「substrate-level」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A CVD device comprising a cassette chamber 102 for delivering a cassette 7 containing a semiconductor substrate 6 to/from a chamber 4 for treating the semiconductor substrate 6 variously and varying inner pressure to a normal level or a reduced level by supplying or discharging gas is further provided with a section 103 for attracting particles 16 into the cassette chamber 102 by an electrostatic force.例文帳に追加

半導体基板６を収納するカセット７を格納して、半導体基板６に各種プロセス処理を施す処理チャンバ４との間で搬出入可能とし、かつ、内部圧力をガスの給排気により常圧または減圧状態に変化させるカセットチャンバ１０２を備えたＣＶＤ装置において、カセットチャンバ１０２内に静電力によりパーティクル１６を吸着するパーティクル吸着部１０３を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The AlGaN layer whose surface is substantially flat on atomic level is formed after a buffer layer having a stress relaxation effect and AlGaN layer are formed on a template substrate to which an in-plane compression stress is applied and on which a surface layer being substantially flat on atomic level is formed.例文帳に追加

面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、ＡｌＧａＮ層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 - 特許庁

To solve the problem that large level difference is formed on the surface of a color filter substrate when color layers of three colors are layered in order to obtain a high OD (Optical Density) value and light shielding performance is lowered even though level difference is made small when color layers of two colors are layered in a structure for forming a light shielding section by superposing color layers.例文帳に追加

色層を重ねることにより遮光部を形成する構造において、高いＯＤ値を得ようとして３色の色層を積層する場合に、カラーフィルタ基板表面に大きな段差が形成され、２色の色層の積層構造にすると、段差が小さくなるが、遮光性能が低下してしまう。 - 特許庁

A control gate electrode 4A is formed through a control gate insulation film 3A on the upper stage at the level difference step 1a and a floating gate electrode 6 is formed on the level difference step 1a to face the semiconductor substrate 1 through a tunnel insulation film 5B and to face the control gate electrode 4A through a capacitor insulation film 5A.例文帳に追加

段差部１ａの上段にはコントロールゲート絶縁膜３Ａを介してコントロールゲート電極４Ａが形成され、段差部１ａの上には、トンネル絶縁膜５Ｂを介して半導体基板１と対向し且つ容量絶縁膜５Ａを介してコントロールゲート電極４Ａと対向するフローティングゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

To provide a wafer level package for which a metal post is provided in a shape having a recessed side face, a process cost is saved without the need of making the metal post higher, and the metal post achieves the role of a buffer to the distortion of the package due to a CTE difference between the wafer level package and a wiring substrate.例文帳に追加

メタルポストを凹んだ側面を有する形状で設け、メタルポストをさらに高くする必要なしに、工程費用を節減することができると共に、メタルポストがウエハレベルパッケージと配線基板との間のＣＴＥ差によるパッケージの歪みに対してバッファの役割をすることができるようなウエハレベルパッケージを提供すること。 - 特許庁

To provide a wafer level package for which a metal post is provided in a shape having a recessed side face, a process cost can be reduced without need of making the metal post higher, and the metal post can achieve role of a buffer to distortion of the package due to CTE difference between the wafer level package and a wiring substrate.例文帳に追加

メタルポストを凹んだ側面を有する形状で設け、メタルポストをさらに高くする必要なしに、工程費用を節減することができると共に、メタルポストがウエハレベルパッケージと配線基板との間のＣＴＥ差によるパッケージの歪みに対してバッファの役割をすることができるようなウエハレベルパッケージを提供すること。 - 特許庁

A thin amorphous silicon film is formed on a glass substrate 1 having a level difference and irradiated with light from a high pressure mercury lamp to cause graphoepitaxial growth using the level difference as a seed thus forming a polycrystal or single crystal silicon thin film 4 which is then used for forming polycrystal or single crystal silicon TFTs Q_1-Q_n.例文帳に追加

段差を設けたガラス基板１上に非晶質シリコン薄膜を形成し、高圧水銀ランプ光を照射して段差をシードとするグラフォエピタキシャル成長を起こさせて多結晶または単結晶シリコン薄膜４を形成し、これを用いて多結晶または単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n を形成する。 - 特許庁

