「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(181ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an optical fiber connecting structure with which the positioning of an end surface of an optical fiber and an incident and exit surface of an optical semiconductor element can be performed easily with satisfactory accuracy at the time of optical connection of the optical fiber and the optical semiconductor, the flexibility of design is high and a manufacturing cost is reduced.例文帳に追加

本発明は、光ファイバと光半導体素子との光学的な接続にあたって、光ファイバの端面と光半導体素子の入・出射面との位置合わせを簡便に、且つ精度良く行なうことができると共に、設計の自由度が高く、製造コストを低減した光ファイバ接続構造を提供することにある。 - 特許庁

The method for manufacturing the element includes a process, in which a plurality of ferroelectric capacitors are formed on the semiconductor substrate on which the lower-part interlayer film has been formed, and after the hydrogen preventing spacer is formed on the side wall of the ferroelectric capacitor, the upper-part interlayer film and a plurality of plate lines are formed on the resultant structure.例文帳に追加

この素子の製造方法は下部層間絶縁膜が形成された半導体基板上に複数の強誘電体キャパシタを形成し、強誘電体キャパシタの側壁に水素防止スペーサを形成した後に、その結果物上に上部層間絶縁膜及び複数のプレートラインを形成する段階を含む。 - 特許庁

To simplify the structure of an automatic transmission by integrating a shift actuator with a valve body to control a friction engagement element, while it can cut out the need to install an oil pump for the shift actuator and an oil pressure pipe etc. that connect the oil pump to the shift actuator on the outside of a transmission case.例文帳に追加

この発明は、シフトアクチュエータ用のオイルポンプ及び、オイルポンプとシフトアクチュエータの間を連絡する油圧配管等を変速機ケースの外側に設ける必要をなくすことができるとともに、摩擦係合要素を制御するバルブボディにシフトアクチュエータを統合して自動変速機の構造を簡素化することにある。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element which can have a saturation magnetic field (Hs), a spin flop magnetic field (Hsf), and antiferromagnetic coupling energy (J_A) within proper ranges and also has superior heat resistance, especially, without varying the film thickness of a nonmagnetic intermediate layer forming a laminated ferrimagnetic structure.例文帳に追加

特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

Otherwise, a light emitting element is formed between a laminate composed of a single unit or a plurality of units, with a lamination structure of a metal layer and organic compound layer as a single unit, and an inorganic compound layer which a visible light penetrates with inorganic compound layer so formed as to cover the end surface of the laminate.例文帳に追加

又は、金属層と有機化合物層との積層構造を一単位としてその一単位又は複数単位から成る積層体と、可視光を透過する無機化合物層との間に発光素子が形成され、無機化合物層は当該積層体の端面を被覆するように形成される構成となる。 - 特許庁

To provide a reflection type electrooptical device securely preventing that incident light from a gap of a light reflecting layer reaches a pixel switching element, without using a complicated structure, and to provide a projection type display device with the reflection type electrooptical device and a manufacturing method of the reflection type electrooptical device.例文帳に追加

複雑な構造を用いなくても、光反射層の隙間から入射した光が画素スイッチング素子に到達することを確実に防止可能な反射型電気光学装置、この反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置、および反射型電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This detector has a constitution capable of stable and accurate temperature measurement against a sudden temperature change of the sensor ambient temperature, by adopting a double structure wherein the TO-18 type thermopile infrared sensor formed by arranging a thermopile element and a thermistor is packaged and stored in the metal can case having the maximum sectional area of 155.4 square millimeter or less.例文帳に追加

サーモパイル素子及びサーミスタを配置したＴＯ−１８型サーモパイル赤外線センサを最大断面積１５５．５４平方ミリメートル以下の金属ＣＡＮケースにパッケージ収容される二重構造とし、センサ周囲温度の急激な温度変化に対して安定且つ正確な温度計測が行える構成となっている。 - 特許庁

The optical element for polarizing light comprises a substrate with a main surface which includes a 1st axis and has periodical ruggedness in the direction of the 1st axis, and a lamination structure body which is arranged on the main surface and alternately laminates a 1st dielectric layer and a 2nd dielectric layer differing from the 1st dielectric layer in the refractive index.例文帳に追加

