「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(693ページ目) - Weblio英語例文検索

In an IC module constituted by mounting electronic components including a semiconductor integrated circuit(IC) on a substrate, the IC module comprises as constituents at least a leadless IC package composed of a material containing an aluminum nitride(AlN) or an alumina(Al_2O_3) and a multi-layer mounting substrate containing a resin.例文帳に追加

半導体集積回路（ＩＣ）を含む電子部品を基板上に搭載することにより構成されるＩＣモジュールにおいて、このＩＣモジュールを、少なくとも窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を含む材料により構成されるリードレスＩＣパッケージと、レジンを含む多層実装基板とを構成要素として含んでなる構成とした。 - 特許庁

A 0.3 μm to 5 μm thick coating layer comprising a coating film containing an acrylic polyol resin and a polyurethane resin is placed directly or indirectly on the laminated surface side of the substrate within the laminated packing material comprising at least two laminated layers of synthetic resin material, including the substrate of drawn synthetic resin material.例文帳に追加

延伸された合成樹脂材料からなる基材を含む少なくとも二層の合成樹脂材料が積層されてなる包装用積層材料であって、該基材の積層面側に、アクリルポリオール樹脂およびポリウレタン樹脂を含有する被膜からなる０．３μｍ〜５μｍの厚みのコート層を直接的もしくは間接的に配設する。 - 特許庁

After a first-conductivity impurity is injected into the whole surface of a first-conductivity semiconductor substrate 201, a first-conductivity diffusing layer 200 and second-conductivity wells 202 and 203 higher in concentration that the substrate 201 are formed in a desired area by selectively injecting n-type dopants, such as the P, As, etc., into the area.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板２０１全面に半導体基板と同一導電型の不純物を注入した後、所望領域に、選択的に、Ｐ、Ａｓ等のＮ型ド−パンを注入し、熱拡散により半導体基板２０１より高濃度の第１導電型拡散層２００と第２導電型ｗｅｌｌ２０２，２０３を形成する。 - 特許庁

The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14.例文帳に追加

ｐ^＋＋型半導体領域１４は、凹部１０の側部および底部にも形成され、ｐ^＋＋型高濃度基板７に達し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１３とによるツェナー接合を表面電極２３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を介してｐ^＋＋型高濃度基板７と導通させる。 - 特許庁

The read only single-sided two layer optical disk is provided with a first substrate 15 having pits showing information formed on one surface thereof and a reflection film 14 on the pit side surface and a second light transmissive substrate 11 having pits showing information formed on one surface thereof and a semitransmissive film 12 consisting of silver or a silver alloy consisting essentially of silver on the pit side surface.例文帳に追加

情報を示すピットが片面に形成され、該ピット側表面に反射膜１４を有する第１の基板１５と、情報を示すピットが片面に形成され、該ピット側表面に銀又は銀を主成分とする銀合金からなる半透過膜を有する光透過性の第２の基板１１とを具備する再生専用片面２層光ディスク。 - 特許庁

Since the heaters 15 are formed on the insulating base layer 14 formed on the back of the solid electrolyte substrate 11 by patterning using insulating paste, the heat conductivity to the solid electrolyte substrate 11 from the heaters 15 is enhanced as compared with a conventional example wherein the heaters are patterned on separate substrates and the number of members or manufacturing processes is also reduced.例文帳に追加

固体電解質基板１１の裏面に形成された絶縁性ペーストによる絶縁基層１４上にヒータ１５がパターニング形成されているため、ヒータが別途のヒータ基板上にパターニングされている従来例に較べ、ヒータ１５から固体電解質基板１１への熱伝導性が向上し、しかも、部材や製造工程も削減される。 - 特許庁

In the expansion cable 11, a film conductor 35 formed by longitudinally pasting a metal foil to the reverse of an strip-shaped film insulating substrate 31 while locating the metal foil inside the insulating substrate 21 is spirally coiled on the outer periphery of an expansible insulating core material 21 in a spaced manner and covered with an expansible insulating layer 51.例文帳に追加

帯状に形成されたフィルム状の絶縁基材３１の裏面に長手方向へ金属箔を貼り合わせて絶縁基材２１の内側に金属箔を位置させたフィルム導体３５を、伸縮性を有する絶縁心材２１の外周に間隔を空けて螺旋状に巻き付けて伸縮性を有する絶縁層５１で被覆して伸縮電線１１とする。 - 特許庁

