「substrate-level」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The second groove 5 is not completely filled up with the polycrystalline silicon resistor 6 and has a recess in the surface thereof, and an insulating layer 7 is formed in the recess so that the surface of the insulating layer 7 and the surface of the substrate 1 are held at the same level.例文帳に追加

多結晶シリコン抵抗体６は第２の溝５を完全に埋めきらず、表面に凹部を有する形状であり、その凹部内に絶縁層７が形成されており、絶縁層７表面と基板１の表面とはほぼ同じ高さを保った構造となっている。 - 特許庁

In the second chamber 12, the substrate B subjected to drying of a predetermined step by reducing the pressure in the first chamber 10 is continuously subjected to pressure-reduced drying in the space whose pressure is reduced to a higher vacuum level and is heated at the same time.例文帳に追加

第２のチャンバ１２内では、第１のチャンバ１２内で減圧乾燥による乾燥処理を一定の段階まで受けてきた基板Ｂに対して、より高い真空度の減圧空間にて減圧乾燥の処理が続行されると同時に加熱も行われる。 - 特許庁

To provide a functional filamentous material, which includes a nano-level filamentous body on a metal substrate and contains a functional material to remarkably improve the chemical performance etc., while keeping the morphological characteristics, a manufacturing method thereof and a functional filamentous material manufacturing apparatus.例文帳に追加

ナノレベルの糸状体を金属基体に備え、その形態的特徴を維持しつつ、化学的性能等を格段に向上させ得るように機能性材料を含有させた機能性糸状物、その製造方法及び機能性糸状物製造装置を提供すること。 - 特許庁

The multilayer wiring 24 comprises a plurality of metal wiring 241 formed in a plurality of lamination on the substrate 21, an interlayer insulating film 242 for insulating each metal interconnection 241, and an interlayer insulating film 243 for covering the most upper level metal wiring 241a.例文帳に追加

多層配線部２４は、半導体基板２１上において複数重ねて形成された複数のメタル配線２４１と、各メタル配線２４１の間を絶縁する層間絶縁膜２４２と、最上位のメタル配線２４１ａを覆う層間絶縁膜２４３を有している。 - 特許庁

To control the shape of a recess, which is generated in the case where parts of an insulating layer which protrude from the level of the upper surface of an Si substrate is subjected to isotropic etching and is located in the upper end part of the insulating layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板の上面水準より絶縁層の突出した部分を等方性エッチングした場合に生じる、絶縁層の上端部における凹みの形状を制御できるトレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a specific embodiment, the substrate is biased at a power level of 0.0 w/cm2 (and thus is not biased at all) and in some embodiments, the plasma generating system applies a total source power to the plasma of about 20.7 watts per square centimeter or greater.例文帳に追加

特定の実施形態では、０．０Ｗ／ｃｍ^2の電力レベルで基板にバイアスを加え（したがってバイアスが全く加えられない）、一部の実施形態では、プラズマ生成システムは１平方センチメートル当たり約２０．７Ｗ以上の合計ソース電力をプラズマに加える。 - 特許庁

On the other hand, since the speed is increased to the second speed after the supporting member 16 passes the gas-liquid interface, particles floating under the liquid level are prevented from adhering to the supporting member 16, and poor drying is prevented while preventing adhesion of particles to the substrate W.例文帳に追加

一方、支持部材１６が気液界面を通過した後は速度を第２の速度に速めるので、液面下に浮遊するパーティクルが支持部材１６に付着することを防止でき、基板Ｗへのパーティクルの付着を防止しつつも乾燥不良を防止できる。 - 特許庁

To provide a substrate for electron source forming which is capable of suppressing a leakage current at a low level, and reducing a change in properties with time of a leakage current and efficiency, etc. in electron emission, and further substantially decreasing a variation in electron-emitting properties .例文帳に追加

電子放出素子のリーク電流を低く抑え、リーク電流や電子放出効率などの電子放出特性の経時的変化を低減することができ、電子放出特性のばらつきを大幅に低減することができる電子源形成用基板を提供する。 - 特許庁

