「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(781ページ目) - Weblio英語例文検索

In the heat dissipation member 1, wettability against solder is imparted to an another member connection surface 6 of the substrate 7, and a solder block layer 14 for blocking the flow of the solder is formed on at least one of a region close to the another member connection surface 6 on a side 13 and a region close to the side 13 on the another member connection surface 6.例文帳に追加

放熱部材１は、基体７の他部材接続面６に、半田に対する濡れ性を付与すると共に、側面１３の、少なくとも他部材接続面６と隣接する領域、および他部材接続面６の、側面１３と隣接する領域のうちの少なくとも一方に、前記半田の流れを阻止するための半田ブロック層１４を形成した。 - 特許庁

Further, the multilayer wiring substrate 10 includes a plurality of reserve electrodes 42 corresponding to each of the electrode 22, the reserve electrode 42 being electrically connected to the internal wiring 16 to which the corresponding electrodes 22 are connected, in the sheet 12a located directly under the top layer sheet 14a and directly under the corresponding electrodes 22.例文帳に追加

多層配線基板１０は、さらに、それぞれが前記電極２２に対応された複数の予備電極４２であって、対応する前記電極２２が接続された内部配線１６に電気的に接続された複数の予備電極４２を、前記最上層のシート１４ａの直下に位置するシート１２ａにあって、対応する前記電極２２の直下に備える。 - 特許庁

In a dividing region, a plurality of grooves 4 that intersect the forming direction of the dividing region 2Y, as viewed in a plan view, and penetrate the uppermost layer of the laminate 1 in the thickness direction are aligned along the forming direction of the dividing region 2Y, whereby neighboring substrate regions 3 are coupled through juncture sections 5, provided in between the grooves.例文帳に追加

分割領域内に、平面視して分割領域２Ｙの形成方向と交差するとともに積層体１の最上層を厚み方向に貫通する複数の溝部４を分割領域２Ｙの形成方向に沿って配列させることにより、隣接する基板領域３を、溝部間に設けられた連結部５によって連結させる。 - 特許庁

To provide a new structure which can improve the characteristic for distributing luminous intensity of a light emitting element using the rear surface of a substrate composed of a gallium nitride compound semiconductor on which a laminated structure containing a light emitting layer is not formed as its main light emitting surface immediately above the element, and, at the same time, can maintain the luminous intensity of the element at a high level.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a film comprising an organic-inorganic composite material having excellent surface smoothness, excellent heat resistance, excellent solvent resistance and low thermal expansivity and useful as a flat panel display element substrate or the like, to provide a transparent conductive film obtained by laminating a transparent conductive layer to the film or the like, and to provide a flat panel display having the transparent conductive film and the like as constituting elements.例文帳に追加

表面平滑性、耐溶剤性、低熱膨張性及び耐熱性に優れ、フラットパネルディスプレイ素子基板等として有用な有機・無機複合体からなるフィルム等、該フィルム等上に透明導電層が積層された透明導電性フィルム等、及びこの透明導電性のフィルム等を構成要素とするフラットパネルディスプレイを提供する。 - 特許庁

This nonlinear optical thin film is a thin film which is formed on a substrate directly or with an other layer and which is made from an amorphous ally or from the mixture of the amorphous alloy and oxide glass components and this optical information recording medium uses this nonlinear optical thin film whose refractive index is reversibly changed in accordance with the change of the intensity of a laser beam to be made incident on the thin film.例文帳に追加

基板上に直接または他の層を介して形成された非晶質合金あるいは非晶質合金と酸化物ガラス成分の混合物からなる薄膜であって、この薄膜に入射されるレーザー光の強度変化に応じて屈折率が可逆的に変化する非線形光学薄膜を用いた光情報記録媒体。 - 特許庁

The apparatus for forming the thin film by atomic layer epitaxy (ALE) uses a source supply means which has corrected the varying supply flow rate of the source gas to each substrate surface according to a distance from a source gas resource of a supply pipe so as to be more uniform, when having a plurality of substrates placed therein and supplying the source gas to the plurality of the substrates.例文帳に追加

