「write-access」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Each RAM 10A_1-10A_3 is connected and controlled in a loop shape by access wait signals WT12, WT23 and WT31, and the CPU 1 can distributedly write data to the RAMs 10A_1-10A_3, and read the written data in the writing order.例文帳に追加

各ＲＡＭ１０Ａ_１〜１０Ａ_３は、アクセスウエイト信号ＷＴ１２，ＷＴ２３，ＷＴ３１でループ状に接続されて制御され、ＣＰＵ１は、ＲＡＭ１０Ａ_１〜１０Ａ_３にデータを振り分けて書き込み、書き込んだデータをその順番に読み出すことができる。 - 特許庁

To provide a data transfer control device, in which a CPU accesses a memory on a bus with access conflicts for read/write at high speed in an arbitrary timing of the CPU without increasing load of the CPU.例文帳に追加

本発明は、ＣＰＵの負荷を増加させることなく、ＣＰＵの任意のタイミングで高速にアクセス競合の発生するバス上のメモリに対してＣＰＵがリード/ライトアクセスすることができるデータ転送制御装置を提供する。 - 特許庁

To improve user's convenience, and to suppress the consumption of the write-in allowable frequency of an ID card in the case of adopting a framework to acquire a printing job by performing access to a job storage device based on an address read from the ID card.例文帳に追加

ＩＤカードから読み出したアドレスに基づきジョブ保持装置にアクセスし印刷ジョブを取得する枠組みを採る場合に、ユーザ利便性を向上させるとともに、ＩＤカードの書き込み許容回数の消費を抑制する。 - 特許庁

The turbo decoding device 100 includes: a memory unit 101 that stores data in an interleaving process performed in a process of decoding a coded signal encoded with a turbo code; and an access unit 102 that accesses the memory unit to read and write the data.例文帳に追加

ターボ復号装置は、ターボ符号により符号化された符号化信号を復号する過程で行われるインターリーブ処理に際してデータを記憶するメモリ部と、メモリ部にアクセスしてデータを読み書きするアクセス部とを有する。 - 特許庁

A write operation using address information of the second bus by a direct memory access control unit is detected by a coincidence result of the second comparator and a set condition of a first register and is transmitted to a data processing unit.例文帳に追加

上記第２コンパレータの一致結果と第１レジスタの設定条件により上記ダイレクトメモリアクセス制御ユニットによる上記第２バスのアドレス情報を用いた書込動作みを検知して上記データ処理ユニットに伝える。 - 特許庁

A control section 40 sets the division ratio of the photographed image on the basis of information with respect to write operations of memory cards 51, 52 such as an access speed and a free capacity of the memory cards 51, 52 and information received from an operation section 25.例文帳に追加

制御部４０は、メモリカード５１，５２の書き込み動作に関する情報、例えばメモリカード５１，５２のアクセス速度や空き容量、操作部２５から入力された情報に基づいて撮影画像の分割比を設定する。 - 特許庁

To provide a high-density high-speed dynamic random access memory(DRAM) by satisfying the cut-off characteristics of transistors and high-level write compensation in the memory cell area of the DRAM and, at the same time, improving transistor driving forces in the peripheral circuit area of the DRAM.例文帳に追加

本発明は、ＤＲＡＭのメモリセル領域におけるトランジスタのカットオフ特性とハイレベルの書き込み補償を満足するとともに周辺回路領域のトランジスタの駆動力を向上させて、高密度高速ＤＲＡＭの実現を図る。 - 特許庁

An activity history holding part 2000 electronically holds history of activities such as a document access to Web document and the like, electronic communication such as E-mail, instant messages, and write to/browse of an electronic bulletin board, and entrance and exit of a building, a room, and the like.例文帳に追加

活動履歴保持部２０００は、Ｗｅｂ文書等の文書アクセス、電子メール、インスタントメッセージ、電子掲示板の投稿・閲覧等の電子コミュニケーション、建屋、部屋等への出入り等の活動の履歴を電子的に保持するものである。 - 特許庁

A control program stored in a first data storage part 2 is DMA-transferred to a second data storage part 4, wherein the access speed of read and write is higher compared to the first data storage part 2, without going through the intermediary of a main control part 1.例文帳に追加

第１のデータ記憶部２に記憶されている制御プログラムを、主制御部１による処理を介さずに、第１データ記憶部２に比べて読み書きのアクセス速度がより高速な第２データ記憶部４にＤＭＡ転送する。 - 特許庁

A switching network circuit receives the read/write signal and the address signal from the register/buffer circuit, when the port block signal from the access confliction preventing circuit does not exist, the switching network circuit generates a bank selecting signal and activates the selected bank.例文帳に追加