Each module MD has an output level adjusting circuit for adjusting the output level of an output circuit in response to an adjustment start signal ST supplied from the external and outputting an adjustment end signal END at the end of management and mounts plural semiconductor devices SD on a module substrate.例文帳に追加

半導体デバイスＳＤにおいて、外部から供給される調整開始信号ＳＴに応答して、出力回路の出力レベルを調整し、調整終了に伴い調整終了信号ENDを出力する出力レベル調整回路を有し、半導体デバイスが複数、モジュール基板上に実装されたモジュールＭＤである。 - 特許庁

To provide an ion implantation method or the like, by which a plurality of implantation regions having different level of dose each other on the surface of a substrate are formed without forming regions of excess level of dose, and a width of a transient region of dose can be narrowed while preventing the decrease in the beam current, and additionally, the control operation is simple.例文帳に追加

一つの基板の面内に互いにドーズ量の異なる複数の注入領域を形成するものであって、過注入領域を発生させずに済み、かつビーム電流の減少を防止しつつドーズ量の遷移領域の幅を小さくすることができ、しかも制御が簡単であるイオン注入方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a metal coated liquid crystal polyester substrate formed with conductive metallic film on the surface of liquid crystal polyester film by which the adhesion strength of a liquid crystal polyester film and a conductive metallic film is increased to a practicable level (level of stably exhibiting a peeling strength of ≥600 g/cm).例文帳に追加

液晶ポリエステルフィルムの表面上に導電性金属膜を形成した金属張り液晶ポリエステル基材の製造方法に関し、液晶ポリエステルフィルムと導電性金属膜との密着強度を実用レベル（ピール強度が安定して６００ｇ／ｃｍ以上）に高めることができる製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device having a semiconductor film on a substrate, the semiconductor film is configured to have a first absorption peak between 2098 cm^-1 and 2106 cm^-1 and to have an absorption level in the absorption peak which is larger than an absorption level in an absorption peak between 1980 cm^-1 and 2020 cm^-1.例文帳に追加

基板上に半導体膜を有する半導体装置において、前記半導体膜は、２０９８ｃｍ^-１から２１０６ｃｍ^-１の間に第１の吸収ピークを有し、前記吸収ピークにおける吸収度が１９８０ｃｍ^-１から２０２０ｃｍ^-１での吸収度より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To inexpensively and stably manufacture a lithographic printing plate substrate for forming uniform pits and well keeping the quality level and the printing performance level of a chatter mark in a process of electrochemical surface roughening of an aluminum plate as one of the lithographic printing plate manufacturing processes.例文帳に追加

平版印刷版の製造工程の一つであるアルミニウム板の表面を電気化学的に粗面化処理する工程において、均一なピットを生成できるとともに、チャターマークの品質レベル及び印刷性能レベルを良好に維持した平版印刷版用支持体を安価かつ安定的に製造することができるようにする。 - 特許庁

The radiation detector comprises a substrate; a plurality of pixel electrodes 19 provided on the substrate at an interval mutually; a photoconductive layer 20 that is provided on the substrate while being in contact with the pixel electrodes and includes a plurality of crystals 31 for converting to charge with a level corresponding to the intensity of incident radiations; and a bias electrode layer capable of applying a prescribed bias voltage to the photoconductive layer.例文帳に追加

放射線検出器は、基板と、基板上に互いに隙間を置いて配設された複数の画素電極１９と、画素電極に接して基板上に設けられ、入射される放射線の強度に対応する大きさの電荷に変換する複数の結晶３１を含む光導電層２０と、光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極層とを備えている。 - 特許庁

In the obtained gallium nitride substrate, the level difference between the region that has been planarily grown and the region in which the facet growth has been made at the time of the crystal growth of the polarity surface side is 7 μm or less, more preferably 5 μm or less.例文帳に追加

得られる窒化ガリウム基板は、窒素極性面側の結晶成長時に平坦に成長した領域とファセット成長した領域との段差が７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。 - 特許庁

On the label surface of the substrate, a mirror surface part and a rough surface part formed having a level difference from a plane of the mirror surface part are formed, so that visible label surface display is formed by the mirror surface part and the rough surface part.例文帳に追加

