バイアス電流は例えば時間的および空間的に一定の強度分布の光を照射して与える。例文帳に追加

The bias currents are applied by irradiating with light of, for instance, temporally and spatially constant intensity distribution. - 特許庁

軟Ｘ線照射装置１と、軟Ｘ線照射領域内であって軟Ｘ線照射装置１と被除電物５との間に配置されるバイアス印加用電極２とを備え、バイアス印加用電極２にバイアス電圧を印加してプラスイオンまたはマイナスイオンを吸引させるイオンバランス制御機能付軟Ｘ線式イオナイザとした。例文帳に追加

The soft X-ray ionizer having an ion balance control function consists of soft X-ray irradiation equipment 1 and an electrode 2 for bias impression, which is arranged between the soft X-ray irradiation equipment 1 and a destaticized substance 5, in a soft X-ray irradiation domain, and is constituted so that plus ions or minus ions may be attracted by impressing bias voltage to the electrode 2 for bias impression. - 特許庁

バイアス電圧のオフ時に平行平板11,12の内側面に光ファイバ15からレーザ光を照射する。例文帳に追加

A laser beam is radiated from an optical fiber 15 to the inside surfaces of the parallel flat plates 11 and 12 in turning off the bias voltage. - 特許庁

これらの放電電源、加熱電源及びバイアス電源により、基材の近傍に発生したガスイオンを基材の表面に照射する。例文帳に追加

The surface of the base material is irradiated with gaseous ions generated in the vicinity of the base material by the discharge power source, the heating power source, and the bias power source. - 特許庁

プロセスバイアスΔは、実際に被描画体に形成される形成パターンの前記照射パターンに対する縮小量である。例文帳に追加

The process bias Δ represents a reduction amount of a pattern to be actually formed on a drawing object with respect to the irradiation pattern. - 特許庁

光電流増倍素子１０の動作時に、バイアス電圧印加回路２０により光電流増倍素子１０の電極１２，１４間にバイアス電圧を印加した状態で光１００を照射する。例文帳に追加

A photocurrent multiplying element 10 is irradiated with light rays 100 while it is in operation, in such a state where a bias voltage is applied between the electrodes 12 and 14 of the photocurrent multiplying element 10 by a bias voltage applying circuit 20. - 特許庁

工程途中のウエハに対して、接合が逆バイアスになる条件で、電子ビームを所定の間隔で複数回照射し、逆バイアスにおける帯電緩和の時間特性の差をモニタする。例文帳に追加

A difference between time features of charge relaxation in reverse bias is monitored by irradiating wafer under a step with an electron beam at a predetermined intervals plurality of times on condition that junction becomes reverse bias. - 特許庁

ＡＰＤを加熱するには、（４）ＡＰＤに順バイアス電流を流す回路を備え、順バイアス電流を流す、（５）ＡＰＤに隣接した加熱素子で加熱する、（６）ＡＰＤに光を照射して光加熱する。例文帳に追加

In order to heat APD, (4) a circuit for making forward bias current flow through APD is provided to make forward bias current flow, (5) APD is heated by a heating element adjacent to APD, and (6) APD is irradiated with light to optically heat APD. - 特許庁

相変化型記録層を設けた相変化型光記録媒体に電磁波を照射してマークを記録する記録方法において、前記電磁波の照射波形が、ピークパワー、消去パワー、及びバイアスパワーによって照射パワーを規定し、前記ピークパワーの照射時間、及びバイアスパワーの照射時間によって照射時間を規定することで定められるパルス状波形であって、前記マークを記録するときの最後尾の前記ピークパワーによるパルスである後部加熱パルスでの電磁波の照射に続いて、前記消去パワーの電磁波を照射することを特徴とする光記録方法。例文帳に追加

After irradiation of an electromagnetic wave at a rear part heating pulse which is a pulse by the peak power of the last tail when the mark is recorded, an electromagnetic wave of the erasing power is applied. - 特許庁

次に、外部電源１４をバイアス回路から外し、図示しない内部電源から回路ユニット１３に電力を供給し、バイアス回路のバイアス電圧を電圧計測器１５で測定しながら、レーザをトリマブル抵抗のトリミング部に照射し、バイアス電圧がＶｇ０になるまでトリミング加工する。例文帳に追加

