「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(177ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The document management device 10 for managing a document to be accumulated by a document accumulating means 11 by a hierarchical structure is provided with an index generation means 101 for generating an index to specify a position in the hierarchical structure of elements included in the document, and an index management means 300 for performing management by correlating the index generated by the index generation means 101 to the element.例文帳に追加

文書蓄積手段１１に蓄積される文書を階層構造により管理する文書管理装置１０であって、前記文書に含まれる要素の前記階層構造における位置を特定するインデックスを生成するインデックス生成手段１０１と、前記インデックス生成手段１０１によって生成された前記インデックスと、前記要素とを対応付けて管理するインデックス管理手段３００とを備えた。 - 特許庁

The manufacturing method of the inorganic EL element having a pair of electrodes and a luminous layer installed between the pair of electrodes, is provided with: a first step to form a lamination structure of a first layer constituted of a phosphorus oxide and a second layer constituted by adding emission center in a rare-earth oxide; and a second step to form the luminous layer by applying heat treatment to the lamination structure.例文帳に追加

無機ＥＬ素子の製造方法は、一対の電極と、一対の電極間に設けられた発光層と、を備えた無機ＥＬ素子の製造方法であって、酸化リンで構成された第１層と、希土類酸化物に発光中心を添加して構成された第２層と、の積層構造体を形成する第１ステップと、積層構造体に熱処理を施して発光層を形成する第２ステップと、を備える。 - 特許庁

To improve the productivity for manufacturing a module package assembly and to easily structure an optical communication system by making the length of an optical fiber cable, led out of a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., or the module package storing the chip longer than a certain length by using the surface light emitting semiconductor laser element as the light emitting source.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、当該面発光型半導体レーザ素子チップ、もしくは当該チップを収容するモジュールパッケージから引き出される光ファイバーケーブルのファイバーケーブル長を一定長以上とすることで当該パッケージのアセンブリ製作の生産性の向上を図るとともに、容易に光通信システムを構築できるようにすることにある。 - 特許庁

To provide a flat plate membrane element of a new structure which can meet environmental and economic requirements in more excellent manner than before by optimizing filtering treatment capacity through adjusting it to a low level, while avoiding adverse effects upon the liquid circulation inside a treatment tank as soon as possible, when the size of the treatment tank is functionally too large, and a membrane unit for an immersion type membrane separation device made up of the flat plate membrane element.例文帳に追加

処理槽のサイズが能力的に大きすぎる場合に、処理槽内での液循環への悪影響を可及的に回避しつつ、濾過処理能力を低く調節して最適化を図ることで、環境的にも経済的にも一層優れた対応を可能と為し得る、新規な構造の平板状膜エレメントを提供すること、及び、かかる平板状膜エレメントを用いて構成された浸漬型膜分離装置用の膜ユニットを提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor layer includes the processes of: fabricating a precursor layer by coating a surface of a substrate with a solution for semiconductor layer formation including a metal element, a chalcogen element-containing organic compound, a first Lewis-base organic compound, and a second Lewis-base organic compound having a different structure from the first Lewis-base organic compound; and fabricating the semiconductor layer 3 by heat-treating the precursor layer.例文帳に追加

半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 - 特許庁

A semiconductor device has a power amplification semiconductor circuit and a controller circuit for controlling this power amplification semiconductor circuit laminated on a multilayer wiring board 1, wherein the power amplification semiconductor circuit and the controller circuit are formed such that they are arranged in parallel on the same semiconductor element 7, and this semiconductor element 7 has the mounting structure of being mounted onto the multilayer wiring board 1 through flip-chip connection.例文帳に追加

多層配線基板１上に、電力増幅用半導体回路と、この電力増幅用半導体回路を制御するための制御用回路が積層される半導体装置において、電力増幅用半導体回路と制御用回路は同一の半導体素子７上に並列配置されて形成されており、この半導体素子７は多層配線基板１上にフリップチップ接続により搭載される実装構造を有する。 - 特許庁

To provide an evaluation method and device for an electron emission element and a manufacturing method and device therefor capable of analyzing in a high precision and sensitivity the structure and condition of carbon or carbon compounds acquired from the sedimentary film in the activation process to aim at realizing a high-quality electron emission element and of reflecting the analytical results to the formation of the sedimentary film.例文帳に追加