The level difference matching layers 31-33 has at least one pair of lands 25, 26 and 27, 28 formed to have the substantially same height in the multilayer substrate body 10 corresponding to the lower part of regions a, c, d in which the lands 25, 27, 28 are formed.例文帳に追加

段差整合層３１〜３３は、ランド２５，２７，２８が形成されている領域ａ，ｃ，ｄの下方に対応する積層基板本体１０の内部に、少なくとも一対のランド２５，２６及び２７，２８の高さがそれぞれ実質的に同じになるように形成されている。 - 特許庁

To achieve both surface planarization and film thickness uniformity of an upper insulation film by uniformly planarizing the surface of the upper insulation film, which covers a structure having a level difference on a surface thereof, across the whole substrate in order to stably and reliably form a desired semiconductor element.例文帳に追加

表面に段差部分を有する構造物を覆う上部絶縁膜を基板全面に亘って均一に表面平坦化し、上部絶縁膜の表面平坦化及び膜厚均一化を共に実現して、所期の半導体素子を安定且つ確実に形成する。 - 特許庁

To reduce a difference in level between a surface of an embedded member and a surface of an element after the embedded member is embedded in a trench in a manufacturing method of a semiconductor device having a plurality of elements separated by the trench on the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面にトレンチによって分離された複数の素子を有する半導体装置の製造方法において、トレンチに埋込部材を埋設した後の埋込部材の表面と素子の表面との段差を小さくすることを可能とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of silicon on insulator or SOI wafer which can prevent heat distortion caused by a difference of coefficient of thermal expansion between a transparent insulation substrate and an SOI layer, lifting and laminating failure caused by crack or the like and a level difference of surface of insulating film, and to provide the SOI wafer.例文帳に追加

透明絶縁性基板とＳＯＩ層との熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等や絶縁性被膜表面の段差に起因する貼り合わせ不良を防止できるＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide an information recording medium which can securely perform authenticity determination even when a substrate having a fine diffraction grating element with a diffraction grating disposed on its surface has poor surface smoothness and has a higher-level forgery prevention effect.例文帳に追加

表面に回折格子を有する微小な回折格子要素を配した基板の表面平滑性が悪い場合でも、確実に真贋判定を行うことが可能であると共に、より一層高度な偽造防止効果を備えた情報記録媒体を提供すること。 - 特許庁

A cavity 9 is formed in the insulation layer 8 immediately under a portion of the source region which touches the supporting substrate 6 in the vicinity of the cavity 9, and a bend 110a is provided in the vicinity of a level difference 9a between the insulation layer 8 and the cavity 9.例文帳に追加

絶縁層８には、ソース領域の一部の直下に空洞部９が形成され、ソース領域は、空洞部９近傍において支持基板６に接し、かつ絶縁層８と空洞部９との間の段差部９ａ近傍にて湾曲部１１０ａを有している。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device in which the image quality of a reproduction screen is prevented from deteriorating by reducing a leak current being generated as the interface level increases due to crystal defect, or the like, in the vicinity of the substrate surface in a region where a photodiode is fabricated.例文帳に追加

フォトダイオードが形成されている領域の基板表面近辺において、結晶欠陥などに起因する界面準位の増加によって発生するリーク電流を低減し、再生画面の画質の劣化を抑止する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum film deposition apparatus which can deposit a reflection film capable of attaining an initial reflectance of a level nearly equal to that of a reflection film formed of pure silver and formed of a material obtained by adding bismuth to silver and excellent in the environmental resistance on a substrate, and to provide a vacuum film deposition method.例文帳に追加

純Ａｇからなる反射膜と略同等レベルの初期反射率に到達でき、かつ銀にビスマスを添加した材料からなる耐環境性に優れた反射膜を基板に堆積可能な、真空成膜装置および真空成膜方法を提供する。 - 特許庁