Next, the external power source 14 is detached from the bias circuit, power is supplied from a non-illustrated internal power source to the circuit unit 13 and while a bias voltage of the bias circuit is measured by the voltage measuring instrument 15, the trimming part of the trimmable resistor is irradiated with a laser, and trimming is performed until the bias voltage becomes Vg0. - 特許庁

このとき、寸法バイアス量は描画時のビーム照射量に対する寸法変化が最小となる照射量での寸法誤差分に設定する。例文帳に追加

Therein, the quantity of dimensional bias is set to be a dimensional error portion on the irradiation amount which allows a dimensional change with respect to the amount of beam irradiation on the drawing to come to the minimum. - 特許庁

前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。例文帳に追加

In the plasma treatment, the DLC coating film is irradiated with plasma with an adjusted amount of ions of 1.30×10^16 to 1.85×10^17 ions/cm^2 at a bias (ion acceleration) voltage of 80-140 V. - 特許庁

検査装置１は、メイン光源１１の位置を変更する制御を行うと、第１バイアス光をサブ光源１２から照射させた状態で、単一波長の光をメイン光源１１から第１強度で照射させる制御と、当該単一波長光の照射を停止させる制御とを行う。例文帳に追加

The inspection system 1 performs the control of emitting the light of a single wavelength from the main light source 11 at first intensity in a state that first bias light is emitted from the sub-light source 12 when performing the control of changing the position of the main light source 11 and the control of stopping the irradiation with the light of the single wavelength. - 特許庁

集束電極を追加することで、集束電極のバイアスを調節して最適なビーム横断面均一性を獲得する一方で、陰極の下方に備え付けられ一定の放出を保つためのグリッドのバイアスを調節することによって可変明度と照射均一性の両方を得られる。例文帳に追加

With the addition of the focusing electrode, the bias of the focusing electrode is controlled to obtain optimum beam sectional uniformity and the bias of a grid mounted on the lower part of the cathode for keeping constant emission is controlled to obtain both variable lightness and irradiation uniformity. - 特許庁

照明装置は、バイアス光を発生する照明光源と、照明光源に光学的に結合され、太陽電池と対向するように配置されると共に光学的に透明な材料により構成され、太陽電池に向けて平面状のバイアス光を照射する面状照明装置を有する。例文帳に追加

The lighting device includes a lighting light source which emits the bias light, and a surface lighting device which is optically coupled to the lighting light source, arranged opposite the solar cell, and composed of an optically transparent material, and irradiates the solar cell with the planar bias light. - 特許庁

このＲＦ信号のサンプリング途中において、光ディスク１０の傷や光ディスク１０に付着しているゴミ等にレーザ光が照射された期間があれば、このときのフォーカスバイアスに対するＲＦ信号の振幅の平均値を用いないでフォーカスバイアスを調整する。例文帳に追加

In the midst of sampling of this RF signal, when a period in which a laser beam is irradiated to the scratch of an optical disk 10, dust attached to the optical disk 10, or the like, the focus bias is adjusted without using an average value of amplitude of the RF signals for the focus bias of this time. - 特許庁

複合機２９９のプリンタ制御部２１は、ＰＣ１から調整パラメータ（レーザー照射強度調整値、帯電バイアス調整値、現像バイアス調整値、転写バイアス調整値、レーザー書き出し位置調整値（主）及びレーザー書き出し位置調整値（副））を受信し、調整パラメータセットを自動作成する。例文帳に追加

According to the image forming device, a printer control section 21 of a combination machine 299 receives adjusting parameters (a laser irradiation strength adjusting value, a charging bias adjusting value, a transfer bias adjusting value, a laser writing location adjusting value (main), and a laser writing location adjusting value (sub)) from a PC 1, and automatically create an adjusting parameter set. - 特許庁

制御部９０は、転写バイアスを切り替えたときに、その切替時に転写領域に位置していた感光体表面上の箇所が除電ランプによる光照射領域に到達するタイミングで、除電ランプが照射する除電光量を切替後の転写バイアスに応じた除電光量に変更する。例文帳に追加

A control part 90 changes, upon switching of transfer bias, the electricity removing light quantity to be emitted by the electricity removing lamp to an electricity removing light quantity according to the switched transfer bias at the time when the point on the photoreceptor surface which was located in a transfer area at the time of switching reaches an irradiation area by the electricity removing lamp. - 特許庁

