「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(692ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the photoelectric conversion device 100 includes a step of forming a photoelectric converting layer 3 of silicon on a substrate 1 by using a plasma CVD technique using a gas containing a silane gas and a hydrogen gas as a raw material gas under the condition where a flow rate of the hydrogen gas per unit area of the substrate 1 is 80 slm/m^2 or more.例文帳に追加

基板１上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法を用いて、前記基板１の単位面積当たりの前記水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ^２以上の条件で、シリコン系の光電変換層３を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置１００の製造方法。 - 特許庁

To provide a photoresist layer removing device wherein a series of stages until cleaning and drying stages after photoresist is removed can be efficiently performed with low defect without immersing a glass substrate in a removing liquid chemical to ultrasonically remove the photoresist one by one, in a device for manufacturing a nickel stamper utilizing patterns of a groove and a pit formed on the glass substrate by a resist mask method.例文帳に追加

レジストマスク法によってガラス基板上に形成した溝やピットのパターンを利用してニッケルスタンパを製造する装置において、フォトレジスト除去〜洗浄・乾燥までの一連の工程を、いちいちガラス基板を除去薬液中に浸漬して超音波除去させる必要なく、低欠陥で且つ効率よく行うことができる。 - 特許庁

This semiconductor device provided with the MOS type capacitor is provided with an insulating film 3 formed on a semiconductor substrate 1, an upper electrode 40 formed on the insulating layer 3, a plurality of openings 42 formed on the upper electrode 40, and an impurity region 7 formed on the semiconductor substrate 1 positioned below each of the openings 42.例文帳に追加

本発明に係るＭＯＳ型キャパシタを具備する半導体装置は、半導体基板１に形成された絶縁膜３と、絶縁膜３上に形成された上部電極４０と、上部電極４０に形成された複数の開口部４２と、複数の開口部４２それぞれの下方に位置する半導体基板１に形成された不純物領域７とを具備する。 - 特許庁

In the semiconductor device, the GaAs group vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) structure formed on the surface of a GaAs monocrystal substrate by epitaxial growth is directly joined with the surface of a 1st base body constituted of forming a compound semiconductor layer on the surface of Si group monocrystal substrate consisting of Si, SiGe or Ge by epitaxial growth.例文帳に追加

Ｓｉ、又は、ＳｉＧｅ、又は、ＧｅからなるＳｉ系単結晶基板の上にエピタキシャル成長による化合物半導体層が設けられている第１の基体上に、ＧａＡｓ単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたＧａＡｓ系面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）構造体が直接接合されていることを特徴としている。 - 特許庁

This semiconductor device has a through electrode 5 which is so formed as to penetrate a semiconductor substrate 6, a conductor pad 14 formed on the through electrode 5 and composed of a conductor electrically connected to the through electrode 5, and a wiring layer 3 formed on the surface of the semiconductor substrate 6 and electrically connected with the conductor pad 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板６を貫通して形成された貫通電極５と、貫通電極５の上に形成され、貫通電極５と電気的に接続する導電体からなる導電体パッド１４と、半導体基板６の表面に形成され、導電体パッド１４と電気的に接続する配線層３とを備える。 - 特許庁

The AlGaN layers 16, 18, and 20 including an AlGaN light-emitting layer 18 are formed thus on the GaN substrate 10 having a lattice constant close to that of AlGaN, so that a threading dislocation density introduced into the AlGaN layers 16, 18, and 20 is reduced significantly, as compared with conventional methods which use a sapphire substrate.例文帳に追加

このように、ＡｌＧａＮの格子定数と近い格子定数を有するＧａＮ基板１０上に、内部にＡｌＧａＮ発光層１８を含むＡｌＧａＮ層１６，１８，２０を形成することで、サファイア基板を利用する従来の方法に比べて、ＡｌＧａＮ層１６，１８，２０の内部に導入される貫通転位密度が大幅に低減される。 - 特許庁

