「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(643ページ目) - Weblio英語例文検索

A plating equipment comprises a developing/cleaning part 100 for developing an already exposed resist layer formed on a substrate 138 and for washing a developing solution with a cleaning liquid, and a plating part 50 for plating the surface of a substrate 138 by dipping it into a plating liquid 62, on which the cleaning liquid is retained without drying after cleaning.例文帳に追加

基板１３８上に形成された露光済みのレジスト層を現像し、現像液を洗浄液で洗浄する現像／洗浄部１００と、洗浄後に洗浄液を乾燥させずに保持した状態の基板１３８表面をめっき液６２に浸漬してめっきするめっき部５０とを有するように構成する。 - 特許庁

A solar battery element 10 is formed on a semiconductor layer 11 formed on a silicon substrate and the solar battery element 10 is peeled off from the silicon substrate by using an adhesive sheet whose adhesive force becomes practically zero at a specified temperature by heating though it is adhesive at a temperature within the range of 20°C to 80°C.例文帳に追加

シリコン基板上に成膜された半導体層１１に太陽電池素子１０を形成し、２０℃〜８０℃の範囲内の温度では粘着性を有するが加熱により特定の温度で実質的に接着力が零になる粘着シートを用いて、太陽電池素子１０をシリコン基板から剥離する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device by which a substrate is ground to a predetermined thickness without cracking a wafer, even if the substrate is warped in a film forming operation for a group III nitride semiconductor layer, or even while flakes produced in the film forming operation are left.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜操作により基板に反りが生じた場合であっても、また、成膜操作により生じたフレークが残留したままの状態であっても、ウエーハに割れが生じることなく基板を所定の厚さに研削することが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The treatment method of the conductive substrate to be made into the electrophotographic photoreceptor by being formed with a photosensitive layer is provided with a process of bringing an aqueous treating liquid containing air bubbles of 0.1 to 100 μm in area average diameter into contact with the surface of the conductive substrate.例文帳に追加

上記課題を解決する導電性基体の処理方法は、感光層が形成されて電子写真感光体となるべき導電性基体の処理方法であって、面積平均直径が０．１μｍ〜１００μｍの気泡を含む水系処理液を、導電性基体の表面に接触させる工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The first substrate has a plurality of pillar structures 15a and 15b substantially of the same height provided on a predetermined position on the side of the liquid crystal layer and the second substrate has a plurality of recessed parts 24b at a position opposite to a part 15b preliminarily selected among the plurality of pillar structures.例文帳に追加

第１基板は液晶層側の予め決められた所定の位置に設けられた、実質的に同じ高さの複数の柱状構造体１５ａおよび１５ｂを有し、第２基板は複数の柱状構造体の内の予め選択された一部１５ｂと対向する位置に複数の凹部２４ｂを有する。 - 特許庁

The optical recording medium has a substrate and the optical information recording layers, wherein the optical information recording layers are composed of a plurality of layers alternately formed in order of optical recording layers and a transparent support layer of 10 to 200 μm in thickness, successively from the substrate side, and its manufacturing method is provided.例文帳に追加

基板と、前記基板上に貼り合わされた光情報記録層とを有し、前記光情報記録層は、前記基板の側から光記録層、厚さが１０〜２００μｍの透明支持体層の順で交互に形成された複数層で構成されていることを特徴とする光記録媒体およびその製造方法。 - 特許庁

The planting container installs the planting container 9 unifying a triangular container 1 with a double layer structured woody foam substrate body 8 on the slope without boring a hole in the slope, and an opening section 3 is made in the substrate body to utilize a slope greening method to plant a pot seedling 4 while filling the opening section with a vegetation basic materials 20.例文帳に追加

本植栽容器は、法面上に穴を掘らないで二層構造の木質系発泡基板体８に三角形容器１を一体化した植栽容器９を法面上に設置し、その基体に開口部３を設け植生基材２０を充填しながらポット苗４を植え付ける法面緑化工法を活用する。 - 特許庁

In the insulating films 4a, 4b, a polycrystalline silicon film (resistor element) 6 and a polycrystalline silicon film (lower electrode of a capacitor) 8, which have their upper end surface at a position lower than that of the single crystalline layer surface 2a of the semiconductor substrate 2, are formed and the surface of the semiconductor substrate 2 including STI is flattened.例文帳に追加