光を偏光させる光学素子が、第１軸を含み、第１軸方向に周期的な凹凸を有する主表面を備えた基板と、主表面上に設けられ、第１誘電体層と、該第１誘電体層とは屈折率の異なる第２誘電体層とが交互に積層された積層構造体とを含む。 - 特許庁

The second isolation region 132 includes a trench 132a and a caulk 132b embedded in the trench 132a, and the structure caulk 132b is formed with an insulating film, thereby reducing an occupied area of the isolation region (second isolation region 132) on a surface of the n-type semiconductor layer where an element region is formed.例文帳に追加

第２分離領域１３２は、トレンチ１３２ａとトレンチ１３２ａに埋め込まれた充填材１３２ｂを有し、構造充填材１３２ｂを絶縁膜とすることで、素子領域が形成されるｎ−型半導体層表面の分離領域（第２分離領域１３２）の占有面積を縮小できる。 - 特許庁

To provide an inter-layer connection via structure with small signal distortion which is used to connect coplanar transmission lines isolated with a thick insulating film to each other, or to connect the electrode of an active element such as a signal generator or receiver right above a substrate and a coplanar transmission line on the thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜で隔たれたコプレーナ伝送線路同士を接続する場合、あるいは、基板直上の信号発生器または受信器などの能動素子の電極と厚い絶縁膜上のコプレーナ伝送線路を接続する場合に用いる信号の歪みの少ない層間接続ビア構造を提供すること。 - 特許庁

It is understood that maximum transmittance is changed when a combination of an electrode width L and a distance S between electrodes is changed, and a driving voltage which is a voltage to produce the maximum transmittance is changed, from the result of a simulation of a V-T curve indicating a relationship of transmittance and voltage-transmittance of the FFS structure liquid crystal display element.例文帳に追加

ＦＦＳ構造の液晶表示素子の透過率、電圧−透過率の関係であるＶ−Ｔカーブのシミュレーションの結果から、電極幅Ｌ、電極間隔Ｓの組合せを変えると、最大透過率が変化し、最大透過率を与える電圧である駆動電圧が変化することがわかる。 - 特許庁

The interface of a bus master element 31 and bus slave elements 32-1 to 32-n connected to the fast bus system of a serial structure where one of buses 34 and 35 is terminated and the other is unterminated, is provided with a current mode driving driver circuit operating by differentiation and/or a differential amplification receiver circuit.例文帳に追加

バス３４，３５の一方が終端され、他方が無終端されたシリアル構造の高速バスシステムに接続されているバスマスタ素子３１とバススレーブ素子３２−１〜３２−ｎのインターフェイス部に、差動で動作する電流モード駆動型のドライバ回路及び／または差動増幅型のレシーバ回路を設けることを特徴としている。 - 特許庁

By providing a block body 4 of spring structure which can be contracted and angularly corrected and a heater 2 as a heat source at a pressurizing head 1, a semiconductor element 5 is stably jointed with the circuit board 8, and the batch processing of a plurality of the semiconductors is achieved so s to improve productivity.例文帳に追加

加圧ヘッド１に収縮及び角度補正が可能なばね構造のブロック体４と熱源としてのヒータ２を設けた構成とすることにより、半導体素子５と回路基板８の安定した接合を実現し、また複数のフリップチップ実装の一括処理を可能にし、生産性を向上するようにした。 - 特許庁

In the magnetoresistance effect element wherein the magnetoresistance effect film is exposed to the ABS surface, shields 30a and 30b consisting of a soft magnetism film for shielding a side truck are arranged by sandwiching a first free layer 14a that constitutes laminated ferri-structure, an antiferromagnetism combining layer 15 and a second free layer 14b.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜がABS面に露出した磁気抵抗効果素子において、サイドトラックシールドを目的とした軟磁性膜からなるシールド部３０ａ、３０ｂが、積層フェリ構造を構成する第１のフリー層１４ａ、反強磁性結合層１５および第２のフリー層１４ｂを挟んで配置されている。 - 特許庁