品質性に優れた電子放出素子の実現を図るべく、活性化工程により得られる堆積膜中の炭素または炭素化合物の構造および状態を精度良く高感度で分析を行うことができ、また、その分析結果を堆積膜の形成に反映させることのできる電子放出素子の評価方法および電子放出素子の評価装置および電子放出素子の製造方法および電子放出素子の製造装置を提供する。 - 特許庁

The ammonia decomposing catalyst includes an oxide of at least one element (A component) selected from the group consisting of rare earth, alkali metal, and alkaline earth metal elements and fine metal particles of at least one element (B component) selected from the group consisting of Co, Ni, and Fe and is obtained by reducing an oxide having a perovskite structure formed from the A and B components.例文帳に追加

本発明のアンモニア分解用触媒は、希土類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素（Ａ成分）の酸化物と、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素（Ｂ成分）の金属微粒子とを含有する触媒であって、前記Ａ成分と前記Ｂ成分とで形成されるペロブスカイト構造を有する酸化物を、還元処理して得られたことを特徴とする。 - 特許庁

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, empty regions give much effect on an element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor between from an end of a gate electrode to an end of a source or drain electrode, are composed of at least two layers having different impurity concentrations, thereby reducing series resistance of the heterojunction field effect transistor and enabling the heterojunction field effect transistor to realize a high element breakdown voltage.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。 - 特許庁

To provide a cycloolefinic resin composition containing an epoxy group and most suitable for a surface protection film for a semiconductor element and provide a semiconductor device to improve poor workability in the production of a resin-encapsulated semiconductor device especially having an LOC (lead on chip) structure and exhibiting various excellent reliability by using the cycloolefinic resin composition containing the epoxy group as the surface protection film of a semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、半導体素子表面保護膜用途に最適なエポキシ樹脂を有する環状オレフィン系樹脂組成物を提供し、当該エポキシ樹脂を有する環状オレフィン系樹脂組成物を半導体素子表面保護膜に用いることにより、特にＬＯＣ構造を有する樹脂封止型半導体装置製造時の作業性の欠点を改善し、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, at least two layers where the concentration of impurities is different are composed in an empty region that greatly affects the element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor from a gate electrode end to source/drain electrode ends, thus reducing the series resistance of the heterojunction field effect transistor, and at the same time achieving a high element breakdown voltage.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタ。 - 特許庁

A light control element 4 has: a 3-dimensional photonic crystal 41 of a plurality of laminated periodical structure layers each including a plurality of first structures periodically arranged, at least one discrete structure layer including a plurality of second structures discretely arranged being disposed therebetween; an active part 42 located in the interior of the crystal; and electrodes 46, 47 contacting the conductive material parts of the crystal.例文帳に追加

光制御素子４は、周期的に配置された複数の第１の構造体をそれぞれ含む複数の周期構造層が、離散的に配置された複数の第２の構造体を含む少なくとも１つの離散構造層を間に挟んで積層されて構成された３次元フォトニック結晶４１と、該結晶内部に配置された活性部４２と、該結晶のうち導電性材料により構成された部分に接する電極４６，４７とを有する。 - 特許庁

The light emitting element includes: a conductive support member; a light emitting structure which is formed on the conductive support member, and contains a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, and further contains an oxygen injection region wherein oxygen (O_2) is injected into an upper region; and an electrode on the light emitting structure.例文帳に追加

本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。 - 特許庁

In relation to a liquid trapping structure constructed or configured to trap a liquid in an immersion space between a final element of a projection system and a board table and/or a board supported to the board table, a liquid trapping structure is also provided including a curved surface that is curved so that drainage force of surface tension acts in a certain direction on a film of an immersion liquid on the curved surface.例文帳に追加

また、投影システムの最終エレメントと基板テーブルおよび／または前記基板テーブルに支持された基板との間の液浸空間に液体を閉じ込めるように構築および構成された液体閉じ込め構造体において、湾曲面であって、前記湾曲面上の液浸液の膜に対してある方向に表面張力の排流力が作用するように湾曲した湾曲面を備える液体閉じ込め構造体を提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element includes, on a substrate, a pair of electrodes constituted of an anode and a cathode, a light emitting layer disposed between the electrodes, and an organic layer disposed between the light emitting layer and the cathode and adjacent to the light emitting layer, wherein the light emitting layer contains at least one compound including a carbazole structure and the organic layer which is adjacent to the light emitting layer contains at least one hydrocarbon compound having a specific structure.例文帳に追加