前記絶縁膜４ａ、４ｂ中には、半導体基板２の単結晶層表面２ａよりも低い位置にその上端表面を有する多結晶シリコン膜（抵抗素子）６、及び多結晶シリコン膜（キャパシタ下部電極）８が形成され、ＳＴＩを含む半導体基板２の表面は平坦化されている。 - 特許庁

A first element isolating insulation film is provided which is buried in an element isolation groove provided on the semiconductor substrate, and the bottom face of which is lower than the height of a face at which the semiconductor substrate and the tunnel insulation film are contacted and the top face of which is lower than the height of a face at which the charge storage layer and the block insulation film are contacted.例文帳に追加

前記半導体基板に設けられた素子分離溝部に埋め込まれ、底面が前記半導体基板と前記トンネル絶縁膜の接する面の高さよりも低く、かつ上面が前記電荷蓄積層および前記ブロック絶縁膜の接する面の高さよりも低い第１の素子分離絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

After partitions 38 are formed at non-display regions between pixels on the alignment layer 33 of the substrate member 23, spacers 25 are sprayed on the surface of the alignment layers 29, 33, the substrate members 22, 23 are placed opposite to each other keeping respective alignment layers 29, 33 inside and are stuck together at their peripheries with on opening formed for a liquid crystal injection port.例文帳に追加

基板部材２３の配向膜３３の上の画素間の非表示領域に隔壁３８を形成した後、配向膜２９，３３の表面にスペーサ２５を散布し、基板部材２２，２３を各配向膜２９，３３を内方側として対向配置し、液晶注入口をあけて周縁部で接着する。 - 特許庁

To provide a fine foam-containing film imparting sharp printing, improved in surface appearance, surface release strength, glossiness, whiteness or the like and suitable for a label, a poster, recording paper, a packaging material, a medical sticking plaster substrate, an artificial leather substrate or the like, and a fine foam-containing polyester film having a pressure-sensitive adhesive layer.例文帳に追加

印字や印刷が鮮明であり、表面外観、表面剥離強度や光沢性、白色性などが改良され、ラベル、ポスター、記録紙、包装材料、薬用貼り付剤基材、人工皮革基材などに適した微細気泡含有フィルムおよび粘着層を有する微細気泡含有ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical recording medium includes a step of discharging and applying a dye solution onto a substrate by a spin coating method to form a dye recording layer, wherein the substrate is rotated at a rotation speed of 400rpm or higher during a period from the beginning to the end of the discharge of the dye solution.例文帳に追加

基板上に、スピンコート法により色素溶液を吐出して塗布し色素記録層を形成する工程を有する光記録媒体の製造方法であって、前記色素溶液の吐出開始から吐出終了までの基板の回転速度が４００ｒｐｍ以上である光記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

A short lifetime of a coordination region 10 is formed in the region striding the end part of an anode electrode 4 in the case where the electrode 4 is made to project within a semiconductor substrate 1 and in the region including the boundary part 6 between a p-type lightly doped anode region 2 and a lightly doped semiconductor layer 11, which are positioned in the depth direction of the substrate 1.例文帳に追加

ライフタイムの短い調整領域１０を、アノード電極４を半導体基板１内へ投影させた場合の電極端部を跨いだ領域で、かつ、基板深さ方向に位置する高濃度のｐ型アノード領域２と低濃度の半導体層１１との境界部６を含む領域に形成する。 - 特許庁

A photocurable adhesive layer 4 is formed at a bonding region La formed in the peripheral edge of the metallic sealing member 3 so as to form a sealing space M to cover the spontaneous light-emitting element part 2 on a transparent supporting substrate in which the selfluminous light emitting element part 2 has been formed, and the supporting substrate 1 and the sealing member 3 are pasted together.例文帳に追加

自発光素子部２が形成された透明な支持基板上に自発光素子部２を覆う封止空間Ｍを形成するように、金属製の封止部材３の周縁に形成される接着領域Ｌａに光硬化性の接着剤層４を形成して、支持基板１と封止部材３とを貼り合わせる。 - 特許庁

Further, it includes a stage for re-enforcing a diffused bonding coat on the substrate so as to re-enforce to the same thickness as the thickness enforced prior to operation of the engine; and a stage for re-enforcing the upper layer ceramic heat insulation film to the nominal thickness + Δt so as to compensate the part of the base metal substrate removed by Δt.例文帳に追加