酸化物半導体を用いたトランジスタのゲート電極に、正のバイアス電圧を１０ｍｓｅｃ以上印加することにより、光照射されて変動した当該トランジスタの電気特性をほぼ光照射前の状態にすることが可能になる。例文帳に追加

A positive bias voltage is applied for 10 msec or more to a gate electrode of a transistor including an oxide semiconductor, so that the electric characteristic that has varied due to light irradiation can be set substantially to the state before the light irradiation. - 特許庁

アゾベンゼン構造を含む高分子化合物の薄膜表面の特定領域（２）に書き込み光（１）を照射して情報記録用凹凸パターンを形成させるに当り、前記特定領域（２）を含むより広い領域（４）にバイアス光（３）を同時に照射する。例文帳に追加

When a pattern of recesses and projections for information recording is formed by irradiating a specified region (2) on the surface of the thin film of a polymer compound containing an azobenzene structure with addressing light (1), a region (4) including the specified region (2) and larger than that is simultaneously irradiated with bias light (3). - 特許庁

画像書き込み装置１２は、表示記憶媒体１と別体に形成し、リフレッシュ期間およびセレクト期間において、電圧印加部１３から電極１０，１１間にバイアス電圧を印加し、光照射部１４から光導電層７に書き込み光１７を照射する。例文帳に追加

An image writing device 12 is formed as a separate body from the display memory medium 1 and impresses bias voltage between the electrodes 10 and 11 for a voltage impression section 13 in a refreshing period and a selecting period and irradiate the photoconductive layer 7 with writing light 17 from a photoirradiation section 14. - 特許庁

基準バイアス値を加算器３３に入力し、基準ゲイン値を乗算器３４に入力し、自動的なキャリブレーションにより、半導体レーザ素子２の照射レーザ出力を制御する。例文帳に追加

The reference bias value is input into the adder 33, the reference gain value is input into the multiplier 34 to control the irradiation laser output from the semiconductor laser element 2 by automatic calibration. - 特許庁

光照射とバイアス印加により、感光体の除電だけでなく、トナーの除電も同時に行ない鏡像力を抑える画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus where not only destaticization of a photoreceptor but also the destaticization of toner is simultaneously performed by photoirradiation and bias application, and image-force is suppressed. - 特許庁

バイアス電圧の交流成分と位相を調節してパルス発生器１からパルスが出力され、これに同期してレーザー装置２から微小時間の光が飛翔するトナー粒子に照射される。例文帳に追加

The AC component and phase of the bias voltage are controlled, a pulse is output from a pulse generator 1, and in synchronization with the pulse, light for a very small time is radiated from a laser device 2 to the toner particles. - 特許庁

光伝導アンテナ９に、電圧印加部１３からバイアス電圧が印加されるとともにポンプパルス光が照射され、これにより、光伝導アンテナ９からテラヘルツパルス光が発生する。例文帳に追加

A bias voltage is appied from a voltage applying part 13 on a light conduction antenna 9, and pump pulse light is irradiated, thereby terahertz light generates from the light conduction antenna 9. - 特許庁

導電性支持体１１上に、少なくとも正孔輸送物質、電子輸送物質、電荷発生物質を含有する感光層１２を有する像担持体を用いて、光照射と同時にバイアス印加により潜像形成を行なう。例文帳に追加

Latent image formation is performed by bias application simultaneously with photoirradiation using the image carrier having a photosensitive layer 12 containing at least a hole transport material, an electron transport material and a charge generating material on a conductive support 11. - 特許庁

次に基板にＲＦバイアスを印加してアルゴンイオンを成長表面に照射してスパッタ成膜し、Ｃｕ膜８，９の合計膜厚よりも厚い膜厚７００ｎｍのＣｕ層１０を得る。例文帳に追加

Subsequently, an RF bias is applied onto a substrate and the growing surface is irradiated with argon ions, thus forming a Cu layer 10 of 700 nm thick thicker than the total thickness of the Cu films 8 and 9 by sputtering. - 特許庁

