行間で露光期間がずれたローリングシャッタであり、１つの画素行の露光期間は、その画素行の読み出し動作が行われてから次にその画素行の読み出し動作が行われるまでの期間となる。 - 特許庁

The solid state imaging device of this embodiment comprises: a sample hold circuit 1 having a sampling transistor MT1 for sampling the output of the CCD and a capacitor C for holding sampled voltage; and a switching control unit 2 for controlling switching of the sampling transistor MT1.例文帳に追加

実施形態の固体撮像装置は、ＣＣＤの出力をサンプリングするサンプリング用トランジスタＭＴ１およびサンプリングされた電圧を保持するキャパシタＣを有するサンプルホールド回路１と、サンプリング用トランジスタＭＴ１のスイッチングを制御するスイッチング制御部２と、を備えている。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a signal reading circuit for outputting a first drive signal on receiving a judgment signal indicating that a signal at a black level is normal and outputting a second drive signal on receiving a judgment signal indicating that the signal at the black level is abnormal.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子は、黒レベルの信号が正常であることを示す判定信号を受けて第１の駆動信号を出力し、黒レベルの信号が異常であることを示す判定信号を受けて第２の駆動信号を出力する信号読み出し回路を有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes an electric charge storage region including an n-type intermediate impurity region 11 the depth of which is deeper than the depth of an n^+-type impurity region 12 of an n-type silicon substrate 8, and shallower than the depth of an n-type impurity region 10.例文帳に追加

この固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板８のｎ^＋型不純物領域１２の深さよりも大きく、かつ、ｎ型不純物領域１０の深さよりも小さい深さを有するｎ型中間不純物領域１１を含む電荷蓄積領域を備えている。 - 特許庁

For an image (progressive image) read from a solid-state imaging device 12 by a progressive system, in order to suppress a driving frequency in a post-stage configuration, reduction processing is applied while keeping the progressive image as it is in a resolution conversion processing section 25-1 that is a first-stage resolution conversion processing section.例文帳に追加

固体撮像素子１２からプログレッシブ方式で読み出された画像（プログレッシブ画像）に対しては、後段の構成の駆動周波数を抑制するために、プログレッシブ画像のまま、初段の解像度変換処理部である解像度変換処理部２５−１において縮小処理が施される。 - 特許庁

A solid-state imaging device 100 includes a plurality of pixel circuits 111 arranged in matrix, a plurality of vertical signal lines 103, a plurality of switching transistors 114, and a plurality of column amplifiers 115 connected to the vertical signal lines 103 via the switching transistors 114.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置１００は、行列状に配置された複数の画素回路１１１と、複数の垂直信号線１０３と、複数のスイッチトランジスタ１１４と、スイッチトランジスタ１１４を介して垂直信号線１０３に接続される複数の列増幅部１１５とを備える。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging device includes inorganic photoelectric conversion units PD1, PD2 having a pn junction and an organic photoelectric conversion unit 39 including an organic photoelectric conversion layer 36, which are laminated in the same pixel 20 in a depth direction from the light incident side and on which light is incident without passing through a color filter.例文帳に追加

さらに、同一の画素２０内で受光面側から深さ方向に積層されてカラーフルタを介さずに光が入射される、ｐｎ接合を有する無機光電変換部ＰＤ１、ＰＤ２及び有機光電変換膜３６を有する有機光電変換部３９を有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a pixel section where pixel sharing units are arranged in an array pattern, and transfer wires 35-38 that are connected with transfer gate electrodes of each transfer transistor on the pixel sharing units and are extended in a horizontal direction when viewed from above, while being arranged in parallel in a vertical direction.例文帳に追加

画素共有単位がアレイ状に配列された画素部と、画素共有単位の各転送トランジスタの転送ゲート電極に接続されて、上面から見て水平方向に延長しかつ垂直方向に並行して配列された転送配線３５〜３８を有する。 - 特許庁

