「substrate-level」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid-stage image pickup device 2 is in a wave level chip size package type, where the periphery of a solid-state image pickup element 6 formed on the upper surface of a semiconductor substrate 3 is surrounded by a spacer 4 for sealing by cover glass 5, and a number of connection terminals 7 are provided on the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

固体撮像装置２は、半導体基板３の上面に形成された固体撮像素子６の周囲をスペーサー４で取り囲み、カバーガラス５で封止したウエハレベルチップサイズパッケージタイプであり、半導体基板３の上に多数の接続端子７が設けられている。 - 特許庁

Thus, the structure of the entire device is simplified by using the flexible substrate 2, formation of a level difference on a surface of the flexible substrate 2 at an abutting part of the sealing member 12 due to a thickness of the wiring patterns 5 or the like is suppressed, and the sealing property by the sealing member 12 is improved.例文帳に追加

これにより、フレキシブル基板２を用いて装置全体の構造を簡略化できると共に、配線パターン５の厚さ等によってシール部材１２の当接部位でフレキシブル基板２の表面に段差が形成されるのを抑制でき、シール部材１２によるシール性を高めることができる。 - 特許庁

To provide a compact electronic device by uniting a functional structure disposed in a cavity on a substrate and an electronic circuit in one body at high level, and to manufacture the functional structure disposed in the cavity on the substrate concurrently to the electronic circuit to reduce manufacturing cost thereof.例文帳に追加

基板上の空洞内に配置される機能構造体と電子回路を高度に一体化させることで、小型化された電子装置を実現するとともに、基板上の空洞内に配置される機能構造体を電子回路と並行して製造可能とすることで、製造コストを低減する。 - 特許庁

Thereby, the surface of the single crystal SiC substrate 5 is terminated in a step having a full unit height corresponding to one cycle in a deposition direction of SiC molecules that constitute the single crystal SiC substrate, or having a half unit height corresponding to a half cycle, and the surface is flattened in a molecular level.例文帳に追加

これによって、当該単結晶ＳｉＣ基板５の表面が、単結晶ＳｉＣ基板を構成するＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。 - 特許庁

A chip package 40 achieves miniaturization and excellent high-speed operation by employing flip chip interconnection between a die 24 and a package substrate 42 and mounting a chip on the same side of the package substrate 42 as solder balls 28 for the second level interconnection to a printed circuit board.例文帳に追加

ダイ２４とパッケージ基板４２との間にフリップチップ相互接続を用い、プリント回路基板に第２レベルの相互接続をするための半田ボール２８と同じ側のパッケージ基板４２にチップを取り付けることにより、チップパッケージ４０が小型化及び優れた高速動作を達成する。 - 特許庁

To provide in a relatively simple way a synthetic quartz glass substrate for semiconductor having a non-penetration hole, groove or level difference which is controlled in shapes such as a size, remained thickness of bottom surface and parallelism highly accurately and stably, and is reduced a shape change of a whole substrate before and after processing.例文帳に追加

比較的簡便な方法でサイズ、底面の残し厚さ、平行度等、形状を高精度に安定的に制御され、加工を施す前後の基板全体の形状変化を抑えた、非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate, having recesses and projections with ≥100 μm level difference on its surface, is manufactured by a mechanical process, and a resist layer of about 1 μm thickness is applied over the substrate surface and formed into a fine structure by drawing with electron beams to obtain the surface form of recesses and projections overlapping with the fine structure.例文帳に追加

機械的加工により高低差１００μｍ以上の凹凸を表面に有する基板を作製し、基板の表面に厚さ１μｍ程度のレジスト層を設けて、電子線描画によりレジストを微細構造として、凹凸に微細構造が重なった表面形状を得る。 - 特許庁

The first configuration of the reflection transmission liquid crystal display device comprises a structure forming the buffer layer on an upper substrate corresponding to a reflection section in order to vary the thickness of color filters and forming a difference in level on a lower substrate corresponding a transmission section in order to vary cell gaps.例文帳に追加