In a process in which an LD 4 and a PD 5 are simultaneously manufactured together with an optical waveguide 2 within the same plane on a silicon substrate, a thin insulating layer is provided under the LD 4 and a thick insulating layer under the PD 5, with a difference in level imparted to these insulating layers.例文帳に追加

シリコン基板１上の同一面内に、光導波路２と共にＬＤ４およびＰＤ５を同時に作製する工程において、ＬＤ４の下には薄い絶縁層を、ＰＤ５の下には厚い絶縁層１０を設け、これら絶縁層に段差をつける。 - 特許庁

In a superfine particle material-based film formation method for forming a film 2 of an ultrafine particle material 7 from a deposited material of the superfine particle material formed by supplying the superfine particle material to the substrate 3, the film is formed by carrying out a leveling process one or more times to level the surface of the deposited material 2a of the superfine particle material supplied to the substrate.例文帳に追加

超微粒子材料７を基板３上に供給して形成した前記超微粒子材料の堆積物から前記超微粒子材料の膜２を形成する超微粒子材料成膜方法において、前記基板上に供給された前記超微粒子材料の堆積物２ａの表面を平坦にする平坦化工程を一回以上加えて前記膜を形成する - 特許庁

A back-illuminated solid-state imaging device includes: a pixel region where a plurality of pixels comprising a photoelectric conversion part and a pixel transistor are arrayed; a light-shielding film 39 corresponding to an optical black level region 23B in the pixel region; a first planarization film 52 serving as a substrate of the light-shielding film 39; and an antireflective film 36 serving as a substrate of the first planarization film 52.例文帳に追加

本発明は、裏面照射型の固体撮像装置であって、光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が配列された画素領域と、画素領域の光学的黒レベル領域２３Ｂに対応した遮光膜３９と、遮光膜３９の下地となる第１平坦化膜５２と、第１平坦化膜５２の下地となる反射防止膜３６とを有する。 - 特許庁

To provide a material such as a flexible substrate, having both of flexibility and strong toughness at a high level without spoiling fundamental properties of a solder resist or the like, such as heat resistance durable to heat generated in a substrate production process such as soldering or from an element, retentivity of high insulating property for a long period of time, and durability to a chemical treatment such as a plating treatment while enabling photopatterning.例文帳に追加

光パターニングが可能でありながら、はんだ等の基板製造時、若しくは素子の発熱に耐えうる耐熱性、長期にわたる高い絶縁性の維持、メッキ処理等の化学的処理への耐性といったソルダーレジスト等の基本的な特性を損なうことなく、フレキシブル基板等の柔軟性や強靭性を高い次元で併せもつ材料が求められている。 - 特許庁

A panel used for the plasma display device can suppress the noise level in the highland by using an elastic body having elasticity for the sealing member 11 when the panel is sealed in a state in which a discharging space is formed between the front face substrate 1 with a plurality of display electrodes and a rear face substrate 2 with data electrodes arranged so as to cross the display electrodes.例文帳に追加

複数の表示電極を配置した前面基板１と前記表示電極に交差するようにデータ電極を配置した背面基板２との間に放電空間が形成されるように対向配置した状態にパネルを封着する際、封着部材１１に弾性を有する弾性体を使用することにより、高地における騒音レベルを抑制することができるものである。 - 特許庁

An LED7 which is a light emitting element to convert modulated electric signals into optical signals and a slight emitting IC8 which converts logic level electric signals to light emitting element driving signals are mounted together on the substrate 6, wired and sealed by sealing resin 9 such as epoxy resin or the like.例文帳に追加

変調された電気信号を光信号に変換する発光素子であるＬＥＤ７並びに、ロジックレベルの電気信号を発光素子駆動用信号に変換する発光ＩＣ８が、共に基板６上に搭載されワイヤ配線されており、エポキシ樹脂等の封止樹脂９で封止されている。 - 特許庁