基板上に、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を有し、発光層と陰極の間に発光層に隣接する有機層を有する有機電界発光素子であって、発光層にカルバゾール構造を含む化合物を少なくとも一つ含有し、発光層に隣接する有機層に特定構造を有する炭化水素化合物を少なくとも一つ含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can be manufactured without generating etching residues and without deteriorating element characteristics and without collapsing and disconnecting wirings and without adhesion and disconnection of wirings when manufacturing the semiconductor device that is a fine structure like an aerial wiring and has a structure with a gap of high-aspect-ratio, and to provide the semiconductor device manufactured by its manufacturing method.例文帳に追加

空中配線のように微細構造体で、かつ高アスペクト比の間隙を持つ構造を備えた半導体装置を製造するに際し、エッチング残磋が生じることがなく、素子特性を劣化させることがなく、配線の倒壊や断線が生じることがなく、配線がくっついたり、切れたりすることがなく製造することができる半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor radiation detector 1 has a laminated structure composed of semiconductor elements 11 converting received radiation into electric signals and metal electrode plates 12C and 12A which are alternately bonded with an electroconductive adhesive 14, wherein at least one of the electrode plates 12C and 12A composing the laminated structure is formed with a cutout part 13 in an area contacting with the semiconductor element 11.例文帳に追加

入射した放射線を電気信号に変換する半導体素子１１と、金属製の電極板１２Ｃ，１２Ａとが導電性接着剤１４によって交互に複数接着されて積層構造とされた半導体放射線検出器１であって、積層構造を構成する少なくともひとつの電極板１２Ｃ，１２Ａには、半導体素子１１に接する領域に切欠部１３が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

By this net list extracting method, information on connections among elements is extracted from a layout pattern, designed so that blocks have hierarchical structure, while the hierarchical structure is held; and a dummy element is formed between input and output terminals in a block positioned in a specific layer (step S25) and then only the input and output terminals are extracted without extracting elements in the block.例文帳に追加

複数のブロックが階層構造を有するように設計されたレイアウトパターンから、階層構造を保持したまま素子間の接続情報を抽出する集積回路のネットリスト抽出方法であり、所定の階層に位置するブロックに対して、このブロック内の入出力端子間に擬似の抵抗素子を形成することにより（ステップＳ２５）、前記ブロック内の素子を抽出することなく、前記入出力端子のみ抽出を行う。 - 特許庁

In the display element, porous structure partitioned by a bank resin and containing oxide particles is provided on the outermost surface of the counter electrode, wherein the porous structure and the bank resin are not brought into contact with each other.例文帳に追加

表示電極、対向電極、及びそれらの間に挟持された電解液組成物を具備し、かつ、前記電極又は電解液組成物が酸化還元反応により発色と消色をする化合物を含有する表示素子であって、前記対向電極の最表面に、バンク樹脂により区切られた、酸化物粒子を含有する多孔質構造体を有し、当該多孔質構造体と当該バンク樹脂が相互に接していないことを特徴とする表示素子。 - 特許庁

The optical element, used for the two-way optical communication module used for a two-way optical fiber communication of a wavelength multiplex system, has a diffraction grating of a binary structure formed by molding, wherein a releasing taper is formed at the part where the light made incident on the diffraction grating is shielded with the diffraction grating.例文帳に追加

波長多重方式による双方向光ファイバ通信に用いられる双方向光通信モジュールに用いられ、バイナリ構造の回折格子が成形により形成された光学素子において、回折格子に入射する光が回折格子により遮られる部位に抜きテーパが形成されている光学素子とする。 - 特許庁

First and second MR elements 11A, 11B includes a plurality of element patterns having a laminated structure of a free layer having a magnetization direction changing in response to an outside magnetic field, an intermediate layer without developing a specific magnetization direction and a fixing layer having magnetizations J51A, J51B fixed in a constant direction.例文帳に追加

第１および第２のＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂは、外部磁界に応じて変化する磁化方向を有する自由層と、特定の磁化方向を発現しない中間層と、一定方向に固着された磁化Ｊ５１Ａ，Ｊ５１Ｂを有する固着層との積層構造を有する複数の素子パターンを備える。 - 特許庁