本発明による反射透過型液晶表示裝置の第1構成は、カラーフィルタの厚みを異なるようにするために、反射部に対応する上部基板にバッファ層を形成し、また、セルキャップを異なるようにするために透過部に対応する下部基板に段差を形成する構造とする。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor device has a step, in which a first nitride semiconductor layer 17 and a second nitride semiconductor layer 18 having a Fermi level larger than that of the first nitride semiconductor layer 17, as well as, containing an n-type impurity are formed on a substrate 11 sequentially from the substrate 11 side.例文帳に追加

窒化物半導体装置の製造方法は、基板１１の上に、第１の窒化物半導体層１７と該第１の窒化物半導体層１７と比べてフェルミ準位が大きく且つｎ型不純物を含む第２の窒化物半導体層１８とを基板１１側から順次形成する。 - 特許庁

In the potting equipment 1 for coating the sealing portion of a substrate and an electronic component mounted to the substrate with a potting material 9 in a syringe 6, a capacitance sensor 8 is arranged outside the syringe 6 in correspondence with a liquid level when a predetermined amount of the potting material 9 remains in the syringe 6.例文帳に追加

基板とこの基板に実装された電子部品との封止部に、シリンジ６内のポッティング材９を塗付するポッティング装置１において、シリンジ６の外側に、シリンジ内のポッティング材９が所定残量のときの液面に対応させて静電容量センサ８を配設することとする。 - 特許庁

To provide an adhesive film for use in semiconductors which is capable of adhering a semiconductor element to such a supporting member of an organic substrate having a substrate level difference as adapted to mount a semiconductor element at low temperatures and without the insufficiency of the embeddability and which is excellent in the reflow resistance, and to provide a manufacturing method of semiconductor devices using this.例文帳に追加

半導体素子と有機基板等の基板段差のある半導体素子搭載用支持部材とを埋め込み性不十分なく低温で接着することができ耐リフロー性の優れた半導体用接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a printing method having an inspecting and modifying technique which does not require a high-level defect discrimination system, can easily correct a high-precision defect and hardly causes the loss of a substrate to be printed when forming a defect-free image pattern on the substrate to be printed by using a printing process.例文帳に追加

印刷法を用いて被印刷基板に欠陥のない画像パターンを形成するに当たり、高度な欠陥識別システムが不要で、容易に高精度な欠陥修正が可能で、被印刷基板のロスが少ない検査・修正技術を備える印刷方法を提供する。 - 特許庁

To make level and smooth the surface of a plating layer on a substrate surface for forming a conductor pattern and the surface of plating metal in a via hole by completely filling the via hole with the plating metal without increasing the plating thickness of the substrate surface forming the conductor pattern.例文帳に追加

導体パターンを形成する基板表面のめっき厚を厚くすることなくビアホール内部を完全にめっき金属で充填し、導体パターンを形成するための基板表面のめっき層の表面とビアホール内部のめっき金属の表面とを、面一、平滑すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes a sensor element (120) which is disposed in a semiconductor substrate (110) and a trench (150) which covers and surrounds inter-level insulators (ILD:140) disposed on the semiconductor substrate and the sensor element and is disposed in the ILD filled with a first insulator.例文帳に追加

半導体デバイスは、半導体基板（１１０）内に配置されるセンサ要素（１２０）と、半導体基板上に配置されるインターレベル絶縁体（ＩＬＤ：１４０）とセンサ要素を覆い且つ包囲し、第一絶縁材で充填されるＩＬＤに配置されるトレンチ（１５０）とを含む。 - 特許庁

When a copper thin film 4 is deposited at first, to embed a copper thin film 4a in a wiring trench 5 or in a connection hole, a substrate temperature is elevated to 180-200°C from the surface of the substrate by an infrared lamp and then is held at constant level to cause the copper thin film 4 to deposit to several hundreds of nm.例文帳に追加

銅薄膜の堆積の際、最初は、配線溝や接続孔への埋込を目的として、基板温度を１８０〜２００℃に赤外線灯により基板表面から上昇させ、温度を一定の状態に保って、銅薄膜を数百ｎｍ堆積させる。 - 特許庁

