「surface oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for forming an oxide film comprises a step for cleaning the surface of a silicon substrate 1, a step for annealing the silicon substrate 1 at a temperature higher than a temperature of thermal oxidation for forming a tunnel oxide film 3 in an atmosphere of Ar gas, and a step for forming the tunnel oxide film 3 through the thermal oxidation method.例文帳に追加

本発明に係る酸化膜の形成方法は、シリコン基板１表面を洗浄する工程と、上記シリコン基板１に、Ａｒガス雰囲気下でトンネル酸化膜３を形成する際の熱酸化温度以上の温度でアニールを施す工程と、上記シリコン基板１上に熱酸化法によりトンネル酸化膜３を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

In the process for fabricating an optical element for use in a projection aligner, an oxidation-resistant film (107) is deposited thicker than that under actual use state on the surface of the optical element, and then a part thereof is removed thus depositing an oxidation-resistant film (107) of uniform thickness.例文帳に追加

投影露光装置に使用される光学素子の製造方法であって、光学素子の表面に耐酸化性膜（１０７）を実使用状態より厚く成膜し、その後に成膜した前記耐酸化性膜の一部を残して除去することにより一様な厚みの耐酸化性膜（１０７）を成膜することを特徴とする光学素子の製造方法である。 - 特許庁

Oxidation potential of carbon material is lower than oxidation potential of the catalyst particles in the electrocatalyst with the catalyst particles carried in the carbon material, contained amount of oxygen is ≤2.7 atom% in the carbon material, and BET specific surface area is 20 to 230 m^2/g in the electrocatalyst.例文帳に追加

本発明は、触媒粒子が炭素材に担持されてなる電極触媒において、前記炭素材の酸化電位が前記触媒粒子の酸化電位よりも低く、かつ、前記炭素材は、酸素含有量が２．７原子％以下であり、ＢＥＴ比表面積が２０〜２３０ｍ^２／ｇであることを特徴とする電極触媒により、上記課題を解決する。 - 特許庁

To prevent failures of actions of devices which are caused by the oxidation and corrosion of parts such as casings or lead wires used in the devices because of the oxidation effects of a photocatalyst since the photocatalyst is exposed on the surface in the devices such as personal computers or liquid crystal displays which use the photocatalyst as an air purifying component.例文帳に追加

本発明は、空気清浄用部品として光触媒を使用したパソコンや液晶表示装置などの装置について、光触媒が表面に露出しているために、光触媒の酸化作用により、装置に使用されている筐体やリード線などの部品が酸化、腐食し、装置の動作などに不具合が生じるのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁

The magnesium-made housing component for electronic equipment is provided with: a molding consisting of a pure magnesium metal or a magnesium alloy; and a highly-rigid and dense plasma electrolytic oxidation film which is formed on the surface of the molding by subjecting the molding to plasma electrolytic oxidation and has ≥2 μm thickness and ≥200 GPa elastic modulus when measured by a nanoindentation method.例文帳に追加

マグネシウム純金属またはマグネシウム合金からなる成形体と、前記成形体をプラズマ電解酸化処理することによって前記成形体の表面に形成され、厚さが２μｍ以上、かつナノインデンテーション法による弾性率が２００ＧＰａ以上である高剛性緻密質のプラズマ電解酸化膜とを具備する電子機器用マグネシウム製筐体部品。 - 特許庁

To provide a wafer-oxidizing device, which is constituted to form an Al oxide layer having high in-plane uniformity and an equal oxidation width over the whole surface of a wafer, at formation of the oxide layer by oxidizing an Al-containing layer.例文帳に追加

Ａｌを含む層を酸化してＡｌ酸化層を生成する際、面内均一性が高く、ウエハの全面にわたって同じ酸化幅の酸化層を生成できるようにした、ウエハの酸化装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device includes a p^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and the portion, which is exposed on the surface, of the pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing positive charges.例文帳に追加

また、炭化珪素を用いｐ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を正の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

To provide a float lid body which can be inserted from a mouth tube part having a conventional caliber easily and can show an anti-oxidation function or the like sufficiently by spreading on the surface of a liquid after inserting.例文帳に追加

本発明は、一般的な口径の口筒部からも容易に挿入可能で、挿入後、液面に広がって酸化防止等の機能を十分に発揮できる浮き蓋体を創出することを課題とするものである。 - 特許庁

Surface oxidation process is carried out in weak oxidizing atmosphere of steam, or the like, to oxide Si selectively thus forming a thin oxide film of high electric resistance, which is then further calcinated in weak oxidizing atmosphere.例文帳に追加

