「substrate-level」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

For defect inspection or the like of a pixel, on the other hand, constitution which keeps the capacity signal output to the capacity line at a fixed level is formed on a substrate at the same time with a pixel circuit etc.例文帳に追加

一方で、画素の欠陥検査などにおいては、容量ラインに出力する容量信号を固定レベルとする構成を画素回路などと同時に基板上に形成しておく。 - 特許庁

The boundary between the inner and outer regions is taken as a portion where the level of consumption changes when the focus ring is incorporated in a plasma etcher to etch a substrate with plasma.例文帳に追加

内側領域と外側領域との境界は、フォーカスリングをプラズマエッチング装置に組み込み、基板に対してプラズマによりエッチングを行ったときに消耗の程度が変わる部位とする。 - 特許庁

When the detectable layer 70 afloating on the ink liquid level is positioned above the detection position of the detection part 40, the presence of the ink is determined by a control substrate of the inkjet printer.例文帳に追加

インクの液面に浮遊している被検知層７０が検知部４０の検知位置よりも上方に位置している場合には、インクジェットプリンタの制御基板でインク有りの判別がなされる。 - 特許庁

To prevent the degradation of the performance of a transistor caused by interface level rising due to the entry of nitrogen atoms that have been implanted in a silicon oxide film, reaching an interface between the film and a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン酸化膜中に導入した窒素原子がシリコン基板との界面にまで到達し、界面準位を増大させてトランジスタの性能を損なうということがないようにする。 - 特許庁

The sensor element is formed by dividing the wafer level package structure 100 into a desired predetermined size on the basis of the size of a sensor substrate (sensor body) 1 in the sensor wafer 10.例文帳に追加

センサエレメントは、ウェハレベルパッケージ構造体１００をセンサウェハ１０におけるセンサ基板（センサ本体）１のサイズに基づいて規定した所望のサイズに分割することで形成されている。 - 特許庁

Reduction in the difference in level of an alignment mark 9 formed on the surface of an epitaxial layer 8 is alleviated in this way even when the epitaxial layer 8 is deposited thick on the surface of the substrate 3.例文帳に追加

そのことで、基板３表面に厚いエピタキシャル層８を積層する場合でも、エピタキシャル層８表面に形成されるアライメントマーク９の段差の低減量を緩和できる。 - 特許庁

Also, a difference in level is provided in the area in which the optical waveguide is formed by removing by selective etching a silicon layer of the area to which the laser diode is fixed by the use of an SOI substrate.例文帳に追加

また、ＳＯＩ基板を用い、レーザダイオードを固定する領域のシリコン層を選択的エッチングで除去して、光導波路を形成した領域との間に段差を設ける。 - 特許庁

A single or a plurality of grounding layers 311 are set on the back of the substrate in the packaging unit 300 to facilitate the grounding for the semiconductor element and are applied to a wafer level packaging process.例文帳に追加

単一または複数の接地層３１１は、半導体素子のための接地を容易にするためにパッケージユニット３００の基板の裏にあり、ウェーハレベルパッケージングプロセスに適用される。 - 特許庁

The sensor device is formed by dividing the wafer-level package structure 100 into a prescribed desired size based on the size of a sensor substrate (sensor main body) 1 in the sensor wafer 10.例文帳に追加

センサ装置は、ウェハレベルパッケージ構造体１００をセンサウェハ１０におけるセンサ基板（センサ本体）１のサイズに基づいて規定した所望のサイズに分割することで形成されている。 - 特許庁

To provide a gallium oxide single crystal substrate having a principal plane flattened in atomic level, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve reliability of a compound semiconductor device obtained by forming a columnar crystal structure at a nanoscale level on a substrate or buffer layer, and to facilitate the formation of an upper electrode.例文帳に追加

基板やバッファ層上にナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、信頼性を向上するとともに、上部電極の形成を容易にする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal alignment agent having excellent printability even to a substrate having a large level difference and giving a liquid crystal alignment layer can stably exhibit a high pretilt angle.例文帳に追加

段差の大きい基板に対しても優れた印刷性を有し、且つ高いプレチルト角を安定して発現することができる液晶配向膜を与える液晶配向剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a separator for a polyelectrolyte fuel cell (PEFC) in which cost issues and strength issues can be addressed and in which a metal of improved corrosion resistance and a practical using level is made to be a substrate.例文帳に追加

