P epとは 意味・読み方・使い方

An active barrier structure comprises p-type regions PE, PR2 and PR3, and n-type regions NE, EP and NR1 connected to a p-type impurity region PSR, respectively and also subjected to ohmic connection so as to be mutually a floating potential.例文帳に追加

アクティブバリア構造は、各々がｐ型不純物領域ＰＳＲに接し、かつ互いにフローティング電位となるようにオーミック接続されたｐ型領域ＰＥ、ＰＲ２、ＰＲ３とｎ型領域ＮＥ、ＥＰ、ＮＲ１とを有する。 - 特許庁

The trench isolation structure TI includes a trench TR, which passes through an n^- epitaxial layer EP from the main surface of a semiconductor substrate SUB and reaches the p-type impurity region PSR.例文帳に追加

トレンチ分離構造ＴＩは、半導体基板ＳＵＢの主表面からｎ^-エピタキシャル層ＥＰを貫通してｐ型不純物領域ＰＳＲに達するトレンチＴＲを有する。 - 特許庁

There is provided a process of wiring a second conductive membrane DP electrically isolated from the conductive membrane EP by discharging liquid drops on the outside of the predetermined pattern formation area PI on the substrate P.例文帳に追加

基板Ｐ上の所定のパターン形成領域ＰＩの外側に液滴を吐出して、導電性膜ＥＰと電気的に分離された第２導電性膜ＤＰを配線する工程を有する - 特許庁

PBI-EP/BS, which is the solid electrolyte material, is a polymer compound making benzimidazole, which is a nitrogen-containing heterocyclic compound, as the main skeleton, and has a group of S-OH combination, and the group of P-OH combination both.例文帳に追加

固体電解質材料であるＰＢＩ−ＥＰ／ＢＳは、含窒素ヘテロ環であるベンゾイミダゾールを主骨格とし、Ｓ−ＯＨ結合を有する基とＰ−ＯＨ結合を有する基の両方を含む高分子化合物である。 - 特許庁

A writing device P reads capability information showing display capability of an image from a storing means 12 of each electronic paper EP and displays list information of electronic paper from which the capability information is read, capability information of the each electronic paper EP, list information of content of a writing object and the display attribute of each content on the screen.例文帳に追加

書込装置Ｐが、各電子ペーパＥＰの記憶手段１２から画像の表示能力を示す能力情報を読み取って、当該能力情報を読み取った電子ペーパＥＰの一覧情報及び各電子ペーパＥＰの能力情報と書込対象のコンテンツの一覧情報及び各コンテンツの表示属性とを画面表示する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate SB, an n^- epitaxial layer EP, a p-type back gate region BG, an n^+ source region SR, an n-type drain region DR, a gate electrode GE, and an n-type high-density region HR.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板ＳＢと、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰと、ｐ型バックゲート領域ＢＧと、ｎ^+ソース領域ＳＲと、ｎ型ドレイン領域ＤＲと、ゲート電極ＧＥと、ｎ型高濃度領域ＨＲとを備えている。 - 特許庁

In the active matrix type display device, additional capacitance Cadd having a structure of a p-type low resistance semiconductor layer/an intrinsic semiconductor layer/an insulating layer between an pixel electrode EP and scanning signal electrodes Y1,..., Yn.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置において、画素電極ＥＰと走査信号電極Ｙ１，…，Ｙｎとの間に、ｐ型低抵抗半導体層／真性半導体層／絶縁層の構造を有する付加容量Ｃａｄｄを接続する。 - 特許庁

In wire-bonding a bonding electrode ET of a semiconductor chip T to a post electrode EP of a package P to manufacture a semiconductor device, a wire W cut to a predetermined length is shaped in a predetermined shape by a metal mold 11, and thereafter, one end of the shaped wire W is bonded to the bonding electrode ET while the other end is bonded to the post electrode EP.例文帳に追加

半導体チップＴの接合電極ＥＴをパッケージＰのポスト電極ＥＰにワイヤボンディングして半導体装置を製造する際に、所定の長さに切断されたワイヤＷを金型１１により所定の形状に成形し、その後、成形されたワイヤＷの一端部を接合電極ＥＴに接合すると共に他端部をポスト電極ＥＰに接合する。 - 特許庁