To make a security item have a much higher security level than that obtained by a method known to the public, in regard to the method for printing the security item on a substrate which is made at least partially of a transparent material.例文帳に追加

少なくとも一部が透明材料からなる基材上にセキュリティ項目を印刷する方法において、セキュリティ項目が、公知の方法よりも偽造に対してはるかに高いセキュリティレベルを有する。 - 特許庁

The transparent substrate 7 has a difference in level formed at each position of circles having a radius of r1, r2, r3, r4, r5, r6, r7 and r8 respectively from the center 70.例文帳に追加

透明基板７には中心７０から半径ｒ１、半径ｒ２、半径ｒ３、半径ｒ４、半径ｒ５、半径ｒ６、半径ｒ７、半径ｒ８の円の位置にそれぞれ段差が形成されている。 - 特許庁

Such a part as a crystal defect 8, e. g. dislocation, is generated by giving irregularities on a substrate 1 is limited to its level difference portion, and a GaN crystal having good quality in other portions is obtained.例文帳に追加

基板１に凹凸をつけることにより転位などの結晶欠陥８を発生させる箇所をその段差部分に限定し、それ以外の部分では良質なＧａＮ結晶を得ることができる。 - 特許庁

In a vapor-phase growth process, by supplying monosilane gas at a level not lower than 550°C to less than 750°C to the principal surface of the silicon substrate W in the reaction vessel, the silicon epitaxial layer is formed in vapor phase growth.例文帳に追加

反応容器内のシリコン基板Ｗの主表面上に、５５０℃以上７５０℃未満でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行う。 - 特許庁

To provide a vacuum processor that makes it possible to level the flow and the pressure of the exhaust gas from a vacuum processing chamber and to vacuum process a substrate with higher uniformity.例文帳に追加

真空処理室を排気する際のガスの流れや圧力を均一にすることができ、被処理基板に面内均一性の高い真空処理を施すことができる真空処理装置を提供すること。 - 特許庁

The air knife 20a has a difference D in level between the front and rear of the air blowoff port 23 and the gap between the rear of the air blowoff port 23 and the substrate 1 is narrower than the gap is narrower than the air passing channel 24.例文帳に追加

エアナイフ２０ａは、エア吹き出し口２３の前方と後方とで段差Ｄを有し、エア吹き出し口の後方と基板１との隙間が、エアの通り道２４よりも狭くなっている。 - 特許庁

A hole 9, having the diameter corresponding to the detection hole 20, is formed, and a shield part 31 for holding the whole circuit substrate, including the oscillator at a prescribed voltage level, is provided in the periphery of the hole 9.例文帳に追加

そして、この検出孔２０に対応する径の孔９を形成し、孔９の周囲に発振器を含めた回路基板全体を所定電圧レベルに保持したシールド部３１が設けられる。 - 特許庁

Only after the moisture degree goes below a predetermined level, the substrate W is shifted to the vacuum treatment chamber 10 and a plasma treatment is conducted, and an irregular discharge is prevented in the vacuum treatment chamber 10.例文帳に追加

水分の量が所定レベルよりも低下した後に基板Ｗを真空処理室１０に搬送してプラズマ処理を行うので、真空処理室１０内における異常放電を防止する。 - 特許庁

By the application of the prescribed OFF voltage V_L2, a hole is captured on a boundary level of the surface of a semiconductor substrate, thermal excitation electrons are hardly excited from a valence band to a conduction band and therefore a dark current is suppressed.例文帳に追加

Ｖ_Ｌ２の印加により、半導体基板表面の界面準位にホールが捕獲され、熱励起電子が価電子帯から伝導帯へ励起されにくくなり、暗電流が抑制される。 - 特許庁

Since the slider substrate 1 being the hardest in the touch lap of the floating surface disappears from subjects for sharpening by forming the second floating surface protective film 8, the working level difference of the floating surface can be reduced.例文帳に追加

第２の浮上面保護膜８を設けることで、浮上面タッチラップにおいて最も硬いスライダ基板１が研磨対象からなくなるため、浮上面の加工段差を低減することができる。 - 特許庁

