「substrate-level」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

When the impurity concentration only on the channel interface is reduced and the concentration in the rear of the substrate 11 is raised, unevenness of current flowing through a conduction channel is relaxed while sustaining the threshold voltage Vth at a predetermined level, and variation in threshold ΔVth due to trap can be controlled.例文帳に追加

チャネル界面の不純物濃度のみ低下させ、基板１１の奥の濃度を上昇させることで、しきい値電圧Ｖｔｈを所定の電圧に保ちながら、導電チャネルを流れる電流の不均一性を緩和してトラップによるしきい値変動ΔＶｔｈを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a resin composition which has, when the level of a compounded filler is high, good fluidity, is good for handling, and can be used as a liquid sealing material that is caused to efficiently enter and fill the ten-odd μm gap between semiconductor elements and a substrate upon mounting of flip chips.例文帳に追加

フィラーの配合量が多い場合であっても、良好な流動性を有し、取り扱いに優れ、フリップチップ実装の際に半導体素子と基板間の十数μｍのギャップにも効率良く侵入充填できる液状封止材となる樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The positioning tool 1 is provided with a protrusion 6 protruding from the lower surface of a planar body 2 toward the insulating substrate 32 side at a part close to the outer circumferential edge thereof by making a level difference 5 in the lower surface of the planar body 2 within a range including a part of each positioning hole 4.例文帳に追加

本位置決め治具１では、板状本体２の下面に各位置決め孔４の一部を含む範囲の段差部５を凹設することにより、板状本体２の下面に、絶縁基板３２の外周縁寄りで、且つ絶縁基板３２側に突出する凸部６を設けた。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process to form a rib layer 40 on a rib-forming substrate 20, a process to form a rib layer with concavo-convex 45 from the rib layer by injecting a blast material 75, and a process to form a level difference matrix rib 30 from the rib layer with concavo-convex 45 by injecting the blast material 75.例文帳に追加

製造方法は、リブ形成用基板２０上にリブ層４０を形成する工程と、ブラスト材７５を噴射してリブ層から凹凸付リブ層４５を形成する工程と、ブラスト材７５を噴射して凹凸付リブ層４５から段差マトリクスリブ３０を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

When the flash is irradiated from the light irradiating unit 4, the flash enters into the treatment liquid 81 through the translucent plate 5 and a space 82 above the level surface of the treatment liquid 81, and is irradiated against the main surface 91 of the substrate 9 in the treatment liquid 81 whereby cavitation is generated on the main surface 91.例文帳に追加

光照射部４から閃光が照射されると、閃光は透光板５および処理液８１の液面上の空間８２を経由して処理液８１に入射し、処理液８１中の基板９の主面９１上に照射されて主面９１上にキャビテーションが生じる。 - 特許庁

Protrusions and recesses (or a level difference) 1a are formed on the surface of a crystal substrate 1 composed of a material different from a GaN-based semiconductor and a GaN-based crystal 2 is grown directly on the surface where protrusions and recesses are formed with no intermediary of a low temperature GaN-based buffer layer thus obtaining a GaN-based crystal layer 3.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる結晶基板１の表面に凹凸（または段差）１ａを加工し、該凹凸の加工された表面に低温ＧａＮ系バッファ層を介することなく直接的にＧａＮ系結晶２を成長させ、ＧａＮ系結晶層３とする。 - 特許庁

To provide a diffraction grating pattern which has an up-to-date visual image such that display color are changed in accordance with rotation of a substrate or illumination direction and can further raise the level of forgery prevention without impairing resolution and brightness, and to provide a diffraction grating recording medium.例文帳に追加

本発明は、解像度や輝度を損なうことなく、基板もしくは照明方向の回転に伴って表示色が変化する視覚的なイメージが斬新で、偽造防止を一層高めることができる回折格子パターンおよび回折格子記録媒体を提供することを課題とする。 - 特許庁

The silicon substrate 104 is subjected to etching by using an etching mask having a difference in level, by which a through-hole forming the contour of the torsional beam sections 102a and 102b and a supporting frame section 103 is formed and simultaneously the thin region (recessed part) 108 of the movable mirror section 101 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１０４に対し、段差のあるエッチングスクを用いてエッチングを行うことにより、可動ミラー部１０１、ねじり梁部１０２ａ，１０２ｂ及び支持枠部１０３の輪郭をなす貫通部を形成すると同時に可動ミラー部１０１の薄い領域（凹部）１０８を形成する。 - 特許庁

