「さいだいどうそうでんあつ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

装置サイズを増大させることなく、電荷転送素子への制御電圧の変動を小さくする。例文帳に追加

To reduce the fluctuation of a control voltage to a charge transfer element without increasing a device size. - 特許庁

電話端末装置、および同装置における誤ダイヤル訂正ならびに再送方法例文帳に追加

TELEPHONE TERMINAL DEVICE AND ERRONEOUS DIAL CORRECTION AND RETRANSMISSION METHOD IN THE DEVICE - 特許庁

第一鉄／第二鉄アノード反応を使用して銅を電気採取するための方法および装置例文帳に追加

METHOD OF AND APPARATUS FOR ELECTROWINNING COPPER USING FERROUS/FERRIC ANODE REACTION - 特許庁

フレキシブル回路基板３０の第１の面において、第１の熱伝導層５２Ａに隣りあって配置され、単位時間当たり第１の熱伝導量より小さい単位時間当たり第２の熱伝導量を有する第２の熱伝導層５２Ｂとを備える。例文帳に追加

The substrate connecting structure has a second heat-conductive layer 52B arranged adjacently to a first heat-conductive layer 52A on a first surface of a flexible circuit board 30 and having a second heat-conduction amount per unit time smaller than a first heat-conduction amount per unit time. - 特許庁

該装置は、５０ミリアンペアの最大作動電流、及び／又は、約２５マイクロアンペアの最大待機電流を持つことができる。例文帳に追加

The device may have a maximum operating current of 50 milliamperes and/or a maximum standby current of about 25 microamperes. - 特許庁

該装置は、５０ミリアンペアの最大作動電流、及び／又は、約２５マイクロアンペアの最大待機電流を持つことができる。例文帳に追加

The device can accommodate the maximum operation current of 50 mA and/or the maximum standby current of approximately 25 μA. - 特許庁

負荷が小さい省電力状態において、急峻、且つ、過大な電圧変動が生じても電源装置が誤動作することを回避する。例文帳に追加

To provide a power supply device and an image forming apparatus capable of preventing the power supply device from malfunctioning even if a steep and excessive voltage fluctuation occurs in a power saving state with a light load. - 特許庁

最後に、第２の伝導通路が第２の伝導層１００内に形成され、この第２の伝導層１００は第１のブラインドヴァイア１０８に接続される。例文帳に追加

Lastly, a second conductive path is formed in the second conductive layer 100 that is connected to the first blind via 108. - 特許庁

下部導体層１０の上面の最大高さ粗さは、誘電体膜２０の厚み以下である。例文帳に追加

The maximum height roughness of the upper surface of the lower conductor layer 10 is not greater than a range in the thickness of the dielectric film 20. - 特許庁

下部導体層１０の上面の最大高さ粗さは、誘電体膜２０の厚み以下である。例文帳に追加

A maximum height roughness of an upper face of the lower conductive layer 10 is less than the thickness of the dielectric film 20. - 特許庁

第１のクラッド層２１と第２のクラッド層２７との間に逆方向の静電放電電圧が印加されるとき、III−Ｖ化合物半導体層２５に空乏層が生成されて、半導体リッジ１５における最大電界を低減できる。例文帳に追加

When a reverse electrostatic discharge voltage is applied between the second cladding layer 27 and a first cladding layer 21, a depletion layer is formed in the III-V compound semiconductor layer 25, thereby reducing the maximum electric field in the semiconductor ridge 15. - 特許庁

コンパクトで電力供給が不要な受動最大加速度および電圧測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide passive maximum acceleration and voltage measurement devices which are compact and do not need a power supply. - 特許庁

電源電圧相当の電圧でメモリデバイスの閾値電圧を最大限に上昇させる動作を実現する。例文帳に追加

To realize the action by which the threshold voltage of a memory device can be raised to the maximum with a voltage corresponding to a power-supply voltage. - 特許庁

平滑コンデンサ電圧を交流電源電圧最大値の２倍未満とした場合でも、高力率に動作するインバータ装置を提供する。例文帳に追加

To obtain an inverter apparatus which can be operated at a high power factor, even when a switching capacitor voltage is set at less than twice the maximum value of an AC power-supply voltage. - 特許庁

電動機の駆動回路の電源電圧の変動や電動機の性能の個体ばらつき等の影響により、電動機の最大出力パワーが低下することを抑制した電動機の制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a motor control device which suppresses a decrease in the maximum output power of a motor that is caused by the fluctuation of power voltage in a motor driving circuit or the effect of individual irregularities of motor performance. - 特許庁

