「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(694ページ目) - Weblio英語例文検索

This pattern printed transparent sheet is printed with a regular transparent pattern 3 on a surface of a transparent substrate 2, ink constituting the transparent pattern 3 contains a material reflecting a nonvisible light beam, and a transparent layer 9 has the thickness almost same as that of the transparent pattern 3, or the thickness covering the transparent pattern 3, on the transparent substrate 2.例文帳に追加

本発明のパターン印刷透明シートは、透明基板２の表面に規則性を有する透明な透明パターン３が印刷されてなり、透明パターン３を構成するインキが非可視光線を反射する材料を含み、透明基板２上に、透明パターン３とほぼ同じ厚さ、又は透明パターン３を覆う厚さで透明化層９が形成されてなるものである。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device for forming an impurity implantation region on the surface of a semiconductor substrate by an ion implantation method includes processes of: forming a mask layer including an SiO_2 film and a thin metal film on the surface of the semiconductor substrate; and implanting impurity ions.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、イオン注入法により半導体基板の表面に不純物の注入領域を形成する半導体装置の製造方法であって、半導体基板の表面に、ＳｉＯ_2膜と金属薄膜を備えるマスク層を形成する工程と、不純物イオンの注入を行なう工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL display panel of this invention includes: a substrate; a plurality of banks extended in parallel mutually on the substrate at an interval and having a top face, a bottom face and two side faces with a cross-section in a lateral direction in a tapered shape; and an electrode layer formed covering between the adjacent banks and side faces of the two adjacent banks facing each other.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板上に間隔をおいて互いに平行に延設され、短手方向の断面がテーパ状となる上面と底面と２つの側面を有する複数のバンクと、隣り合う前記バンク間及び該２つの隣り合うバンクの対面する側面を覆って形成された電極層と、を含む。 - 特許庁

In a near field light probe 1 that is made of a high refraction material and has a projection 3 having a hole smaller than the light wavelength of the light source on the light transmissive substrate 2 provided at the top, an anti-reflection film 7 is provided on the first boundary surface 6 where the light 8 from the light source enters the transmissive substrate 2 through the air layer 5.例文帳に追加

高屈折率材料で形成され、先端に光源の波長より小さな開口部を有する突起部３を透光性基板２上に形成してなる近接場光プローブ１において、光源からの入射光８が空気層５から透光性基板２に入射する第１境界面６に反射防止膜７を形成させた。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar battery includes: a step of applying the alcoholic solution of phosphorous acid to a p-type semiconductor substrate by the inkjet method so that the dots of the alcoholic solution of the phosphorous acid partially overlap; and a step of forming the n-type diffusion layer of a different phosphor concentration on the p-type semiconductor substrate by thermally diffusing phosphor.例文帳に追加

リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりｐ型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりｐ型半導体基板上にリン濃度の異なるｎ型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

When a plurality of unit substrates 19, 19a, 19b, 19c of a similar constitution are laminated and compressed via insulation adhesive layers 20, 20a, 20b, the projection part passes through an insulation adhesive layer and is electrically connected to a wiring pattern or conductive substance of an adjacent unit substrate, and a multilayer printed wiring substrate can be manufactured by a simple compression operation.例文帳に追加

類似する構成の複数のユニット基板19、19ａ、19ｂ、19ｃを絶縁接着剤層20、20ａ、20ｂを介して積層し圧着すると、前記突出部が絶縁接着剤層を貫通して隣接するユニット基板の配線パターン又は導電性物質に電気的に接続され、単一の圧着操作で多層プリント配線板が製造できる。 - 特許庁

The thin DC power supply device 10 is equipped with the highly heat conductive substrate 1 provided with components for power conversion including a semiconductor 4, a chip inductor 5 and a chip capacitor 6 which are arranged thereon, while at least one surface of the substrate 1 or a metallic plate is provided with a highly heat conductive insulating layer formed thereon and whose thickness is not more than 200μm.例文帳に追加

電源用半導体４、チップインダクタ５およびチップコンデンサ６を含む電力変換用部品が配設される高熱伝導率の基板１であって、基材となる金属板の少なくとも１つの面に高熱伝導の絶縁層が形成され、厚みが２００μｍ以下である基板１を備えた薄型の直流電源装置１０とする。 - 特許庁