コスト面、強度面で対応でき、且つ、耐食性を改善した、実用レベルの金属を基体とした高分子電解質型燃料電池（ＰＥＦＣ）用のセパレータを提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost optical module which suppresses the stress applied to a PLC chip by heat deformation of a substrate or a mount to a low level and prevents the optical property degradation of the PLC chip.例文帳に追加

基板やマウントの熱変形によってＰＬＣチップにかかる応力を小さく抑え、ＰＬＣチップの光学特性劣化を防止する低コストの光モジュールを提供すること。 - 特許庁

By selecting the crystal surface in this manner, the degree of "level difference" due to the crystal surface index dependency of the polishing speed is reduced, thus obtaining a flat/smooth substrate surface.例文帳に追加

このような結晶面選択を行うと、研磨速度の結晶面指数依存性に起因して生じる「段差」の程度が軽減され、平坦・平滑な基板面を得ることが可能となる。 - 特許庁

Also, a smooth and flat surface may be formed with the top of a level difference absorbing film and the top of a bottom electrode film 32 by forming the level difference absorbing film having the same thickness as the thickness of the bottom electrode 32 in a region of a substrate where the bottom electrode film 32 is not formed.例文帳に追加

また、基板上の下部電極膜３２が形成されていない領域に、下部電極膜３２の厚みと同じ厚みを有する段差吸収膜を成膜して、この段差吸収膜の上面と下部電極膜３２の上面とで段差のない平坦面を形成してもよい。 - 特許庁

In a proximity exposure apparatus, during adjusting a gap between a mask 2 and a substrate 1, a focal position of a first image acquisition device 51 is moved to a lower surface level of the mask 2 after the gap adjustment, and a focal position of a second image acquisition device 52 is moved to a surface level of the surface 1 after the gap adjustment.例文帳に追加

マスク２と基板１とのギャップ合わせを行う間、第１の画像取得装置５１の焦点位置をギャップ合わせ後のマスク２の下面の高さへ移動し、第２の画像取得装置５２の焦点位置をギャップ合わせ後の基板１の表面の高さへ移動する。 - 特許庁

A semiconductor element 1 is constituted by stacking an interface level control layer 5, a semiconductor layer 4, a source electrode 2, a drain electrode 3, a gate electrode 7, a gate insulating film 6, and a substrate 8 in layers, the gate insulating film 6 being provided on one side surface of the interface level control layer 5.例文帳に追加

半導体素子１は、界面準位制御層５と、半導体層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、ゲート電極７と、ゲート絶縁膜６と、基板８とを層状に積層してなり、界面準位制御層５の１側面にゲート絶縁膜６を設けて構成する。 - 特許庁

To provide a photothermal conversion sheet by which an organic electroluminescent material layer can follow a level difference even if a substrate of an organic electroluminescent device has a level-different structure, an organic electroluminescent material sheet using the above, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device using the organic electroluminescent material sheet.例文帳に追加

有機電界発光装置の基板が段差構造であっても有機電界発光素材層が段差に追従できる光熱変換シート、並びに、それを用いた有機電界発光素材シート、及び該有機電界発光素材シートを用いた有機電界発光装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The processing apparatus for a substrate such as a component mounting device has a display unit which displays a message associated with at least one of an error and a warning generated in the apparatus, and a priority level determining means of determining the priority level of the message to be displayed on the display unit.例文帳に追加

部品実装装置等の基板処理装置において、装置内で発生するエラーと警告との少なくとも一方に係るメッセージを表示する表示ユニットと、表示ユニットが表示するメッセージの優先順位を決定する優先順位決定手段とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suitable for low power consumption operation in which the threshold level of a transistor operating with a high threshold level can be set to minimize off-leak when a transistor intended for low power consumption operation and a transistor intended for high speed operation are fabricated on the same substrate.例文帳に追加

低消費電力動作を目的としたトランジスタと高速動作を目的としたトランジスタとを同一基板上に形成する際に高閾値で動作するほうのトランジスタの閾値をオフリークが極小となるように設定しかつ低消費電力動作に好適な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The power supply parts 24a extend from the top face 22a to level difference surfaces 22b so that power can be supplied to the semiconductor light-emitting elements 20 at the level difference surfaces 22b lower than the top face 22a on which the semiconductor light-emitting elements 20 are mounted out of the surface of the mounting substrate 22.例文帳に追加