An evaluation element 100, which evaluates the contact resistance dispersion within a flash memory 300's cell formed on a silicon wafer W, has a hole chain 20 containing a plurality of units, having a structure similar to a contact region in the cell to evaluate a resistance value between a first and second electrode pads 2a and 2b.例文帳に追加

シリコンウエーハＷ上に形成されるフラッシュメモリ３００のセル内におけるコンタクト抵抗のばらつきを評価するための評価素子１００であって、セル内のコンタクト部位と同じような構造を持ったユニットを複数個含むホールチェーン２０を備え、第１、第２の電極パッド２ａ，２ｂ間の抵抗値を測定する。 - 特許庁

In this power distribution structure especially adapted for operating the movable elements of the aircraft such as a landing device or a high lift element in order, the movable elements are operated by an electro-mechanical actuators to which the power is supplied in order from a power supplied by at least one power bus of the aircraft.例文帳に追加

ドア、着陸装置又はハイリフト要素等の航空機可動要素を順に作動させるために特別に適応させられる電力分配構造において、可動要素は、航空機の少なくとも１つの電力バスにより供給される電力から順に動力供給された電気機械式アクチュエータにより作動させられる。 - 特許庁

The insulating layer 21 having the above chemical structure can allow a frequency temperature coefficient of the surface acoustic wave element to approximate to zero within a range of a thin film thickness of the insulating layer 21, irrespective of the material of the piezoelectric substrate 12, compared to the conventional case that a silicon dioxide film is used as an insulating layer.例文帳に追加

上記の化学構造を有する絶縁層２１により、従来、絶縁層として二酸化ケイ素膜を用いたときに比べて、前記圧電性基板１２の材質にかかわらず、前記絶縁層２１を薄い膜厚の範囲内で、弾性表面波素子の周波数温度係数を０に効果的に近づけることが出来る。 - 特許庁

To provide a non-linear element, and an electro-optical device that uses the same, of which the resistance of the lower electrode is reduced and symmetry is improved, in both the positive and negative directions of the current-voltage non-linear characteristics, in a structure where the lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are stacked, in this order.例文帳に追加

下電極、絶縁層および上電極をこの順に積層した構造において下電極の抵抗を低減でき、かつ、電流−電圧の非線形特性における正負の双方向の対称性を向上可能な非線形素子、およびこの非線形素子を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed on a prescribed channel region 13 on a substrate 11 of a monocrystal Si enclosed with an element isolation oxide film 12 via a gate oxide film 14 of a combination structure, and a source/ drain diffusion layer 16 is formed away from the channel region 13 on the both-side substrates 11.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた単結晶Ｓｉの基板１１上における所定のチャネル領域１３上には組み合わせ構成のゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５が形成され、その両側の基板１１上にはチャネル領域１３を隔ててソース／ドレイン拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

A crystal resonator 1 has a structure wherein a crystal resonator element 4 is contained in a recessed part formed by a base substrate 2 formed by laminating a sheet insulation material such as a ceramic sheet and a frame wall 3 arranged along the outer circumference of an upper side of the base substrate 2 and sealed by a cover 5.例文帳に追加

水晶振動子１は、セラミックシートなどのシート状の絶縁材料を積層することにより形成したベース基板２と、該ベース基板２の上面の外周に沿って配置した枠壁３とにより形成された凹所内に、水晶振動素子４を収容して蓋５により封止した構造を備えている。 - 特許庁

The group III-V nitride-based semiconductor light emitting element includes a laminate structure composed by laminating a plurality of single-crystal semiconductor growth layers each formed of at least one of group III-V nitride-based compound semiconductor material on a substrate formed of a constituent material other than the group III-V nitride-based material.例文帳に追加

III−Ｖ族窒化物系半導体発光素子は、III−Ｖ族窒化物系の少なくとも１種類の化合物半導体材料からなる複数の単結晶半導体成長層が該III−Ｖ族窒化物系以外の構成材料からなる基板の上に積層されて構成されている積層構造体を備えている。 - 特許庁

An allyl ester compound having a specific structure is reacted with a compound represented by formula (2): HO-Z-COR^7 in the presence of a transition element compound to give an allyl group-containing compound represented by formula (3) and the double bond part of the compound is reduced to give the ether compound represented by formula (4).例文帳に追加