表面酸化工程を水蒸気等の弱酸化性雰囲気中で行なうことでＳｉを選択的に酸化させた高電気抵抗の薄い酸化膜を形成し、さらに弱酸化性雰囲気中で焼成する。 - 特許庁

In the anodic oxidation treatment process using a treatment vessel filled with electrolyte, a current is made to flow between an electrode 12 and a cathode, while light emitted from an light source irradiates a surface of the polycrystalline silicon layer 3.例文帳に追加

陽極酸化処理工程では、電解液の入った処理槽を利用しており、光源により多結晶シリコン層３の表面に光照射を行いながら下部電極１２と陰極との間に電流を流す。 - 特許庁

Further, a plating pretreatment (dry etching) is carried out to expose a new film face by removing the surface oxidation layer of the resist layer, and the upper gap layer not being covered with the resist layer is removed to expose the lower gap layer.例文帳に追加

続いて、メッキ前処理（ドライエッチング）を行い、レジスト層の表面酸化層を除去して新たな膜面を露出させるとともにレジスト層で覆われていない上部ギャップ層を除去し、下部ギャップ層を露出させる。 - 特許庁

Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、ビット線拡散層９上にシリコン酸化膜１０を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のＳＴＩ領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁

Oxidation of a solder surface is suppressed by adding an element with antioxidant effect such as Mn to the Sn-Zn based solder alloy, and a joining structure excellent in the durability can be obtained.例文帳に追加

また、Ｓｎ-Ｚｎ系はんだ合金にＭｎ等の抗酸化効果を有する元素を添加することにより、はんだ表面の酸化が抑制され、より耐久性に優れた接合構造を有することが可能となる。 - 特許庁

To solve a problem of flatness deterioration in surface-mounting solder portions caused by multi-polarization, upsizing, etc. of electronic components, and also to cope with a difficulty of obtaining high-quality, high-reliable solder joints due to oxidation, etc.例文帳に追加

電子部品の多極化・大型化等により表面実装用のはんだ部分の平坦性は劣化する傾向にあり、また電極部の酸化等もあって、高品質・高信頼性なはんだ接合を得ることが難しい。 - 特許庁

To provide a vertical cavity surface emitting laser which can prevent delamination at the interface of a selective oxidation layer and a spacer layer while suppressing the voltage rise, and can enhance reliability.例文帳に追加

電圧の上昇を抑制しながら選択酸化層とスペーサ層との界面での剥離を防止することができ、信頼性の向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

Such starch emulsifier products are useful as emulsifying and/or encapsulating agents, particularly in systems where high load and retention of the active ingredient, low surface oil exposure, and excellent oxidation resistance is desired.例文帳に追加

このようなデンプン乳化剤製品は、乳化剤および／またはカプセル化剤として、特に、有効成分の高い付加と保持、表面の低い油露出、および優れた酸化耐性が望まれる系において有用である。 - 特許庁

Based on the difference of the HC emission amount and the HC oxide oxidation amount per unit time estimated according to the engine operation state, the hydrocarbon (HC) adhesion amount on the DOC surface is calculated (S1-S4).例文帳に追加

エンジン運転状態に応じて推定された単位時間あたりのＨＣ排出量及びＨＣ酸化量の差分に基づいて、ＤＯＣの表面に付着した炭化水素（ＨＣ）付着量を算出する（Ｓ１〜Ｓ４）。 - 特許庁

To provide a Cr-free tin-plated steel sheet which is capable of suppressing deterioration in appearance or decrease in adhesiveness to a coating material caused by oxidation of a tin-plated surface and can be inexpensively subjected to a chemical conversion treatment, and a method for producing the same.例文帳に追加

Crを用いず、錫めっき表面の酸化に起因する外観の劣化や塗料密着性の低下を抑制でき、しかも安価に化成処理が可能な錫めっき鋼板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

For the treatment to enhance the degree of adhesion there are available, e.g. surface roughening, oxidation, primer, adhesive application, surfactant addition, etc., while on the other hand to lower the degree of adhesion, release agent application, mold release sheet interposition, etc., can be used.例文帳に追加

密着度を高くする処理としては、例えば粗面化、酸化、プライマー、接着剤塗布、界面活性剤付与があり、密着度を低くする処理は離型剤付与または離型シートの介在などがある。 - 特許庁

To provide a current-carrying material, as the material applicable to a current collection member of an SOFC (Solid Oxide Fuel Cell), free from the problem of Cr poisoning, having satisfactory surface electrical conductivity at high temperatures and also having excellent high temperature oxidation resistance.例文帳に追加

ＳＯＦＣの集電部材に適用可能な材料として、Ｃｒ被毒の問題がなく、高温での表面電気伝導性が良好であり、かつ耐高温酸化性に優れる通電材料を提供する。 - 特許庁

A second dioxin-oxidation catalyst is a catalyst composed of a surface-modified titania support obtained by impregnating anatase type titania with a manganese compound and firing the resultant titania and a vanadium oxide adsorbed and deposited on the support.例文帳に追加