ここで基板のレーベル面は、鏡面部と、該鏡面部の平面より段差を有して形成された粗面部が形成され、鏡面部と粗面部により視認可能なレーベル面表示が形成されているようにする。 - 特許庁

More specifically, the sub vernier 104 is formed on the sub vernier pad 103 formed in the inside region of the main vernier 101 so that the level difference of the main vernier pattern formed on the scribe region of the semiconductor substrate 100 is eliminated.例文帳に追加

すなわち、親バーニア１０１の内側領域に形成した子バーニアパッド１０３上に子バーニア１０４を形成することで、半導体基板１００のスクライブ領域に形成された親バーニアパターンの段差をなくす。 - 特許庁

Bubbles of the grain size of the nano level and positively or negatively charged are generated in a liquid material for performing the film deposition on a substrate, and the liquid material is atomized and its mist is heated and vaporized.例文帳に追加

基板に対して成膜処理を行うための液体材料中に、正及び負の一方に帯電した粒径がナノレベルの気泡を発生させ、この液体材料を霧化して更にそのミストを加熱して気化させる。 - 特許庁

To provide a transducer-level microactuator which is made by a substrate material of a standard Al_2O_3TiC or other carbon bases, strong and having almost no possibility of damage during the use and also easily to be fabricated.例文帳に追加

標準のＡｌ_２Ｏ_３ＴｉＣ又は他の炭素ベースの基体材料で作られ、より丈夫で、使用中にほとんど破損する可能性のない、そして製造が容易な、トランスデューサ・レベルのマイクロアクチュエータを提供すること。 - 特許庁

To suppress occurrence of a level difference in an upper face of shallow trench element separation, and to suppress bowing at an edge when a plurality of gate insulating films different in film thickness are formed in one semiconductor substrate.例文帳に追加

互いに膜厚の異なる複数のゲート絶縁膜を１つの半導体基板に形成する場合に、シャロートレンチ素子分離の上面に段差が発生するのを抑制し、かつ、エッジ部での肩落ちも抑制する。 - 特許庁

To obtain a stable composition exhibiting a viscosity suitable for good impregnation to a substrate and having improved effectiveness for removal or washing of cosmetics (by incorporation of an oil at a high level).例文帳に追加

支持体への良好な含浸に適合する粘度を示し、改良された化粧料除去または洗浄の有効性(高レベルの油の組み込みによる)を有して安定している組成物を入手できるようにすること。 - 特許庁

The shading correction unit 512 includes a data generation unit 514 which generates a plurality of correction signal data by a diffusive function having substantially the same level of light diffusion as that of the substrate W from a common standard electric signal E1.例文帳に追加

このシェーディング補正部５１２は、共通の基準電気信号Ｅ１から基板Ｗと略同一の光拡散度を有する拡散性関数で複数の補正信号データを生成するデータ生成部５１４を有する。 - 特許庁

To provide a method for positioning edge of a pattern element on a substrate, capable of very accurately, speedily, and reproducibly measuring the edge position in edges constituted, as desired, at the lower level of accuracy of pixels.例文帳に追加

任意に構成されているエッジにて、極めて精密で迅速で再現可能であるエッジポジションの測定を画素の下位の精度で可能とする、基板上のパターン要素のエッジをポジション決定するための方法を提供する。 - 特許庁

To shift a level of a low-voltage input signal in spite of a high threshold or the variance in threshold in the case that a driving circuit also is connected on the same substrate as pixels in a display device for use in a small-sized portable apparatus.例文帳に追加

小型携帯機器に用いられる表示装置において、画素と同一の基板上に駆動回路も接続する場合に、しきい値が大きく、またバラツク場合でも低電圧の入力信号をレベルシフトする。 - 特許庁

Even when the level difference of the substrate is large, the formation of the organic EL light emitting layer, depending on the pattern control of the hydrophilic part/water repellent part, is ensured to provide the organic EL display device with excellent reliability and stability.例文帳に追加