To provide a mesa type piezoelectric vibrator which prevents the generation of stage cutting of an electrode in a level difference of a thick part and a thin part at a drawing electrode forming time, and which has high reliability in a method of manufacturing a mesa type piezoelectric vibrator of etching a piezoelectric substrate with an electrode pattern used as a protective film.例文帳に追加

電極パターンを保護膜として圧電基板をエッチングするメサ型圧電振動子の製造方法において、引出電極形成時に肉厚部分と肉薄部分との段差に電極の段切れが発生することを防止し、信頼性高いメサ型圧電振動子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor multilayer structure by which the residual thermal stress level can be reduced even when the difference in thermal expansion coefficient between a substrate and a compound layer growing on it is large, and furthermore, the warpage of a wafer, defects of an epitaxial layer and the like can be efficiently suppressed.例文帳に追加

基板とその上に成長する化合物層との間の線膨張係数の差が大きい場合にも、残留する熱応力レベルを軽減することができ、ひいてはウェーハの反りやエピタキシャル層への欠陥発生などを効果的に抑制できる半導体多層構造を提供する。 - 特許庁

The electro-optical device is provided with: a pixel electrode 108 formed on an element substrate 101; a counter electrode to be opposed to the pixel electrode via an electro-optical substance, for example, a liquid crystal; and a correction signal line for supplying a correction signal to negate level fluctuations of the counter electrode.例文帳に追加

素子基板１０１に形成された画素電極１０８と、画素電極とは、電気光学物質、例えば液晶を介して対向する対向電極と、この対向電極のレベル変動を打ち消すための補正信号を供給する補正信号線とを備える。 - 特許庁

The liquid level detector has an IDT electrode 30 which is disposed on a piezo-electric substrate 21 and excited with a plurality of prescribed resonance frequencies, and the IDT electrode 30 is composed of a plurality of electrode finger sets 40, 41 and 42 having different prescribed resonance frequencies f1, f2 and f3.例文帳に追加

液位検出装置は、圧電基板２１上に複数の所定共振周波数にて励振されるＩＤＴ電極３０を備え、ＩＤＴ電極３０が、異なる所定の共振周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３を有する複数の電極指群４０，４１，４２から構成される。 - 特許庁

To allow sure electrical and physical connection with an anisotropic conductive adhesive layer (ACF) by effectively absorbing the variance in level or the like of a substrate in a thermo-compression bonding step and to prevent the reduction in efficiency of heat transmission from a jig for thermo-compression bonding to the ACF.例文帳に追加

熱圧着工程における基板の平面性のバラツキ等を効果的に吸収して、異方性導電接着層（ＡＣＦ）による電気的及び物理的な接続を確実に行えるようにし、しかも熱圧着用冶具からＡＣＦへの熱伝達効率が低下しないようにする。 - 特許庁

Thus, the signal transmission substrate 36 enables reduction of characteristic impedance almost equal to differential resistance of a laser diode 38 while reducing flexural rigidity of the transmission part 36B to a low level and setting a gap G2 between each signal line 52S and each ground line 52G to be within a range in which the gap is relatively easily manufactured.例文帳に追加

これにより信号伝送基板３６は、伝送部３６Ｂの曲げ剛性を低く抑え、各信号線５２Ｓと各グランド線５２ＧとのギャップＧ２を比較的容易に製造し得る範囲としながら、特性インピーダンスをレーザダイオード３８の微分抵抗とほぼ同等に低減することができる。 - 特許庁

In regard to the semiconductor device resin-sealed in the wafer level on a semiconductor substrate having a formed device, through the rewiring layer formation process, the metal post formation process and the resin sealing process, it is inhibited to lay out devices 33, 35, 37 at positions overlapped with the circumference of a metal post 21 when viewed from above.例文帳に追加