また、エンジン作動の前に施工されていたのとほぼ同じ厚さまで再施工されるように、拡散ボンディングコートを基体に再施工する段階と、Δｔが除去したベース金属基体の部分を補償するように上層セラミック断熱皮膜を公称厚さｔ＋Δｔまで再施工する段階とを含む。 - 特許庁

This substrate can be obtained by introducing inert gas into a high vacuum chamber 1, applying a voltage of 450 to 2,000 V between a cathode 3 and an anode 4 in the high vacuum chamber 1 to initiate glow discharge, retaining a substrate 2 to be treated within a positive column 7 of the glow discharge for 20-60 s to apply plasma treatment to the hard coat layer on the surface.例文帳に追加

この基板は、不活性ガスを導入した高真空室１内のカソード３とアノード４間に４５０〜２０００Ｖの電圧を印加してグロー放電を起こさせ、このグロー放電の陽光柱７内に被処理基板２を２０〜６０秒間滞留させて表面のハードコート層をプラズマ処理することによって得られる。 - 特許庁

A flexible arbitrary wiring circuit attached substrate (30x) includes an extension part (37) extending from a stuck portion, and this extension part (37) is stuck on a rear side (14) by being folded back on the rear side of the mother board printed wiring board (10), while turning a conductive layer (32x) of the wiring circuit attached substrate (30x) as the outside.例文帳に追加

可撓性を有する任意の配線回路付き基材（３０ｘ）が貼り合わせ部から延長した延長部（３７）を有し、この延長部（３７）が、配線回路付き基材（３０ｘ）の導電層（３２ｘ）を外側にしてマザーボードプリント配線板（１０）の裏側へ折り返されて裏面（１４）に貼り合わされた。 - 特許庁

This illumination panel using EL is provided with: a translucent substrate 21; a light emitting part 22 including an EL luminescent layer; a light emission power source part 23 for supplying power to the light emitting part 22; and a sealing member 24 for sealing the light emitting part and the light emission power source part 23 in a sealed space formed by the translucent substrate 21 and itself.例文帳に追加

ＥＬを利用する照明パネルは、透光性基板２１と、ＥＬ発光層を含む発光部２２と、発光部２２に電力を供給する発光電源部２３と、透光性基板２１とで形成する封止空間内に発光部と発光電源部２３を封止する封止部材２４とを備える。 - 特許庁

This method of manufacturing an epitaxial wafer is such that, when a III-V compound semiconductor layer is made to grow by epitaxial growth on a GaAs or InP compound semiconductor substrate, a temperature rising rate is reduced at least one time during a substrate temperature rising period before the epitaxial growth is started.例文帳に追加

本発明によるエピタキシャルウエハの製造方法では、ＧａＡｓまたはＩｎＰの化合物半導体基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成長させるに際し、そのエピタキシャル層成長開始前の基板昇温期間中に昇温レートを少なくとも１回以上低減させることを特徴としている。 - 特許庁

The image sensor includes: a readout circuit formed on a first substrate; wiring electrically connected with the readout circuit and formed on the first substrate; a contact plug including an insulating layer provided on upper part thereof and formed on the wiring; and an image sensing part formed on the contact plug.例文帳に追加

前記イメージセンサは、第１基板に形成された読み出し回路と、前記読み出し回路と電気的に接続され、前記第１基板上に形成された配線と、上側の一部に絶縁層を備え、前記配線上に形成されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグ上に形成されたイメージ感知部と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

An MIS transistor includes a gate insulating film 101 formed on a principal surface of an MIS semiconductor substrate 100, a gate electrode 102 formed on the gate insulating film 101, and a p-type channel doped layer 103 formed beneath the gate electrode 102 in the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

ＭＩＳ型トランジスタは、ＭＩＳ型の半導体基板１００の主面に形成されたゲート絶縁膜１０１と、該ゲート絶縁膜１０１の上に形成されたゲート電極１０２と、半導体基板１００におけるゲート電極１０２の下方に形成されたＰ型のチャネル拡散層１０３とを有している。 - 特許庁

The adhesive sheet is such that at least an adhesive layer is provided on a substrate, wherein the etching rate(etching speed/energy fluence) of the substrate is ≤0.4[(μm/pulse)/(J/cm^2)].例文帳に追加