遷移元素化合物の存在下、特定の構造を持つアリルエステル化合物と、下記式（２） ＨＯ−Ｚ−ＣＯＲ^7 （２）で表される化合物とを反応させて、下記式（３）で表されるアリル基含有化合物を得、この二重結合部位を還元して下記式（４）で表されるエーテル化合物を得る。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor that can be selectively etched, can adopt an HBT layer structure containing a semiconductor material with improved adhesion with a mask pattern, forms a guard ring with improved reproducibility without losing the easiness of a guard ring formation process, and has the improved reproducibility of HBT element characteristics, and its manufacturing method.例文帳に追加

選択エッチング可能であり、マスクパターンとの密着性の良好な半導体材料を含むＨＢＴ層構造を採用し、ガードリング形成工程の容易さを損なうことなくガードリングを再現性よく形成し、ＨＢＴ素子特性の再現性が良好なヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその作製方法を提供すること。 - 特許庁

In the base substrate for surface mounting, having a plane electrode as an external terminal which conducts between the internal and external sides of a sealed vessel for housing a piezoelectric element plate, the plane electrode is thickened by a laminate structure with metallization or addition of silver solder.例文帳に追加

課題を解決するために本発明は、圧電素板を収納する密閉容器で該密閉容器の内外に導通する電極を外部端子として面電極を備えた表面実装用のベース基板において、該面電極にはメタライズあるいは銀ロウを付加して積層構造で電極の厚みを厚くすることにより課題を解決する。 - 特許庁

The circuit comprises the plurality of LEDs connected to a hybrid serial and parallel structure, a current regulation element connected to the primary chain of a plurality of LED chains, and a current regulation circuit comprising a plurality of current mirroring elements connected to the remainder of the plurality of LED chains respectively.例文帳に追加

本回路は、ハイブリッド直並列構成に接続されている複数のＬＥＤと、複数のＬＥＤチェーンの第１のチェーンに接続されている電流調整素子、及び上記複数のＬＥＤチェーンの残余にそれぞれ接続されている複数のカレントミラーリング素子を含む電流調整回路とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor element includes: a step for forming a diffusion prevention film in a laminated structure including at least a first metal film 22A and a metal silicide film 22C containing nitrogen on a first conductive layer 21; and a step for forming a second conductive layer 23 on the diffusion prevention film.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子の製造方法は、第１導電層（２１）上に、少なくとも第１金属膜（２２Ａ）および窒素含有の金属シリサイド膜（２２Ｃ）を含む積層構造で拡散防止膜を形成するステップと、該拡散防止膜上に第２導電層（２３）を形成するステップとを含む。 - 特許庁

With an organic EL element with an anode, at least one layer of an organic layer and a cathode laminated in this order on a substrate, the organic layer includes O,O'-dihydroxyazo metal complex having a particular chemical structure as a light-emitting substance.例文帳に追加

基板上に陽極、少なくとも１層の有機層および陰極がこの順で積層された有機ＥＬ素子であって、前記有機層が、発光物質として、特定の化学構造を有するＯ，Ｏ’−ジヒドロキシアゾ金属錯体を含有することを特徴とする有機ＥＬ素子により、上記課題を解決する。 - 特許庁

This dopant containes an emission layer 5 of the organic electroluminescent element and its molecular structure comprises No.1 part and No.2 part as shown below and the No.1 part has a lower excitation energy then that of the No.2 part.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の発光層５にホスト化合物とともに含有させるドーパント化合物であり、その分子構造が、以下に示す（化１）のように、第１の分子パートと第２の分子パートからなり、かつ第１の分子パートが第２の分子パートより低い励起エネルギーを有する分子パートであることを特徴としている。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

To simplify manufacturing processes and reduce cost, regarding a wiring device and a wiring structure, where an outer connection electrode and wiring are formed on a board (or a semiconductor element), or an outer connection electrode and wiring are installed, and regarding a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は基板（または半導体素子）上に外部接続電極及び配線を配設する、或いは外部接続電極及び配線を有した配線装置及び配線構造及び半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、製造工程の簡略化及びコスト低減を図ることを課題とする。 - 特許庁