Accordingly, in the device 100, the diffusion of the hydrogen or the nitrogen to the side of the substrate 102 is suppressed or prevented by the film 126, generation of a trap-interfacial level under the sidewalls 122 is suppressed, and the hot carrier resistance of the MOSFET 110 is improved.例文帳に追加

したがって，半導体装置１００では，拡散抑止膜１２６によりシリコン基板１０２側への水素や窒素の拡散が抑制ないし防止され，サイドウォール１２２下におけるトラップ・界面準位の発生が抑制され，ＭＯＳＦＥＴ１１０のホットキャリア耐性が向上する。 - 特許庁

To provide a printing method and a printer that enable printing with high positional accuracy at a level usable for manufacturing TFT substrates or the like and facilitates alignment work both between a printing plate and a blanket and between a blanket and a substrate while enabling to obtain superior ink-pattern reproducibility.例文帳に追加

良好なインキパターン再現性が得られると共に、印刷版−ブランケット間とブランケット−基板間の双方のアライメント作業が容易で、ＴＦＴ基板等の作製に使用できる程度の高い位置精度で印刷を行える印刷方法と印刷装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for drying a coating film by applying a resin film to a substrate having an uneven surface to form a resin film for smoothing the unevenness of the resin film, which is capable of enhancing the level difference smoothness without thickening the film-thickness of the resin film, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

凹凸を有する基板上に樹脂膜を塗布し、該樹脂膜にて凹凸を平滑化するための樹脂膜の形成方法において、該樹脂膜の膜厚を厚くすることなく、段差平滑性を向上することができる塗膜乾燥方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

When the reference substrate is irradiated with light thereafter, the control section 22 adjusts the level of the light-receiving output from a light receiving section 6 based on the specified relation so that the maximum or minimum value of the output may agree with a prescribed value in the dynamic range of A/D conversion.例文帳に追加

ついでレファレンス基板に光が照射されると、制御部２２は、前記特定した関係に基づき、受光部６からの受光出力の最大値または最小値がＡ／Ｄ変換のダイナミックレンジ内の所定値に合うように受光出力のレベル調整を行う。 - 特許庁

A liquid drop ejection head 1, a liquid tank 2, and a liquid supply passage 3 provided between the liquid tank 2 and the ejection head 1 are contained in a housing 4 along with a substrate W and a liquid drop L is ejected from the ejection head 1 under a state where the temperature in the housing 4 is regulated to a specified level.例文帳に追加

液滴の吐出ヘッド１と、液体タンク２と、液体タンク２と吐出ヘッド１との間に設けられた液体供給経路３とを、基板Ｗと共にハウジング４に収容し、このハウジング４内を所定の温度に調整した状態で、吐出ヘッド１から液滴Ｌを吐出する。 - 特許庁

The package structure of the semiconductor device in a wafer-level chip size has a thin insulating film 15 covering uniformly semiconductor circuits formed on a silicon substrate 11, and thick doughnut-formed insulating film 18 which is formed on the thin insulating film 15 corresponding to each of external electrodes 22 and mounts the external electrodes 22.例文帳に追加

ウエハレベル・チップサイズのパッケージ構造は、シリコン基板１１上に形成された半導体回路を一様に覆う薄い絶縁膜１５と、この薄い絶縁膜１５上に各外部電極２２に対応して形成されて、各外部電極２２を搭載するドーナツ状の厚い絶縁膜１８とを有する。 - 特許庁

To improve the characteristics level of a TFT to provide the TFT optimal for pixel switching and high-speed driver driving in a driver/pixel integrated liquid crystal display device wherein a pixel area and a driver area are provided on a noncrystalline substrate.例文帳に追加

非晶質基板上に画素領域及びドライバー領域が設けられてなるドライバー画素一体型の液晶表示装置において、ＴＦＴのトランジスタ特性を高レベルにし、画素スイッチング用およびドライバー高速駆動用にそれぞれ最適のＴＦＴを備えるようにする。 - 特許庁