素子が形成された半導体基板に対して、再配線層形成工程、メタルポスト形成工程及び樹脂封止工程を経てウェハレベルで樹脂封止される半導体装置について、上方から見てメタルポスト２１の周縁と重なる位置に素子３３，３５，３７を配置しないようにする。 - 特許庁

To provide a release substrate capable of being manufactured in a short time (hihg speed molding) even by low-temperature laminate molding while keeping a level capable of sufficiently satisfying the adhesiveness between respective layers without using an adhesive such as an anchor coating agent or the like, a releasable laminate using the same and its manufacturing method.例文帳に追加

アンカーコート剤等の接着剤を用いることなく、各層間の接着性を充分満足できる水準に維持しつつ、低温でのラミネート成形であっても短時間（高速成形）で製造することのできる剥離基体ないしその剥離性積層体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a time T can be secured for the photosensitive cells arranged in some row until noise suppression processing is performed after the power supply line 10 is brought into the high level, the substrate potential of the photosensitive cell becomes substantially constant between respective pixels and a noise-suppressed reproduction image can be read out from the sensor.例文帳に追加

よって、電源ライン１０がハイレベルになってから、ある行に配列された感光セルについて雑音抑圧処理を行うまでに時間Ｔを確保できるので、感光セルの基板電位が各画素間でほぼ一定となり、センサから雑音の少ない再生画像を読み出すことができる。 - 特許庁

The method for forming a pattern comprises consecutively carrying out a first step of irradiating a resist film formed on a substrate having a level difference with a charged particle beam and a second step of irradiating the resist film with a charged particle beam at a higher dose than the first step.例文帳に追加

本発明のパターン形成方法は、段差を備えた基板上に形成されたレジスト膜に荷電粒子線を照射する第１のステップと、前記レジスト膜に前記第１のステップよりも高いドーズ量で荷電粒子線を照射する第２のステップと、を相前後して行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a porous metal substrate which exhibits efficient heat resistance during the manufacturing and operation of a solid oxide fuel cell and has characteristics above a fixed level without causing any variation in heat resistance due to manufacturing process, and to provide the solid oxide fuel cell using this.例文帳に追加

固体酸化物燃料電池の作製時や運転時において、十分な耐熱性を示すと共に、製造工程によって耐熱性がばらつくことなく、一定水準以上の特性を有する多孔質金属基体及びこれを用いた固体酸化物燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, it is possible to control differences in level of the substrate, and prevent unevenness of display due to ununiformity of a gap, and further, control a distance between the common electrodes and the liquid crystal layer, therefore, an electric field applied on the liquid crystal layer is prevented from lowering.例文帳に追加

このことにより、基板上の段差を抑えることができ、ギャップの不均一による表示ムラを防止することができ、かつ共通電極と液晶層との間の距離を抑えることができるので、液晶層に印加される電界の低下を防止することができる。 - 特許庁

To solve the problem of exposure adhesion failure to be generated, because of the difference in level resulted from a conductive tape by forming a conductive-connected longitudinal coupling substrate, without having to use any repair tool, and sticking a conductive tape between sheet-shaped substrates.例文帳に追加

治具を用いることなく導電接続した長尺状の連結基板を形成すること、また、導電性テープをシート状基板間に貼り付けることによっても導電性テープによる段差が原因として発生する露光密着不良の問題を解決することである。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which level difference in each region on an interlayer insulating film formed on an interconnect line by polishing can be reduced even if a dense region and a sparse region exist in the interconnect line formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成された配線に密の領域と疎の領域とがあったとしても、研磨によって、配線上に形成された層間絶縁膜上における各領域上の段差を少なくすることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad for mechanically flattening the surface of an insulating layer or metal wiring formed on a silicon substrate by which the polishing rate is high, the global level difference is small, dishing at the metal wiring is hard to occur, few scratches are caused and little dust is adhered.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を機械的に平坦化するための研磨パッドにおいて、研磨レートが高く、グローバル段差が小さく、金属配線でのディッシングが起こりにくく、スクラッチが生じにくく、ダスト付着が少ない研磨パッドを提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate is equipped with a first semiconductor and a second semiconductor formed over the first semiconductor, the second semiconductor having either an impurity which exhibits P-type conductivity or first-impurity atoms which exhibit N-type conductivity and further having second-impurity atoms which bring the Fermi level of the second semiconductor having the first-impurity atoms near to the Fermi level of the second semiconductor having no first-impurity atoms.例文帳に追加