The semiconductor device has: a gate insulating film 3 formed on a semiconductor substrate 1; a second gate electrode part 20b of a gate electrode 20, which is sequentially formed on the gate insulating film 3, and which includes a TiN film 4 and a polysilicon film 5; and a layer insulating film 8 formed on the semiconductor substrate 1 to cover the gate electrode 20.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたゲート絶縁膜３と、該ゲート絶縁膜３の上に順次形成され、ＴｉＮ膜４とポリシリコン膜５とにより構成されたゲート電極２０の第２のゲート電極部２０ｂと、半導体基板１の上にゲート電極２０を覆うように形成された層間絶縁膜８とを有している。 - 特許庁

To provide a material of an antireflection film ensuring high etching selectivity to a resist, that is, a high etching speed to a resist, to provide a pattern forming method for forming an antireflection film layer on a substrate using this antireflection film material, and to also provide a pattern forming method using this antireflection film as a hard mask for substrate working.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基板加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

A raw material sheet used for a heat insulative paper container comprises a neutral paper as a paper substrate material and a thermoplastic resin layer formed at least on one surface of the paper substrate material, and the paper contains sodium carbonate and/or sodium bicarbonate by an amount of 0.3 wt.% or more in terms of sodium carbonate.例文帳に追加

断熱性紙製容器１に用いる原材料シートにおいて、紙基材は中性紙であって、該紙基材の少なくとも片面に熱可塑性樹脂層を形成した原材料シートであって、紙中に炭酸ナトリウム及び／または炭酸水素ナトリウムを対パルプ絶乾重量当たり炭酸ナトリウム換算で０．３重量％以上含有する原材料シート。 - 特許庁

The semiconductor device 200 comprises a semiconductor substrate (non-illustrated), a second insulating film between wires 216 that is provided on the semiconductor substrate and is composed of ladder type siloxane hydride, a second protection film 217 provided on the second insulating film between wires 216, and upper layer wiring 270 formed in the second insulating film between wires 216 and the second protection film 217.例文帳に追加

半導体装置２００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に設けられ、梯子型水素化シロキサンにより構成された第二配線間絶縁膜２１６と、第二配線間絶縁膜２１６上に設けられた第二保護膜２１７と、第二配線間絶縁膜２１６および第二保護膜２１７中に形成された上層配線２７０と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of electroluminescence display device comprises the steps of firing and disposing a solutionized organic EL material to a substrate using the ink jet method, and heating and drying the ink-like organic EL material disposed at the substrate, the steps being performed sequentially and continuously to form a uniform organic EL layer, and the EL material being heated and dried from upward.例文帳に追加

インクジェット法により、基板に溶液化された有機ＥＬ材料を吐出配置する工程、基板に配置されたインク状有機ＥＬ材料を加熱乾燥する工程、とを順次に連続して行ないながら均一な有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法であり、有機ＥＬ材料を上方から加熱乾燥する。 - 特許庁

The master 10 has a substrate 1, an electrically insulating layer 2 with apertures 3 formed on the substrate 1, and one or a plurality of plating layers 4 of a convex shape formed around the apertures 3, in which the plating layers 4 of the convex shape have the sections symmetric to the center line and the sections asymmetric to the center line orthogonal to the sections symmetric to the center line.例文帳に追加

基板１、前記基板１の上に開口３が形成された電気絶縁層２、及び、前記開口３を中心に形成された１又は複数の凸状のメッキ層４を有するマスター１０において、前記凸状のメッキ層４が、左右対称な断面と前記左右対称な断面に直交する左右非対称な断面とを有するものとする。 - 特許庁

The delivery slip 10 comprises a first sheet 11 in which printings P1 are applied on the both sides of a first sheet substrate 11A, and a second sheet 12 provided as a sheet different from the first sheet 11, in which an adhesive layer 12B is provided on one side of a second sheet substrate 12A, and a printing P2 is applied on the other side of that.例文帳に追加

第１のシート基材１１Ａの両面に印字Ｐ１が施される第１のシート１１と、当該第１のシート１１とは別体に設けられるとともに、第２のシート基材１２Ａの一方の面に接着剤層１２Ｂが設けられ他方の面に印字Ｐ２が施される第２のシート１２とにより配送伝票１０が構成されている。 - 特許庁