移動体通信装置の省電力化、移動体通信装置の円滑な通信、車両搭載機器の安定な稼働の確保などを課題とする。例文帳に追加

To attain the power saving and smooth communication of a mobile communication apparatus and the stable operation of an in-vehicle apparatus, and so on. - 特許庁

また、最大電力制御装置１は、計測した短絡電流と計測した温度とを用いて、太陽電池１０の出力電力が最大となる最大電力点における太陽電池１０の電圧値を導出する。例文帳に追加

The maximum power control device 1 derives the voltage value of the solar battery 10, at the maximum power point at which the output power of the solar battery 10 is maximized, by using the measured short-circuit currents and the measured temperature. - 特許庁

本発明は、第１及び第２の半導体装置を備えた電子装置の厚さ方向のサイズを小さくできると共に、第１の半導体装置と第２の半導体装置との間の電気的接続信頼性を向上させることのできる電子装置及びその製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an electronic device including first and second semiconductor devices for having reduced thickness and improving electric connection reliability between the first and second semiconductor devices, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

以前プログラム動作時に第１高電圧ラインのプログラム電圧を、読み出し動作の間に第２マットと連結される第２高電圧ラインに保存して、次のプログラム動作時に、第１高電圧ラインのプログラム電圧の発生のために再活用するフラッシュメモリ装置である。例文帳に追加

The flash memory device preserves the program voltage of a first high-voltage line during the previous program operation to a second high-voltage line connected to a second mat during a readout operation, and reutilizes it to generate the program voltage of the first high-voltage line during the next program operation. - 特許庁

本発明は、半導体装置のバーンインテスト時にストレス電圧として印加される電源電圧の最大値を測定する装置に関する。例文帳に追加

This is the system for measuring maximum value of the source voltage applied as stress voltage in burn-in test of the semiconductor device. - 特許庁

起動時に大電流を必要とする磁気ディスク装置を、バックライトや通信回路と同時に動作させないことで、最大電流を抑制でき、大容量のバッテリでなくても携帯電話装置100を安定に動作させることができる。例文帳に追加

By preventing the magnetic disk device requiring large current for starting from operating simultaneously with the back light or a communication circuit, large current can be suppressed and the portable telephone set 100 can stably be operated without using a battery of large-capacity. - 特許庁

本発明の課題は、速度センサを用いずとも、また各誘導電動機の相対速度が小さい場合であっても、誘導電動機の駆動軸の空転又は滑走の検知等を可能とするための装置又は方法を実現すること。例文帳に追加

To provide a device and a method for enabling the detection, etc. of the idling or the slippage of the drive shaft of an induction motor, without using a speed sensor or even if the relative speed of each induction motor is small. - 特許庁

本発明の課題は、速度センサを用いずとも、また各誘導電動機の相対速度が小さい場合であっても、誘導電動機の駆動軸の空転又は滑走の検知等を可能とするための装置又は方法を実現すること。例文帳に追加

To provide a device and a method for enabling detection, etc. of the idling or the slippage of the drive shaft of an induction motor, without using a speed sensor, or even if the relative speed of each induction motor is small. - 特許庁

車両の電動サーボステアリング出力段の最大損失出力の低減方法及びその装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR REDUCING MAXIMUM LOSS OUTPUT OF POWER SERVO STEERING OUTPUT STAGE FOR VEHICLE - 特許庁

制御部１３は、電力伝送の際の初期動作期間Ｔ１において、その後の安定動作期間Ｔ２と比べ、伝送効率が最大となる最大状態から相対的に離れた状態で電力伝送がなされるように、送電部１０の動作を制御する。例文帳に追加

The control part 13 controls the operation of the power transmission part 10 so that the power is transmitted in the state relatively separated from the maximum state in which transmission efficiency becomes maximum in an initial operation period T1 when transmitting the power compared to a stable operation period T2 thereafter. - 特許庁

本発明の半導体集積回路は、ダイオードＤ１、Ｄ２を含む基準電圧発生回路であって、 前記ダイオードＤ１、Ｄ２は、第１の導電型の第１半導体層３２と第２の導電型の第２半導体層３４との接合を含んでなり、 前記第１半導体層３２および前記第２半導体層３４の少なくとも一方は、そのバンドギャップがシリコンと比して小さい。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit is a reference voltage generating circuit including diodes D1 and D2 wherein the diodes D1 and D2 include a junction of a first conductivity type first semiconductor layer 32 and a second conductivity type second semiconductor layer 34, and at least one of the first semiconductor layer 32 and the second semiconductor layer 34 has a band gap smaller than that of silicon. - 特許庁