第１半導体と、第１半導体の上方に形成された第２半導体とを備え、第２半導体は、Ｐ型の伝導型を示す不純物またはＮ型の伝導型を示す第１不純物原子と、第２半導体が第１不純物原子を有する場合のフェルミ準位を、第２半導体が第１不純物原子を有しない場合のフェルミ準位に近づける第２不純物原子とを有する半導体基板を提供する。 - 特許庁

The multilayer wiring board comprises a multilayer substrate body 10 composed of ceramic green sheets 11-14, internal conductor layers 21-24 and level difference matching layers 31-33 and having an upper surface 10a for mounting a chip electronic component, and a plurality of lands 25-28 formed on the mounting surface 10a.例文帳に追加

セラミックグリーンシート１１〜１４と内部導体層２１〜２４と段差整合層３１〜３３とで構成され、上面にチップ型電子部品を実装するための搭載面１０ａを有する積層基板本体１０と、搭載面１０ａ上に形成された複数のランド２５〜２８と備えた多層配線基板。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of optical film laminate that is made of a PVA resin with alignment of dichroic material which is filmed on an amorphous ester-based thermoplastic resin substrate of continuous web and that includes a thin and high-functional polarizing film whose optical characteristic value represented as single transmittance T and polarization degree P is at a certain level.例文帳に追加

連続ウェブの非晶性エステル系熱可塑性樹脂基材に製膜された二色性物質を配向させたＰＶＡ系樹脂からなる、単体透過率Ｔと偏光度Ｐとで表される光学特性値が一定水準にある薄型高機能偏光膜を含む光学フィルム積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The offset length of the TFTs driven at 12V by level shifters 85 and 89 among the TFTs of the offset gate structures constituting the driving circuits 82 and 83 of the active matrix substrate of the liquid crystal display device is made longer than the offset length of the other TFTs driven at 5V so as to assure the reliability thereof.例文帳に追加

液晶表示装置のアクティブマトリクス基板において、その駆動回路８２、８３を構成するオフセットゲート構造のＴＦＴのうち、レベルシフタ８５、８９で１２Ｖ駆動されるＴＦＴのオフセット長は、その他の５Ｖ駆動されるＴＦＴのオフセット長に比較して長くして、その信頼性を確保してある。 - 特許庁

The level display pad 5 consists of two layers, i.e. a first layer of a metal layer 5b, formed by plating on a metal layer 5a which is formed simultaneously with the substrate electrode 21 on the wiring board 2, and a second layer 5c, formed on the first layer of metal layer 5b and comprising a material that is to be removed by an organic solvent.例文帳に追加

レベル表示パッド５は、２層からなり、配線基板２の基板電極２１と同時に形成された金属層５ａの上にめっきによって形成された第１層である金属層５ｂと、第１層である金属層５ｂの上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層５ｃからなる。 - 特許庁

A wafer level package process has steps of: providing a lower cover wafer 210 and an upper cover wafer 230; providing a semiconductor wafer including a plurality of MEMS devices on a substrate layer; joining the semiconductor wafer to a first surface of the lower cover wafer; and joining a second surface of the upper cover wafer to the semiconductor wafer.例文帳に追加

下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。 - 特許庁

On the periphery of a large pattern 1 existing on a substrate and having a level difference and an area large enough to cause uneven coating 3, a small pattern 2 having an area small enough to cause no uneven coating is arranged and coated with liquid by spin coating to form a thin film having a uniform film thickness.例文帳に追加

基板上に存在する塗布ムラ３を生じさせる程度の大きな高低差と大きな面積を有する大きなパターン１の周囲に、塗布ムラを生じさせない程度の小さな面積を有する小さなパターン２を配置し、回転塗布法により液体を塗布し、均一な膜厚の薄膜を形成する。 - 特許庁

The hybrid integrated circuit device 10 is provided with a power source 35 on the upper surface of a metal substrate 11 that generates DC voltage of a specified level and an amplifier 36 close to the power source 35 that switches the DC voltage generated in the power source 35.例文帳に追加