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.例文帳に追加

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁

In the multilayer ceramic substrate 1 having ceramics with mullite being a main crystal thereof, mullite content is 93-99 mass% of the ceramic component, at least one type of Mg and Y is contained as a component other than the mullite; and also at least one type of W and Mo is contained inside the multilayer ceramic substrate as a component of a conductive layer.例文帳に追加

ムライトを主結晶とするセラミックを有する多層セラミック基板１であって、ムライトの含有量が、前記セラミック成分の９３〜９９質量％であり、且つ、ムライト以外の成分として、Ｍｇ及びＹの少なくとも１種を含むとともに、多層セラミック基板の内部に、導電層の成分として、Ｗ及びＭｏの少なくとも１種を含む。 - 特許庁

The ink jet printhead comprises a substrate in which ink chambers, a manifold and ink channels are formed, a nozzle plate including a large number of protective layers formed on the substrate and a heat dissipation layer formed thereon and through which nozzles for ejecting ink from the ink chambers are made, and heaters and conductors provided between the protective layers of the nozzle plate.例文帳に追加

インクチャンバ、マニホルド及びインクチャンネルが形成された基板と、基板上に積層された多数の保護層及び保護層上に積層される熱発散層を含み、インクチャンバからインクの吐出されるノズルが貫通して形成されたノズルプレートと、ノズルプレートの保護層間に設けられるヒータ及び導体と、を備えるインクジェットプリントヘッドである。 - 特許庁

The system 1 for producing a semiconductor substrate comprises a CVD furnace 2 for growing an epitaxial layer on a semiconductor substrate (wafer) W, an exhaust gas bubbler 3 branched from the way of piping 23 for discharging exhaust gas, and an analyzer 4 for analyzing metals in the exhaust gas captured by pure water 33 in the bubbler 3.例文帳に追加

半導体基板の製造装置１は半導体基板（ウェーハ）Ｗにエピタキシャル層を成長させるＣＶＤ炉２、その排気ガスの排出用配管２３の途中から分岐して設けられた排気ガスのバブリング装置３、バブリング装置３の純水３３に捕捉された排気ガス中の金属を分析する分析装置４とから構成される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a liquid drop jet head that can prevent electrostatic destruction of a driving circuit, by suppressing an electrostatic level of the driving circuit provided on a silicon substrate when the liquid drop jet head is manufactured by spraying particles on the face of the substrate having a mask layer of an organic material patterned thereon beforehand.例文帳に追加

予めパターニングされた有機材料のマスク層を有する基板の基板面に粒子を吹き付けることによって、液滴吐出ヘッドを製造する際、シリコン基板等の基板上に設けられた駆動用回路の帯電位を低減し、駆動用回路の静電破壊を防止することのできる液滴吐出ヘッドの製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

The surface of a semiconductor is inactivated by bonding a diffusion reflection substrate 6 and a semiconductor substrate 1 using an adhesive layer 5 for inactivating the surface of the semiconductor containing an alkaline silicate (e.g. sodium silicate, potassium silicate, or lithium silicate) or a metal phosphate (e.g. aluminum phosphate, or magnesium phosphate) as a binder.例文帳に追加

アルカリ珪酸塩（珪酸ソーダ、珪酸カリウム、あるいは珪酸リチウム等）あるいは金属燐酸塩（燐酸アルミニウム、あるいは燐酸マグネシウム等）をバインダーとして含み半導体表面を不活性化する接着剤層５を用いて拡散反射基板６と半導体基板１とを接着することで、半導体表面の不活性化を行なうものである。 - 特許庁

The manufacturing method of the plasma display panel includes a process of baking a substrate with a phosphor layer containing resin formed, in which a fan for rectifying atmosphere is provided over a place where the substrate in a baking furnace is positioned for rectifying the atmosphere in the furnace by the fan for rectifying atmosphere to burn out the above resin.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、樹脂を含む蛍光体層が形成された基板を焼成する工程において、焼成炉内の前記基板が位置する上方に雰囲気整流用ファンを備え、前記雰囲気整流用ファンにより炉内雰囲気を整流すると共に前記樹脂をバーンアウトすることを特徴とする。 - 特許庁

The record carrier 1 is provided with a substrate 2, a counter electrode 3 deposited on the substrate 2 and intended to cooperate with the electrode of a data reading and/or writing device, and at least one ferroelectric memory layer 4 capable of storing these data and exhibiting a first face 4a adjacent to the counter electrode 3.例文帳に追加