To provide a current detecting resistor for reducing a self inductance of a resistive element, and a structure for mounting the current detecting resistor which improves the measurement accuracy of a to-be-measured voltage to a high speed switching current when the current detecting resistor is mounted on a substrate formed with a current detecting circuit.例文帳に追加

抵抗体の自己インダクタンスを小さくした電流検出用抵抗器を提供し、さらに、当該電流検出用抵抗器を電流検出回路が形成された基板上へ実装したとき、高速スイッチング電流に対する被測定電圧の測定精度を高めた電流検出用抵抗器の実装構造を提供する。 - 特許庁

The discrete structure elements 202, 206 and 208 structurally connect a floor of the cooling cavities 130 to the ceiling of the cooling cavities 130, but can include an element not starting from an inner wall of the cooling cavities 130 or an outer edge part of the tip shroud 20, not terminating there, or not being connected there.例文帳に追加

離散構造要素（２０２、２０６、２０８）は、冷却空洞（１３０）の床を該冷却空洞（１３０）の天井に構造的に連結するが、該冷却空洞（１３０）の内部壁又は先端シュラウド（２０）の外縁部から始まることなく、そこで終端することなく、或いはそこに連結することがない要素を含むことができる。 - 特許庁

A great part of the noise introduced from a gate electrode 107 is propagated to the region 104 through the substrate 101 from the region 103 of the epitaxial film 102 and reaches an n" diffused region 109, by completely separating these regions 103 and 104 with a trench structure of element isolating region 105.例文帳に追加

これらの領域１０３，１０４を、トレンチ構造の素子分離膜１０５で完全に分離することにより、ゲート電極１０７から導入されたノイズの大部分は、エピタキシャル薄膜１０２の領域１０３から基板１０１を介して領域１０４に伝搬し、Ｎ^+ 拡散領域１０９に達する。 - 特許庁

Then, while element current is supplied from this primary conductor 200 through electric current input output terminals A, B to this ferromagnetic material thin film, at the bridge structure, a voltage input terminal C and a voltage output terminal D are coupled to an intermediate position of these electric current input output terminals A, B to detect an output.例文帳に追加

そして、この一次導体２００から、ブリッジ構造における電流入出力端子Ａ，Ｂを介してこの強磁性体薄膜に素子電流を供給するとともに、この電流入出力端子Ａ，Ｂの中間位置に電圧入力端子Ｃ及び電圧出力端子Ｄを接続し、出力を検出する。 - 特許庁

This antenna has an antenna element 12 in the structure that a long conductor is folded a plurality of times to be practically parallel along with a lengthwise direction at prescribed intervals so that at least one pair of adjacent elements can be short-circuited by the conductor in one part at least.例文帳に追加

長尺状の導体が所定の間隔で長尺方向に沿って実質的に平行になるように複数回折り返され、その折り返されることにより隣接するエレメント同士の少なくとも１組が、少なくとも一部において導体により短絡された構造のアンテナエレメント１２を有している。 - 特許庁

This hydrogen-permeable object comprises a Pd-REM alloy film containing at least one rare earth element, a porous supporter, a rock salt structure-type nitride film interposed between the Pd-REM alloy film and the porous supporter, and a Pd or Pd-Ag film formed on the surface side of the Pd-REM alloy film.例文帳に追加

希土類元素を含むＰｄ−ＲＥＭ合金膜を有する水素透過体において、該Ｐｄ−ＲＥＭ合金膜と多孔質支持体との間に岩塩構造型の窒化膜を有し、該Ｐｄ−ＲＥＭ合金膜の表面側にＰｄ膜またはＰｄ−Ａｇ合金膜を有する水素透過体およびその製造方法。 - 特許庁

On the major face 1A of the silicon substrate 1, a mask layer 2 is formed having apertures 3 formed so that this major face 1A is exposed, and in the aperture 3, an insular structural part of a hexagon head gimlet profile composed of primary nitride series semiconductor is formed, and the semiconductor element structure is manufactured.例文帳に追加