The flavine-adenine-dependent glucose dehydrogenase having improved reactivity with a substrate compared with activity of unmodified flavine-adenine-dependent glucose dehydrogenase is produced by modifying the flavine-adenine-dependent glucose dehydrogenase on a genetic level.例文帳に追加

フラビンアデニン依存性グルコースデヒドロゲナーゼを遺伝子レベルで改変することで、改変前のフラビンアデニン依存性グルコースデヒドロゲナーゼ活性よりも基質との反応性が向上したフラビンアデニン依存性グルコースデヒドロゲナーゼ。 - 特許庁

To provide a method for preparing a quantitatively contaminated sample of a semiconductor substrate having improved reproducibility and a high level quantitative property, wherein the contamination form in actual manufacturing process is reflected.例文帳に追加

再現性良く、高い定量性を有し、実際の製造プロセスにおける汚染形態を反映させた半導体基板の定量汚染試料の作製方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

An electro-optical device includes a shift register 611, and a level shifter 613 for constituting a scanning line drive circuit 61 which has a TFT element 7 in which a polysilicon layer 71 provided on an element substrate 41 as a semiconductor layer.例文帳に追加

走査線駆動回路６１を構成するシフトレジスタ６１１およびレベルシフタ６１３は、素子基板４１上に設けられたポリシリコン層７１を半導体層とするＴＦＴ素子７を有する。 - 特許庁

Out of a cell region and a selective transistor region on a semiconductor substrate 100, the selective transistor region is etched so that a level difference can be formed between the selective transistor region and the cell region.例文帳に追加

半導体基板１００上のセル領域と選択トランジスタ領域のうち、その選択トランジスタ領域をエッチングし、その選択トランジスタ領域とセル領域との間に段差が生じるように形成する。 - 特許庁

Any level difference is provided among the processing area air-pressure suspending device 13, the convey area air-pressure suspending device 11 and the convey area air-pressure suspending device 15, according to the quantity of suspension for the substrate 3.例文帳に追加

加工領域エア浮上装置１３と、搬送領域エア浮上装置１１及び搬送領域エア浮上装置１５との間には、基板３の浮上量に応じた段差が設けられる。 - 特許庁

This porous hollow-fiber membrane is provided for the blood purifier capable of exerting a certain level of performance despite of conditions of the blood and the performance is attained by controlling the filling state and the degree of freedom of substrate polymers.例文帳に追加

本発明は、血液の状態に関わらず、一定の性能を発現できる血液浄化器に提供であり、基材ポリマーの充填状態と自由度をコントロールすることで達成できる。 - 特許庁

The dummy wiring 7 reduces the level difference, formed in the part for the jointing part to which the cap 8 is jointed, and formed with wiring 6a-6c on the semiconductor substrate 3 at the part for the jointing part.例文帳に追加

ダミー配線７は、半導体基板３上において、キャップ８が接合される接合部分に形成されており、配線６ａ〜６ｃによって接合部分に形成される段差を減少させている。 - 特許庁

To obtain a solid-state image pickup element for terminating a level on the surface of a substrate which causes a leak current by efficiently utilizing a hydrogen base generated in a manufacturing process without impairing a light shielding effect.例文帳に追加

遮光の効果は損なうことなく、製造過程において生じる水素基を有効に活用して、リーク電流の発生源となる基板表面の準位を終端化させた固体撮像素子を得る。 - 特許庁

A first conductive connection part 80 formed on a first face of a substrate and a connection terminal 200a of a device arranged on a second face which is arranged with a level difference from the first face are electrically connected.例文帳に追加

基体の第１面に形成された第１導電接続部８０と、第１面とは段差をもって配された第２面に配されるデバイスの接続端子２００ａとを電気的に接続する。 - 特許庁

In the level difference cover section 7d, at least a range confronting the other side end face 4b of the liquid crystal panel 2 is made transparent or open, and cover characters 6 etc. drawn on the substrate cover section 7e is irradiated with light.例文帳に追加