複数の基板を配置し、原料ガスが複数の基板に供給される際に、各基板表面への原料ガスの供給流量が供給パイプの原料ガス供給源からの距離に応じて変化することを、より均一化するように補正した原料供給手段を用いる、原子層成長（ＡＬＥ）による薄膜成膜装置。 - 特許庁

Then the optical semiconductor device has a third semiconductor region provided on a region of a semiconductor layer isolated from the first semiconductor region and second semiconductor region by an element isolation region, and having the first conductivity type, and a fourth semiconductor region provided between a semiconductor substrate and the third semiconductor region and having the first conductivity type.例文帳に追加

そして、素子分離領域により前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と分離された半導体層の領域に設けられ、第１導電型を有する第３半導体領域と、前記半導体基板と前記第３半導体領域の間に設けられ、第１導電型を有する第４半導体領域とを備える。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element having a nitride semiconductor layer that is laminated on a substrate and has a ridge on its surface and an electrode, wherein a first protective film is formed so as to have air gaps in at least a part of regions over surfaces of the nitride semiconductor layers on both sides of the ridge from sides of the ridge.例文帳に追加

基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジの側面から、該リッジの両側の窒化物半導体層の表面にわたる領域の少なくとも一部にエアギャップを有するように第１の保護膜が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子。 - 特許庁

The method for manufacturing the mold structure includes a transfer step to press the projecting and recessing pattern side of a master disk against an imprint resist layer formed on one surface of a substrate to be worked and composed of an electron beam resist so as to transfer the projecting and recessing pattern to the imprint resist layer.例文帳に追加

原盤の凹凸パターン側を、被加工基板の一方の表面に形成された電子線レジストからなるインプリントレジスト層に押し付け、凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写する転写工程を含み、凹凸パターンにおける１ビットの面積Ｓｂｉｔと、１ビットの４つの角部に前記電子線レジストが到達していない欠け部の面積Ｓｃｈｉｐとの比率〔（Ｓｃｈｉｐ／Ｓｂｉｔ）×１００）〕が２％以上である場合には、原盤における１ビットの角部の形状を変化させるモールド構造体の製造方法である。 - 特許庁

One of the plurality of semiconductor layers is an inactive layer 336 containing nitrogen interposed between the quantum well active layer and the substrate.例文帳に追加

基板３２０と、前記基板上に形成された複数の半導体層と、量子井戸活性層３５０を含む前記半導体層の１つと、前記量子井戸活性層の一方の側に配置されたＡｌを含む第１の反射器３３０及び前記量子井戸活性層の反対側に配置された第２の反射器３９０とを含んでなり、前記半導体層の１つが窒素を含む不活性層３３６であり、窒素を含む前記不活性層が前記量子井戸活性層と前記基板との間に配置されている非対称垂直空胴表面放出レーザ構造とする。 - 特許庁

The article coated with the photocatalyst, including a photocatalyst layer disposed on the surface of a substrate, which photocatalyst layer is formed by applying a photocatalytic coating liquid thereonto and subsequently drying the same, with the photocatalytic coating liquid including photocatalytic titanium oxide particles, cerium oxide particles, a curable silicone emulsion and water, is characterized in that the photocatalytic titanium oxide particles and the cerium oxide particles are partially coated or modified with a substance comprising a hydrophobic group.例文帳に追加

基材表面に光触媒層を備えた光触媒塗装体であって、前記光触媒層は、光触媒コーティング液を塗布後乾燥させることにより得られ、前記光触媒コーティング液は、光触媒性酸化チタン粒子と、酸化セリウム粒子と、硬化性シリコーンエマルジョンと、水とを備え、前記光触媒性酸化チタン粒子および前記酸化セリウム粒子は疎水性基を有する物質により部分的に被覆或いは変性処理されていることを特徴とする光触媒塗装体。 - 特許庁