給電部２４ａは、実装基板２２の表面のうち半導体発光素子２０が実装される上面２２ａよりも下方の段差面２２ｂにおいて半導体発光素子２０への給電を可能とするよう、上面２２ａから段差面２２ｂに延在する。 - 特許庁

When As is implanted into a silicon substrate 10 having a native oxide film 11, an amorphous region 10a is formed and the amorphous region 10a is divided into a high concentration oxygen region 10aa having oxygen concentration of critical level or above, and a low concentration oxygen region 10ab having oxygen concentration lower than the critical level.例文帳に追加

自然酸化膜１１を有するシリコン基板１０にＡｓを注入すると、アモルファス領域１０ａが形成され、アモルファス領域１０ａは、酸素濃度が臨界値以上の高濃度酸素領域１０aaと、酸素濃度が臨界値よりも低い低濃度酸素領域１０abとに分かれる。 - 特許庁

A nano-level fine structure consisting of needle-like crystalline projections or dendrite crystalline projections is formed on a surface of a silicon substrate M by irradiating laser beams L on the surface of the silicon substrate M from the vertical direction by using Nd:YAG laser for a laser beam oscillation unit 1.例文帳に追加

レーザ発振部１としてＮｄ：ＹＡＧレーザを用いてレーザビームＬをシリコン基板Ｍの表面に垂直方向から照射することで、シリコン基板Ｍの表面に針状結晶突起又は樹枝状結晶突起からなるナノレベルの微細構造を形成する。 - 特許庁

When depositing an oxide magnetic thin film on a substrate by sputtering, the diameter of oxide magnetic particles is controlled on the nano-level by controlling the temperature of the substrate in a predetermined range, and the oxide magnetic thin film is obtained, in which nano-particles of the desired grain size are present.例文帳に追加

スパッタリングによって基板上に酸化物磁性薄膜を形成する際に、基板温度を所定の範囲内で制御することにより、酸化物磁性粒子の径をナノレベルで制御し、所望の粒径のナノ粒子が存在する酸化物磁性薄膜を得る。 - 特許庁

The level of a proximity gap formed between a photo mask 3A on a mask receiver 4 and a glass substrate 1C on a substrate stage 2 is changed at a center part which is a barycentric position of the photo mask 3A and at a peripheral part near a fixed end of the photo mask 3A.例文帳に追加

マスク受け４上のフォトマスク３Ａと基板ステージ２上のガラス基板１Ｃとの間に形成されるプロキシミティギャップを、フォトマスク３Ａの重心位置となる中央部とフォトマスク３Ａの固定端に近い周縁部では、プロキシミティギャップの大きさを変えている。 - 特許庁

Thus, roughness (concavo-convex) on the surface of the substrate 10 and an acute-angle level difference (edge) occurring in the base layer of the light-emitting part 30 due to particles that may remain on the surface of the substrate 10 are suppressed and, further, generation of gas from the resin layer 20 itself is suppressed.例文帳に追加

これにより、基板１０表面の粗さ（凹凸）や、基板１０表面に残留し得るパーティクルに起因して発光部３０の下地層に鋭角の段差（エッジ）が生じるのが抑制され、さらに、樹脂層２０自体からのガスの発生も抑制される。 - 特許庁

The inventor of the present invention confirms that an imaging level showing the degree of focusing of a foreign substance on a projection screen has a tendency to be raised with the increase in thickness (t1) of a counter substrate 20 and thickness (t2) of a TFT array substrate.例文帳に追加

対向基板２０の厚みｔ１及びＴＦＴアレイ基板の厚みｔ２を大きくするにしたがって、異物が投写幕にフォーカスされる程度を示す結像レベルは良好な方向に推移する傾向にあることを本願発明者は確認している。 - 特許庁

Then, the substrate 11 pushed up by the above vertical shifting mechanism 17 is regulated for positioning, with its level being fixed by a reference pin 20 for positioning of the reference position being settled by the relation with a reference hole 12 for positioning made in a substrate 11.例文帳に追加

そして、上記上下移動機構１７により押し上げられる基板１１が、基板１１に形成された位置決め用基準孔１２との関係で定まる基準位置の位置決め用の基準ピン２０によってその面高が一定にされて位置規制される。 - 特許庁