A radiographic device 1 comprises a pixel unit 10A having a photodiode over a substrate 11, a circuit unit 10B that is arranged in an area peripheral to the pixel unit 10A over the substrate 11 and drives the pixel unit 10A, and a scintillator layer 22 that is disposed over the pixel unit 10A and converts the wavelength of the radiation to a wavelength in the sensitivity range of the photodiode.例文帳に追加

放射線撮像装置１は、基板１１上に、フォトダイオードを有する画素部１０Ａと、基板１１上の画素部１０Ａの周辺領域に配設され、画素部１０Ａを駆動する回路部１０Ｂと、画素部１０Ａ上に設けられ、放射線の波長をフォトダイオードの感度域の波長に変換するシンチレータ層２２とを備える。 - 特許庁

A zinc oxide nano thin film layer 5 which generates local near-field optical action by overlying light-transmissive multilayer thin film layers 4, 6 generates the local near-field optical action on a light-transmissive substrate 2 having the pit spot 1 by the action of condensing beams, is mutually worked and coupled with the pit spot 1 on the light-transmissive substrate 2.例文帳に追加

ピットスポット１を有する透光基板２上に、透光の多層薄膜層４，６を覆って、局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層５が、ビームを集光する作用により、局部の近接場光学作用を発生して、近接場距離内で、透光基板２上のピットスポット１アと互いに作用やカップリングする。 - 特許庁

The MOS type gates Mgx1 and MOS type storing gates Mccd of all pixels are turned on at once, and charges stored in the photodiodes PD of the pixels are transferred to a substrate region (an N type layer 23 forming an embedded channel) directly below the storing gates Mccd through corresponding MOS type gates Mgx1 in all pixels and stored and held in the substrate region ((C)).例文帳に追加

全画素のＭｇｘ１及びＭｃｃｄがそれぞれ一斉にオンとされ、全画素のフォトダイオードＰＤに蓄積されていた電荷が全画素で対応するゲートＭｇｘ１を通して、ＭＯＳ型蓄積用ゲートＭｃｃｄの直下の基板領域（埋め込みチャネルを形成するＮ^−層２３）に転送されて蓄積、保持される（（Ｃ））。 - 特許庁

A record erasing device, which is provided a first heater substrate 5 and a pressure roller 7 for pressing the thermal recording medium against the first heater substrate, erases a visible image, which is recorded on the thermal recording medium, by applying heating treatment within a predetermined range of color erasing temperature to the thermal recording medium with a recording layer reversibly developing/erasing a color by heating.例文帳に追加

熱により可逆的に発色及び消色する記録層をもつ感熱記録媒体を所定の消色温度範囲内で加熱処理することにより、その感熱記録媒体上に記録された可視画像を消去する記録消去装置に、第１ヒータ基板５と、感熱記録媒体を第１ヒータ基板に押し付けるための加圧ローラ７とを設ける。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor includes a substrate 2 and an outermost surface layer 6, which is disposed on the substrate 2 and contains a polymer having a fluorinated alkyl group having at most 2 carbon atoms.例文帳に追加

基体２と、該基体２上に設けられ、炭素数２以下のフッ化アルキル基を有する重合体を含有する最表面層６と、を有し、前記最表面層６の電荷移動度μ［ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ］と電場Ｅ［Ｖ／μｍ］とが、Ａが０．１０以下、Ｂが−４．０以上であるときに、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

An oblique vapor deposition substrate 1 has a plurality of pixel parts 10a arranged apart from each other in two directions (a first direction a and a second direction b) linearly crossing each other, wherein each pixel part 10a is relatively rotated in a plane of the oblique vapor deposition substrate 1 in consideration of a distribution of vapor deposition directions of an oblique vapor deposition layer.例文帳に追加

本発明の斜方蒸着基板１は、複数の画素部１０ａが、直線的に交差した２方向（第１方向ａ、第２方向ｂ）に間隙を有して配列され、斜方蒸着膜の蒸着方向の分布を考慮して、各画素部１０ａが斜方蒸着基板１の面内において相対的に回転されていることを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL panel includes: a translucent supporting substrate; a plurality of light emitting parts S1-S8 on which a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode are laminated; and a plurality of wiring parts L1 to L8 formed on the supporting substrate and supplying a current to each of the light emitting parts S1-S8.例文帳に追加