The article coated with the photocatalyst, including a photocatalyst layer disposed on the surface of a substrate, which photocatalyst layer is formed by applying a photocatalytic coating liquid thereonto and subsequently drying the same, with the photocatalytic coating liquid including photocatalytic titanium oxide particles, tin oxide particles, a curable silicone emulsion and water, is characterized in that the photocatalytic titanium oxide particles and the tin oxide particles are partially coated or modified with a substance comprising a hydrophobic group.例文帳に追加

基材表面に光触媒層を備えた光触媒塗装体であって、前記光触媒層は、光触媒コーティング液を塗布後乾燥させることにより得られ、前記光触媒コーティング液は、光触媒性酸化チタン粒子と、酸化スズ粒子と、硬化性シリコーンエマルジョンと、水とを備え、前記光触媒性酸化チタン粒子および前記酸化スズ粒子は疎水性基を有する物質により部分的に被覆或いは変性処理されていることを特徴とする光触媒塗装体。 - 特許庁

The paper has at least one porous ink absorbing layer on a non-water-absorbing substrate and this layer contains a compound of which the molecular weight is 200 or less and which is expressed by general formula (I).例文帳に追加

着色剤含有インクにより画像形成されたインクジェット記録用紙上に、皮膜形成能を有するポリマーを含有し、かつ実質的に着色剤を含有しない無色インクを用いて、１ｍ^2あたり０．０５〜０．３ｇの乾燥固形分を有する保護皮膜を形成させるインクジェット記録方法で用いるインクジェット記録用紙であって、非吸水性支持体上に少なくとも１層の多孔質インク吸収層を有し、該多孔質インク吸収層が、分子量が２００以下である下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有するインクジェット記録用紙。 - 特許庁

The surface protective film consists of a substrate layer and an adhesive layer.例文帳に追加

基材層と粘着層からなる表面保護フィルムであって、粘着層は、メルトフローレート（ＭＦＲ）が０．１〜５０ｇ／１０分、密度（Ｄ）が０．８６０〜０．９１５ｇ／ｃｍ^３、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が３．５未満、温度上昇溶離分別（ＴＲＥＦ）測定における４０℃までの溶出量（Ｅ）と密度（Ｄ）との関係が下記の式（１）を満たすエチレンとα−オレフィンとの共重合体からなり、粘着層の表面は活性化処理が施されていることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。 - 特許庁

One electrode is formed on the opposite conductivity type semiconductor layer, the other electrode is formed on the rear surface of the semiconductor substrate, the opposite conductivity type semiconductor layer additionally has light emitting layers and clad layers laminated in order, a film containing Zn is formed on an upper face, and thermal treatment is given after this to form a face given rough face treatment, thereby improving optical outside take-out efficiency.例文帳に追加

半導体基板上に双方の膜厚合計が１５μｍ以下になるように一導電型半導体層と逆導電型半導体層とを順次積層し、この逆導電型半導体層上に一方電極を、半導体基板の裏面に他方電極を形成し、さらに逆導電型半導体層は発光層とクラッド層とを順次積層して成り、上面にＺｎを含む膜を形成し、その後熱処理をくわえることで、粗面化処理面と成したことにより、光外部取り出し効率を向上させた。 - 特許庁

The manufacturing method for the circuit board having an electrode wiring formed at a surface part of a substrate and an electro-thermal conversion element with a heating resistor film formed on the electrode wiring for generating heat energy comprises the steps of forming an electrode wiring layer for forming the electrode wiring, forming the heating resistor film and etching the electrode wiring layer and the heating resistor film altogether to form the electrode wiring.例文帳に追加

基板の表面部に形成された電極配線と、該電極配線上に形成された熱エネルギーを発生するための発熱抵抗体膜を有する電気熱変換素子と、を有する回路基板の製造方法であって、前記電極配線を形成するための電極配線層を形成し、前記発熱抵抗体膜を成膜した後、前記電極配線層と発熱抵抗体膜を一括エッチングすることにより、前記電極配線を形成することを特徴とする回路基板の製造方法である。 - 特許庁