A control unit 61 heats one part of the substrate W below the liquid level of HFE by a heating unit 55 when moving the substrate W in the HFE from a processing position to an upper position by a lower holding mechanism 29 and an upper holding mechanism 43.例文帳に追加

制御部６１は、ＨＦＥ中の基板Ｗを処理位置から上方位置へ下部保持機構２９及び上部保持機構４３により移動させる際に、ＨＦＥの液面よりも下方にある基板Ｗの一部位を加熱ユニット５５により加熱する。 - 特許庁

To provide a substrate for an electrophotographic photoreceptor capable of achieving all of weight reduction, dimensional stability, dimensional accuracy, and heat resistance at a high level, and to provide its manufacturing method, and an electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge using the substrate.例文帳に追加

軽量化、寸法安定性、寸法精度及び耐熱性の全てを高水準で達成可能な電子写真感光体用基体及びその製造方法、並びにその基体を用いた電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供すること。 - 特許庁

To suppress the degradation of the withstand voltage and reliability of a gate insulating film resulting from C (carbon) in a SiC substrate and an increase of a charge amount in the gate insulating film, and to suppress an increase of interface level density on an interface between the gate insulating film and the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板中のＣ（炭素）に起因するゲート絶縁膜の絶縁耐圧や信頼性の低下、及びゲート絶縁膜中の電荷量の増大を抑制し、更に、ゲート絶縁膜／ＳｉＣ基板界面における界面準位密度の増大を抑制する。 - 特許庁

Next, fluorine is self-controllingly diffused to the light reception part and an interface between a silicon substrate 1 in a reading region and an oxide film by applying annealing at 550-850°, whereby unsaturated bonds on the surface of the silicon substrate 1 are saturated, and an interface level is stabilized.例文帳に追加

次に、５５０度〜８５０度のアニールを施すことにより、自己制御的に受光部及び読み出し領域のシリコン基板１と酸化膜との界面にフッ素を拡散させることにより、シリコン基板１表面の不飽和結合を飽和し界面淮位を安定化する。 - 特許庁

The substrate 12 has a level difference 22 by which the thickness t1 of an inner peripheral side part 18 is made thicker than the thickness t2 of an outer peripheral side part 20 on the one surface and the first layered body 14 is formed at the outer peripheral side part 20 of the one surface of the substrate 12.例文帳に追加

基板１２は、一方の面に、内周側部分１８の厚みｔ１が外周側部分２０の厚みｔ２よりも大とする段差２２を有し、基板１２の一方の面のうち、外周側部分２０に、第１積層体１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for metallizing the surface of a dielectric substrate without using a catalyst, which achieves no pollution and high efficiency without needing external metal species at all, by a merger between an atmospheric pressure plasma process and a self-organization of a nanometric level of metal, and to provide the dielectric substrate provided with a metal film.例文帳に追加

大気圧プラズマプロセスとナノレベルの自己組織化との融合により、外部金属種を全く必要としない無公害高効率を実現する誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材を提供する。 - 特許庁

A method for removing a resist film using the resist film removing apparatus sets the speed for moving the storing section away from the end edge part of the transparent substrate or the relative moving speed of the transparent substrate and a vacuum chuck at a specified level or below.例文帳に追加

本発明に係るレジスト膜除去装置を用いたレジスト膜除去方法は、透明基板の端縁部から前記貯留部を遠ざける際の移動速度や、透明基板と真空チャックとの相対移動速度を所定の値以下に設定することを特徴とする。 - 特許庁

An upper opening of a vessel for holding a substrate is closed with a freely detachable lid having an opening corresponding to about 15-30% of the total opening area, and the vessel is made of a material having a water permeability of a level to keep the substrate held in the vessel.例文帳に追加

基質を収納する容器の上方開口部に、その全開口面積の１５〜３０％程度の開口部を有する蓋材を取り外し自在に設け、さらに容器の構成材料に内部に収納した基質が保持できる程度の透水性を持たせる。 - 特許庁

When the voltage value of VSL further decreases and reaches a specific value (+9 V in this example), the output of a system reset circuit mounted to a main substrate and a pun out control substrate reaches a low level, and a CPU and a CPU for pun out control are subjected to system reset state.例文帳に追加

ＶSLの電圧値がさらに低下して所定値（この例では＋９Ｖ）にまで低下すると、主基板や払出制御基板に搭載されているシステムリセット回路の出力がローレベルになり、ＣＰＵおよび払出制御用ＣＰＵがシステムリセット状態になる。 - 特許庁