透光性の支持基板と、前記支持基板上に透光性の第一電極と有機発光層と第二電極とを積層形成してなる複数の発光部Ｓ１〜Ｓ８と、前記支持基板上に形成され各発光部Ｓ１〜Ｓ８に個別に電流を供給する複数の配線部Ｌ１〜Ｌ８と、を備える有機ＥＬパネルである。 - 特許庁

One end of a base metal layer 26, formed by electroless plating etc., of fourth wiring 24 of the printed wiring board 21 is connected to a land 13a of second wiring 13 provided on a lower surface of a sealing film 12 including a columnar electrode (projection electrode) 11 of the semiconductor construction 1 through electric conduction holes 33 and 35 of a film substrate (insulating substrate) 22.例文帳に追加

半導体構成体１の柱状電極(突起電極)１１を含む封止膜１２の下面に設けられた第２の配線１３のランド１３ａに、プリント配線板２１の第４の配線２４の無電解メッキ等により形成された下地金属層２６の一端部をフィルム基板（絶縁性基板）２２の導通用孔３３、３５を介して接続する。 - 特許庁

A thin-film transistor (TFT) manufactured by back surface exposure uses the oxide semiconductor as a channel layer, negative resist on a conductive film is exposed from a back surface side of a substrate using an electrode on the substrate as a mask, and then removed except an exposed part of the negative resist, and the conductive film is etched using the exposed part as an etching mask to process the electrode.例文帳に追加

裏面露光により製造される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、チャネル層として酸化物半導体を用い、基板上の電極をマスクとして、基板の裏面側から導電膜上のネガレジストを露光し、ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、露光部分をエッチングマスクとする導電膜のエッチングにより、電極を加工する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 is equipped with a semiconductor substrate 11 which has an integrated circuit on the side of a principal surface 11a, wiring 23 and an electrode 25 which are formed on an insulator film 14 covering a passivation film 13, a light-shielding sealing layer 26 covering other than the electrode 25, and a heat spreader 30 which is disposed on a rear surface 11b of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体装置１が、集積回路を主面１１ａ側に有した半導体基板１１と、パッシベーション膜１３上の被覆した絶縁膜１４上に形成された配線２３、及び電極２５と、電極２５以外を覆う遮光性の封止層２６と、半導体基板１１の裏面１１ｂに設けられたヒートスプレッダ３０と、を備える。 - 特許庁

The thin film device includes: the substrate; an electric field shielding plate formed above the substrate, the electric filed shielding plate having conductivity; and an active layer having a thin film element formed on the electric field shielding plate, the electric field shielding plate being connected to a potential of any electrode of the thin film element or a ground potential.例文帳に追加

本発明の薄膜装置は、基板と、前記基板の上に形成された、導電性を有する電界遮蔽板と、前記電界遮蔽板の上に形成された、薄膜素子を含む能動層と、を備え、前記電界遮蔽板は、前記薄膜素子のいずれか電極の電位又は接地電位に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes: a film forming process of forming a silicon film on a substrate; a modifying process of supplying an oxidation seed onto the substrate, performing heat treatment on the silicon film and modifying the surface layer of the silicon film into an oxidized silicon film; and a removing process of removing the oxidized silicon film.例文帳に追加

基板にシリコン膜を形成する膜形成工程と、前記シリコン膜に酸化種を供給し、前記シリコン膜を熱処理し前記シリコン膜の表層を酸化シリコン膜に改質する改質工程と、前記酸化シリコン膜を除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供することで上記課題を解決する。 - 特許庁

The SOI 100 includes: a silicon substrate 101; a first insulating film 102 formed on the silicon substrate 101; a second insulating film 103 formed on the first insulating film 102; a third insulating film 104 formed on the second insulating film 103; and a silicon layer 106 formed on the third insulating film 104.例文帳に追加

シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０２と、第１絶縁膜１０２上に形成された第２絶縁膜１０３と、第２絶縁膜１０３上に形成された第３絶縁膜１０４と、第３絶縁膜１０４上に形成されたシリコン層１０６とからなるＳＯＩ基板１００の構成を有する。 - 特許庁

The semiconductor element has a semiconductor substrate 100, electrode pads 200 formed on a principal surface 110 of the semiconductor substrate 100, and projection electrodes 600 formed on the electrode pads 200, wherein each of the projection electrodes 600 is in a substantially conic shape having a flat part at a tip part, and a surface of the projection electrode 600 is coated with a metal layer.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板１００と、半導体基板１００の主表面１１０上に形成された電極パッド２００と、電極パッド２００上に形成された突起電極６００とを有し、突起電極６００は、先端部に平坦部を有する略円錐形状を有し、突起電極６００の表面は、金属層で被覆されている。 - 特許庁