記録担体１は、基板２と、前記基板２上に堆積されかつデータ読取り及び／又は書込みデバイスの電極と共に動作するように意図される対向電極３と、これらデータを格納することができかつ前記対向電極３と隣接する第１の面４ａを提示する少なくとも１つの強誘電メモリ層４と、を備える。 - 特許庁

The electrooptical device 2 includes an element substrate 12 having a pixel region 20 where a plurality of pixels each provided with a pixel transistor 38 are arranged and a plurality of heater layers 28 formed by using a wiring material of the pixel transistor 38 in a wiring layer on the element substrate 12, heated by current flow and electrically independent of each other.例文帳に追加

電気光学装置２は、画素トランジスタ３８を備えた画素が複数配列された画素領域２０が形成された素子基板１２と、素子基板１２上の配線層にて、画素トランジスタ３８の配線材料で形成され、電流が流れることによって加熱される各々が電気的に独立する複数のヒータ層２８と、を有する。 - 特許庁

Also, buried wiring 48 where one end is electrically connected to the second integrated circuit and the other is exposed from a back surface is formed on the semiconductor substrate 30, and a third integrated circuit that is formed on the surface layer of a third semiconductor substrate 40 is electrically connected to the second integrated circuit by the buried wiring 48.例文帳に追加

また、第２の半導体基板３０には一端が第２の集積回路に電気的に接続されかつ他端が裏面から露出された埋め込み配線４８が形成され、第３の半導体基板４０の表層に形成された第３の集積回路と第２の集積回路とが埋め込み配線４８により電気的に接続されている。 - 特許庁

The ultraviolet irradiator 15 is placed opposite to the fluorescent screen of an inspected object 101 which comprises a front substrate 110, a light shielding layer formed on this front substrate and defining a plurality of pixel regions, and the fluorescent screen 160 including fluorescent material layers formed in each pixel region; and irradiates the fluorescent screen with ultraviolet light.例文帳に追加

紫外光照射部１５は、前面基板１１０と、この前面基板上に形成されているとともに、複数の画素領域を区画する遮光層、および各画素領域に形成された蛍光体層を含む蛍光面１６０と、を有した検査対象物１０１の蛍光面に対向して配置されるとともに、蛍光面に紫外光を照射する。 - 特許庁

The epitaxial silicon carbide single crystal substrate is produced by growing a silicon carbide single crystal thin film 2 for suppressing development of epitaxial defects on a silicon carbide single crystal substrate 1, followed by growing a silicon carbide single crystal thin film 3 which is a layer in which a device is formed on the silicon carbide single crystal thin film 2.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板１上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜２を成長させ、さらに該炭化珪素単結晶薄膜２の上に、デバイスが形成される層である炭化珪素単結晶薄膜３を成長させることによりエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する。 - 特許庁

The substrate structure 10 to be fixed with an electrostatic chuck mechanism comprises at least: a first polycrystalline silicon film 12 formed on the backside or the backside and side faces of the substrate 11 formed of an insulating material; and a first silicon insulating film 13 formed as the uppermost layer on part of the backside or the backside and side faces.例文帳に追加

静電チャック機構により固定するための基板構造体１０であって、絶縁材料からなる基板１１の裏面、又は裏面及び側面に少なくとも第１の多結晶シリコン膜１２を備え、前記裏面、又は前記裏面及び側面の一部の最上層が第１のシリコン絶縁膜１３であることを特徴とする基板構造体。 - 特許庁

Before making connection by the wiring layer 30 for connecting a drive circuit part 60 of which the height from the insulating substrate 10 to the upper surface is high and a TFT 35 provided on the insulating substrate 10 at a prescribed distance from the drive circuit part 60, an SOG film 26 is formed between the TFT 35 and the drive circuit part 60.例文帳に追加

絶縁性基板１０からその上面までの高さが高い駆動回路部６０と、駆動回路部６０と所定の距離を隔てて絶縁性基板１０上に設けられたＴＦＴ３５とを接続する配線層３０によって接続する前に、ＴＦＴ３５と駆動回路部６０との間にＳＯＧ膜２６を形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer formed on a cut cylindrical base body, a substrate-cutting temperature at the time of cutting the base body is approximately equal to a substrate-using temperature at which the electrophotographic photoreceptor is heated by a heating means and is used in an image forming apparatus.例文帳に追加