スイッチングネットワーク回路は、レジスタ・バッファ回路からリード／ライト信号とアドレス信号を受け取り、アクセス競合回避回路からのポートブロック信号がない場合に、バンク選択信号を生成して選択されたバンクを活性化する。 - 特許庁

The memory device provided with SDRAM is a memory device controlling SDRAM performing burst access based on burst length, a cycle number counter setting the number of times of burst access based on the burst length at the time of initialization at which the burst length is set is provided, burst cycles in a read/write cycle are performed by the number of times set in the cycle number counter.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭを備えたメモリ装置は、バースト長に基づくバーストアクセスを行うＳＤＲＡＭを制御するメモリ装置であって、前記バースト長を設定する初期化時に、バースト長に基づくバーストアクセスの回数を設定するサイクル数カウンタを設け、リード／ライトサイクルにおけるバーストサイクルを該サイクル数カウンタに設定された回数だけ行うようにしたことである。 - 特許庁

The sequencer for a driver IC receives a trigger from the CPU 110, a trigger from a sequencer 113 for a VCM (voice coil motor) or a servo mark detection signal, executes a command string stored in an RAM 115a and makes read access and write access to a driver IC 124 to thereby measuring acceleration, temperature, and counter electromotive voltage that occurs in the voice coil motor, or the like.例文帳に追加

ドライバＩＣ用シーケンサは、ＣＰＵ１１０からのトリガ、ＶＣＭ用シーケンサ１１３からのトリガ、又はサーボマーク検出信号を受けて、ＲＡＭ１１５ａに記憶されたコマンド列を実行し、ドライバＩＣ１２４に対してリードアクセス及びライトアクセスを行うことにより、加速度の測定、温度の測定、ボイスコイルモータに生じる逆起電圧の測定等を行う。 - 特許庁

If an access request from a CPU 1 is for a uncacheable area, data are read or written according to the control object data size in the uncacheable area, error-correction during reading and generation of ECC data during writing are performed for data of the control object data size in the uncacheable area, thus eliminating the need for waiting for processing for data except read data or write data, and the memory access in the partial access is accelerated.例文帳に追加

ＣＰＵ１からのアクセス要求がキャッシュ不可領域の場合、キャッシュ不可領域における制御対象データサイズに従ってデータの読み出し、書き込みが行われ、読み出し時の誤り訂正及び書き込み時のＥＣＣデータの生成もキャッシュ不可領域における制御対象データサイズ分のデータに対して行われ、リードデータ又はライトデータ以外のデータに対する処理を待つ必要がなく、パーシャルアクセスにおけるメモリアクセスを高速化できる。 - 特許庁

In receiving specific data, a RAID controller 111 is configured to write specific data both in a first storage area provided in an HDD 1 and in a second storage area provided in an HDD 2, acquire access speeds of the first storage area and the second storage area, and select a storage device having the higher access speed on the basis of the acquired access speeds to read the specific data.例文帳に追加

ＲＡＩＤコントローラ１１１は、特定データを受信した場合に、該特定データをＨＤＤ１に設けられた第１記憶領域及びＨＤＤ２に設けられた第２記憶領域の双方に書き込み、前記第１記憶領域及び前記第２記憶領域のアクセススピードを取得し、該取得されたアクセススピードに基づいて、前記アクセススピードが高い記憶装置を選択して前記特定データを読み出す構成を特徴とする。 - 特許庁

To provide a magnetic disk device, which can operate, even in the event of a failure of an HDD constituting a RAID, without deterioration of processing performance for read/write access from a host until the HDD is restored.例文帳に追加

ＲＡＩＤを構成するＨＤＤが故障した場合においても、当該ＨＤＤが復旧するまでの間、ホストからのリード／ライトアクセスに対する処理性能を低下させることなく稼働することができる磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

When receiving an access request from each device (a CPU 106, a print engine 102, a PC 103) to the DRAM (DDR_SDRAM 105), a printer controller 101 executes active processing, read/write processing and precharge processing for the DRAM according to the request.例文帳に追加

プリンタコントローラ１０１は、各デバイス（ＣＰＵ１０６、印刷エンジン１０２、ＰＣ１０３）からＤＲＡＭ（ＤＤＲ_ＳＤＲＡＭ１０５）へのアクセスの要求を受け付けたときに、その要求に応じて、アクティブ処理、リード／ライト処理、プリチャージ処理、をＤＲＡＭに対して実行する。 - 特許庁