By attaining a structure for which a third electrode formed in an area, where the photoelectric conversion layer is not formed on the supporting substrate or in the area where the photoelectric conversion layer is not formed on the insulation layer is connected to the second electrode, the electrical resistance of the surface opposite to the incident light is reduced, and the crystal system solar battery of high efficiency and the large area is obtained.例文帳に追加

セラミックや金属等の支持基板上に絶縁層が形成され、その絶縁層上に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層が設けられ、入射光により発生したキャリアを取り出すために、光電変換層の入射光面倒に第1の電極が、その反対の絶縁層側の面に第2の電極が形成された太陽電池において、支持基板上の光電変換層が形成されていない領域または絶縁層上の光電変換層が形成されていない領域に形成された第3の電極が前記第2の電極に接続されている構造とすることにより、入射光と反対の面の電気抵抗を低減し、高効率で大面積の結晶系太陽電池を得る。 - 特許庁

The laminated wiring board comprises a wiring board equipped with a substrate and a plurality of through hole electrodes penetrating the substrate, and an insulation layer formed on at least one side of the wiring board wherein the insulation layer is formed above the end face of the through hole electrode with an opening having an area smaller than that of the end face.例文帳に追加

配線板１と、配線板１の一面側に設けられるコンデンサ構造３とを有し、第１電極層４及び第２電極層５が各々、環状切欠き部７によって、第１電極部４ｂ，５ｂと第２電極部４ａ，５ａとに分離され、第１電極層及び第２電極層５の第２電極部４ａ，５ａ同士が互いに電気接続され、第１電極層４及び第２電極層５の第１電極部４ｂ，５ｂ同士が互いに電気接続され、配線板１は、第１電極部４ｂに電気接続されるスルホール電極２ｂと、第２電極部４ａに電気接続される別のスルホール電極２ａを有するコンデンサであって、第１電極層４と配線板１との間の絶縁層８に形成された開口部１２の開口面積がスルホール電極２ａ，２ｂの端面の面積よりも小さいインターポーザ型コンデンサである。 - 特許庁

The substrate 10 is provided in a gap between the pixel electrodes 15 in at least one direction of the first direction and the second direction, and includes: a first oriented film that horizontally orients liquid crystal molecules in the liquid crystal layer along a longitudinal direction of the gap; and a second oriented film that at least covers the pixel electrodes and vertically orients the liquid crystal molecules along a normal line of the substrate.例文帳に追加

第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とに複数の画素電極１５が配置された基板１０と、液晶層と、を備えた液晶装置であって、前記基板１０は、前記第１方向または前記第２方向の少なくとも一方において前記画素電極１５間の隙間に設けられ、前記液晶層中の液晶分子を前記隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１配向膜と、少なくとも前記画素電極を覆う、前記液晶分子を前記基板の法線に沿って垂直配向させる第２配向膜と、を有する。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in a manner, where a phosphorus junction layer 2 provided with an N++ part heavily doped with phosphorus on its surface is formed on a P-type silicon substrate 1, a surface electrode 6 is formed on the N++ part 3, and a back face electrode 7 is formed on the rear of the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

少なくともＰ型シリコン基板１に、リンが高濃度にドープされたｎ^^++部を表面に有するリン接合層２を形成した後、該ｎ^++部３上に表面電極６を形成し、Ｐ型シリコン基板裏面に裏面電極７を形成する太陽電池の製造方法において、前記リン接合層の形成は、リンを含んだ有機シリカ化合物ペースト１５を表面電極が形成されるパターンに対応してＰ型シリコン基板１に印刷し、該Ｐ型シリコン基板に気相リン拡散熱処理を施すことにより、ｎ^++部３を表面に有するリン接合層を形成する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The dummy plate for offset printing is substantially constituted of a sheet type, foil type or belt type aluminum substrate, whose surface is roughened, anodized and made hydrophilic mechanically and/or electrochemically, and a light-insensible water-soluble layer applied for the substrate.例文帳に追加