シリコン基板１の主面１Ａ上に、この主面１Ａが露出するようにして形成された開口部３を有するマスク層２を形成し、開口部３内において、第１の窒化物系半導体からなる六角錐形状の島状構造部を形成して、半導体素子構造を製造する。 - 特許庁

This epoxy resin composition for LOC structure comprises an epoxy resin, a phenol resin, a curing accelerator and inorganic filler having smaller maximum particle diameter than a thickness of LOC tape after joining a semiconductor element to a lead frame as main components, and compounding amount of the inorganic filler is 75-95 wt.% based on total resin composition.例文帳に追加

エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、半導体素子とリードフレームを接合した後のＬＯＣテープの厚みよりも最大粒径が小さな無機充填材を主成分とし、該無機充填材の配合量が全樹脂組成物中の７５〜９５重量％であることを特徴とするＬＯＣ構造用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

A method for manufacturing a piezoelectric film element 1 comprises the steps of: forming a lower electrode 3 on a substrate 2; forming a piezoelectric film layer 4 of alkali niobium oxide-based perovskite structure represented by formula (K_1-xNa_x)NbO_3 on the lower electrode 3; and wet-etching the piezoelectric film layer 4.例文帳に追加

圧電膜素子１の製造方法は、基板２上に下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜層４を形成する工程と、圧電膜層４にウェットエッチングを行う工程とを備えている。 - 特許庁

In the element formation layers (104a and 104b), a mixer (30) that synthesizes respective oscillatory frequencies of multiple crystal oscillation circuits (10 and 20) is formed and arranged so as to be separated from the multiple crystal oscillation circuits (10 and 20)respectively through the trench structure (100).例文帳に追加

素子形成層（１０４ａ，１０４ｂ）には複数の水晶発振回路（１０，２０）それぞれの発振周波数を合成する混合器（３０）が形成されるとともに、混合器（３０）はトレンチ構造（１００）を介して複数の水晶発振回路（１０，２０）それぞれとは電気的に分離されるように配置されている。 - 特許庁

The light control element which has a substrate with electrooptic effect, and an optical waveguide and an electrode for modulation formed on the substrate having a ridge structure is characterized in that a DC drift preventive layer is provided on the substrate surface where the optical waveguide is formed and an annealing process is carried out after ridge machining.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と変調用電極とを備え、該基板がリッジ構造を有する光制御素子において、前記光導波路を形成する基板表面に、ＤＣドリフト防止層を設けると共に、リッジ加工後にアニール処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film adhesive that can mount even a semiconductor element composed of an ultrathin chip in a wire embedding structure without causing a void on a joining surface and has excellent heat resistance, moisture resistance and reflow resistance, an adhesive sheet and a semiconductor apparatus manufactured using the film adhesive.例文帳に追加

極薄チップからなる半導体素子であっても、接着面に空隙を生じさせることなくワイヤ埋込構造での実装を可能とし、耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性に優れたフィルム状接着剤、接着シート、及び、上記フィルム状接着剤を用いて製造される半導体装置を提供する。 - 特許庁

This ferromagnetic tunnel junction element has such a structure where a compound ferromagnetic layer 14 which contains N1 or a Ni alloy is arranged adjacent to a tunnel barrier layer 13, and a compound ferromagnetic layer 15 which contains Co or a Co alloy is arranged adjacent to Mn ordered alloy anti-ferromagnetic layer 16.例文帳に追加

トンネルバリア層１３と隣接するように、Ｎｉ、またはＮｉを含む合金、またはＮｉを含む化合物強磁性層１４を配置し、かつＭｎ系規則合金反強磁性層１６と隣接するようにＣｏ、またはＣｏを含む合金、またはＣｏを含む化合物強磁性層１５を配置する。 - 特許庁

This multilevel information storage element which stores multilevel information has a laminated dielectric structure constituted by laminating a first ferrorelectric layer 2 having a first coercive voltage and a second ferroelectric layer 3 having a second coercive voltage which is different from the first coercive voltage upon another, between two voltage adding sections 1 and 4.例文帳に追加

多値情報を記憶する多値情報記憶素子であって、２つの電圧付加部１，４の間に、第１の抗電圧を有する第１の強誘電体層２と、第１の抗電圧と異なる第２の抗電圧を有する第２の強誘電体層３とを積層した積層誘電体構造を有する。 - 特許庁