誘導加熱乾燥装置１は、第１金属板６１を加熱する際の誘導加熱コイル２の通電条件と第２金属板６２を加熱する際の誘導加熱コイル２の通電条件とを異ならせるよう構成してある。例文帳に追加

In this induction heating drying device 1, power distributing conditions of the induction heating coil 2 in heating the first metallic plate 61 and power distributing conditions of the induction heating coil 2 in heating the second metallic plate 62 are different from each other. - 特許庁

電動パワーステアリング装置におけるブラシレスモータの駆動において電源電圧を最大限まで利用できるようにする。例文帳に追加

To enable a power source voltage to be utilized to the maximum limit, in driving a brushless motor. - 特許庁

消費装置の最大許容稼動電圧以下の入力電圧の印加時に損失が最小で、消費装置の最大許容稼動電圧よりも大きい入力電圧の印加時における制御のための構成部品と回路に関する費用が僅かな電圧制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a circuit apparatus for voltage control capable of minimizing a loss when inputting an input voltage not more than a maximum acceptable operating voltage of a consumption device and reducing costs of component parts and a circuit to control when inputting the input voltage more than the maximum voltage of the consumpting device. - 特許庁

演算装置２９は、基準となる鋳片温度測定用センサー２１ａの基準温度検量線５１（最大誘導電圧Ｖ_kmax、最小誘導電圧Ｖ_kmin）のデータと、鋳片温度測定用センサー２１ｂの最大誘導電圧Ｖ_maxと最小誘導電圧Ｖ_minを、予め記憶する。例文帳に追加

An arithmetic device 29 stores beforehand the data of a reference temperature calibration curve 51 (maximum induced voltage V_kmax, minimum induced voltage V_kmin) of a sensor 21a for measuring a cast piece temperature, which is used as a reference, and the maximum induced voltage V_max and the minimum induced voltage V_min of a sensor 21b for measuring the cast piece temperature. - 特許庁

半導体基板と同一導電型の第1の拡散層と、半導体基板と反対導電型であり第１の拡散層より拡散深さの浅い第２の拡散層とを有する。例文帳に追加

There are included the first diffusion layer of the same conductive type as a semiconductor substrate, and the second diffusion layer of a conductive type opposite to the semiconductor substrate and diffusion depth shallower than that of the first diffusion layer. - 特許庁

最大出力電圧範囲を制限することができる増幅器を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device comprising an amplifier that can limit a maximum output voltage range. - 特許庁

第２転送電極１２に対して、所定の正電圧Ｖφ１１およびＶφ１３を印可すると、第１転送電極のセンサ１３の側壁に設けられたサイドウォール１２ａにも同様の正電圧が印可される。例文帳に追加

When specified positive voltages Vϕ11 and Vϕ13 are applied to the second transfer electrode 12, similar positive voltages are applied to the sidewall 12a of the sensor 13 of the first transfer electrode 11. - 特許庁

２重ロータを有する電動機の誘起電圧定数を該電動機の運転状態に応じて適切に設定して、該電動機の最大効率制御が可能な範囲を拡大することができる電動機の制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a controller of a motor capable of expanding the range in which the maximum efficiency control of the motor is possible, by properly setting an induced voltage constant of the motor which comprises double rotors according to operation state of it. - 特許庁

本発明のLEDチップは、基板110と、半導体層120と、微細粗化層130と、第1電極140と、第2電極150とを備える。例文帳に追加

The LED chip comprises a substrate 110, a semiconductor layer 120, a minute rough layer 130, a first electrode 140, and a second electrode 150. - 特許庁

変速機構または駆動機に過大な負荷がかかることを回避しながらも、装置の動力を遮断した場合に、動力伝達軸から動力被伝達軸へ動力の伝達が可能な動力伝達機構及び動力伝達機構により動力伝達される破砕装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power transmission mechanism and a crushing device with power transmitted by the power transmission mechanism allowing power transmission from a power transmission shaft to a power transmitted shaft when the power of the device is interrupted while avoiding an excessive load acting on a speed change mechanism or a driving machine. - 特許庁