Since the back surface 1b of the substrate 1 is modified by the pretreatment prior to the formation of the film and the release of the moisture is suppressed, the quality of the formed film, etc., is maintained at a high level without evaporating the moisture from the close contact surface of the substrate 1 with a film-forming drum during the formation of the film.例文帳に追加

成膜前の前処理で基材１の裏面１ｂが改質され、水分の放出が抑えられているので、成膜時に基材１の成膜ドラムとの密着面から水分が蒸発することなく、成膜等の品質が高く維持される。 - 特許庁

This phase transition optical information recording medium has a multilayer structure comprising at least one recording layer, dielectric layer and reflective layer respectively on a transparent substrate and, further, is constituted in such a manner that the erasing level (crystal level) at on optical wavelength of 420 nm is ≥70% of the erasing level at an optical wavelength 635 nm and the reflectance at the optical wavelength 420 nm is ≥10%.例文帳に追加

透明基板上に記録層、誘電体層及び反射層を各々少なくとも１層以上有する多層構造の相変化光情報記録媒体において、光の波長４２０ｎｍの消去レベル（結晶レベル）が光の波長６３５ｎｍの消去レベルの７０％以上で、かつ光の波長４２０ｎｍの反射率が１０％以上である構成とする。 - 特許庁

This MOS integrated circuit is provided with boosting circuits 61, 62 which can generated positive boosting voltage and negative boosting voltage on a semiconductor chip, a level detecting means 19 detecting a level of power source voltage externally supplied, and a threshold value is changed by switching voltage applied to a substrate (well region) in which MOSFET is formed in accordance with a level of detected power source voltage.例文帳に追加

半導体チップ上に正の昇圧電圧および負の昇圧電圧を発生可能な昇圧回路（６１，６２）と外部から供給される電源電圧のレベルを検出するレベル検出手段（１９）とを設け、検出された電源電圧のレベルに応じてＭＯＳＦＥＴが形成された基体（ウェル領域）に印加される電圧を切り替えて、しきい値を変化させるようにした。 - 特許庁

A water-soluble organic solvent which is easily removed is previously applied to the surface of the substrate that is subjected to a thin film forming process or a cleaning process so as to wrap up the surface of the substrate at a molecular level, and the wrapped substrate is stored.例文帳に追加

薄膜の成膜又は洗浄後の基板表面に予め容易に除去可能な水溶性有機溶剤を塗布し、基板表面に分子レベルのラッピングを行って保管し、保管された当該基板にレジストを塗布する前に、基板表面に疎水化処理、具体的にはヘキサメチルジシラザンを用いて基板表面の水酸基をトリメチルシリル基に置換する。 - 特許庁

At this point, since the reflecting illumination device 4 is controlled by a control device 8 so that the irradiation direction of the light applied to the surface of the glass substrate S, a shaded region is prevented from being produced though the difference in level due to a protruded part S_2 is present on the glass substrate S to inspect the surface flaw of the glass substrate S.例文帳に追加

このとき、ガラス基板Ｓの表面に照射される光の照射方向が変化するように制御装置８によって反射照明装置４が制御されるため、凸部Ｓ_２による段差がガラス基板Ｓに存在するものの、影になる領域が生じるのを防止して、ガラス基板Ｓの表面欠陥を検査することができる。 - 特許庁

To provide a surface treatment method of a quartz glass substrate capable of obtaining a quartz glass substrate having a high flatness (subnanometer level) which can meet the demand for a lithography reflection mask substrate using an extreme ultraviolet ray (EUV) in the field of LSI or the like, and a hydrogen radical etching apparatus suitably used for the treatment method.例文帳に追加

本発明は、ＬＳＩ分野の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度（サブナノメータレベル）石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A resist applying method drops resists 80 and 81 to apply them on the surface of a substrate W having level differences, and there is included a resist supply process of making the substrate W rotate at a predetermined rotational speed and supplying the resists 80 and 81, while making their positions of dropping move to the center from the outer peripheral side of the substrate W.例文帳に追加

段差を有する基板Ｗの表面に、レジスト８０、８１を滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、 前記基板Ｗを所定の回転速度で回転させ、前記レジスト８０、８１の滴下位置を、前記基板Ｗの外周側から中央に移動させながら供給するレジスト供給工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