ＬＥＤ３７が孔部３６に対して光を照射すると、n-Si基板３２の両端間に電位差が生じて電極３４，３５間にバイアス電圧が印加された状態となる。例文帳に追加

When an LED 37 emits light to a hole section 36, potential difference occurs between both ends of an n-Si substrate 32 to provide a state where bias voltage is applied between electrodes 34 and 35. - 特許庁

半導体装置４２内のトランジスタを構成するｐｎ接合が導通状態にならない範囲のバイアス電圧を電圧源４３により印加して、光励起電流を生じさせる波長の第１の光４６を照射する。例文帳に追加

A first light 46 having a wavelength which produces a light excitation current is cast by applying a bias voltage in the range wherein a p-n junction constituting a transistor inside the semiconductor device 42 is not in its conduction state by a voltage source 43. - 特許庁

情報の再生方法は、バイアス磁界を印加しながら記録媒体にレーザビームを照射して、記録層のキュリー温度以下に記録媒体を加熱するステップを含んでいる。例文帳に追加

The method for reproducing information includes a step for emitting a laser beam to the recording medium while applying a bias magnetic field and heating the recording medium to a temperature equal to or lower than the Curie temperature of the recording layer. - 特許庁

基準バイアス値を増減制御することにより、半導体レーザ素子５５０から照射する発光パワーを可変し、感光体表面の光量が目標値となるように制御が繰り返えされる。例文帳に追加

Emission power of irradiating light from a semiconductor laser element 550 is varied by controlling a reference bias level and control is repeated such that the quantity of light on the surface of the photosensitive body has a target level. - 特許庁

一次転写ローラ１１３に印加された回復バイアス電圧は、感光体ドラム１１０の照射部分の表面電位を一次帯電の方向に回復させる。例文帳に追加

The recovery bias voltage applied to the primary transfer roller 113 recovers the surface potential of the irradiated part of the photoreceptor drum 110 in the direction of the primary charging. - 特許庁

ライトパワー及びバイアスパワーの比のみからなる記録ストラテジにて青色の波長以下（２００〜４５０ｎｍ）のレーザ光を記録層（積層記録層）１８に対して照射すると、記録マークが形成される。例文帳に追加

In the recording strategy consisting only of a ratio for write power and bias power, a record mark is formed when a recording layer (a laminated recording layer) 18 is irradiated with a laser beam of blue wavelength (200-450 nm) or less. - 特許庁

この結果、光が照射されているすべてのユニットセルの電圧が、光が遮断されている１つのユニットセルに逆バイアス電圧として印加される。例文帳に追加

As the result, the voltage of unit cells subject to light radiation is applied to one unit cell with light blocked as a reverse bias voltage. - 特許庁

一次転写ローラ１１３に印加された回復バイアス電圧は、感光体ドラム１１０の照射部分の表面電位を一次帯電の方向に回復させる。例文帳に追加

The surface potential at the irradiated part on the photoreceptor drum 110 is recovered toward the primary electrification direction by the recovery bias voltage applied on the primary transfer roller 113. - 特許庁

帯電後の像担持体に、像露光光を連続照射した際の、像担持体上での電位分布の電位差が５０Ｖ以上あり、電界の効果を顕著に受け易い現像バイアスで現像処理をおこなう。例文帳に追加

In the device, the difference in potential of distribution of potential on an image carrier is ≥50 V when an image exposure light is consecutively radiated on the image carrier after electrifying and developing process is carried out at developing bias where the effect of the electric field can be markedly received. - 特許庁

一方、分光感度測定装置５では、白色バイアス光の強度を複数ｉ段階に変化させ、都度、分光光源から輝線照射を行って、太陽電池２の分光感度Ｐｉ（λ）＝Ｐ（λ，Ｌ（λ））を求める。例文帳に追加

A spectral sensitivity measurement device 5 gains spectral sensitivity Pi(λ)=P(λ,L(λ)) of a solar cell 2 by changing intensity of white bias light in a plurality of i stages and performing emission line irradiation from a spectral light source each time. - 特許庁

記録方法は、光記録媒体にピークレベル、バイアスレベルを有する記録パルスに相応するレーザー信号を照射することにより、マーク／スペースを形成する方法において、前記ピークレベル時及びバイアスレベル時に、前記ピークレベルより小さい振幅を有する微細調整パルスを重畳させた記録パルスを用いて光記録媒体にマーク／スペースを形成することを特徴とする。例文帳に追加