This solid-state electronic imaging device includes a signal charge read control means to control reading of signal charge accumulated in photodiodes of a C-MOS sensor 40, wherein the signal charge accumulated in the photodiodes in odd-numbered rows is read in the row direction one row at a time to provide an odd-numbered row image 4.例文帳に追加

Ｃ−ＭＯＳセンサ４０のフォトダイオードに蓄積された信号電荷の読み出しを制御する信号電荷読み出し制御手段を備え、奇数行のフォトダイオードに蓄積された信号電荷は，１行ずつ行方向に読み出され，奇数行画像４が得られる。 - 特許庁

The solid-state imaging device 1 photoelectrically converts light from an object to be imaged, which is incident on a rear surface S2 (a second surface) of the semiconductor substrate 10, within the semiconductor substrate 10, and electrical charge generated by the photoelectric conversion is received by the receiver 20, which results in taking an image of the object to be imaged.例文帳に追加

固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２（第２面）に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部２０で受けて上記被撮像体を撮像するものである。 - 特許庁

In a solid-state imaging device wherein a first chip 2 wherein a plurality of pixels 4 are formed and a second chip 3 wherein a plurality of pixel driving circuits 11 for driving the pixels 4 are formed are laminated, exposure is started simultaneously for all the pixels and exposure is finished simultaneously for all the pixels.例文帳に追加

複数の画素４が形成された第１のチップ２と、画素４を駆動する複数の画素駆動回路１１が形成された第２のチップ３とが積層された構成の固体撮像装置において、全画素同時に露光を開始し、全画素同時に露光を終了する。 - 特許庁

A solid-state imaging device 20 performs control to reset a photo diode out of a storage period, to simultaneously cancel resetting of photo diodes of all pixels in a predetermined region when starting the accumulation period, and to read signal charges from the photo diodes of all the pixels in the predetermined region after the end of the accumulation period.例文帳に追加

固体撮像素子20は、蓄積期間外にフォトダイオードのリセットを行い、蓄積期間の開始時に所定領域の全画素のフォトダイオードのリセットを同時に解除し、蓄積期間の終了後に所定領域の全画素のフォトダイオードから信号電荷を読み出す制御を行う。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a first read circuit 120 which reads a signal from a pixel array, a signal holding unit 107 which holds the signal read out by the first read circuit 120, and a second read circuit 130 which reads out the signal held in the signal holding unit 107.例文帳に追加

固体撮像装置は、画素アレイから信号を読み出す第１読み出し回路１２０と、第１読み出し回路１２０によって読み出された信号を保持する信号保持部１０７と、信号保持部１０７に保持された信号を読み出す第２読み出し回路１３０とを備える。 - 特許庁

A plurality of pixel parts of the solid-state imaging device each include; a photodiode for generating charge of an amount corresponding to quantity of incident light, an FD region as a charge storing part for storing the charge, and a first transistor having a gate electrode electrically connected to the FD region.例文帳に追加

固体撮像装置の複数の画素部それぞれは、入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部としてのＦＤ領域と、ＦＤ領域と電気的に接続されたゲート電極を有する第１トランジスタと、を含む。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device capable of carrying out mode switching between still picture photographing in a full pixel read mode and animation recording in a pixel mixed read mode, wherein that higher quality for animation recording is attained by avoiding aliasing due to high frequency components of an optical image in excess of mixed pixel pitches.例文帳に追加

全画素読み出しモードの静止画撮影と画素混合読み出しモードの動画記録との切換えが可能な固体撮像装置において、混合画素ピッチを上回る光学像の高周波成分による折り返し歪みを生じないようにして動画記録を更に高品質にする。 - 特許庁

To provide a defective pixel processing apparatus and method which, when a correction processing of a defective pixel existing in a solid-state imaging device is performed, realize the setting of a correction position and its range so that a sense of incongruity of the appearance on a monitor screen decreases, thereby realizing prevention of deterioration in image quality.例文帳に追加