基板表面段差が大きな場合でも、親水部／撥水部のパターン制御による有機ＥＬ発光層の形成を確実にし、信頼性、安定性に優れた有機ＥＬ表示装置を提供できる。 - 特許庁

A heater 9 of a resistance heating type is provided around the outer periphery of a processing chamber 3 to heat an atmosphere within the chamber 3 and to increase the temperature of the entire semiconductor substrate 1 to a level nearly corresponding to the temperature (HF: 50°C) of the chemical solution.例文帳に追加

処理チャンバー３の外周に抵抗加熱方式のヒーター９を配置し、処理チャンバー３内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度（ＨＦ：５０℃）と同じ５０℃相当にまで上昇させる。 - 特許庁

The surface of the transmissive substrate SUB is exposed in a region 110 between a side wall of the trench and a side wall of the light shielding film m adjacent to the trench, which constitutes a two-level step feature.例文帳に追加

掘り込みの側壁とそれに近接する遮光膜ｍの側壁との間の領域１１０において、透過基板ＳＵＢの表面が露出していて、これにより２段の階段形状が構成されている。 - 特許庁

The film substrate 1 is held so that a central portion (almost all the surface) can keep a planar state, a peripheral part thereof is held while being warped downwards, and no member protruded higher than a level L of the central planar part exists.例文帳に追加

フィルム基板１は中央部分（ほぼ全面）が平面状態を保つように保持され、周辺部が下方に撓んだ状態で保持され、中央平面部のレベルＬより上方に突出する部材は存在しない。 - 特許庁

In the invented marking method, energy accumulated at a prescribed excitation level by a laser controller 12 is output to a glass substrate as a single pulse of a laser beam by controlling the on/off changeover timing of an optical switch 10.例文帳に追加

レーザコントローラ１２により所定の励起準位に蓄積されたエネルギを、光学スイッチ１０のオン・オフの切り換えタイミングを操作することでレーザ光の単一のパルスとしてガラス基板に向けて出力させる。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon substrate for a solar battery of high quality, high cell efficiency and a low cost by efficiently removing impurities contained in the metallic silicon starting raw material to the desired concentration level.例文帳に追加

出発原料金属シリコン中の不純物濃度を所望の濃度レベルまで効率的に除去することで、セル効率が高く、低コストで高品質な太陽電池用シリコン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal aligning agent capable of forming a liquid crystal alignment layer which can stably develop a high pretilt angle and of having superior printing characteristics, even with respect to a substrate having a large surface level difference.例文帳に追加

高いプレチルト角を安定して発現することができる液晶配向膜を形成することができそして段差の大きい基板に対しても優れた印刷特性を有する液晶配向剤の提供。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor epitaxial wafer which can suppress a step generated between the growing surface of a susceptor and the growing surface of a substrate to lie within a level that would not influence the film thickness uniformity in a wafer surface.例文帳に追加

サセプタの成長面と基板の成長面との間に生じる段差をウェハ面内の膜厚均一性に影響しないレベルに抑えることのできる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which makes a gate insulation film of a material having a lower dielectric constant without increasing the interfacial level in an interface between a semiconductor substrate and the gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位を増大させることなく、より誘電率が低い材料でゲート絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

According to this invention, at least the one clamping electrode has an electric-field alteration structure that alters the electrostatic clamping force locally in order to level off the dispersion of local heights of the substrate.例文帳に追加

本発明によれば、前記少なくとも１個のクランピング電極は、前記基板の局所的な高さのばらつきを水平化するために、前記静電クランピング力を局所的に変更する電界変更構造を備える。 - 特許庁

To provide a printed circuit board capable of low cost and miniaturization by stabilizing a ground level without expanding a substrate size and achieving a high-frequency circuit with two-layer, and to provide a wireless communication terminal with the printed circuit board.例文帳に追加

基板サイズを拡大することなくグランドレベルを安定させ、２層で高周波回路を実現することにより、低コスト化、小型化を可能としたプリント基板、及びそれを搭載した無線通信端末を提供すること。 - 特許庁

To provide a laminate for a wiring board, which includes metal wiring formed on a substrate and having a thickness of nano level, can reduce the size of a device, has excellent conductivity and is manufactured easily; and to provide a wiring board.例文帳に追加