To develop a system which can provide effective information and advertisements while saving time and labor for previously write link-destinations such as URL, etc., in electronic mails and/or on electronic bulletin boards to access information or advertisements on network such as Internet, etc.例文帳に追加

インターネット等のネットワーク上の情報や広告へアクセスするために、電子メールや掲示板等の内容に、ＵＲＬ等のリンク先を予め記載しておく手間を省き、且つ、効果的な情報や広告の提供を行うためのシステムの開発。 - 特許庁

The bus information analysis part 2 decides a read data value as storage contents at the specific time point of an address when bus access is read to the memory, and sets the address written with the data as an indefinite area when write to the memory.例文帳に追加

バス情報解析部２は、バスアクセスがメモリへのＲｅａｄならば読み出されたデータ値を当該アドレスの特定時点での記憶内容として確定し、メモリへのＷｒｉｔｅならばデータが書き込まれたアドレスを不定領域とする。 - 特許庁

To surely write the latest data back to an electrically erasable programmable read only memory(EEPROM) without affecting control at the time of copying data from the EEPROM to a random access memory(RAM) and controlling a prescribed controlled system.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭ（書換可能な不揮発性メモリ）からＲＡＭ（読書き可能な揮発性メモリ）にデータを書写し所定の制御対象を制御する際、その制御に影響を与えることなくＥＥＰＲＯＭに最新のデータを確実に書戻すこと。 - 特許庁

Thereby, the disk writing/disk reading are made possible to be performed as a continuous operation which continues in accordance with plural times of directions, that is, such an operation that the write/read trace to a track of the disk is not interrupted by the track access.例文帳に追加

これによりディスク書込／読出動作としては、複数回の指示に対応して継続した連続動作、即ち、ディスクのトラックに対する書込／読出トレースがトラックアクセスにより中断されることのない動作として実行できるようにする。 - 特許庁

To improve reliability by surely preventing access to adjacent cards not to be accessed in housing and storing a plurality of cards in parallel in thickness directions thereof to read and write data of one piece of card to be accessed.例文帳に追加

複数枚のカードを厚さ方向に並列させて収納、保管し、１枚のアクセス対象カードに対してデータの読み書きを行うにあたり、隣接するアクセス非対象カードに対してはアクセスが確実に行われないようにして信頼性を向上させる。 - 特許庁

A request to perform an operation, such as a remote direct memory access (RDMA) write operation or a send operation that writes to memory, is sent from a sending input/output (I/O) adapter (e.g., an RDMA-capable adapter) to a receiving I/O adapter.例文帳に追加

リモート・ダイレクト・メモリ・アクセス（ＲＤＭＡ）書き込み操作又はメモリに書き込む送信操作のような操作を実行する要求が、送信入力／出力（Ｉ／Ｏ）アダプタ（例えば、ＲＤＭＡ可能なアダプタ）から、受信Ｉ／Ｏアダプタに送られる。 - 特許庁

If you are looking at a text node, you have no access to a containing element.When you write a SAX application, you need to keep track of yourprogram's position in the document somewhere in your own code.例文帳に追加

またテキストノードに注目しているときには、その中に入っている要素をアクセスすることができません。 SAX によるアプリケーションを書くときには、プログラムがドキュメント内のどこを処理しているのかを追跡するよう、コードのどこかに記述する必要があります。 - Python

Two areas for managing key information are provided on a memory, and the key information and seed information during write are held so as to make access to the key information and the seed information possible, even while writing the key information and the seed information to a hard disk.例文帳に追加

メモリ上に2つの鍵情報を管理するエリアを備え、さらに、鍵情報とシード情報をハードディスクに書き込んでいる間でも、鍵情報とシード情報へのアクセスを可能とするため、書き込み中の鍵情報とシード情報を保持する。 - 特許庁

A busy flag is set on during a period of writing of the parameters as the objects of synchronous writing to the first buffer group 15, but it is made possible to access the second buffer group 16 and write/read the parameters other than the objects of synchronous writing.例文帳に追加

第１バッファ群１５に同期書込対象のパラメータを書き込み中の期間にはビジーフラグがオン状態となるが、第２バッファ群１６にアクセスして同期書込対象外のパラメータの書込／読込を行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide write-in architecture used in a magnetic random access memory(MRAM) device in which adjacent cells in an array are not disturbed with a harmful form, preservation of data stored in the array is improved, and individual memory cell in the array can be selected.例文帳に追加

アレイ内の隣接セルを害のある形で擾乱せず、そこに保管されたデータの保全性を高める、アレイ内の個々のメモリ・セルの選択を可能にする、磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイス内で使用される書込アーキテクチャを提供する。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁

Moreover, the special data setting part extracts logical address information from the special data setting request, and instructs an access part to write the magic number in the operational object data after the bit string operation in a user data storage area among storage areas corresponding to the logical address information and to write the error detection code in the operational object data after the bit string operation in a redundant area.例文帳に追加

また、特殊データ設定部は、特殊データ設定要求から論理アドレス情報を抽出し、この論理アドレス情報に対応する記憶領域のうちユーザデータ記憶領域にビット列操作後の操作対象データにおけるマジックナンバーを、冗長領域にビット列操作後の操作対象データにおける誤り検出符号を書き込むようにアクセス部に指示する。 - 特許庁

The RAM 10a is provided with a flash interface circuit 19 which generates control signals required for data access to the flash memory 60 in synchronism with the command from the CPU 70, and a pseudo SRAM 29, a memory device capable of random access, to read and write data or the flash memory 60 or the pseudo SRAM according to the command from the CPU 70.例文帳に追加

ＲＡＭ１０ａは、ＣＰＵ７０からの指令に同期して、フラッシュメモリ６０に対するデータのアクセスに必要な制御信号を生成するフラッシュインタフェース回路１９と、ランダムアクセス可能なメモリ素子である擬似ＳＲＡＭ２９とを備え、ＣＰＵ７０からの指令に応じて、フラッシュメモリ６０または擬似ＳＲＡＭ２９に対して、データの読み出し、書き込みを行なう。 - 特許庁

The FIFO control circuit is provided with a control means for specifying a plurality of memory areas to be used as the FIFO buffer by an area designating means, and for holding address information for read access and write access for each specified memory area by an address pointer means, and for FIFO operating the prescribed memory area, by using the address pointer means, in response to the request from the input/output circuit.例文帳に追加

ＦＩＦＯ制御回路は、ＦＩＦＯバッファとして利用する複数のメモリ領域をエリア指定手段で規定し、規定されるメモリ領域毎にリードアクセス及びライトアクセスのためのアドレス情報をアドレスポインタ手段で保持し、入出力回路からの要求に応答して、所定のメモリ領域を、前記アドレスポインタ手段を用いて、ＦＩＦＯ動作させる制御手段と、を含む。 - 特許庁

A CPU 101 selects a command capable of starting disk access fastest from the group of write commands provided from a host system 200 and stored in a queue buffer 109a, and predicts rotation waiting time generated when the selected command is executed.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１は、ホストシステム２００から与えられてキューバッファ１０９ａに格納されているライトコマンドの群の中から最も早くディスクアクセスを開始可能なコマンドを選択し、当該選択されたコマンドを仮に実行した場合に発生する回転待ち時間を予測する。 - 特許庁

When the message is received, the device performs a fault issuing task which issues a message indicating a procedure for accessing to a data recording medium, executes read/write access and mounting/demounting control for the data recording medium, and writes a message indicating the fault information to the data recording medium.例文帳に追加

メッセージを受け取ると、データ記録媒体へのアクセス手順を示すメッセージを発行する障害発行タスクを行い、データ記録媒体に対してリード／ライトアクセス及びマウント／アンマウント制御を実行し、データ記録媒体に障害情報を示すメッセージを書き込む。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing.例文帳に追加

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面積増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。 - 特許庁

The access device decides whether it is the overwriting processing or not before recording the data, newly allocates the unrecorded logical address area to record the data when it the overwriting, and makes the write-once type information recording device execute conversion processing of the old and new logical addresses.例文帳に追加

アクセス装置はデータの記録に先立ち、上書き処理であるか否かを判定し、上書きであれば新たに未記録の論理アドレス領域を割り当ててデータを記録し、ライトワンス型情報記録装置に対し新旧論理アドレスの変換処理を実施させる。 - 特許庁

When a CPU 104 performs read/write of a recording medium 110 or a flash ROM 108 in response to an access request via the USB cable 300, the power source circuit 111 controls the current supplied for charging of the rechargeable battery 112.例文帳に追加

そして、ＣＰＵ１０４が、ＵＳＢケーブル３００を介したアクセス要求により、記録媒体１１０またはフラッシュＲＯＭ１０８の読み書きを行う場合に、電源回路１１１は、充電式バッテリ１１２の充電用に供給する電流を制御する。 - 特許庁

To execute substantial recording processing to other area through trial write processing or the like by access to a discontinuous area without being affected by discontinuity of addresses at discontinuous parts even when discontinuity of addresses exists in an optical information recording medium.例文帳に追加

光情報記録媒体にアドレスの不連続があっても、不連続個所によるアドレスの不連続の影響を受けることなく、不連続領域へのアクセスによる試し書き処理等を経て、他の領域に対する本来の記録処理を実行することができるようにする。 - 特許庁