このため、半導体層３の正孔の大多数は半導体層２内の伝導電子と再結合によって消滅することなく、半導体層２に拡散しながら電極層４に到達する。例文帳に追加

Therefore, there is no possibility that a majority of holes in a semiconductor layer 3 disappear as a result of recombination with conduction electrons existing within the semiconductor layer 2, and the holes reach the electrode layer 4 while being diffused in the semiconductor layer 2. - 特許庁

計算部２６は、ＤＲＣの値に対応した基地局装置１２との間での最大の伝送速度、ＤＲＣの最大値、導出部１８で導出したＤＲＣの値、端末装置１０の数から予想通信速度を計算する。例文帳に追加

A calculation part 26 calculates estimated communication speed from the maximum transmission speed with the base station apparatus 12 corresponding to the value of the DRC, the maximum value of the DRC, the value of the DRC derived by the derivation part 18, and the number of the communication terminals 10. - 特許庁

積層体１０は、第１の電気抵抗を有する第１の状態（非晶質状態）と、第１の電気抵抗よりも小さい第２の電気抵抗を有する第２の状態（結晶質状態）とを有する記憶層６と、記憶層６を加熱しかつ記憶層６とほぼ同一の幅を有する加熱層５とを含む。例文帳に追加

The laminate 10 includes a memory layer 6 having a first state (amorphous state) exhibiting a first electric resistance and a second state (crystalline state) having a second electric resistance smaller than the first electric resistance, and also including a heating layer 5 having nearly the same width as the memory layer 6 for heating the memory layer 6. - 特許庁

半導体メサ１５は、第１の分布ブラッグリフレクタ１３の第１のエリア１３ａ上に設けられており、半導体メサ１５では、活性領域２９は第１導電型III−Ｖ化合物半導体層２５と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層２７との間にある。例文帳に追加

The semiconductor mesa 15 is provided on the first area 13a of the first distributed Bragg reflector 13 and, in the semiconductor mesa 15, an active region 29 exists between a first conductivity type III-V compound semiconductor layer 25 and a second conductivity type III-V compound semiconductor layer 27. - 特許庁

プロセス変動が発生した場合でも、半導体装置の性能を最大限に引き出せるように、適切な内部電源電圧を供給する。例文帳に追加

To supply appropriate internal power source voltage so that performance of a semiconductor memory can be brought out to the utmost limit even when process variation is caused. - 特許庁

半導体基板内の素子領域の内部に配置されるソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max１と、同素子領域の最も外側に配置されるドレイン層に隣接するソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max２とが、「Ｖ_max１＜Ｖ_max２」なる関係式を満足するような構造とする。例文帳に追加

The semiconductor device has such a structure that satisfies a relation, V_max1<V_max2, wherein V_max1 is the maximum voltage value of current/voltage characteristic of a source layer arranged inside the element area in a semiconductor substrate, and V_max2 is that of a source layer adjacent to a drain layer arranged on the outermost side of the element area. - 特許庁

第２駆動回路（１５０）は、第２電極（１２２）の電圧が変化を開始してからデータ電圧に達するまで、双方向サイリスタ（１１４）の臨界オフ電圧上昇率よりも小さい電圧変化率で第２電極（１２２）に印加する電圧を変化させる。例文帳に追加

The second driving circuit (150) changes the voltage applied to the second electrode (122) with a change rate of voltage smaller than a critical off voltage increase rate of the thyristor (114) in a period from the time the voltage changes of the second electrode (122) is started till the time the voltage reaches the data voltage. - 特許庁

誘電層はダイと基板の上に形成され、再分配伝導層（ＲＤＬ）が誘電層の上に形成され、ＲＤＬがダイおよび導電性配線と接続され、誘電層がマイクロレンズを露出するための開口を有する。例文帳に追加

A dielectric layer is formed on the die and the substrate, and a re-distribution conductive layer (RDL) is formed on the dielectric layer, wherein the RDL is coupled to the die and the conductive wiring and the dielectric layer has an opening to expose the micro lens. - 特許庁

熱電発電素子の動作点が常に開放電圧の１／２かつ出力電圧が蓄電池電圧に一致するように熱電発電素子と蓄電池間に挿入する電力変換装置の電圧昇圧比を維持することにより最大電力点を追尾する。例文帳に追加

The maximum power point is tracked by maintaining a voltage-boosting ratio of a power converting device installed between the thermoelectric power element and the storage battery, so as to make the operating point of the thermoelectric power element to be constantly a half of an open voltage and to make the output voltage equal to the voltage of the storage battery. - 特許庁