The application liquid composition in which a light-emitting material is dissolved in an organic solvent is used to form a light-emitting layer 4 by removing the organic solvent on a substrate after ejecting it to the substrate by the inkjet method where the organic solvent includes a solvent seed having a boiling point of 200°C or higher.例文帳に追加

有機溶媒で発光材料を溶解した塗布液組成物であるとともに、インクジェット方式により基体上に噴出させた後、当該基体上の有機溶媒を取り除くことにより発光層４を形成するための塗布液組成物において、前記有機溶媒として、沸点が２００℃以上の溶媒種を含むように構成する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: a semiconductor substrate; an active region formed in a tap region 40 of the semiconductor substrate; a transistor region 36; and a silicide wiring region 38; a gate electrode 21 formed on the silicide wiring region 38 down to the transistor region 36; and a metal silicide layer 44a provided on the active region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板のタップ領域４０、トランジスタ領域３６、及びシリサイド配線領域３８に形成された活性領域と、シリサイド配線領域３８上からトランジスタ領域３６上に亘って形成されたゲート電極２１と、活性領域上に設けられた金属シリサイド層４４ａとを備えている。 - 特許庁

A non-cross-linkable coloring ink is packed in an opening of a black matrix, which is formed on the substrate at the black matrix substrate production step, and the packed ink is dried/solidified to form a colored layer.例文帳に追加

ブラックマトリクス基板製造工程にて基板上に形成されたブラックマトリクスの開口部に非架橋性着色インク充填して乾燥固化させて着色層を形成し、降伏値が０．０１ｍＰａ以下であり、ブラックマトリクスに対する接触角が２５度以下となる透明架橋性インクを、ブラックマトリクスおよび着色層が形成された開口部の全体を覆うように供給する。 - 特許庁

The method for making the key panel includes a step of providing a substrate made of a transparent or translucent material, a step of forming a plurality of recesses on one surface of the base, a step of filling the plurality of recesses with ink, and a step of forming a metallic layer on the surface of the substrate where the recesses are formed.例文帳に追加

本発明に係るキーパネルの製造方法は、透明または半透明の材料からなる基体を提供するステップと、前記基体の一の表面に複数の凹部を形成するステップと、前記複数の凹部にインクを充填するステップと、前記基体の前記凹部が形成されている表面に金属層を形成するステップと、を備える。 - 特許庁

The balun mounting device comprises a device 30 including a balun 20 having, on a substrate 10, two balanced signal transmission lines 21 and 22 and unbalanced signal transmission line 23 where an upper surface of the device 30 is covered with a magnetic layer 14 within a range including at least the whole balun 20 when viewed from a direction perpendicular to a surface of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、２つの平衡信号伝送路２１，２２及び不平衡信号伝送路２３を有するバラン２０を備えたデバイス３０からなるバラン実装デバイスであって、デバイス３０の上面には、基板１０の面に垂直な方向から見て、少なくとも前記バラン２０の全体を含む範囲が磁性体層１４で覆われている。 - 特許庁

In a jumper line of the mutual connection differential wiring, the prescribed part of a metal support substrate 11 is insulated from the other part, is formed as a bypass line 6 of which the thickness is smaller than the other part, before the part of the bypass line is insulated, a metal plating layer 16 or the like of a connection terminal part 3 is formed by feeding from the metal support substrate.例文帳に追加

相互接続差動配線のジャンパー線を、金属支持基板１１の所定の部位を他の部位から絶縁し、他の部位よりも厚みが小さくなるようにした迂回線路６として形成し、前記迂回線路の部位を絶縁する前に、接続端子部３の金属めっき層１６等を前記金属支持基板からの給電により形成する。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal and a method for producing the same for preventing the occurrence of a crack when growing a GaN single crystal, when processing the grown GaN single crystal into a substrate and the like, and when forming at least a single semiconductor layer on the substrate-like GaN single crystal to produce a semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The coated substrate comprises a substrate coated on at least one side with a continuous layer of pressure-sensitive adhesive, having microstructured surface, wherein the microstructured surface comprises a series of pyramidal shapes having 25-250 μm height and the pressure-sensitive adhesive is crosslinked.例文帳に追加