基板上に形成された金属配線の厚さが、ナノレベルであり、小デバイス化が可能であるとともに、導電性に優れ、かつその製造も簡便である、配線基板用積層体、及び配線基板を提供する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus is provided with an air valve 14 by branching a pipe in the vicinity of a delivery port 41b of the magnet pump 4, and a liquid level sensor 15 placed at a position slightly higher than the position of the delivery port 41b of the magnet pump 4.例文帳に追加

マグネットポンプ４の送出口４１ｂ近傍から配管を分岐してエアバルブ１４を備えると共に、マグネットポンプ４の送出口４１ｂよりもわずかに高い位置に液面センサ１５を設ける。 - 特許庁

To suppress occurrence of development spotting by efficiently and smoothly performing operations to perform separated recovery of first processing liquid supplied to a substrate to be processed on a conveyance line of a flush level and replace it with second processing liquid.例文帳に追加

平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制する。 - 特許庁

In relation to the oblique vapor deposition film on the active matrix substrate surface between pixel electrodes, a plurality of layers may be arranged with level differences, or may be formed so as to have inclined surfaces by controlling the vapor deposition angle.例文帳に追加

画素電極間のアクティブマトリクス基板面上の斜方蒸着膜は複数の層が段差状に設けることができるが、蒸着角度制御により表面が傾斜するように形成されるようにしてもよい。 - 特許庁

The drive circuit section includes a third MOSFET on the SOI substrate having a back gate connected to a source, and outputs a control signal whose high level is the on potential according to the parallel data.例文帳に追加

前記駆動回路部は、ソースに接続されたバックゲートを有し前記ＳＯＩ基板上に設けられた第３のＭＯＳＦＥＴを含み、前記パラレルデータに応じて、前記オン電位をハイレベルとする制御信号を出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is formed on a level difference part on a GaAs substrate, especially a semiconductor device which is formed on a {111} inclined plane and contains a p-type region doped with silicon as impurities.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板に設けられた段差部上に形成された半導体装置、特に、｛１１１｝傾斜面上に形成された、不純物がシリコンからなるｐ型領域を含む半導体装置の提供を目的とする。 - 特許庁

By the capillary-level gap between the back of the substrate and the convex non-contact surface, the resist is gathered between the gaps by surface tension, thus the resist is prevented from penetrating into a portion ahead of the convex non-contact surface.例文帳に追加

基板裏面と凸型非接触面との毛細管レベルのギャップにより、表面張力によってレジストがギャップ間に留まり、凸型非接触面より先にレジストが進入することを防ぐこと出来る。 - 特許庁

When raising a substrate W from an inner bath 7, a dry air da is jetted in horizontal direction from a jetting nozzle 33 and an air cylinder 55 sets the height of the upper side wall of the inner bath 7 to a dry time level.例文帳に追加

基板Ｗを内槽７から上昇させる際に、噴射ノズル３３から水平方向にドライエアｄａを噴射させるとともに、エアシリンダ５５により内槽７の上部側壁の高さを乾燥時高さにする。 - 特許庁

To solve the problem that a substrate leakage current increases due to an interface level formed by plasma damage and thereby the image clarity of a CMOS image sensor declines in the case of omitting a high temperature heat treatment process.例文帳に追加

高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってＣＭＯＳイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。 - 特許庁

For the EL display device, a hydrophilic layer part is formed so as to get over the level difference of a substrate and cover wider area than that of an electrode opening, and a light emitting layer is formed depending on the selection pattern of hydrophilic/water repellent property.例文帳に追加

本発明のＥＬ表示装置は、基板段差を乗り越えて電極開口部よりも広い範囲にわたって親水層部を設け、親水性／撥水性の選択パターンによって発光層を形成する。 - 特許庁

The thermal oxide film 13 of a substrate prevents a structural defect in an interface level, or the like, and a CVD oxide film 14 formed on the thermal oxide film can adjust the thickness of the gate oxide film.例文帳に追加

下地の熱酸化膜１３により界面準位等の構造的欠陥が抑制されるとともに、当該熱酸化膜上に形成されたＣＶＤ酸化膜１４によってゲート酸化膜の厚み調整が可能となる。 - 特許庁