本発明は、板状の、箔状のまたは帯状の、機械的におよび／または電気化学的に粗面化され、陽極酸化されそして親水化されたアルミニウム支持体およびそれに適用された非感光性の水溶性層より本質的になるオフセット印刷用のダミー版であって、層が式−ＣＯ−ＮＨ−および／または−ＣＯ−Ｎ＜の懸垂基を有する単量体単位を有し且つ２５℃の温度におけるその水中溶解度が少なくとも５０ｇ／ｌである少なくとも１種の共重合体、並びに少なくとも１種の酸性化合物および／またはその塩を含んでなるダミー版に関する。 - 特許庁

Electrodes 61 and 62 are formed on the semiconductor substrate 2 around the T-type gate electrode 5, the hollow structure 7 is provided between the head part 52 of the T-type gate electrode 5 and the insulation layer 4 in order to isolate the head part 52 of the T-type gate electrode 5 and the electrodes 61 and 62 on the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上に形成された絶縁層４と、絶縁層４上に、この絶縁層４に形成された穴９を通じて半導体基板２に接続して形成されたＴ型ゲート電極５とを有し、Ｔ型ゲート電極５の周囲の半導体基板２上に電極６１，６２が形成され、Ｔ型ゲート電極５の頭の部分５２と絶縁層４との間が中空構造７とされ、この中空構造７により、Ｔ型ゲート電極５の頭の部分５２と半導体基板２上の電極６１，６２とが離間されている半導体装置１を構成する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptive member has a cylindrical electrically conductive substrate and a photoconductive layer comprising a silicon-base non-single crystalline material containing hydrogen, halogen and at least one of the group IIIb elements of the Periodic Table on the surface of the substrate.例文帳に追加

円筒状導電性支持体と、支持体の表面上に水素原子、ハロゲン原子及び周期律表第IIIｂ族元素からなる群より選択された少なくとも一つの元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電層とを有し、光導電層の表面側で実質的に光を吸収する領域の膜厚Ａ（ｍｍ）、光受容部材の直径Ｄ（ｍｍ）、光受容部材の回転速度Ｂ（ｍｍ／ｓｅｃ）及び帯電前露光と帯電器の間の角度Ｃ（ｒａｄ）が、下記式（１）で示される関係にある電子写真用光受容部材。 - 特許庁

The wiring formation method includes: a process for forming a coating layer 3 having a dispersed solution including conductive fine particles, on a resin substrate 1; a process for forming a conductive fine wiring 4 by consecutively irradiating a specific area of the coating layer 3 with a laser beam 6; and a process for removing material in the area other than the conductive fine wiring 4.例文帳に追加

樹脂基板１上に、導電性微粒子を含有する分散溶液の塗布層３を形成する工程と、レーザ光６を塗布層３の特定領域に連続的に照射していくことで、導電性微細配線４を形成する工程と、導電性微細配線４以外の領域の材料を除去する工程とを備え、塗布層３の厚さをｄ、塗布層３の光吸収係数をα、レーザ光６の入射光強度をＩ_0、樹脂基板１上に到達するレーザ光６の透過光強度をＩ_1とするとき、以下の関係式から成り立つことを特徴とする。 - 特許庁

Here, the main surface of a semiconductor substrate 10 is tilted against a reference plane containing a crystal axis, and related to the selectively oxidized layer 16, a layer which is to be oxidized wherein the profile provided, when it is cut along the plane parallel to the main surface is smooth in a macro manner, comprising at least no singular point, is oxidized starting with a peripheral edge.例文帳に追加

半導体基板１０の主面に、活性層１４を挟んで上下の反射ミラー層１２、１８が形成され、上下の反射ミラー層１２、１８の少なくとも一方にその周縁部が酸化された選択酸化層１６を備えた面発光型半導体レーザにおいて、半導体基板１０の主面を、基準となる結晶軸を含む面に対して傾斜させ、選択酸化層１６を、主面と平行な面で切断したときの外周形状が少なくとも特異点のないマクロ的に滑らかな形状の被酸化層を周縁部から酸化して形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11, a pixel area 2 including a photodiode 13 and charge transfer electrode 18 and a surrounding circuit area 3 including a surrounding circuit electrode 21 are separately formed, and a reference potential supplying layer 14 to supply a reference potential to the element in the pixel area 2 is formed in the area interposed between those areas.例文帳に追加