本発明の回路装置である混成集積回路装置１０は、所定の電圧の直流電圧を生成する電源部３５が金属基板１１の上面に形成され、電源部３５に接近した位置に、電源部３５により生成された直流電圧のスイッチングを行う増幅部３６が形成されている。 - 特許庁

In this dry etching apparatus, an annular protruding member 50 is protruded in the periphery of an upper electrode 18 toward an lower electrode 20, which loads a substrate W to be processed, to form a stepped level difference (d) against the upper electrode 18 to strengthen the electric field around the peripheral part of the upper electrode 18, and to increase the plasma density.例文帳に追加

このドライエッチング装置では、上部電極１８の周囲で環状突出部材５０が上部電極１８に対して被処理基板Ｗを載置する下部電極２０側へ突出して段差ｄを形成することで、上部電極１８の周辺部付近において電界が補強され、プラズマ密度が高められる。 - 特許庁

In the formation of an optical attenuation film obtained by layering a dielectric layer and a light absorbing layer being a plurality of layers on a substrate, the dielectric layer is formed to have a prescribed film thickness by repeating the total adhesion of a raw material at an atomic layer level (step S1) and the exposure thereof to an oxidizing or nitriding atmosphere (step S2).例文帳に追加

基板上に誘電体層と光吸収層を複数層に積層する光減衰膜の形成において、その誘電体層はその原料物質の原子層レベルでの全面付着（ステップＳ１）とその酸化または窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ２）を繰り返して所定の膜厚にする。 - 特許庁

The cleaning method for the substrate by using a cleaning solution so as to remove particles of a contaminant is characterized by using, as the cleaning solution, a solvent that is selected from among chain hydrofluorocarbon and hydrofluoroether each having an electrically negative level larger than the contaminant and a molecular volume of ≤130 Å^3.例文帳に追加

汚染物質の粒子の除去のために基板を洗浄液で洗浄する方法であって、前記洗浄液として、電気陰性度が前記汚染物質よりも大きく、分子容積が１３０Å^３以下である鎖状のハイドロフルオロカーボンおよびハイドロフルオロエーテルから選ばれる溶剤を用いることを特徴とする洗浄方法。 - 特許庁

To provide a high-quality substrate for an organic EL device, along with a manufacturing method of an organic EL device as well as the EL organic device, by improving uniformity in liquid level in an application region when applying ink which forms an organic EL layer for suppressed variation in film thickness and reduced brightness difference among pixels.例文帳に追加

有機ＥＬ層を形成するインクの塗布に際し、塗布領域内での液面の均一性を向上させることで、膜厚のばらつきを抑え、画素間の輝度差を小さくすることにより、高い品質の有機ＥＬ装置用基板および有機ＥＬ装置の製造方法並びに有機ＥＬ装置を提供する。 - 特許庁

To lessen troubles in a photoresist process in the manufacture of an optical MOSFET where a power MOSFET element and a photovoltaic device 4 which drives the element are formed on the same substrate, by a method wherein a level difference made by a polycrystalline Si layer is relaxed when the photovoltaic device 4 is formed of a polycrystalline Si layer.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ素子５とそれを駆動する光起電力装置４とが同一基板上に形成されている光ＭＯＳＦＥＴにおいて、光起電力装置４を多結晶Ｓｉ層１０６ｃで形成する場合に、多結晶Ｓｉ層１０６ｃが作る段差を緩和して、フォトレジスト処理でのトラブルを少なくする。 - 特許庁

A positioning part 2a comprising a level difference or a groove for positioning the optical element 6a embedded in a heat sink 5a is disposed in order to optically couple the optical element 6a and an optical signal input/output part 3a of the optical waveguide 3 with a low loss on a substrate 2 formed with the optical waveguid 3.例文帳に追加

光導波路３が形成された基板２には、光素子６ａと光導波路３の光信号入出力部３ａとを低損失で光学的に結合させるため、ヒートシンク５ａに埋め込まれた光素子６ａの位置決めを行うための段差又は溝からなる位置決め部２ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a removing a treatment liquid, a treatment method and a removing device of an organic system fouling on a substrate surface capable of removing even a resist film hardened and denaturalized by high-concentration ion implantation at room temperature and provided with a multi-repeatable treatment capacity using environment-friendliness and ozone regeneration at almost the same level of ethylene carbonate (EC) treatment.例文帳に追加