切削した円筒状の基体の表面に感光層を形成してなる電子写真感光体の製造方法において、基体を切削するときの基体切削温度を、電子写真感光体を画像形成装置の内部で加熱手段により加熱して使用するときの基体使用温度と略同一にして基体の切削を行う。 - 特許庁

To obtain a solar battery which can be used suitably in outer space by improving the output of the battery by reducing the series resistance-derived power loss of the battery, by optimizing the numerical apertures of the plural openings of a back insulating layer formed to electrically connect a substrate to a back electrode, and in addition, optimizing the thickness and resistivity of the substrate.例文帳に追加

シリコン基板と背面電極を電気的に接続するために形成された背面絶縁層の複数の開口の開口率を最適化することで、直列抵抗による電力ロスを低減して、出力改善を図り、さらに基板の厚みと抵抗率を最適化することにより、宇宙用途に適した太陽電池とする。 - 特許庁

To provide a new structure in which light distribution characteristics directly above a light-emitting device is improved and which can highly maintain emission intensity in the light-emitting device in which a substrate made of a gallium nitride based compound semiconductor is used and the substrate rear side which is not formed with a layered structure including a light emission layer serves as the main light-emitting side.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

At connection of a CPU 101 to a CPU controller 102 on a substrate, transmission lines 103 and 104, in which corresponding terminals are away from each other, are connected on a near small substrate surface of low dielectric constant while a transmission line 105 in which corresponding terminals are near each other is connected in a near intermediate interconnection layer of high dielectric constant.例文帳に追加

基板上のＣＰＵ１０１とＣＰＵコントローラ１０２の結線に際し、対応する端子間が離れている伝送線路１０３及び１０４は近傍の比誘電率が小さい基板表面で結線し、一方、対応する端子間が近い伝送線路１０５は近傍の比誘電率が大きい中層の配線層において結線する。 - 特許庁

The production method of a metal oxide precursor layer which applies a solution containing metal ions is applied onto a substrate, is characterized by having a process for applying the solution to form a film, after adjusting the temperature (°C) of the substrate in a temperature range of 50 to 150% of the boiling temperature (°C) of the main solvent of the solution.例文帳に追加

基材の上に金属イオンを含む溶液を基材に塗布する金属酸化物前駆体層の作製方法において、該基材の温度（℃）を該溶液の主溶媒の沸点（℃）の５０％〜１５０％の温度範囲に調整して前記溶液を塗布、成膜する工程を有することを特徴とする金属酸化物前駆体層の作製方法。 - 特許庁

In the method for producing a radiological image conversion panel, which comprises a process for forming a layer composed of a europium-activated cesium bromide-based photostimulable phosphor on a substrate by a vapor-phase deposition method, a vapor-phase deposition film composed of a columnar crystal of photostimulable phosphor is formed on the substrate in vacuum and heat-treated in a vacuum atmosphere.例文帳に追加

ユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体からなる層を、気相堆積法により基板上に形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、真空中で基板上に輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる気相堆積膜を形成した後、真空雰囲気中で熱処理する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a high-density silicon oxide film, which suppresses the occurrence of a sub-oxide layer as much as possible without damaging a surface of a film formation substrate and improves insulating characteristics of an oxide film furthermore to make the oxide film thin, and a silicon substrate and a semiconductor device which include the high-density silicon oxide film manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

成膜基板表面にダメージを与えず、サブオキサイド層の発生を極力抑制し、酸化膜の絶縁特性をより向上させて酸化膜を薄膜化させることができる高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a protective film for an optical pickup photodetector by which an adhesive is not left on a substrate and a photodetector of an optical pickup device, when the protection film is peeled after a solder reflow process is performed, in a state such that the surfaces of the substrate and the photodetector are protected by the protective film comprising a heat resistant film with an adhesive layer.例文帳に追加

本発明は、光ピックアップ装置の基板や受光素子の表面を粘着剤層付き耐熱性フィルムからなる保護フィルムで保護した状態で半田リフロー処理を行った後、前記保護フィルムを剥離すると基板や受光素子に糊残りを生じることがない光ピックアップ受光素子用保護フィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁

Furthermore, this semiconductor device comprises a source/drain region 7 selectively formed in the main plane of the silicon substrate 1, and a Co silicide layer 8 formed, so as to extend from the upper plane of the source/drain region 7 exposed from the sidewall 6 and the gate structure downward of an end part of the gate structure, in the principal plane of the silicon substrate 1.例文帳に追加