半導体基板１１上に、フォトダイオード１３や電荷転送電極１８を含む画素領域２と、周辺回路電極２１を含む周辺回路領域３とが離隔形成されるとともに、これらの両領域に狭持される領域内に画素領域２内の素子に対して基準電位を供給するための基準電位供給層１４が形成される。 - 特許庁

An optical semiconductor element 1 comprising a semiconductor multilayer film L11, a separation layer SP, and a semiconductor multilayer film L12 formed sequentially on a semiconductor substrate SB, further includes an electrostatic breakdown voltage element 10 formed on the semiconductor multilayer film L11, and a surface emission semiconductor laser 20 formed on the semiconductor multilayer film L12 located above the semiconductor multilayer film L11.例文帳に追加

光半導体素子１は、半導体基板ＳＢ上に半導体多層膜Ｌ１１、分離層ＳＰ、及び半導体多層膜Ｌ１２が順に積層されており、半導体多層膜Ｌ１１に形成された静電耐圧素子１０と、半導体多層膜Ｌ１１の上方に位置する半導体多層膜Ｌ１２に形成された面発光型半導体レーザ２０とを含んで構成される。 - 特許庁

In the semiconductor apparatus where an opening is formed from the back of a semiconductor substrate 1 such that a pad electrode 3 formed thereon is exposed and a wiring layer 10 is formed for the pad electrode 3 through the opening, an opening 6b for monitoring the formation state of the opening is formed on a scribe line.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成されたパッド電極３を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記パッド電極３に配線層１０が形成されて成るものにおいて、前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部６ｂをスクライブライン上に形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

Each of the heat developable silver halide photosensitive materials has a layer containing an organic silver salt, photosensitive silver halide grains and a reducing agent on the substrate and contains a dye having an absorbance of 0.4-2.0 in the wavelength range of 700-900 nm and an absorbance of ≤0.2 in the visible region.例文帳に追加

支持体上に有機銀塩、感光性ハロゲン化銀粒子及び還元剤を含有する層を有する熱現像ハロゲン化銀感光材料において、光波長が７００〜９００ｎｍの範囲で濃度０．４以上２．０以下の吸光度を有し、かつ、可視領域で０．２以下の吸光度を有する如く染料を含有することを特徴とする熱現像ハロゲン化銀感光材料。 - 特許庁

In the production method for the visible light response type photocatalyst body, a skin layer part of the titanium oxide photocatalyst film is reformed to the visible light response type photocatalyst by nitriding-treating the titanium oxide photocatalyst film formed on the surface of the substrate in a plasma containing a nitrogen atom produced by dissociating, electro-dissociating and exciting the gas containing at least nitrogen.例文帳に追加

本発明の可視光応答型光触媒体の製造方法は、基材表面に形成された酸化チタン光触媒膜を、少なくとも窒素を含むガスを解離・電離・励起して生成された窒素原子を含むプラズマ中で窒化処理することにより、前記酸化チタン光触媒膜の表層部を可視光応答型光触媒に改質することを特徴とする。 - 特許庁

This leathery sheet is produced by raising the surface of a substrate layer composed of a three-dimensionally entangled nonwoven fabric composed of a fiber mainly comprising a micro fiber having ≤0.3 dtex thickness and a polymeric elastic body included therein, then applying a solvent dissolving the polymeric elastic body without dissolving the micro fiber to the raised surface, pressing by a heating roller and then immersing in a warm bath.例文帳に追加

０．３デシテックス以下の極細繊維を主体とする繊維からなる三次元絡合不織布とその内部に含有された高分子弾性体からなる基体層の表面を起毛した後に、該起毛面に、該高分子弾性体を溶解するが該極細繊維を溶解しない溶剤を塗布し、加熱ロールで圧着した後に、温浴中に浸漬して皮革様シートを製造する。 - 特許庁