高濃度イオン注入で硬化変質したレジスト膜すら室温で除去することができ、炭酸エチレン（ＥＣ）処理並みの環境へのやさしさとオゾン再生を用いた多数回繰返し処理能力とを備えた、基板表面上の有機系付着物の除去用処理液と処理方法と除去装置とを提供する。 - 特許庁

A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.例文帳に追加

Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁

In the solder joining structure of a wafer level package, there is provided an air pad solder joining structure comprising an air layer formed in a predetermined substrate layer, a connection pad formed in the upper portion of the air layer, and a part of the air layer including in a side face thereof a region passing over an exposed connection pad.例文帳に追加

本発明はウェーハレベルパッケージのハンダ接合構造において、所定の基底層に形成された空気層と、前記空気層の上部に形成された接続パッドとからなり、前記空気層の一部が側面に前記接続パッドを超過して露出された領域を含むことを特徴とする空気パッドハンダ接合構造である。 - 特許庁

To provide a plasma cleaning device in which RIE treatment and PE treatment can be carried out by using only one unit by selectively switching over to the RIE treatment or PE treatment and the difference in plasma treatment level can be made small among substrates and also among spots on one substrate.例文帳に追加

一台でＲＩＥ処理とＰＥ処理とを選択的に切り換えて行うことができるようにしたプラズマ洗浄装置であって、基板間のプラズマ処理の程度の差を小さくすることができるとともに、一つの基板内においてもプラズマ処理の程度の差を小さくすることができるようにしたものを提供する。 - 特許庁

In the optical waveguide device formed on a substrate, an optical waveguide on the side on which light is made incident is formed in a ridge type, an optical waveguide on which the incident light propagates is formed into a slab form, and the mesa level difference of an optical waveguide makes transition from the ridge type to the slab type is made gradually thinner.例文帳に追加

基板上に形成された光導波路デバイスにおいて、光が入射する側の光導波路をリッジ型に形成し、入射した光が導波する光導波路をスラブ型に形成すると共にリッジ型からスラブ型に移行する途中の光導波路のメサ段差を段階的に薄くなるように形成した。 - 特許庁

The process steps from forming the diffusion-barrier base film to forming the first copper film are performed continuously in vacuum without exposing the semiconductor substrate to the atmospheric air, and during the process steps, the diffusion barrier base film is heated after the vacuum condition is reached to a vacuum level of 1 × 10^-4 Pa or lower.例文帳に追加

拡散バリア用下地膜の形成から前記第１の銅膜形成までの工程が、前記半導体基板を大気に晒すことなく真空一貫の状態で行われると供に、当該工程の間に、到達真空度で１×１０^-4Ｐａ以下の真空状態にしてから前記拡散バリア用下地膜が加熱される。 - 特許庁

The guard ring 108 includes an annular impurity diffused layer 110 provided on the surface of the semiconductor substrate, and annular conductors (112, 114, 136 and 138) connected to the guard ring 108 and extended across a plurality of wiring layers, up to a layer having a level of height not lower than the layer having the inductor 120 provided therein.例文帳に追加

ガードリング１０８は、半導体基板表面に設けられた環状の不純物拡散層１１０と、ガードリング１０８に接続し、複数の配線層にわたって延在するとともにインダクタ１２０が設けられた層以上の層まで延在する環状の導電体（１１２、１１４、１３６、および１３８）とを含む。 - 特許庁

The level differences are so formed as to reduce the thickness in the optical axis direction of a phase shifter surface toward a periphery from the center of the optical axis toward d2 so that the aberrations generated by the differences in wavelength, the differences in substrate thicknesses and differences in numerical apertures are corrected without causing the degradation in the efficiency of using the light, in the case of a DVD.例文帳に追加

光軸中心からｄ２までは、周辺に向かうに従い位相シフタ面の光軸方向の厚さが薄くなるように段差を形成し、ＤＶＤのときに、波長の違い、基板厚の違い、及び開口数の違いにより発生する収差を光利用効率の低下を招くことなく補正する。 - 特許庁