In a tuner having a tuner circuit 2 and a control circuit 3, connected to the tuner circuit 2, formed on a main substrate 1 in multi-layered structure, the tuner circuit 2 and control circuit 3 are connected to an internal-layer wiring pattern 6 through connection holes 4 and 5 of via and through holes, a blind via hole, and an inner via hole bored in the main substrate 1.例文帳に追加

チューナ回路２と、チューナ回路２に接続する制御回路３とを多層構造のメイン基板１に形成したチューナにおいて、前記チューナ回路２と前記制御回路３との接続を、メイン基板１に設けたビア、スルーホール、ブラインドバイアホール、インナーバイアホールの接続穴４，５を介して、内層配線パターン６に接続することより行う。 - 特許庁

The mold releasing material 10 is used for covering the surface of the rugged surface formed on at least a part of the surface of the resin substrate 21 when a cover film 40 is bonded to a part of the surface of the resin substrate 21 and comprises an aluminum foil 11 and a fluororesin layer formed for covering at least a part of the surface of the aluminum foil 11.例文帳に追加

離型材１０は、カバーフィルム４０を樹脂基材２１の一部表面に固着させるときに樹脂基材２１の少なくとも一部表面上に形成される凹凸部の表面を被覆するために用いられ、アルミニウム箔１１と、アルミニウム箔１１の表面の少なくとも一部を被覆するように形成されたフッ素系樹脂層１２とを備える。 - 特許庁

A viewer-side circular polarizing plate 4a and a backside circular polarizing plate 4b are disposed outside of a viewer-side substrate 2a and a backside substrate 2b respectively, and a viewer-side compensation plate 6a and a backside compensation plate 6b are disposed between the respective polarizing plates and substrates to reduce a refractive index anisotropy of a liquid crystal layer 5.例文帳に追加

観察者側基板２ａ及び背面側基板２ｂの外側それぞれに観察者側円偏光板４ａと背面側円偏光板４ｂとを設置し、この各円偏光板と各基板との間に液晶層５の屈折率異方性を低減する観察者側補償板６ａと背面側補償板６ｂとを設置する。 - 特許庁

In the etching method where a silver or silver alloy thin film present on the surface of a substrate is subjected to etching with an etching liquid, the etching liquid in which the concentration of silver ions is 0.005 to 1 wt.% is filled into an etching liquid feeding apparatus, and the etching liquid is brought into contact with the surface of the substrate having the silver or silver alloy thin film layer.例文帳に追加

基板表面に存在する銀又は銀合金薄膜層をエッチング液によりエッチングする方法であって、銀イオン濃度が０．００５〜１重量％のエッチング液を、エッチング槽又はエッチング液供給装置に充填し、該エッチング液を、銀又は銀合金薄膜層を有する基板表面に接触させるエッチング方法。 - 特許庁

When the ND filter is manufactured by depositing at least ≥2 kinds of films on a plastic substrate 102, the films other than the outermost film are deposited by revolving a slit type mask 106 integrally with the substrate on a dome in order to form a gradation density distribution and on the other hand, the film of the extreme surface layer is deposited to a specified thickness without using the mask 106.例文帳に追加

プラスチック基板１０２上に少なくとも２種類以上の膜を成膜してＮＤフィルタを製造するに際し、最表層以外の膜をグラデーション濃度分布を形成するためにスリット型マスク１０６を基板と一体的にドーム上を公転させて成膜する一方、最表層の膜をマスク１０６を用いずに一定膜厚に成膜する。 - 特許庁

Also, the antibacterial filter material contains a base substrate such as a continuous foam type resin-foamed material consisting of a synthetic resin such as a polystyrene, polyurethane or the like, and a porous film, a porous hollow fiber membrane or the like, consisting of a polyethylene, polypropylene or the like, the similar membrane as above formed on the base substrate, and the hydroxyapatite layer formed on the surface of the membrane.例文帳に追加