A mark and a space are formed by emitting a laser signal corresponding to a recording pulse having a peak level and a bias level onto an optical recording medium using the recording pulse comprising a fine adjustment pulse with an amplitude level than the peak level and overlapped on the peak level and the bias level. - 特許庁

窒化物半導体層であるｐ型ＧａＮ層１０３を電解液１１０中に浸すと主に、紫外線防止膜１１２等によってｐ型ＧａＮ層１０３に対する紫外線の照射を抑制しながら、ｐ型ＧａＮ層１０３に対してバイアス源１０８を用いてバイアスを印加することによりエッチングを行なう。例文帳に追加

The p-type GaN layer 103 of a nitride semiconductor layer is dipped into an electrolyte 110, and undergoes an etching treatment as a bias voltage is applied to it by the use of a bias source 108 while the irradiation of the p-type GaN layer 103 with ultraviolet rays is suppressed by an ultraviolet preventing film 112 or the like. - 特許庁

この像担持体を用いた画像形成方法（装置）では、潜像形成用の光照射時に上部電極３にバイアスを印加することにより潜像形成を行い、像担持体表面の潜像をトナーで現像し、転写時には上部電極３にトナーと同極性のバイアスを印加してトナー画像を被転写材に転写する。例文帳に追加

In the image forming method (apparatus) using the image carrier, a latent image is formed by biasing the upper electrode 3 while irradiating the carrier with light for forming a latent image; the latent image on the image carrier is developed with a toner; and the toner image is transferred onto a transfer material by biasing the upper electrode 3 in the same polarity as that of the toner upon transferring the image. - 特許庁

電流検出手段２４Ａ、２４Ｂによりバイアス線を流れる電流に基づいて検出される照射開始時情報及び照射停止時情報と、適正線量情報とに基づいて、放射線画像撮影装置１の制御手段２２が、被写体透過放射線量に関する特徴量データを生成し、この特徴量データを読取画像データに付帯させてコンソールＣに送信する。例文帳に追加

A control means 22 of the radiographic apparatus 1 generates feature amount data related to an object transmitted radiation rate according to an irradiation start information and irradiation stop time information detected based on a current flowing through a bias line by current detecting means 24A, 24B and proper dosage information, and transmits the feature amount data accompanied by read image data to a console C. - 特許庁

光ビームを記録トラック間に照射することにより、記録トラック間に形成された磁壁移動層および記録層から選ばれる少なくとも一方の磁性層の磁気異方性を、記録トラック上における上記磁性層の磁気異方性よりも低下させ、かつ少なくとも記録トラック間には、光ビームを照射しながらバイアス磁界を印加する。例文帳に追加

By radiating an optical beam between recording tracks, magnetic anisotropy of at least one magnetic layer selected from magnetic wall moving and recording layers formed between the recording tracks is reduced more than that of the magnetic layer on the recording tracks, and a bias magnetic field is applied at least between the recording tracks while radiating an optical beam. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１０１上に１対の電極（ダイポールアンテナ１０２）がギャップＧを設けて形成されてなる光伝導アンテナ１０と、ダイポールアンテナ１０２に直流電圧を印加するバイアス電源２０と、ダイポールアンテナ１０２のギャップＧに波長１４９０〜１６４０ｎｍの光パルスを照射する光照射手段と、を備える。例文帳に追加

The terahertz wave generation device comprises: a photoconductive antenna 10 obtained by forming a pair of electrodes (a dipole antenna 102) on a GaAs substrate 101 with a gap G therebetween; a bias power supply 20 for applying a DC voltage to the dipole antenna 102; and light irradiation means for irradiating the gap G of the dipole antenna 102 with optical pulses having a wavelength of 1490-1640 nm. - 特許庁

この様な熱処理による脱水化または脱水素化処理を施した酸化物半導体層を有するトランジスタは、光照射やバイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後における電気特性の不安定性を改善することができる。例文帳に追加

The transistor including the oxide semiconductor on which the dehydrating or dehydrogenating treatment by the heat treatment has been performed in this manner can reduce the instability of electrical characteristics before and after the light irradiation or bias-thermal stress (BT) test. - 特許庁