レーザー光の紫外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用粘着シートにおいて、前記粘着シートは、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられているものであり、かつ基材のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^2 ）〕以下であることを特徴とするレーザー加工用粘着シート。 - 特許庁

To provide a method for producing carbon nanotubes by which the carbon nanotubes can be grown in a desired direction within a plane parallel to a surface of a semiconductor substrate without arranging metal electrodes for generating an electric field in the vicinity of each catalyst metal part on an insulating layer provided on a surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の一表面上の絶縁層上における各触媒金属部の近傍に電界発生用の金属電極を設けることなしに半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

This new method for adhesion of the substrate includes coating the substrate with fine organic gel particles containing a polymer having anion groups in the molecule as a constitution component or with an emulsion modified with anion groups to form a latent adhesive layer, and then intervening fine cationic gel particles between the latent adhesive layers.例文帳に追加

分子中にアニオン基を有する高分子を構成成分とする有機ゲルの微粒子またはアニオン基で修飾されたエマルジョンを基材に塗布し、潜在接着を形成し、その潜在接着層間にカチオン性のゲル微粒子を介在させることにより基材を接着する新しい接着方法。 - 特許庁

Since the surface of an ITO substrate forming the transparent electrode on the side where the metal oxide semiconductor layer 4 is formed is coated with a metal oxide or its derivative, even if the ITO substrate is exposed to high temperatures and an acid in its manufacturing process, its resistance is prevented from rising.例文帳に追加

そして、該金属酸化物半導体層４が形成される側の透明電極であるＩＴＯ基板の表面を、金属酸化物又はその誘導体によって被覆しているので、製造プロセスにおいて高温や酸にさらされた場合であっても、ＩＴＯの抵抗値の上昇を防ぐことができる。 - 特許庁

A nonconductive layer 63 is prepared in addition to a region for disposing the substance to be detected on a working electrode body 62 comprising a semiconductor formed on a substrate body 40a of an electrode substrate 40 used to photoelectrochemically detect the substance to be detected which emits electrons by photoexcitation.例文帳に追加

光励起により電子を生じる検出物質を光電気化学的に検出するのに用いられる電極基板４０の基板本体４０ａ上に形成された半導体からなる作用電極本体６２における検出物質を存在させる領域以外に、非導電層６３を設ける。 - 特許庁

The polarizing plate includes: a long transparent substrate; an oriented film formed on the transparent substrate and having a pattern of recesses or projections; and a polarizing layer formed on the oriented film and containing dichromatic dye.例文帳に追加

本発明は、長尺の透明基材と、上記透明基材上に形成され、パターン状の凹部または凸部を有する配向膜と、上記配向膜上に形成され、二色性染料を含有する偏光層とを有することを特徴とする偏光板を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

At a position facing a discharge space S between a front glass substrate 1 and a back glass substrate 6, a magnesium oxide layer 5 is provided containing crystal powder from which magnesium oxide crystals are selected to be excited by electron beams for cathode luminescence with a peak in a wavelength region of 200-300 nm.例文帳に追加

前面ガラス基板１と背面ガラス基板６の間の放電空間Ｓに面する位置に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体が選別された結晶体粉末を含む酸化マグネシウム層５が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for forming an electroless-plated layer on a pretreated glass substrate, without etching it while using a harmful fluoride before plating, which has adequate adhesiveness to the substrate, has no blister formed during plating, and has an adequate electrical properties.例文帳に追加

有害なフッ化物を用いるエッチング処理を行うことなく、ガラス基板のめっき前処理を行うことができ、めっき層を形成すると基板への密着性が良好で、めっき中にフクレが発生することなく、電気的特性の良好なめっき層を得ることができる、ガラス基板上への無電解めっき方法を提供する。 - 特許庁

The colored photosensitive composition used for correcting minute colored pattern defects in a color filter substrate with a colored layer formed on a substrate contains at least a pigment, an organic solvent and a polyfunctional acrylate monomer without containing a polymer, wherein the polyfunctional acrylate monomer contains a monomer having a soft segment.例文帳に追加

基板上に着色層が形成されたカラーフィルター基板の微小着色パターン欠陥を修正するために用いる着色感光性組成物にポリマーを含有させず、少なくとも、顔料と、有機溶剤と、多官能性アクリレートモノマーを含有させ、さらに、該多官能性アクリレートモノマーにはソフトセグメントを有するモノマーを含有させる。 - 特許庁