また、ポリスチレン、ポリウレタン等の合成樹脂からなる連泡型樹脂発泡体及びポリエチレン、ポリプロピレン等からなる多孔質フィルム、多孔質中空糸膜などの基材と、この基材の表面に形成される、上記と同様の皮膜と、この皮膜の表面に形成される水酸アパタイト層と、を備える抗菌性フィルタ材を得る。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device 1 comprises a substrate 1 formed of a material absorbing light, a light emitting semiconductor region 2, a first electrode 3, a second electrode 4, an enclosure 5 which has optical transparency and covers the substrate 1 and the light emitting semiconductor region 2, a light reflecting layer 6, a metal support plate 7, a terminal 8, and a connection conductor 9.例文帳に追加

半導体発光装置は、光を吸収する材料で形成されている基板１と、発光半導体領域２と、第１の電極３と、第２の電極４と、光透過性を有し且つ基板１及び発光半導体領域２を覆っている包囲体５と、光反射層６と、金属支持板７と、端子８と、接続導体９とを備えている。 - 特許庁

On a slider main body 7, a silicon bare chip substrate 33 is laminated via a resin layer having a shape identical to that of the slider main body 7, a head amplifier circuit 90 for recording/reproducing is provided on the silicon bare chip substrate 33, and a fixing part is provided for fixing the head amplifier circuit 90 and the slider main body 7 to each other by adhesive.例文帳に追加

スライダ本体７上に、スライダ本体７と同一形状の樹脂層を介してシリコンベアチップ基板３３を積層すると共に、当該シリコンベアチップ基板３３上に記録再生用のヘッドアンプ回路９０とを設け、このヘッドアンプ回路９０と前記スライダ本体７とを接着剤により直接固定する固定部を設ける。 - 特許庁

An image display medium 1 is constituted by forming an internal space by arranging a surface substrate 2 which transmits light and a back substrate 3 having a colored layer 32 on its internal surface at a specified interval, forming cells 4A and 4B with partition members 5 and 5 in the formed internal space, and charging white particles 6A and black particles 6B in the respective cells.例文帳に追加

透光性を有する表面基板２と、着色層３２を内面に有する背面基板３とを所定の間隔で配設して内部空間を形成し、形成された内部空間は仕切り部材５，５によってセル４Ａ，４Ｂが形成され、各セル内に白色粒子６Ａと黒色粒子６Ｂが封入されて画像表示媒体１が構成される。 - 特許庁

The display device includes the display panel 10 and the supporting substrate 20 composed of a transparent synthetic resin and the entire surface on one side of the display panel 10 is fixed to the supporting substrate 20 through the adhesive layer 30 which is composed of a transparent liquid adhesive exhibiting elasticity after curing and has a thickness 0.2 to 2.0 mm and preferably elongation 200 to 1,000%.例文帳に追加

表示パネル１０と透明な合成樹脂からなる支持基板２０とを含み、表示パネル１０の一方の面の全面を、硬化後に弾性を発揮する透明な液状接着剤からなる厚さ０．２〜２．０ｍｍで好ましくは伸び率が２００〜１０００％である接着層３０を介して支持基板２０に固定する。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 1 includes: a substrate 20; a semiconductor device 12 formed on the principal surface of the substrate 20 and including an interconnect layer; a magnetic shielding film 15 of a magnetic material covering the semiconductor device 12; and a buffer film 14 disposed between the semiconductor device 12 and the magnetic shielding film 15, and preventing diffusion of the magnetic material of the magnetic shielding film 15.例文帳に追加

半導体装置１は、基板２０と、基板２０の主面上に形成され、かつ配線層を含む半導体素子１２と、半導体素子１２を被覆する磁性体からなる磁気シールド膜１５と、半導体素子１２と磁気シールド膜１５との間に介在し、かつ磁気シールド膜１５の磁性体材料の拡散を防止するバッファ膜１４と、を有する。 - 特許庁

A transfer mask blank 10 has a membrane 31a composed of a membrane forming area 61 and a membrane support area 62, on an opening part 12 of a support substrate 11 composed of a single crystal silicon formed with the opening part 12, and the membrane support area 62 of the membrane 31a is joined to the support substrate 11 through a BOX layer 21a.例文帳に追加

転写マスクブランク１０は、開口部１２が形成された単結晶シリコンからなる支持基板１１の開口部１２上にメンブレン形成領域６１とメンブレン支持領域６２とからなるメンブレン３１ａが設けられており、メンブレン３１ａのメンブレン支持領域６２はＢＯＸ層２１ａを介して支持基板１１に接合されている。 - 特許庁