段差カバー部７ｄは、少なくとも液晶パネル２の他方の側端面４ｂに対峙する範囲が透明または開口し、基板カバー部７ｅに描かれたカバー文字等６に光が照射される。 - 特許庁

The upper end of the airtight wall 13 and the tips of the needlelike projections 12 are in same level with each other and the transparent substrate of the diffracting optical element is mounted on the tips of the airtight wall 13 and needlelike projections 12.例文帳に追加

気密壁１３の上端と針状突起１２の先端は等しい高さになっており、回折光学素子の透明基板は、気密壁１３と針状突起１２の先端上に載置される。 - 特許庁

In the liquid level detection part 142, the heater wiring 152 which has an elongate shape in X-direction, is constituted of the temperature sensing resistor, and generates heat by energization is formed in the insulating substrate 140.例文帳に追加

液面センサ素子１３０は、絶縁基板１４０にＸ方向に細長形状で、感温抵抗体からなり通電により発熱するヒータ配線１５２が形成された液面検知部１４２を有する。 - 特許庁

Also, well voltage (WELL) of a well region where a sub-decoder element group is formed is set to a voltage level in which a space between the source and the substrate of the transistor of the sub-decoder element becomes a deep reverse bias state.例文帳に追加

また、サブデコーダ素子群がが形成されるウェル領域のウェル電圧（ＷＥＬＬ）は、そのサブデコーダ素子のトランジスタのソース-基板間が、深い逆バイアス状態となるような電圧レベルに設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same which is improved in its properties such as reduction of interface level between a substrate and insulation films.例文帳に追加

本発明は、基板とゲート絶縁膜間の界面準位の低減等の特性改善に寄与する半導体装置の製造方法、及びこれらの製造方法で製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

By this structure, a depletion layer between the layer 19 and the substrate 10 gets wider, the device of this constitution can be improved on an ECM level as highly as a device of NPT type.例文帳に追加

この構造によれば、ｎ^−型半導体層１９を設けたことによりｐ^＋型半導体基板１０との間の空乏層が広くなるため、ＥＭＣレベルをＮＰＴタイプ並に改善することが出来る。 - 特許庁

To provide a low resistance Ag alloy film exhibiting sufficient thermal resistance and corrosion resistance, and a novel multilayer wiring film ensuring high level adhesion to a substrate of that Ag alloy film.例文帳に追加

充分な耐熱性や耐食性を有した低抵抗なＡｇ合金膜と、そのＡｇ合金膜の基板に対する密着性を高いレベルで確保できる新規な積層配線膜を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a MOS transistor and a capacitor are formed by injecting impurities into the semiconductor substrate (S105, S106), then a hydrogen sintering process is carried out as an interface level reduction treatment (S107).例文帳に追加

その後、半導体基板に不純物を注入する等してＭＯＳトランジスタとキャパシタを形成した（Ｓ１０５，Ｓ１０６）後、界面準位低減処理としての水素シンタリングを行う（Ｓ１０７）。 - 特許庁

To provide a substrate voltage generating circuit and a semiconductor integrated circuit device for ensuring reliability by using a transistor whose gate oxidized film thickness is thin regardless of a high voltage boosting level.例文帳に追加

高い昇圧レベルにもかかわらず、ゲート酸化膜厚が薄いトランジスタを使用し、しかも信頼性を確保することができる基板電圧発生回路および半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of forming a silicon thin film of small trap level density by irradiation with light and to provide another technology of applying the former technology to a substrate of a large area with high reproducibility.例文帳に追加

トラップ準位密度の小さいシリコン薄膜を光照射によって形成する技術を提供すると共に、大面積基板上に再現性よくその技術を応用するための技術を提供する。 - 特許庁

Then the interface JS between the base substrate and 2nd semiconductor layer is substantially in level with the reverse surface of the buried oxide layer or deeper than the buried oxide layer.例文帳に追加

そして、上記支持基板と第２の半導体層との界面ＪＳは、埋め込み酸化物層の下面と実質的に等しいか、あるいは埋め込み酸化物層より深い部分に位置することを特徴としている。 - 特許庁