To provide a film forming method with a material layer, containing two or more kinds of film formation materials having different sublimation temperatures, formed on a support substrate by heating treatment on a film-formed substrate, without generating concentration gradient of two or more kinds of film formation material having different sublimation temperatures.例文帳に追加

支持基板上に形成した昇華温度が異なる２種以上の成膜材料を含む材料層を、加熱処理により被成膜基板上に成膜する方法において、昇華温度の異なる２種以上の成膜材料が濃度勾配を生じることなく成膜されることを課題の一つとする。 - 特許庁

On the silicon substrate 1, while an accumulation layer 11 of the first conductivity type containing impurity concentration higher than the silicon substrate 1 is formed on the side of second principal plane 1b, irregular unevenness 10 is formed on a domain facing at least to a semiconductor domain 3 on the second principal plane 1b.例文帳に追加

シリコン基板１には、第２主面１ｂ側にシリコン基板１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層１１が形成されていると共に、第２主面１ｂにおける少なくとも半導体領域３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁

Even when the concentration of lithium is above 1×10^14 cm^-3 in a ZnO-based substrate, the segregation of the alkali metal to the ZnO-based semiconductor layer formed after the formation of a ZnO film is prevented by forming the ZnO film having thickness of ≥50 nm on the substrate.例文帳に追加

また、基板中のリチウム濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３を越えるＺｎＯ系基板であっても、その上に形成するＺｎＯ膜の膜厚を５０ｎｍ以上にすることで、このＺｎＯ膜よりも後に形成されるＺｎＯ系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 - 特許庁

The surface emitting type semiconductor laser element is an oxidized constriction type surface emitting semiconductor laser element including, on a GaAs substrate 12, a pair of semiconductor multilayer film reflecting mirrors and an active layer positioned between the pair of semiconductor multilayer film reflecting mirrors, and emitting laser light in a direction perpendicular to the substrate.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

In the other side of the insulating substrate 11 where the heating resistors 121, 122 are formed, a filler is contained in imide resins such as polyimide, polyisoimide, polyamide-imide, and the content of this filler gradually decreases from the insulating substrate 11 to the surface, to form a resin coating layer 21 which surface is a sliding plane.例文帳に追加

発熱抵抗体１２１，１２２が形成された絶縁基板１１の反対面にはポリイミド、ポリイソイミド、ポリアミドイミド等イミド系樹脂にフィラーを含有させ、このフィラーの含有量を絶縁基板１１から表面に向かって漸次低くなり、その表面を摺動面とした樹脂皮膜層２１を形成する。 - 特許庁

A composition for polarization including an organic nanotube and a liquid medium having a specific refractive index is used, this composition is applied to a substrate in a desired direction for example, and a layer of the composition where the organic nanotube is oriented in the desired direction is formed on a substrate, thereby constituting the polarizer.例文帳に追加

有機ナノチューブと特定の屈折率を有する液媒体とを含有する偏光用組成物を用いて、例えばこの組成物を所望の方向に向けて基板に塗布して該組成物中の有機ナノチューブが所望の方向に配向する該組成物の層を基板上に形成して、偏光子を構成する。 - 特許庁

An integrated circuit having the mutilayered barrier-metal thin film structure and a substrate is the barrier-metal thin film deposited on the substrate by an atomic layer chemical vapor deposition, and the barrier- metal thin film comprises the barrier-metal thin film including metal nitride and a thin copper film deposited on the barrier-metal thin film.例文帳に追加

本発明の集積回路は、多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える。 - 特許庁

To provide an adhesive composition constituting an adhesive sheet embedding an adhesive layer in a recess on the surface of a substrate and a semiconductor chip in the press mounting of a semiconductor chip on the surface of a substrate in a state comparable or superior to conventional compositions even by the pressing under lower temperature and lower load compared with conventional method.例文帳に追加

基材の表面に半導体チップを圧着により搭載する際に、従来よりも低温及び低荷重での圧着によっても、基材及び半導体チップの表面における凹部に従来と同程度又はそれ以上に接着層を埋め込むことが可能な接着シートを構成する接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