In the original plate for positive type heat sensitive lithographic printing, which is provided on the aluminum substrate of the same with an ink receptor layer capable of abrasion duet to heat, the aluminum substrate is characterized by comprising an anodized film of 2 g/m2 or more for the same, which is treated through sealing treatment having the sealing rate of 50% or more.例文帳に追加

アルミニウム支持体上に、熱によりアブレーション可能なインキ受容層を有するポジ型感熱性平版印刷用原板であって、該アルミニウム支持体が、２ｇ／ｍ^2以上の陽極酸化皮膜を有し、かつ封孔率５０％以上の封孔処理を施されていることを特徴とするポジ型感熱性平版印刷用原板。 - 特許庁

A printed-wiring board is manufactured by forming an interlayer insulation layer 3 on both the sides of a substrate 1 by a rotor coater 4, where the substrate 1 has a surface-side conductor circuit 21 on the surface 11 and at the same time a backside conductor circuit 22 on the backside 12 and has a smaller area of the surface-side conductor circuit 21 than that of the backside conductor circuit 21.例文帳に追加

表側面１１に表側導体回路２１を有すると共に裏側面１２に裏側導体回路２２を有し，かつ裏側導体回路２２の面積が表側導体回路２１の面積よりも小さい基板１の両面に，ロールコーター４によって層間絶縁層３を両面同時に形成することにより，プリント配線板を製造する方法。 - 特許庁

First electrode plate of a memory cell is disposed on the circumferential edge at the lower surface part of an insular semiconductor structure in a substrate, a second electrode plate is disposed in the surface at the lower surface part of the insular semiconductor structure and in the surface of the substrate on the outside of the insular semiconductor structure, and a capacitor dielectric layer 112 is interposed between the second electrode plate and the first electrode plate.例文帳に追加

メモリセルの第一電極板は基板の島状半導体構造下面部分の周縁に設置され、第二電極板は島状半導体構造下面部分の表面内と島状半導体構造外側の基板表面内とに設置され、キャパシタ誘電層１１２は第二電極板と第一電極板との間に設置されている。 - 特許庁

Then the semiconductor laser layer 3 includes a light projection surface 20a, and inclined surfaces 20c and 20d extending near the light projection surface 20a obliquely at an angle θ1 (=about 62°) with respect to a [1-100] direction perpendicular to the principal surface of the n-type GaN substrate 1 while having an acute angle to the principal surface of the n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

そして、半導体レーザ素子層３は、光出射面２０ａと、光出射面２０ａの近傍に、ｎ型ＧａＮ基板１の主表面と鋭角をなしながらｎ型ＧａＮ基板１の主表面に垂直な［１−１００］方向に対して角度θ_１（＝約６２°）だけ傾斜して延びる傾斜面２０ｃおよび２０ｄとを含んでいる。 - 特許庁

The coating device 10 for forming the uniform glass layer by dripping a liquid ordinary-temperature-hardening glass G on a rotating glass substrate B is provided with a turn table 12 rotating with a glass substrate B mounted, a heater 15 heating the back surface of the turn table 12 from the lower part of the turn table 12, and a heat protecting part 16 surrounding the periphery of the heater 15.例文帳に追加

液状の常温硬化ガラスＧを回転するガラス基板Ｂ上に滴下することで、均一なガラス層を形成する塗布装置１０において、ガラス基板Ｂを搭載して回転するターンテーブル１２と、ターンテーブル１２の下方からターンテーブル１２の下面を加熱するヒータ１５と、ヒータ１５の周囲を囲う熱防護部１６とを備えた。 - 特許庁

In the second step, the pulse laser light whose beam intensity has been adjusted is radiated to the substrate, and the focal point of the pulse laser light is fixed to make scanning along the scheduled division line, so that a plurality of linear process traces which come down to such depth as not reach the surface of the substrate with the reform layer as a start point, are periodically formed along the scheduled division line.例文帳に追加