To solve a problem that a part of a ceramic green sheet located on the opening side of a cavity droops into the cavity and tears off when a plurality of ceramic green sheets laid in layer are pressed in order to produce a multilayer ceramic substrate having a cavity, if the ceramic green sheets are shifted to cause undesired electric short circuit or defective die bonding of a chip component contained in the cavity.例文帳に追加

キャビティを備える多層セラミック基板を製造するため、複数のセラミックグリーンシートを積み重ねときにずれが生じていると、プレスしたとき、キャビティの開口側に位置するセラミックグリーンシートの一部がキャビティ内に垂れ下がった状態となったり、ちぎれたりし、それによって、不所望な電気的短絡が生じたり、キャビティ内に収容されるチップ部品のダイボンド不良を起こしたりする。 - 特許庁

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction.例文帳に追加

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、（１）遮光性による加工性の低下、（２）光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、（３）熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。 - 特許庁

A heat developable photosensitive material having organic silver salt grains, photosensitive silver halide grains and a reducing agent on the substrate and containing a hydrophobic binder or a polymer latex in at least one layer is packed with a packing material having an oxygen permeability of ≤50 ml/atm×m^2×25°C×day or a packing material having a water permeability of ≤10 g/atm×m^2×25°C×day.例文帳に追加

支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン化銀粒子及び還元剤を有し、少なくとも一層に、疎水性バインダー又はポリマーラテックスを含有し、酸素透過率５０ｍｌ／ａｔｍ・ｍ^2・２５℃・ｄａｙ以下の包装材料、又は水分透過率１０ｇ／ａｔｍ・ｍ^2・２５℃・ｄａｙ以下の包装材料で包装されている熱現像感光材料。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

The protective film for polarizer is characterized by having a reflection preventing layer, which is obtained with a method for generating discharge plasma for example by applying a pulsed electric field between electrodes placed opposite to each other under a pressure close to atmospheric pressure in an gaseous atmosphere containing a metal compound, formed on a substrate film whose absolute value of photoelastic constant is not more than 20×10-7 cm2/kgf.例文帳に追加

光弾性係数の絶対値が２０×１０^-7ｃｍ^2 ／ｋｇｆ以下である基材フィルム上に、例えば、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気中で、対向電極間にパルス化された電界を印可することにより、放電プラズマを発生させる方法で得られた反射防止層が形成されていることを特徴とする偏光子保護フィルム。 - 特許庁

The ceramic multilayer substrate 10 comprises a laminate 11 constituted of a plurality of ceramic layers 11A including a glass layer A; a thick film resistor 12 which is provided between the upper and lower ceramic layers 11A and includes glass B; and diffusion preventing layers 13, 14 which are provided between the thick film resistor 12 and the upper and lower ceramic layers 11A, and have glass C as the main ingredient.例文帳に追加

本発明のセラミック多層基板１０は、ガラスＡを含む複数のセラミック層１１Ａからなる積層体１１と、上下のセラミック層１１Ａの層間に設けられ且つガラスＢを含む厚膜抵抗体１２と、厚膜抵抗体１２と上下のセラミック層１１Ａとの間に設けられ且つガラスＣを主成分とする拡散防止層１３、１４と、を有する。 - 特許庁

The electrophotographic apparatus and the process cartridge include an electrophotographic photoreceptor, having a photosensitive layer on a substrate and a contact charging device for charging the surface of the electrophotographic photoreceptor by a contact charging member, disposed in contact with the electrophotographic photoreceptor, where the dynamic friction coefficient μ of between the electrophotographic photoreceptor and the contact charging member is 0.04-0.25.例文帳に追加

支持体上に感光層を有する電子写真感光体と、該電子写真感光体に接触配置された接触帯電部材によって該電子写真感光体の表面を帯電するための接触帯電手段とを有し、該電子写真感光体と該接触帯電部材との動摩擦係数μが０．０４以上０．２５以下である電子写真装置およびプロセスカートリッジ。 - 特許庁