While a piezoelectric actuator 60 is constituted by forming a PZT piezoelectric film 64 on a ZrO_2 substrate 62 which becomes a diaphragm by the aerosol deposition method, a stress buffer layer 66 composed of platinum (Pt) having a required thickness is interposed between the ZrO_2 substrate 62 and PZT piezoelectric film 64 by the sputtering method etc.例文帳に追加

この圧電アクチュエータ６０は、振動板となるZrO2基板６２上にエアロゾルデポジション法によりＰＺＴ圧電膜６４を成膜して構成されるが、このZrO2基板６２とＰＺＴ圧電膜６４との間にスパッタ法等により所要の厚みをもった白金(Pt)からなる応力バッファ層６６を介在させる。 - 特許庁

A surface acoustic wave exciting electrode 102 is formed on one main surface of a piezoelectric substrate 101 having pyroelectricity, and a piezoelectric layer 109 having pyroelectricity polarized to a direction opposite to the polarizing direction of the piezoelectric substrata 101 is formed on the other main surface of the piezoelectric substrate 101, so that a surface acoustic wave device can be constituted.例文帳に追加

焦電性を有する圧電基板１０１の一主面上に弾性表面波の励振電極１０２を形成するとともに、圧電基板１０１の他主面上に圧電基板１０１の分極方向に対し逆方向に分極した焦電性を有する圧電体層１０９を形成した弾性表面波装置とする。 - 特許庁

Therefore, the hues and the color concentrations of the visible light passing through the substrate 12 and reflected at the film 15 and the visible light passing through the substrate 12 and the film 15, reflected at the film 16 and passing through the film 15 again are not affected by a signal layer or the like.例文帳に追加

このため、透明基板１２を通過して色調整膜１５で反射された可視光や、透明基板１２及び色調整膜１５を通過し反射膜１６で反射されて再び色調整膜１５を通過した可視光については、信号層等によってその色相及び色濃度が影響を受けない。 - 特許庁

In a liquid crystal display panel 40, a counter electrode 52 is provided to a substrate opposing to a substrate on which a pixel electrode 64 and a shared electrode 63 for driving liquid crystal among the pair of substrates having a liquid crystal layer therebetween are provided, and a voltage is applied to the counter electrode 52 by a drive part 102 for displaying.例文帳に追加

液晶表示パネル４０において、液晶層を挟持する一対の基板のうち、液晶を駆動するための画素電極６４および共通電極６３が形成される基板に対向する基板に、対向電極５２を設け、表示用駆動部１０２によって対向電極５２に電圧を印加する。 - 特許庁

To overcome the problem that the fluctuation in a resistance value due to the potential fluctuation is caused since the divided potential control of respective wells is difficult, when a silicon active layer in an SOI substrate is used as a resistor and wells are diligently formed in a semiconductor support substrate under the resistor since an embedded insulating film is formed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン活性層を抵抗体として利用する場合、埋込絶縁膜があるため抵抗体の下部の半導体支持基板部分にウェルをこまめに形成し、さらにこのウェルの電位分割の制御が困難であるため、電位変動による抵抗値変動を招くという問題を有している。 - 特許庁

The inclined alignment liquid crystal layer and inclined alignment film which are large in the angle of inclination and easy to control are formed by subjecting the surface of a vertically alignable substrate to rubbing treatment, then applying a liquid crystal coating liquid containing a vertically alignable liquid crystal composition or photopolymerizable liquid crystal composition on the substrate.例文帳に追加

垂直配向性基板上をラビング処理した後、その基板上に垂直配向性液晶組成物または光重合性液晶組成物を含有する液晶塗工液を塗布することにより、傾斜度が大きく制御が容易な傾斜配向液晶層および傾斜配向フィルムを形成する。 - 特許庁

In a method of producing the semiconductor element having a light-emitting semiconductor layer or a light-emitting semiconductor element, two contact locations, and a vertically or horizontally patterned carrier substrate, the carrier substrate is patterned in such a way that the thermal stresses are reduced or compensated sufficiently to ensure that the element does not fail.例文帳に追加

光出射半導体層、又は、光出射半導体素子、２つのコンタクト個所及び垂直又は水平に構造化された支持体基板を有する半導体構成素子の製造方法において、支持体基板は、熱応力を、構成素子が故障しないように十分に小さくし、乃至、補償するように構造化する。 - 特許庁