固体撮像素子に存在する欠陥画素の補正処理を行う場合において、モニタ画面上での見た目の違和感が少なくなるように補正位置とその範囲を設定して、画質の劣化を防止することができる欠陥画素処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A solid-state imaging device 100 is configured to include: a substrate 101; a photoelectric conversion part 10; a first impurity layer 51 having a carrier polarity of a second conductive type; a charge voltage conversion part; an amplifying part; and a second impurity layer 52 having a carrier polarity of a second conductive type.例文帳に追加

固体撮像装置１００を、基板１０１と、光電変換部１０と、キャリア極性が第２の導電型である第１不純物層５１と、電荷電圧変換部と、増幅部と、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層５２とを備える構成とする。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a pixel array 400 in which cells 150 each provided with at least one photodiode 101 are arranged in matrix, and a wiring such as power source lines 105 and vertical signal lines 106 which are arranged on the upper part of the pixel array 400.例文帳に追加

固体撮像装置は、少なくとも１つのフォトダイオード１０１が設けられたセル１５０が行列状に配置されてなる画素アレイ４００と、画素アレイ４００の上方に配置された電源線１０５および垂直信号線１０６などの配線とを備えている。 - 特許庁

A solid-state imaging device 20 includes: a photoelectric conversion element 21; a wire grid polarizer 30 provided on the photoelectric conversion element 21; and a conductive film 35 which electrically connects a conductive layer 24 provided on the photoelectric conversion element 21 and the wire grid polarizer 30.例文帳に追加

光電変換素子２１と、光電変換素子２１上に設けられたワイヤグリッド偏光子３０と、光電変換素子２１に設けられる導体層２４とワイヤグリッド偏光子３０とを電気的に接続する導体膜３５とを備える固体撮像装置２０を構成する。 - 特許庁

To provide a colored composition for a color filter excellent in high pigment dispersibility and its stability, to provide a color filter having high contrast and little residue on development and a method for producing the color filter, and to provide a liquid crystal display with good color property and a solid-state imaging device.例文帳に追加

高い顔料分散性とその安定性に優れたカラーフィルタ用着色組成物を提供し、高いコントラストを有し、現像で残渣の少ないカラーフィルタ、及び該カラーフィルタの製造方法を提供し、色特性の良好な液晶表示装置、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a CCD-type solid-state imaging device capable of reducing noises, such as dark current and white lines caused by a vertical CCD, capable of stopping the deterioration of smears and decreasing an electric field in the vicinity of the outside of a side surface of a reading electrode, without causing complexity related to manufacturing.例文帳に追加

製造上の煩雑さを伴うことなく、スミアを悪化させず、且つ、読出電極の側面外側の周辺部における電界を低下させ、暗電流および白線などの垂直ＣＣＤに起因するノイズの低減を図ることが可能なＣＣＤ型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A timing pulse 23 generated by a TG 15 is adjusted by a transmission timing adjusting section 31 for image signals to generate a transmission timing control pulse 27, and an image signal 22 stored in the temporary storage section 32 is transmitted to a display part 4 within a blanking term of a solid-state imaging device (CCD 2).例文帳に追加

ＴＧ１５で生成されるタイミングパルス２３を撮像信号の伝送タイミング調整部３１で調整して伝送タイミング調整パルス２７を生成し、固体撮像素子（ＣＣＤ２）のブランキング期間内に、一時記憶部３２に記憶されている撮像信号２２を表示部４に伝送させる。 - 特許庁

A position of the objective optical element 10 and a position of the solid-state imaging element 30 as a focal position are made fixed, and a rotation optical magnification device 20 located between those elements switches optical elements by rotation driving at a right angle to the optical axis of the objective optical element 10 to switch the focal distances.例文帳に追加