第２工程は、ビーム強度の調整されたパルスレーザ光を基板に照射するとともに、パルスレーザ光の焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、改質層を起点として基板の表面に到達しない深さまで進行する複数の線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する工程である。 - 特許庁

A dielectric oxide coating film 4 is formed, in a region other than regions where the first anode terminal parts a1 and a2 are formed, on a connecting surface to a mounting substrate, of the valve metal substrate 1, and a cathode electrode layer constituted of a solid electrolyte 5 and a conductive member 6 is successively provided on the surface of the film 4 to form cathode parts d1 and d2.例文帳に追加

弁作用金属基体１の実装基板への接続面における第１の陽極端子部ａ１，ａ２が形成された領域の残余領域には、誘電体酸化被膜４を形成し、その表面に固体電解質５および導電性部材６からなる陰極電極層を順次設けて、陰極部ｄ１，ｄ２を形成する。 - 特許庁

In a matrix panel which has a source part, a channel part, a drain part and a gate part, and in which a plurality of TFTs are two- dimensionally laid out on an insulation substrate, a layout structure is formed that the source part, channel part, and drain part are vertically stacked on the insulation substrate, and an insulation layer and a gate electrode are formed on the side face.例文帳に追加

ソース部、チャネル部、ドレイン部およびゲート部を有し、複数個のＴＦＴを、絶縁基板上に２次元的に配列したマトリックスパネルにおいて、前記ソース部、チャネル部、ドレイン部が前記絶縁基板上に、縦方向に積層され、その側面に絶縁層、ゲート電極が形成された配置構造になっていることを特徴とする。 - 特許庁

A pad oxidation film 2 and a nitriding silicon film 3 are formed on a silicon substrate 1, a trench 4 is formed by dry etching to make the nitriding silicon film 3 an etching mask, further the nitriding silicon film 3 is made an oxidation mask to thermally oxidize the silicon substrate 1, and a reforming layer formed on the surface of the nitriding silicon film 3 is removed by a neutral radical containing fluorine in a thermal oxidation process.例文帳に追加

シリコン基板１上にパット酸化膜２と窒化珪素膜３を形成し、窒化珪素膜３をエッチングマスクにしたドライエッチングでトレンチ４を形成し、更に窒化珪素膜３を酸化マスクにしてシリコン基板１を熱酸化し、上記熱酸化工程において窒化珪素膜３表面に形成される改質層をフッ素含有の中性ラジカルで除去する。 - 特許庁

The functional portion 2 of the micro-device is airtightly sealed in this micro-package structure 1A, by joining the substrate (Si substrate 3) formed with the functional portion 2 of the micro-device to the lid member (glass plate 6) provided with a spatial distance on the functional portion 2 of the micro-device with a soldering layer 9 via respective adhesive layers 7, 8.例文帳に追加

マイクロパッケージ構造１Ａにおいて、マイクロデバイスの機能部分２が形成されている基板（Ｓｉ基板３）と、マイクロデバイスの機能部分２上に空間的隔たりをおいて設けられている蓋材（ガラス板６）とが、それぞれ接着層７、８を介して半田層９と接合することにより、マイクロデバイスの機能部分２が気密封止されている。 - 特許庁

Since an active surface 4f of the substrate 4a can be protected against flaws or contamination only by forming a protective layer 4c on the active surface 4f of the substrate 4a having a wiring pattern 4b or the like formed, a troublesome process of packaging substrates one by one and then packing or the like is not necessary, and automatic packing can be done in a conveyer-line method.例文帳に追加

配線パターン４ｂ等が形成された基板４ａの能動面４ｆに保護層４ｃを形成するだけで当該基板４ａの能動面４ｆを傷や汚染から保護することができるので、基板を一つ一つパッケージしてから梱包する等の煩雑な工程は必要なく、流れ作業で自動的に梱包を行うことができる。 - 特許庁

The light receiver is formed in a semiconductor substrate 21, and the transistor which is one of the configuration of the means and at least requires a capability is formed in a semiconductor layer 20 of an SOI structure provided on the semiconductor substrate 21.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、画素となる受光部と、該受光部からの信号電荷を読み出すための手段を備え、前記受光部が半導体基板２１に形成され、前記手段を構成するうちの、少なくとも能力を必要とするトランジスタが、前記半導体基板２１上に設けたＳＯＩ構造の半導体層２０に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method peels the second substrate (S2) from the inside or interface of the peeling layer (3) while giving a vibration (53) to the laminate substrate.例文帳に追加