A photomask 1 as the original plate for exposure has a level difference part 1c on one side surface thereof facing a wafer 3 as the substrate to be exposed, has an inside thick part 1a and an outside thin part 1b and the inside thick part 1a is smaller than the wafer 3 to be exposed.例文帳に追加

露光用原版としてのフォトマスク１であって、露光される基板としてのウエハ３と相対する片側の面に段差部１ｃがあり、内側の厚い部分１ａと、外側の薄い部分１ｂとを備え、内側の厚い部分１ａは露光されるウエハ３より小さい。 - 特許庁

To prevent the deterioration of device characteristics due to lattice mismatching or an unclear impurity level in a light emitting thyristor in which first conductive and second conductive AlGaAs layers are alternately laminated in four layers on a GaAs buffer layer on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、格子不整合や不明瞭な不純物準位の形によるデバイス特性の劣化のおそれがないようにする。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell module capable of obtaining high photoelectric conversion efficiency per area while using a plastic substrate and keeping the photoelectric conversion efficiency of a high level even if the amount of irradiation light is varied, and to provide the method manufacturing of a photo-electrode used in it.例文帳に追加

プラスチック製基板を使用しながら、単位面積当たりに高い光電変換効率が得られ、しかも、照射光量を変化させても高いレベルの光電変換効率を維持することができる色素増感型太陽電池モジュール、およびこれに用いられる光電極の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a coating liquid for forming an antireflection film, with which the antireflection film reducing a reflectance to a level sufficient to be imperceptible to the naked eye and being excellent in stability and reproducibility of film characteristics is easily obtained, and the antireflection film, and a substrate with the antireflection film attached thereto.例文帳に追加

反射率を肉眼で感知しない十分な水準にまで低減することができ、しかも膜特性の安定性及び再現性に優れた反射防止膜を容易に得ることが可能な反射防止膜形成用塗布液及び反射防止膜並びに反射防止膜付き基材を提供する。 - 特許庁

To surely and stably obtain contact between an inspection terminal of an inspection substrate and an inspection electrode of a semiconductor wafer without increasing contact resistance between them, even when the arrangement number of inspection electrodes is increased in an inspection apparatus for collectively executing inspections at a wafer level.例文帳に追加

ウェハレベルで一括に検査する検査用装置において、検査用電極の配置数が増えたとしても、検査用基板の検査用端子と半導体ウェハの検査用電極との接触抵抗が増大することなく確実に且つ安定したコンタクトを得られるようにする。 - 特許庁

To provide a laminate comprising a release layer, a substrate layer and a pressure-sensitive adhesive layer, which can be manufactured in a single step, exhibits releasing performances of an equal or superior level to conventional laminates obtained by applying a release agent and can be well unwound while hardly causing abnormality such as noise or the like.例文帳に追加

剥離層、基材層、粘着層とから成る積層体が単一工程で生産が出来、得られた積層体は在来の剥離剤塗布タイプのものより同等レベル以上の剥離性能を有し、これら積層体の巻出しが騒音等の異常発生も少なく良好に出来ること。 - 特許庁

To ensure excellent call receiving voice quality when the sound pressure level of a voice to be emitted from a speaker is increased, and to sufficiently ensure an area of a substrate on which electronic components and terminals for operating the speaker are mounted and an area of mounting the electronic components.例文帳に追加

スピーカから放音される音声の音圧レベルが高められた場合における良好な受話音質を確保するとともに、このスピーカを作動させるための電子部品やターミナルが搭載される基板の基板面積および電子部品の搭載面積を十分に確保する。 - 特許庁

To provide floor substrate material for floor heating, particularly suited to concrete-construction houses, capable of freely corresponding to various room layouts and the shapes of rooms, allowing easy floor level setting and floor heating execution in one process, providing an excellent effect of the floor heating.例文帳に追加