微細構造化面を有する感圧接着剤の連続層を少なくとも一つの面にコーティングした支持体を含んでなるコーティングされた支持体であって、前記微細構造化面が一連のピラミッド形状を含んでなり、そのピラミッド形状の高さが２５〜２５０μｍであり、前記感圧接着剤が架橋されたものである、コーティングされた支持体。 - 特許庁

The electronic component 10 at least includes a substrate 1, a conductive layer 2 provided on one surface 1a of the substrate 1 and made of copper or a material containing copper as its main component.例文帳に追加

基板１と、基板１の一方の面１ａに設けられた銅または銅を主成分とする導電層２と、を少なくとも備えた電子部品１０において、導電層２の表面２ａには銅粒子３を局所的に固着し、銅粒子３が存在していない導電層２の表面２ａを酸化銅膜４で被覆し、銅粒子３の表面３ａを酸化銅膜５で被覆する。 - 特許庁

The masking material 1 used in a heating step includes: a substrate 2 containing a resin having a higher melting point than the temperature of the heating step, as a main resin component, and magnetic bodies having a higher Curie temperature than the temperature of the heating step; and a peelable protective layer 3 formed on one surface of the substrate 2 and comprising a peelable protective material.例文帳に追加

加熱工程下で使用されるマスキング材１であって、加熱工程の温度よりも高い融点を有する樹脂を主樹脂成分とし、加熱工程の温度よりも高いキューリー温度を有する磁性体を含有する基材２と、基材２の片面上に形成された、剥離性保護材からなる剥離性保護層３とを備えたマスキング材１。 - 特許庁

The light emitting device is provided with a light emitting element wherein a pair of the electrodes are formed to a side opposite to the substrate face and that is mounted on a base by directing the substrate side downward; a plurality of granular bodies placed between the light emitting element 10 and the base; and a reflecting layer formed on the surface of the granular bodies.例文帳に追加

基板面と反対側に一対の電極が形成され、且つ前記基板面側を下にしてマウントされる発光素子と、前記発光素子がマウントされる基台と、前記発光素子と前記基台との間に配置される複数の粒状体と、及び前記粒状体の表面に形成される反射層と、を備える発光装置。 - 特許庁

In a magnetic recording medium having a substrate, a plurality of primary layers provided on the substrate, and a magnetic layer with an alloy with a L1_0 structure as main component, there is used a heat-assisted magnetic recording medium in which at least one of the primary layers is Ru or an alloy having an HCP structure with Ru as main component.例文帳に追加

基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、Ｒｕ、もしくはＲｕを主成分とするＨＣＰ構造を有する合金であることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体を用いる。 - 特許庁

To provide a thermal recording material which generates no shrinkage of a substrate and wrinkles when the thermal recording material is manufactured, generates less ground fogging by heating when a card is molded, and is excellent in adhesiveness between a thermal recording layer and the substrate.例文帳に追加

本発明の課題は、感熱記録材料を加熱により別の基材に接着することにより形成されるプラスチックカードの用途において、感熱記録材料製造時の基材の収縮や皺の発生がなく、カード成型時の加熱による地肌かぶりが少なく、感熱記録層と基材との接着性に優れた感熱記録材料を提供することである。 - 特許庁

To uniformly make flatness in the total surface of a semiconductor substrate, and attain uniform polishing up to in the vicinity of a wafer edge, in a polishing device or a polishing pad for use in a mechanical flatting process smoothing by polishing a surface of an insulation layer or metal wiring formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を研磨により平滑にする機械的な平坦化工程で使用するための研磨装置または研磨パッドにおいて、半導体基板全面が均一に平坦化されまたウェーハエッジ近くまで均一な研磨が達成できる技術を提供するものである。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin-film device includes a step of transferring a thin-film element (transfer object layer 110) on a second conductive transfer substrate 120 and a step thereafter of connecting an electrode terminal 130 for imparting reference potential to a thin film element circuit formed of the thin-film element, or the like, to the second conductive transfer substrate 120.例文帳に追加

本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板１２０上に薄膜素子（被転写層１１０）を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子１３０を、導電性を有する第二転写基板１２０と接続する。 - 特許庁

A conductive part 5 for preventing crosstalk is formed in a LOCOS 6 so that at least a part thereof comes in contact with a silicon substrate 1 at the lower part of the LOCOS 6 of a circuit isolating region 4 including an insulating layer between a digital circuit forming region 2 and an analog circuit forming region 3 of the silicon substrate 1 where a digital circuit and an analog circuit are formed.例文帳に追加