The second light-emitting element 220 has a structure including a light-emitting layer 222 between a second anode 221 and a second cathode 223.例文帳に追加

基板２００上に第１の発光素子２１０と第２の発光素子２２０が直列に積層されており、第１の発光素子２１０は、第１の陽極２１１と第１の陰極２１３の間に発光層２１２を有する構造であり、第２の発光素子２２０は、第２の陽極２２１と第２の陰極２２３の間に発光層２２２を有する構造である。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element is characterized in that a nitride semiconductor laminated structure including an n type nitride semiconductor layer (3), a nitride semiconductor light emitting layer (4) and a p type nitride semiconductor layer (5) which are sequentially laminated, a warpage prevention layer (9) and a support substrate (11), are joined in this order.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、順次積層されたｎ型窒化物半導体層（３）、窒化物半導体発光層（４）、およびｐ型窒化物半導体層（５）を含む窒化物半導体積層構造と、反り防止層（９）と、支持基板（１１）とがこの順に接合されていることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a light-emitting device that has a structure, in which multiple photodetection elements each independently detecting a light beam emitted from one of multiple light-emitting elements are integrated into a package, and that can prevent the reduction in detection accuracy of each photodetection element resulting from leak current between the photodetection elements.例文帳に追加

複数個の発光素子それぞれから放射される光を１対１で各別に検出する複数の光検出素子がパッケージに一体に形成された構成を有し、光検出素子間のリーク電流に起因して各光検出素子の検出精度が低下するのを防止することができる発光装置を提供する。 - 特許庁

The light emitting element 12 has a structure of a lower clad layer 18, an active layer 20 acting as a waveguide and an upper clad layer 22 laminated on a substrate 16 and has an emitting plane 12a, formed by cleaving and a reflective plane 12b formed parallel to the emitting plane 12a by cleaving.例文帳に追加

発光素子１２は、基板１６上に、下側クラッド層１８、導波路として作用する活性層２０、上側クラッド層２２が順次積層された構造となっており、劈開によって形成された出射面１２ａと、同じく劈開によって形成され、出射面１２ａと平行な反射面１２ｂとを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of suppressing deterioration due to temperature rise suitably by enhancing heat dissipation from the laser outgoing side end face while having such a structure as provided with a coating film for protecting that end face and capable of designing reflectivity of that end face easily to an appropriate value, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

レーザ出射側の素子端面を保護するコーティング膜を有し、同端面の反射率を容易に適宜の値に設計し得る構造でありながら、同端面の放熱性を高めて、素子温度の上昇に起因する素子劣化を好適に抑制することのできる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to prevent omission of the mixture with the conductive carbon graphite particles and filling resistance particles, the electrodes are preferably provided at the front of both the ends of the container made of a high molecular compound and also separated to each other in the leakage oil sensing element with the cylindrical container having a structure with both the ends closed.例文帳に追加

そして、充填した電導性カーボングラファイト粒子及び抵抗体粒子の混合物の脱落を防ぐため、円筒型容器の両端は閉じた構造の漏油検出端において、電極は、高分子化合物からなる円筒型容器の、両端手前に設置され、分離されていることが好ましい。 - 特許庁

For example, the rotation detection device is constituted of the sensor chip 11 provided with the magnetoresistive element pairs 11a, and 11b; the lead frame 12; bias magnet 14; the plastic resin cap 15; the metal terminals T1-T3 etc.; and the housing 20 formed with the plastic resin housing the structure as the sensor body.例文帳に追加

センサ装置の一例として、この回転検出装置は、磁気抵抗素子対１１ａおよび１１ｂを備えるセンサチップ１１、リードフレーム１２、バイアス磁石１４、樹脂キャップ１５、金属ターミナルＴ１〜Ｔ３等々、センサ本体としての構造体が、樹脂成形されるハウジング部２０によって一体に把持される構造をとる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing the capacitor of a semiconductor element wherein degree of crystallinity and diameter of crystal grain of a ferroelectric film are made uniform, and data storage ability of the ferroelectric film is increased, in the manufacturing process of a capacitor in the structure of a metal film as a lower electrode, a ferroelectric film, and a metal film as an upper electrode.例文帳に追加