対物光学素子１０と焦点位置である固体撮像素子３０の位置を固定とし、両者間に設置した回転光学変倍器２０により、対物光学素子１０の光軸に直角な回転駆動で光学素子を入れ替えて焦点距離を切り替えるようにしている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which can be improved in the condensing efficiency by reducing a level difference between an effective pixel region including an inner-layer lens and the other light-blocked region while reducing the distance between the inner-layer lens and the light receiving surface of a photoelectric conversion element, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層内レンズと光電変換素子の受光面との距離の低減を図りながら、層内レンズを含めた有効画素領域とそれ以外の遮光された領域との段差を低減し、集光効率を高めることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

With respect to the method which sets a processing system for image information obtained form the solid-state imaging device, at least, one picked-up image data 1 is processed by a preliminarily prepared two-dimensional matrix operation library 2, and parameters of a two-dimensional matrix operation command are set on the basis of the processing result.例文帳に追加

固体撮像素子から得られる画像情報の処理方式を設定する方法であって、予め用意された２次元行列演算ライブラリ２により少なくとも１つの撮像画像データ１を処理し、処理結果に基づいて２次元行列演算コマンドのパラメータを設定する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and a method of manufacturing it, which is superior in controllability of space between lenses at microlens formation and obtains high effective sensitivity and proper color reproducibility, by suppressing the generation of lens non-forming part due to lens fusing and enhancing microlens formation stability.例文帳に追加

マイクロレンズ形成時のレンズ間スペースの制御性に優れ、またレンズ融着によるレンズ未形成部分の発生を抑え、マイクロレンズ形成安定性を高めることにより実効感度の高く、かつ、良好な色再現性が得られる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate that can reduce problems, such as occurrence of uneven peel of passivation film or watermark and impurity adsorption onto a Si substrate, thereby effectively preventing occurrence of white scratch defects due to dark current when making a solid state imaging device with the substrate.例文帳に追加

表面保護膜の剥離ムラやウォーターマークの発生、及びＳｉ基板への不純物吸着等の問題を抑制することにより、固体撮像装置を作製した場合に暗電流の白傷欠陥の発生を効果的に防止可能なエピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device constituted by arraying a plurality of pixels each having a photoelectric converting element formed on a semiconductor substrate and a color filter layer formed on the photoelectric converting element is characterized in that each color filter layer is formed thicker at the center part than at the peripheral part.例文帳に追加

半導体基板上に形成された光電変換素子と前記光電変換素子の上に形成されたカラーフィルタ層とを有する画素が、複数配列された固体撮像装置であって、前記カラーフィルタ層のそれぞれの膜厚は周辺部よりも中央部が厚く形成される。 - 特許庁

An object is irradiated with a specific wavelength wave of a wavelength corresponding to a specific wavelength in which the electromagnetic wave energy level is lower than that of other wavelengths, the specific wavelength wave reflected on the object is detected by a solid-state imaging device 314 and based on obtained detection information, information resulting from the specific wavelength wave is obtained.例文帳に追加

電磁波エネルギレベルが他の波長よりも低い特定波長と対応した波長の特定波長波を物体に照射し、物体で反射した特定波長波を固体撮像素子３１４で検知し、得られた検知情報に基づき特定波長波に由来する情報を取得する。 - 特許庁

The pixel of the amplification type solid-state imaging device has a first conductivity-type charge storage region for storing signal charge, a second conductivity-type semiconductor region adjacent to at least the back side of a semiconductor substrate out of the outer periphery of the charge storage region, and an amplifier.例文帳に追加

本発明の増幅型固体撮像素子の画素は、信号電荷を蓄積する第１導電型の電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域の外周の内、少なくとも半導体基板の裏面側に隣接する第２導電型の半導体領域と、増幅部とを有する。 - 特許庁

To improve an image processing speed, and realize concurrent operations in a screen, easiness in manufacturing process simultaneously with improvement in image quality, improvement of manufacturing yield, and suppression of current consumption for simultaneously driving all pixels or many pixels in a semiconductor module provided with a MOS solid-state imaging device.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置を備えた半導体モジュールにおいて、画像処理スピードの向上、画面内の同時性の実現、画質向上と同時に、製造プロセスの容易化、歩留り向上を図り、また全画素または多数画素を同時に駆動するときの消費電流の抑制を可能にする。 - 特許庁