デジタル回路とアナログ回路が形成されているシリコン基板１のデジタル回路形成領域２とアナログ回路形成領域３との間に絶縁層を有する回路分離領域４のＬＯＣＯＳ６の下部のシリコン基板１に少なくとも一部が接触するようにＬＯＣＯＳ６の内部にクロストーク防止用の導電部５が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 100 on which a circuit is formed, a multilayer wiring layers formed on the substrate 100 with a protection insulation film 300 formed on a surface, and an electrode pad 200 disposed on a top layer of the multilayer wiring layers and connected to the circuit with a surface lying substantially in the same plane with the protection insulation film 300.例文帳に追加

この半導体装置は、回路が形成された基板１００と、この基板１００上に形成され、表面に保護絶縁膜３００が形成された多層配線層と、この多層配線層の最上層の配線層に位置し、上記回路に接続し、かつ、表面が保護絶縁膜と略同一面となっている電極パッド２００と、を備える。 - 特許庁

An integrated circuit chip includes: a plastic substrate 101; a polymer dielectric 103 placed on the substrate 101; at least one active device 104 containing an organic semiconductor material 112 and a passive layer 114 formed between electrodes; a conductive polymer 106 and/or 108 contiguous to the at least one active device 104.例文帳に追加

集積回路チップは、プラスチックの基板１０１と、基板１０１上に配されたポリマー誘電体１０３と、電極同士の間に形成された有機半導体材料１１２および受動層１１４の少なくとも１つのを含むアクティブデバイス１０４と、少なくとも１つのアクティブデバイス１０４に隣接する導電性ポリマー１０６および／または１０８とを備えている。 - 特許庁

The touch sensing unit includes an encapsulation substrate and an electrostatic capacitive pattern layer which is formed on one side of the encapsulation substrate facing the display unit and has a plurality of openings formed in positions corresponding to the plurality of pixels.例文帳に追加

基板と、基板上に形成され、多数個の画素を含むディスプレイ部と、ディスプレイ部上に形成されるタッチセンシングユニットとを含み、タッチセンシングユニットは、封止基板と、ディスプレイ部と対面する前記封止基板の一面上に形成され、多数個の画素と対応する位置に多数個の開口部が形成されている静電容量パターン層とを含むディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

To avoid generating cracks caused by a thermal expansion of an inside filler in a wiring pattern or insulation layer formed in a both-end direction of an inside through-hole, in a multiplayer printed wiring substrate provided with an outside through-hole penetrating a substrate and the inside through-hole coaxial with the outside through-hole in an central axis.例文帳に追加

基板を貫通する外側スルーホールと、中心軸が外側スルーホールと同軸の内側スルーホールと、内側スルーホールに充填される内側充填材とを備えた多層プリント配線板において、内側スルーホールの両端方向に形成される配線パターンや絶縁層に内側充填材の熱膨張に起因するクラックが生じないようにする。 - 特許庁

The group III nitride compound semiconductor light-emitting element comprises a substrate 11, an interlayer 12 provided on the substrate 11, and a base layer 14a provided on the interlayer 12 where the rocking curve half peak width of (0002) plane is 100 arcsec or smaller and the rocking curve half peak width of (10-10) plane is 300 arcsec or smaller.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に設けられた中間層１２と、中間層１２上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下である下地層１４ａとを備えてなるＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子とする。 - 特許庁

The wet oxidation treatment for the carbon particles is carried out by adding an oxidizing agent to water in which the carbon particles are suspended, and the carbon particles treated by the wet oxidation treatment are added to a cyanide containing silver plating solution for electroplating a substrate to form a coating of the composite material, which contains the carbon particles in a silver layer, on the substrate.例文帳に追加

炭素粒子を水中に懸濁させた後に酸化剤を添加して炭素粒子の湿式酸化処理を行い、この湿式酸化処理を行った炭素粒子をシアン系銀めっき液に添加して電気めっきを行うことにより、銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is used together with coherent light having a wavelength in the range of 380-500 nm and has an electrically conductive substrate 2 and a photosensitive film 6, 8 with a layer 4, 8 containing both an electric charge generating material and fine particles of ≤1 μm average particle diameter disposed on the substrate 2.例文帳に追加

３８０〜５００ｎｍの範囲内の波長を有する可干渉光とともに用いられ、導電性支持体２と、支持体２上に配置されており且つ電荷発生材料と平均粒子径１μｍ以下の微粒子との双方を含有する層４，８を有する感光膜６、８と、を備えることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