また、半導体装置は、シリコン基板１の主面内に選択的に形成されたソース・ドレイン領域７と、シリコン基板１の主面内において、サイドウォール６及びゲート構造から露出するソース・ドレイン領域７の上面から、ゲート構造の端部の下方にまで延在して形成されたＣｏシリサイド層８とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has: a first substrate 11 which has a grounding layer 111, and the inside of which a hole 112 in which a conductive material 12 is filled is formed; the semiconductor chip 131 laminated on the first substrate 11; and a conductive heat dissipation member 14 which is electrically connected to the semiconductor chip 131 to dissipate heat of the semiconductor chip 131.例文帳に追加

半導体装置１は、接地層１１１を有し、内部に導電性材料１２が充填される孔１１２が形成された第一基板１１と、第一基板１１上に積層された半導体チップ１３１と、半導体チップ１３１に対し電気的に接続され半導体チップ１３１の熱を放熱させる導電性の放熱部材１４とを有する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the liquid crystal panel, the height and extent of deformation of projections are managed by the height and extent of deformation of projections placed on the thickest color layer out of color filter color layers, on which projections are placed not only in the case projections are provided on the color filter substrate but also in the case projections are provided on a counter substrate.例文帳に追加

液晶パネルの製造方法では、突起をカラーフィルター基板上、および対向基板上に設置する場合のいずれの場合においても、突起と重なる位置にあるカラーフィルター色層のうちの、膜厚がもっとも厚い色層と重なっている突起の高さ及び、変形量によって、突起の高さ及び、変形量を管理する。 - 特許庁

In an active matrix substrate 201, a plurality of pairs of TFTs 104 and pixel electrodes 9 are arranged like an array, where each TFT 104 includes a gate electrode 2 and a gate insulating film 3 which are formed on a substrate 1, a channel layer comprising a crystalline semiconductor film 41 and/or an amorphous semiconductor film 42, a source electrode 5s, and a drain electrode 5d.例文帳に追加

アクティブマトリックス基板２０１は、基板１上に形成されたゲート電極２及びゲート絶縁膜３と、結晶性半導体膜４１及び／又は非晶質半導体膜４２からなるチャネル層と、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄとを備えたＴＦＴ１０４と、画素電極９とが複数対アレイ状に配置されたものである。 - 特許庁

In a method of manufacturing a resonator on the substrate (71), a bottom electrode (72) is stacked on the substrate (71), and a piezoelectric(PZ) layer (74) is stacked, and a surface electrode (74) with a first thickness is stacked, and the thickness of the above electrode (76) is reduced to adjust the resonance frequency of the resonator.例文帳に追加

基板（７１）上に共振器を製造する方法において、前記基板（７１）上に底部電極（７２）を堆積させ、圧電（ＰＺ）層（７４）を堆積させ、第１の厚さを備えた表面電極（７６）を堆積させ、前記表面電極（７６）の厚さを減少させて前記共振器の共振周波数を調節するようにした共振器の製造方法。 - 特許庁

To provide a radiation curable ink capable of being coated or printed on a substrate, particularly a synthetic resin substrate to form a receiving layer which can cope with one type or various types of secondary non-plate making printing, and prints by using the ink, and secondary prints obtained by further providing one or more types of secondary non-plate making printing on the prints.例文帳に追加

本発明の課題は、基材、特に合成樹脂基材にコート又は印刷されて一種又は多種の二次非製版印刷にも対応可能な受理層を形成し得る放射線硬化型インキ、及び該インキを用いた印刷物及び該印刷物上に、さらに１種以上の二次非製版印刷を施して成る二次印刷物を提供することである。 - 特許庁

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に設定した濃度のＧｅを含むＳｉＧｅエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

In the liquid crystal display, the display viewing side first substrate 15 provided with a pixel electrode 3 and the TFT element 5 formed on the inner surface side and a second substrate 14 having a display electrode 18 formed on the inner surface side are disposed opposite to each other and a liquid crystal layer 12 is disposed in a gap between both substrates 14 and 15.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、内面側に画素電極３及びＴＦＴ素子５を形成した表示視認側の第１の基板１５と、内面側に表示電極１８を形成した第２の基板１４とを対向して配置し、前記両基板１４、１５の間隙に液晶層１２を配置して成る液晶表示装置である。 - 特許庁