To provide a method of driving a solid state imaging device capable of outputting a pixel signal having a high compression rate while suppressing deterioration of the S/N of the pixel signal and deterioration of resolution and image quality of an outline caused by a noise component such as smear with no increase in the number of terminals.例文帳に追加

端子数の増加を伴わずに、スミアなどノイズ成分に起因する画素信号のＳ／Ｎの悪化、並びに解像度および輪郭の画質劣化を抑制しつつ、高圧縮率の画素信号を出力することが可能な固体撮像素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which hardly causes the generation of a local potential barrier at a transfer channel, is enhanced in yield, improved in the withstand voltage of an insulating film between electrodes, and preventive in light leak-in caused by the local thinning of a light shielding film and the stepped-cut of metal wiring, and its manufacturing method.例文帳に追加

転送チャネルに局所ポテンシャルバリアが発生しにくく、歩留を向上させ、電極間の絶縁膜の耐圧を改善し、遮光膜の局所的薄膜化による光の洩れ込みや金属配線の段切れが防止できる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The MOS type solid state imaging device comprises a dummy counter circuit 5 being driven by a horizontal select circuit driving pulse and beginning to operate upon receiving the final output from the horizontal select circuit 3, and a pulse generation circuit 6 for generating vertical select circuit driving pulse using the output from the dummy counter circuit 5.例文帳に追加

水平選択回路駆動パルスによって駆動され水平選択回路部３の最終出力が入力となり動作し始めるダミーカウンタ回路５と、ダミーカウンタ回路５の出力を用いて垂直選択回路駆動パルスを生成するパルス生成回路６とを設ける。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of photodiode units 1, a plurality of vertical charge transmission units 2 for reading a signal charge and transmitting the same into the vertical direction, a plurality of light shielding films 5 having conductivity and a balancing unit for supplying transmission pulse through the light shielding films 5.例文帳に追加

複数のフォトダイオード部１と、信号電荷を読み出し、それを垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部２と、導電性を有する複数の遮光膜５と、遮光膜５を介して転送パルスを供給するバスライン部とを備える固体撮像装置を用いる。 - 特許庁

The solid-state imaging device further comprises a multilayer wiring layer 28 formed on the surface on the opposite side of a light incident side of the semiconductor substrate 22, a supporting substrate 41 composed of a semiconductor bonded to the surface on the multilayer wiring layer side, and a light reflection-preventing structure 51 formed on the bonding surface side of the supporting substrate 41.例文帳に追加

さらに、半導体基板２２の光入射側とは反対側の面上に形成された多層配線層２８と、多層配線層側の面に接合された半導体による支持基板４１と、支持基板４１の接合面側に形成された光の反射防止構造５１を有する。 - 特許庁

To provide a photocurable composition which has superior photocuring (thermosetting is unnecessary) and developability, superior in application property, uniformity of coating and liquid saving property and whose transmission factor is improved and to provide a component for LCD by using above component, a component for solid-state imaging device and a method for manufacturing them.例文帳に追加

優れた光硬化性（熱硬化が不要）と現像性を有し、塗布性、塗膜の均一性、省液性に優れ、しかも透過率が向上する、光硬化性組成物、それを用いたＬＣＤ用構成部品並びに固体撮像素子用構成部品及びそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a substrate (silicon substrate 1) having a light sensing part for each of pixels 10B, 10G and 10R; and one or more rod members (rod) 3 each made of a light transmissive material above the light sensing part for each of the pixels 10B, 10G and 10R.例文帳に追加

画素１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒ毎に受光部を有する基体（シリコン基板）１と、各画素１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒの受光部の上方にそれぞれ１本以上設けられ、光を透過する材料から成る、棒状の部材（ロッド）３とを備えている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