第２のダイオキシン類酸化触媒は、アナターゼチタニアにマンガン化合物を含浸させ、該チタニアを焼成することによって得られた表面改質チタニア担体に、バナジウム酸化物を吸着担持させた触媒である。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device flat on the surface, low in an interface level and providing a metal oxidation film with good quality hardly having defects as a gate insulation film without containing H and C in the film.例文帳に追加

表面が平坦で界面準位が低くしかも膜中にＨやＣを含まず、欠陥の少ない良質な金属酸化膜をゲート絶縁膜として具備する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The fine structure having ≥30 m^2/g-Al_2O_3 BET specific surface area is obtained by applying an anodic oxidation treatment (A) to an aluminum substrate in an electrolyte containing 3-12 mol/L sulfuric acid.例文帳に追加

３〜１２ｍｏｌ／Ｌの硫酸を含有する電解浴中で、アルミニウム基板に陽極酸化処理（Ａ）を施し、ＢＥＴ比表面積が３０ｍ^2／ｇ-Ａｌ_2Ｏ_3以上の微細構造体を得る、微細構造体の製造方法。 - 特許庁

Thereby an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect is obtained by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by the chemical oxide film.例文帳に追加

これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and a portion, which is exposed n a surface, of a pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing negative charges.例文帳に追加

炭化珪素を用い、ｎ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を負の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

An insulating layer is formed on a surface of the cutting tool made of a conductive base material and the sensor circuit composed of a conductive film is formed on the insulating layer after oxidation treatment of the insulating layer.例文帳に追加

導電性母材を用いた切削工具の表面に絶縁層を形成し、その絶縁層を酸化処理した後にその絶縁層上に導電膜から成るセンサ回路を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a casting method where a modified layer having heat resistance, oxidation resistance and corrosion resistance can be extremely easily formed on the surface of a casting at a low cost even in the case of products with various shapes.例文帳に追加

耐熱性，耐酸化性，耐腐食性を有する改質層を鋳造品の表面に極めて容易に、かつ低コストに、さらには、あらゆる形状の製品であっても形成することができる鋳造方法を提供する。 - 特許庁

A double-angle smile oxide structure can be obtained by designing a gate electrode 22 to have the curved structure with its side surface spread toward the upper part and by forming a thick end edge portion of a gate oxide film 21 through re-oxidation.例文帳に追加

ゲート電極２２を、その側面が上部に向かって広がるように湾曲した構造にするとともに、再酸化によりゲート酸化膜２１の端縁部を厚くすることで、ダブル角度スマイル酸化構造を得る。 - 特許庁

The positive electrode active material of the nonaqueous secondary battery is a rhombic system LiMnO_2 where manganese ions have an average oxidation number of not less than 3.03 nor more than 3.08, with a BET specific surface ration of 8 m^2/g or more.例文帳に追加

斜方晶系ＬｉＭｎＯ_２で、マンガンイオンの平均酸化数が、３．０３以上３．０８以下であり、かつＢＥＴ比表面積が８ｍ^２／ｇ以上である非水溶液系二次電池正極活物質。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode in a semiconductor device, which can prevent abnormal oxidation of a titanium silicide film when the surface of a gate electrode consisting of a doped polysilicon film and the titanium silicide film is re-oxidized.例文帳に追加

ドープしたポリシリコン膜及びチタンシリサイド膜からなるゲート電極表面が再酸化する際、チタンシリサイド膜の非正常的な酸化を防止できる半導体素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

The ion implanted layer 23 is turned to a P--type impurity layer 24 by forced oxidation, and a silicon thermal oxide film 21b is formed on the surface of the cathode side of the substrate 45 (S4a).例文帳に追加

そして、前記イオン注入層２３を押込み酸化してｐ^-型不純物層２４を形成すると共に、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側表面にシリコン熱酸化膜２１ｂを形成する(Ｓ４ａ)。 - 特許庁

In the combustion zone 7, an auxiliary agent supply part 20 is provided for supplying at least one of an oxidation accelerator, a specific surface area improving gas, and a catalyst as an auxiliary agent for forming the vapor-grown carbon structure.例文帳に追加

燃焼ゾーン7に、気相生成炭素構造体を生成する補助剤としての酸化促進剤、比表面積改善ガスおよび触媒のうち少なくとも１つを供給する補助剤供給部20が設けられている。 - 特許庁

The silicon nitride film 31 is used as a mask for selective oxidation to form a silicon oxide film 33, and after the silicon nitride film 31 and silicon oxide film 30 are removed, a silicon oxide film 34 is formed over the entire surface.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜３１をマスクとして選択酸化を行ってシリコン酸化膜３３を形成し、シリコン窒化膜３１、シリコン酸化膜３０を除去した後、さらに全面にシリコン酸化膜３４を形成する。 - 特許庁