In the formula (P), M is at least one kind of element selected from among a group of Bi and lanthanide elements, 0.05≤x≤0.4, 0<y≤0.7, where although the standard composition is such that δ=0 and z=3, these values may deviate from the reference values, so long as a perovskite structure can be obtained.例文帳に追加

（Ｐｂ_１−ｘ＋δＭ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） - 特許庁

The light guide structure of the solar cell includes a light receiving layer 210 for receiving an incident sunlight, an irregular reflecting layer 230 for irregularly reflecting the sunlight incident from the light receiving layer 210 as an irregularly reflected light; and a light guide layer 220 interposed between the light receiving layer 210 and the irregular reflecting layer 230 and guiding the irregularly reflected light to a solar cell element.例文帳に追加

太陽光が入射される受光層210と、受光層210から入射された太陽光を乱反射光として乱反射させる乱反射層230と、受光層210と乱反射層230との間に介在されて、乱反射光を太陽電池素子に導光する導光層220とを備える太陽電池の導光構造である。 - 特許庁

To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。 - 特許庁

To realize a light emitting diode element having a high luminance in the wavelength band of yellow-green, in which the drop in the output strength used to be marked conventionally, by forming a window layer in a process in which the temperature is higher than before in order to improve the electric conductivity of the window layer and by changing the structure thereof to prevent the changes due to the process under high temperatures.例文帳に追加

窓層を従来よりも高温のプロセスで形成し、電気伝導度の改善された窓層とするが、高温プロセスによる変化がないようにその構造を変える事により、従来は出力強度の低下が著しかった黄緑色の波長帯域で、輝度の大きい発光ダイオード素子を実現する。 - 特許庁

This semiconductor device including a selection gate S1 provided for a memory cell A1 has a Tri-gate structure, wherein the upper surface of a gate insulation film 9 formed on a channel of the selection gate S1 is higher than a part or the whole of the upper surface of an element separation region 10 of the selection gate S1.例文帳に追加

本発明の一態様において、メモリセルＡ１に対して設けられる選択ゲートＳ１を含む半導体装置は、選択ゲートＳ１のチャネル上に形成されているゲート絶縁膜９の上面が、選択ゲートＳ１の素子分離領域１０の上面の一部又は全部よりも高く、Tri-gate構造を持つ。 - 特許庁

The optical control element is formed partly or entirely of a metal magnetic artificial lattice constructed by alternately stacking a ferromagnetic metal layer and a non-magnetic metal layer, and includes a microscopic metal structure which shows resonance scattering with surface plasmons having a unique vibration frequency dependent on optical properties and the shape of the metal.例文帳に追加

強磁性金属層と非磁性金属層とを交互に積層して構成される金属磁性人工格子を一部又は全部に用いて形成され、その金属の光学的性質とその形状とに応じた固有の振動数を持つ、表面プラズモンによる共鳴散乱を示す微小金属構造体を有する光制御素子。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for protecting ESD having a shallow trench structure for element separation, the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD is arranged separately from the shallow trench separation region in a region adjacent to at least the gate electrode of the N-type MOS transistor for protecting ESD.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域は少なくとも前記ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極に近接する領域において、シャロートレンチ分離領域から離れて配置した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which by designing a novel architecture for a gate structure composed of a gate electrode and gate wiring, a gate electrode for a MOSFET in the element region can be set to an optimum film thickness from the viewpoint of leakage and characteristics, and the gate wiring has a MOSFET with a high yield with no unfinished silicide.例文帳に追加

ゲート電極及びゲート配線からなるゲート構造を新規な構成にすることによって素子領域のＭＯＳＦＥＴのゲート電極がリーク、特性の観点から最適な膜厚に設定でき、ゲート配線がシリサイド未形成のない歩留まりの高いＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The circuit module 10 comprises a mounting board 110, and a circuit device 11 plug-in mounted on the mounting board 110 wherein the circuit device 11 has a structure including a wiring board 12 provided with a wiring layer on the surface, and a circuit element connected electrically with the wiring board 12.例文帳に追加

本実施の形態の回路モジュール１０は、実装基板１１０と、この実装基板１１０に差込実装された回路装置１１とを具備し、回路装置１１は、表面に配線層が設けられた配線基板１２と、配線基板１２に電気的に接続された回路素子とを含む構造となっている。 - 特許庁