本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、前記積層基板に振動(53)を与えつつ前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第２基板(S2)を剥離する。 - 特許庁

A typical method comprises providing a substrate and depositing a graded gallium nitride layer on the substrate having a varying composition of a substantially continuous grade from an initial composition to a final composition formed from a supply of at least one precursor in a growth chamber without any interruption in the supply.例文帳に追加

典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。 - 特許庁

A heat-sensitive recording material is formed of a substrate and a heat-sensitive recording layer containing microcapsules and formed on the substrate, and a capsule wall agent forming the microcapsules contains at least an isophorone diisocyanate compound, and protective colloids used in the encapsulating reaction of the microcapsules is a terminal hydrophobic polyvinyl alcohol.例文帳に追加

支持体と、その上に、マイクロカプセルを含有する感熱記録層を有する感熱記録材料であって、前記マイクロカプセルを形成しているカプセル壁剤が、少なくともイソホロンジイソシアネート系化合物を含有し、前記マイクロカプセルのカプセル化反応の際に用いられる保護コロイドが、末端疎水化ポリビニルアルコールであることを特徴とする感熱記録材料である。 - 特許庁

To provide a substrate for power module which can effectively radiate heat generated from a semiconductor element, restrain crack generation in a solder layer placed against the semiconductor element even when loading a cool and heat cycle, and constitute a highly reliable power module, and a power module using this power module substrate.例文帳に追加

半導体素子から発生した熱を効率的に放散させることが可能であるとともに、冷熱サイクルを負荷した場合でも半導体素子との間に介装されたはんだ層におけるクラックの発生を抑制でき、信頼性に優れたパワーモジュールを構成することができるパワーモジュール用基板及びこのパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the skin adhesive material includes dissolving a skin adhesive material comprising an adhesive layer containing a methylcyclodextrin iodine inclusion body as an antibacterial agent on a substrate and a methylcyclodextrin iodine inclusion body in at least one kind of solvent selected from the group consisting of methanol, ethanol and propylene glycol and applying this solution to the substrate.例文帳に追加

基材上に、メチルシクロデキストリンヨウ素包接体を抗菌剤として含む粘着層を設けてなる皮膚貼着材、及びメチルシクロデキストリンヨウ素包接体を、メタノール、エタノール及びプロピレングリコールからなる群より選択される少なくとも一種の溶剤に溶解し、この溶液を基材に塗布する段階を有する前記皮膚貼着材の製造方法。 - 特許庁

This method of making protective coating forming a thermal barrier on the superalloy substrate comprises, forming the bonding underlayer which is constituted by intermetallic compounds consisting of at least aluminum and a metal from the platinum group, on the superalloy substrate, and forming a ceramic outer layer which is anchored on a film of alumina present on the surface of the bonding underlayer.例文帳に追加

熱障壁を形成する保護コーティングは、少なくともアルミニウムおよびプラチナ系金属から成る金属間化合物によって構成される結合下地層を超合金基板上に形成するとともに、結合下地層の表面上に存在するアルミナ膜上に固定されるセラミック外層を形成することによって、超合金基板上に作られる。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the ceramic chip package, substrate deformation is minimized by omitting the coating of the epoxy resin 34 at one region 35 on the ceramic substrate 31 where a number of chips are mounted, and good reliability in terms of temperature and humidity is obtained by reducing the consumption of epoxy by forming an epoxy resin layer after forming an epoxy dam (Dam).例文帳に追加

本発明によれば、多数のチップが実装されたセラミック基板３１上にエポキシ樹脂３４を塗布するが一部領域３５を除いて塗布することにより基板変形を最少化し、またエポキシダム(Dam)を形成してからエポキシ樹脂層を形成することによりエポキシ使用量を減らし温・湿度に対する信頼性に優れたセラミックチップパッケージを作製できる。 - 特許庁