各種間取りや部屋の形状に対して自由に対応できると共に床レベル設定と床暖房施工を１工程で容易にでき、良好な床暖房効果が得られる床暖房用床下地材、特にコンクリート系住宅に適する床暖房用床下地材を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mesa type semiconductor device, solving the problem wherein cracks are easily formed from an interface between a semiconductor substrate and a passivation film, at a higher level than in a conventional method, the method for manufacturing a highly reliable mesa type semiconductor device.例文帳に追加

半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することが可能なメサ型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate in which copper or a copper alloy principally comprising copper and tantalum or a compound containing tantalum can be polished continuously with a low load and dishing can be controlled to a low level at the end of pattern polishing.例文帳に追加

低荷重で、銅または銅を主成分とする銅合金およびタンタルまたはタンタル含有化合物を連続して研磨することが可能で、かつパターン研磨終了時のディッシング量を低いレベルに制御することが可能である半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode with a retention property and a current-collecting property of powder such as an active material to be of the same level as an electrode using a foam-like nickel porous substrate having a three-dimensional spread in a sintering type, excellent in high-rate discharge characteristics or cycle characteristics, and reduced weight and cost.例文帳に追加

活物質等の粉末の保持性及び集電性が、焼結式及び三次元的な広がりを持つ発泡状ニッケル多孔基体を用いた電極と同等であり、高率放電特性やサイクル寿命に優れ、且つ、軽量で低コストである電極の製造法を提供すること。 - 特許庁

The printing device comprises: a printing level block 30 of retaining base material 60; a screen mechanism 25 having a screen plate 27 provided with through-holes 27a; and a squeegee 22 which transfers the conductive paste placed on a screen plate 27 onto the substrate sheet 61 of the base material 60 via the through-holes 27a.例文帳に追加

印刷装置は、基材６０を保持する印刷定盤３０と、貫通穴２７ａが設けられたスクリーン版２７とを有するスクリーン機構２５と、スクリーン版２７に載置された導電性ペーストを貫通穴２７ａを介して基材６０の基板シート６１上に転移させるスキージ２２を具備。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor wafer, capable of grinding a metal film at a high speed on a semiconductor substrate under a low grinding pressure, controlling etchability which causes dishing at a low level, and also suppressing the occurrence of defects on a ground surface, such as scratches or erosion.例文帳に追加

低研磨圧力下においても半導体基板上の金属膜を高速に研磨でき、かつディッシングの原因となるエッチング性も低いレベルに制御され、同時にスクラッチやエロージョン等の被研磨面の欠陥発生も抑制することのできる半導体ウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, two die packages have a first die attached to the same surface as the second level interconnect structures and connected using flip chip interconnection, and a second die 44 connected to the opposite surface of the substrate and interconnected either by wire bonding or by flip chip interconnection.例文帳に追加

また、２つのダイパッケージは、第２レベルの相互接続構造と同じ平面に取り付けられ、フリップチップ相互接続を用いて接続された第１のダイと、前記基板の反対側の表面に接続され、ワイヤボンディング又はフリップチップ相互接続の何れかによって接続された第２のダイ４４とを備える。 - 特許庁

In this spinner chuck 12, a chuck 14 for sucking the substrate W is arranged at an upper end part of a spinner shaft 13 which can freely rise and fall, wherein the upper side of the chuck 14 and the bottom side of the recessed part 11 are adjusted to form a single face in the state after the spinner shaft 13 falls to the lowest level.例文帳に追加

このスピンナーチャック１２は昇降自在とされたスピンナー軸１３の上端部に基板Ｗを吸引するチャック１４が取り付けられ、スピンナー軸１３が最下位まで下がった状態でチャック１４上面と凹部１１の底面とが面一になるように設定されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a boron nitride film by which film quality is improved by suppressing an impurity, adhesiveness to a substrate is improved, and further, characteristics of a specific dielectric constant, a metal spread preventing function and mechanical strength are balanced at a high level.例文帳に追加

不純物を抑制して膜質を向上させると共に、基板に対する密着性を向上させ、更には比誘電率、金属拡散防止機能及び機械的強度の特性について、高いレベルでバランスをとった窒化ホウ素膜を成膜可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