A finisher body 3 as the shell of the finisher F is formed by extrusion molding from aluminum alloy, and the external surface with hairlines HL is subjected to an anodic oxidation coating process and a subsequent coloring process.例文帳に追加

フィニッシャーＦの外殻をなすフィニッシャー本体３をアルミニウム合金の押出し成形により形成して、そのヘアラインＨＬを有する外表面に陽極酸化皮膜処理と、その後の着色処理を施した。 - 特許庁

A deposit layer of contaminants adhering to the surface can be removed in safety, by performing primary treatment of tungsten or molybdenum with larger ionization tendency than hydrogen by using an oxidation agent, i.e. hydrogen peroxide solution.例文帳に追加

水素よりもイオン化傾向が大きいタングステン、モリブデンを一次処理として酸化剤である過酸化水素水により処理することで、表面に付着した汚染物質の堆積層を安全に除去することが可能である。 - 特許庁

A third dioxin-oxidation catalyst is a catalyst composed of a surface-modified titania support obtained by impregnating anatase type titania with a silicon compound and firing the resultant titania and a vanadium oxide adsorbed and deposited on the support.例文帳に追加

第３のダイオキシン類酸化触媒は、アナターゼチタニアに珪素化合物を含浸させ、該チタニアを焼成することによって得られた表面改質チタニア担体に、バナジウム酸化物を吸着担持させた触媒である。 - 特許庁

To provide a silicon carbide-based porous structure material which has a drastically enhanced specific surface area and oxidation resistance, and exhibits an improved strength of the structure material itself and a method of producing the same.例文帳に追加

炭化ケイ素系多孔質構造材の比表面積を飛躍的に高め、耐酸化性の付与、構造材そのものの強度の増加を実現した炭化ケイ素系多孔質構造材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent oxidation of a front surface of a heat sink as much as possible by surely preventing overrun during carrying the heat sink on a carrying path and reducing suction power to be irreducibly minimum for preventing occurrence of a flaw.例文帳に追加

搬送路上のヒートシンクを搬送する際のオーバーランを確実に防止すると共に必要最低限の吸着力とするようにして傷の発生を防止してヒートシンク表面の酸化を極力防止すること。 - 特許庁

Further, 0.0001-1 wt.% of Mn and/or Ti are added and mixed to the composition, whereby reliability of solder joining is improved due to suppression of surface oxidation of a solder joint portion and the like.例文帳に追加

更に、前記組成に、Ｍｎ及び、又はＴｉを０．０００１〜１重量％を加えて配合することにより、はんだ接合部の表面酸化が抑制される等のはんだ接合の信頼性が向上する。 - 特許庁

A discharge regulating member is disposed between the photoreceptor 2 and the charging roller 3, and a part of the discharge regulating member is inserted into a part of the discharge region, and an oxidation preventing film is formed on the surface of the photoreceptor 2.例文帳に追加

感光体２と帯電ローラ３との間に放電規制部材を配置し、放電規制部材の一部を放電領域の一部に挿入し、感光体２表面に酸化防止膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the oxidation film forming process, a furnace throat part 40 is baked to grow an oxide film 28 on the surface of a flange part 27 and a cap part 30 configuring a furnace throat part metal part 41, and to improve corrosion resistivity.例文帳に追加

酸化膜形成工程では、炉口部４０をベーキングすることにより、炉口部金属部品４１を構成するフランジ部２７、キャップ部３０の表面に酸化膜２８を成長させ、耐腐食性を向上させる。 - 特許庁

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

To provide an anodic oxidation process for efficiently anodizing only a predetermined range of outer surface in the axis direction of a columnar or tubular substrate to be treated, by forming a reaction chamber containing only the portion, and provide an apparatus.例文帳に追加

柱状や筒状の被処理体の外周面軸方向所定範囲のみを内包する反応チャンバーを形成し能率的に陽極酸化処理する陽極酸化処理方法および装置の提供。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for bonding a chip component, wherein the melting time of solder and the heating time of the chip component are shortened as well as oxidation on the surface of the solder and drop in the performance of a product can be prevented.例文帳に追加

半田の溶融時間およびチップ部品の加熱時間を短くし、半田の表面酸化および製品の性能低下を防止できるチップ部品のボンディング方法及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

While the excellent shape controllability is secured, the copper wiring layer 53 is prevented from having its surface roughened owing to etching etc., during the formation of the metal diffusion preventive film 51, thereby suppressing the oxidation of the copper wiring layer 53 and the diffusion of copper.例文帳に追加

良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 - 特許庁