To form a virtual block capable of efficiently performing management of a virtual block and access to the virtual block, in a flash memory system in which a plurality of flash memories forming the virtual block are configured to perform parallel write-in or readout of data.例文帳に追加

仮想ブロックを形成して複数個のフラッシュメモリに並行したデータの書き込みや読み出しを行うように構成されたフラッシュメモリシステムにおいて、仮想ブロックの管理及び仮想ブロックに対するアクセスを効率良く行うことができるように仮想ブロックを形成する。 - 特許庁

The read address generator 11 and the write address generator 13 generate interrupts upon acceptance of a final access request so as to control activation of each data processing module 8-1 to 8-m in accordance with the state of each data processing module in interrupt processing.例文帳に追加

一方、リードアドレス生成部１１及びライトアドレス生成部１３において、最終アクセス要求受け付け後に割り込みを生成し、割り込み処理時の各データ処理モジュール８−１〜８−ｍの状態に応じて各データ処理モジュールの起動を制御する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device in which an access time to data is shortened and control and constitution of hardware are simple for preventing defective cells caused by many number of times of write/erasure in a memory cell of a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルにおける、多くの書込み/消去回数によって発生する欠陥セルを回避することにおいて、データのアクセス時間を短縮し、制御およびハードウェア構成が簡単である不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The read address generation part 14 and the write address generation part 16 generate interrupts after accepting final access requests and control activation of each of data processing modules 11-1 to 11-n in accordance with the state of each data processing module in interrupt handling.例文帳に追加

一方、リードアドレス生成部１４及びライトアドレス生成部１６において、最終アクセス要求受付け後に割り込みを生成し、割り込み処理時の各データ処理モジュール１１−１〜１１−ｎの状態に応じて各データ処理モジュールの起動を制御する。 - 特許庁

In an MRAMb (magnetic random access memory), when a write data signal DI is at an "H" level, a power supply voltage Vdd is applied to one end of a source line SL corresponding to a selected memory cell MC and also a grounding voltage GND is applied to both ends of a corresponding bit line BL.例文帳に追加

このＭＲＡＭでは、書込データ信号ＤＩが「Ｈ」レベルの場合は、選択されたメモリセルＭＣに対応するソース線ＳＬの一方端に電源電圧Ｖｄｄを印加するとともに、対応のビット線ＢＬの両端に接地電圧ＧＮＤを印加する。 - 特許庁

To evade rewrite concentration on a specified logical address range only and to evade the decline of an access speed due to the write-back processing of address management information in a semiconductor memory device for dividing a nonvolatile memory 115 for a main memory into logical address ranges and managing them.例文帳に追加

主記憶用不揮発性メモリ１１５を論理アドレス範囲に分割管理する半導体メモリ装置において、特定の論理アドレス範囲のみの書き換え集中を回避し、アドレス管理情報の書き戻し処理に起因するアクセス速度の低下を回避すること。 - 特許庁

An old/new logical address setting part updating address management information such that data stored in a new logical address can be read even by an old logical address to the old and new logical addresses designated from the access device is provided inside the write-once type information recording device.例文帳に追加

また、アクセス装置から指定された新旧の論理アドレスに対し、新論理アドレスに格納されたデータを旧論理アドレスでも読み出せるようにアドレス管理情報を更新する新旧論理アドレス設定部をライトワンス型情報記録装置内に設ける。 - 特許庁

On the other hand, in the case of performing write access from the SOC to the OBD, the ODT function of the OBD is set OFF, and the ODT function of any one of the two rank configurations of the DIMM (for example, SD1 side in memory chips SD1 and SD2) is set ON.例文帳に追加

一方、ＳＯＣからＯＢＤにライトアクセスする際には、ＯＢＤのＯＤＴ機能をオフに設定し、ＤＩＭＭの２ランク構成の内のいずれか一方（例えばメモリチップＳＤ１，ＳＤ２の内のＳＤ１側）のＯＤＴ機能をオンに設定する。 - 特許庁

The volume for the read/write access assigned to an HDD 8 is divided into plural data updating managing blocks so as to be managed, and a mark '1' is added to the block of data updated from the previous commit by using data updating management data (table).例文帳に追加

ＨＤＤ８に割り当てられたリードライトアクセス用ボリュームは複数のデータ更新管理ブロックに分割して管理されており、データ更新制御部７は、データ更新管理データ（テーブル）を用いて、前回のコミットから更新のあったデータのブロックにマーク“１”を付ける。 - 特許庁