下部電極としての金属膜−強誘電体膜−上部電極としての金属膜からなるキャパシタの製造工程に当たり、強誘電体膜の結晶化度及び結晶粒径を均一にして強誘電体膜のデータ保存能を高める半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuse of a novel structure for regulating a sticking position of a low melting-point metal with high precision at an element part where the surface of a wide part is extended and exposed around a stuck low melting-point metal, and for suppressing spread of the low melting-point metal on the surface of the wide part.例文帳に追加

付着された低融点金属の周りに幅広部の表面が広がって露出したエレメント部において、低融点金属の付着位置を高精度に規定することが出来ると共に、幅広部の表面上における低融点金属の広がりを抑えることが出来る、新規な構造のヒューズを提供することを、目的とする。 - 特許庁

A detection element 21 of this hydrogen sensor comprises a porous layer 27 formed on the peripheral side of a heater part 22 by using a means such as curved surface printing, inside electrodes 29 and 30, a solid electrolyte layer 28, outside electrodes 31 and 32, a gas diffusion layer 33, and a dense layer 34, and is a structure formed into a circular rod shape as a whole.例文帳に追加

水素センサの検出素子２１は、ヒータ部２２の外周側に曲面印刷等の手段を用いて形成された多孔質層２７、内側電極２９，３０、固体電解質層２８、外側電極３１，３２、ガス拡散層３３および緻密層３４からなり、全体として円形のロッド状をなす構造とする。 - 特許庁

By the methods, it becomes possible to provide the light-emitting element having a simple structure and capable of satisfying the luminance, light-emitting efficiency, long life and film-forming property.例文帳に追加

重要な合成中間体である新規なインドール誘導体であるオキサジアゾール基置換インドール誘導体と、その酸ハライド基置換インドール誘導体またはテトラゾール基置換インドール誘導体からの製造方法、及び高輝度、高発光効率、長寿命化、成膜性が良好な、オキサジアゾール基置換インドール誘導体三量体の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a structure of a control panel which is capable of compactly forming a control panel to be fitted with a display device spread with a non-display section to be a dead space flush with a display element, prevents leakage of the light from the display device through control knobs and prevents static electricity from entering the display device from the control knobs.例文帳に追加

表示部と同一面にデッドスペースとなる非表示部が広がる表示装置が取付けられる操作パネルであって、操作パネルをコンパクトに形成でき、しかも表示装置からの光が操作つまみから漏れることがなく、さらに、操作つまみから静電気が表示装置に入ることのない操作パネルの構造を提供する。 - 特許庁

The organic-inorganic hybrid material has a support and the organic-inorganic composite layer which contains such a crosslinked structure in the graft polymer layer comprising graft polymer chains bonding directly to the surface of the support as is formed by the hydrolysis and the polycondensation of an alkoxide of the element selected from Si, Ti, Zr and Al and besides which has an uneven surface.例文帳に追加

支持体と、該支持体表面に直接結合したグラフトポリマー鎖からなるグラフトポリマー層中に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される元素のアルコキシドの加水分解及び縮重合により形成された架橋構造を含んでなり、且つ、凹凸表面を有する有機−無機複合層とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents an outbreak of a chipping or unauthorized cleavage and makes an element separation at a high yield when the semiconductor device having a wurtzite type crystal structure having relatively low Mohs hardness such as a ZnO-based crystal and the like is cut into individual pieces from a wafer state to a chip state.例文帳に追加

ＺｎＯ系結晶等の比較的モース硬度の低いウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体装置をウエハ状態からチップ状態に個片化する際にチッピングや不正劈開の発生を防止して、高歩留りで素子分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A heat-exchanging element 1a is made into such structure that the same type of heat-exchanging segments are stacked, and one gas passage 3a is supplied with gas A (for example, outside air), and the other gas passage 4a is supplied with gas B (for example, inside air) so as to exchange heat.例文帳に追加

熱交換素子１ａは、同一タイプの熱交換セグメントを積層した構造に設けられ、一方の気体流路３ａに気体Ａ（例えば、室外空気）が供給されると共にそれと直交する方向に形成された他方の気体流路４ａに気体Ｂ（例えば、室内空気）が供給されて熱交換する。 - 特許庁