The patterned magnetic recording medium is provided with: a substrate; and a recording layer formed on the substrate, having a plurality of sides with planar shapes inclined in a down track direction, a first width part of a cross track direction, and a second width part smaller than the first width part of the cross track direction, and including recording bits constituting projecting patterns.例文帳に追加

基板と、前記基板上に形成され、平面形状がダウントラック方向に対して傾斜する複数の辺と、クロストラック方向の第１の幅の部分と、クロストラック方向の第１の幅よりも狭い第２の幅の部分とを有し、凸パターンをなす記録ビットを含む記録層とを具備したことを特徴とするパターンド磁気記録媒体。 - 特許庁

To provide a substrate for an organic electro-luminescence device, which enables the organic EL device to have an excellent luminescence property in its good property in wettability change of its wettability changing layer by action of a photocatalyst accompanying energy irradiation and its good property in patternings without suffering from the influences of a base substrate, electrode layers and insulating layers, and to provide the organic EL device.例文帳に追加

本発明は、下地となる基板、電極層および絶縁層の影響を受けることなく、エネルギー照射に伴う光触媒の作用による濡れ性変化層の濡れ性変化が良好であり、パターニング特性および発光特性に優れる有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ素子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The gas sensor includes an insulating substrate, a positive-side electrode and a negative-side electrode disposed on the substrate, and a gas sensitive section disposed so as to be electrically connected to the positive-side electrode and the negative-side electrode, and is such that the gas sensitive section contains metal particles the surfaces of which are covered by a metal oxide layer.例文帳に追加

絶縁性の基材と、前記基材上に配置されたプラス側電極およびマイナス側電極と、前記プラス側電極および前記マイナス側電極と電気的に接続するように配置されたガス感応部とを備え、前記ガス感応部は、表面が金属酸化物層で覆われている金属粒子を含んでいることを特徴とするガスセンサ。 - 特許庁

Alternatively, the method comprises forming a thin oxide film (e.g. an intermediate layer 2) and comprises the step of previously heat-treating the oriented metallic substrate 1 in a reducing atmosphere and the step of heat-treating the oriented metallic substrate just before the formation of a thin oxide film in a reducing atmosphere.例文帳に追加

また、配向金属基板１上に酸化物薄膜（たとえば中間層２）を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、予め配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程、および酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 12 formed on a semiconductor substrate, a plurality of insulating films 107, 112, 117, and 122 laminated on the semiconductor substrate, a plurality of wiring layers 108, 113, 118, and 123 respectively formed within a plurality of insulating films, and a barrier metal continuously covering the upper surface and both side surfaces of each wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子１２と、前記半導体基板上に積層された複数の絶縁膜１０７，１１２，１１７，１２２と、前記複数の絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線層１０８，１１３，１１８，１２３と、前記各配線層の上面及び両側面を連続的に覆うバリアメタルとを具備する半導体装置。 - 特許庁

In the manufacturing method for the liquid crystal display element where spacers are disposed and a liquid crystal layer is interposed between a pair of substrates with electrodes, the substrates consist of a plastic material, at least one substrate of the substrates 2b is heated by a heating plate 35, and the spacers 3 are disposed, by being scattered on the heated substrate 2b.例文帳に追加

一対の電極付き基板間にスペーサが配置されるとともに液晶層を狭持してなる液晶表示素子の製造方法において、基板２ｂがプラスチックからなる基板であり、基板２ｂの少なくとも一方の基板を加熱プレート３５により加熱し、前記加熱した基板２ｂ上にスペーサ３を散布してスペーサを配置する。 - 特許庁

In the semiconductor substrate 100 with the main unit cell 10 and the detecting unit cell 20 formed therein, there is a barrier layer 150 filling up the gap in between the main unit cell 10 and the detecting unit cell 20, different in conductivity type from the substrate 100 and electrically connected to the detecting source electrode 210.例文帳に追加

主単位セル１０及び検出用単位セル２０が形成された半導体基体１００において，主単位セル１０と検出用単位セル２０とが隣接する隣接隙間領域には，半導体基体１００とは異なる導電型からなる層であって，検出用ソース電極２１０と導電接続されているバリア層１５０を有している。 - 特許庁

Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.例文帳に追加

すると、シリコン半導体基板２の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板２のソース／ドレイン拡散層１６および１７とゲート絶縁膜１８との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