The electrode membranes of 2 layers of a 1st electrode membrane 22 containing a metal oxide and a 2nd electrode membrane 23 containing a metallic particle on the 1st electrode membrane 22 are formed on a cathode electrode side of an oxygen ion conductive substrate 21 and the electrode membrane 24 of one layer containing at least one kind of a metal oxide and a metal particle is formed in an anode electrode side.例文帳に追加

酸素イオン伝導性基板２１のカソード電極側には、金属酸化物を含む第１電極膜２２と、該第１電極膜２２上に金属粒子を含む第２電極膜２３を設けた２層の電極膜を形成し、またアノード電極側には金属酸化物、金属粒子の少なくとも１種を含んだ１層の電極膜２４を形成している。 - 特許庁

This adhesive sheet is obtained by providing one side or both sides of a substrate with adhesive composition layer(s); wherein the adhesive composition comprises such a polyesteramide as to contain both ester structure and amide structure in one molecule with the amide structural portion accounting for 0.1-5 wt.% of the polyesteramide, be subjected to crosslinking treatment and have solvent insolubles at ≥10 wt.%.例文帳に追加

支持体の片面または両面に、エステル構造とアミド構造を同一分子中に含むポリエステルアミドにおいて、アミド構造部分のポリエステルアミドに対する重量比率が０．１〜５重量％であり、かつこのポリエステルアミドが架橋処理され、その溶剤不溶分が１０重量％以上である粘着剤組成物の層を設けたことを特徴とする粘着シ—ト類。 - 特許庁

In this thermal infrared sensor 100 having an infrared detection part 110, the infrared detection part 110 is equipped with the first electrode part 103a and the second electrode part 103b formed adjacent on a substrate 105, and a conductive layer 106, formed in a state of facing the first electrode part 103a and the second electrode part 103b via the dielectric film 101.例文帳に追加

赤外線検知部１１０を有する熱型赤外線センサ１００において、赤外線検知部１１０は、基板１０５上に隣り合うように形成された第１の電極部１０３ａ及び第２の電極部１０３ｂと、誘電体膜１０１を介して第１の電極部１０３ａ及び第２の電極部１０３ｂと対向するように形成された導電層１０６とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectromotive element includes the stages of: forming a precursor film 102a on a substrate 101; forming a second semiconductor thin film 103 on the precursor film 102a; and forming a first semiconductor thin film 102b by supplying thermal energy using the second semiconductor thin film 103 as a cap layer and then crystallizing the precursor film 102a.例文帳に追加

基板１０１の上に前駆体膜１０２ａを形成する工程と、前駆体膜１０２ａの上に第２の半導体薄膜１０３を形成する工程と、第２の半導体薄膜１０３をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜１０２ａを結晶化して第１の半導体薄膜１０２ｂを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a package substrate for mounting a semiconductor element which is capable of making a fine and adhesive external circuit because undercut hardly occurs, improving a yield by suppressing adhesion of resin powder when an insulation layer is laminated, and ensuring reliability of connection with the semiconductor element because unevenness is hardly generated on a surface of the external circuit.例文帳に追加

アンダーカットが生じ難いことにより微細で密着力のある外層回路が形成可能であり、絶縁層と積層する際の樹脂粉の付着を抑制することにより歩留まり向上が可能であり、外層回路表面の凹凸が生じ難いことにより半導体素子との接続信頼性を確保可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for forming semiconductor layers in layer in which a film can be formed stably by eliminating a trouble due to silicon particles dropping onto a substrate from the inner wall of a film forming chamber and the film forming time of the entire film forming device is shortened while prolonging the maintenance cycle.例文帳に追加

特にハイブリッド太陽電池の半導体層の製造において、製膜室内壁に付着したシリコンパーティクルが基板上に落下する障害を取り除き、且つ、安定した製膜を可能にした上で、製膜装置全体に掛かる製造時間の短縮及びメンテナンスサイクルの長期化を兼ね備えた半導体層の積層方法及び積層装置を提供することにある。 - 特許庁