「しりこんごむ」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索

厚さ約４００μｍの炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる基板１０１の上に単結晶の第１バッファ層１０３を設け、その層の上に非晶質の第２バッファ層１０５を設け、その層の上にアンドープのＧａＮから成る基底層１０７を設けた。例文帳に追加

A substrate 101 comprising silicon carbide (SiC) having a thickness of about 400 μm is overlaid with a single crystal first buffer layer 103, and an amorphous second buffer layer 105 is provided thereon, and further a basel layer 107 comprising an undoped GaN is provided thereon. - 特許庁

弾性歪みセンサ１は、シリコンゴムを円柱状に形成してなる非導電性弾性ブロック体２と、この弾性ブロック体２の中央を貫通するように弾性ブロック体２と一体形成された検出部３とを備えて構成されている。例文帳に追加

This elastic strain sensor 1 is composed of a cylindrical non- conductive elastic block body 2 made of silicone rubber, and a detecting part 3 formed integrally with the elastic block body 2 while penetrating through a center of the elastic block body 2. - 特許庁

シリカフューム等の超微粉を使用しなくても極低水セメント比（水／セメント比が２０質量％以下）においても混練可能であり、かつ、混練時間を短縮することができるうえ、流動性にも優れるペースト・モルタル・コンクリートを製造することができるセメントを提供する。例文帳に追加

To provide cement which can be kneaded, even with an extremely low water cement ratio (a ratio of water to cement of ≤20 mass%) without using any ultrafine powder such as silica fume, shortens kneading time and yields paste, mortar or concrete excellent in flow properties. - 特許庁

水素化非晶質シリコン膜の所望の領域（駆動回路形成領域）のみに、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間が５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながら照射する。例文帳に追加

Continuous oscillation laser light is shaped into a beam having a rectangular and uniform power density distribution, and only a desired region (drive circuit formation region) of a hydrogenated amorphous silicon film is irradiated with the beam with the irradiation time of the continuous oscillation laser light set not smaller than 5 msec while being run at a constant speed. - 特許庁

２つ以上の差異がある場合、マイクロコンピュータ２９は、履歴フラグの有無を判定し、履歴フラグがある場合、受信した設定情報のうち履歴フラグに関連する設定情報を０．５秒間隔で３回点滅させ、履歴フラグをリセットする。例文帳に追加

When there are two or more differences, the microcomputer 29 determines whether or not there is a history flag; when there is a history flag, the microcomputer causes the setting information related to the history flag among the received setting information to blink three times at intervals of 0.5 seconds and resets the history flag. - 特許庁

シリコンを主成分として構成され、軸部材１２６ｆを嵌合可能な貫通孔１２６ｋを有する機械部品１２６ｇにおいて、貫通孔の内周面が応力緩和層１２６ｓで覆われており、応力緩和層が軸部材に当接可能に構成されている。例文帳に追加

In the machine component 126g which is mainly composed of a silicon material and has a through hole 126k to which a shaft member 126f can be fitted, the inner peripheral surface of the through hole is covered by a stress buffer layer 126s, and the stress buffer layer can be brought into contact with the shaft member. - 特許庁

ガラス基板１０を載置した電極板９をカソード電極とし、１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波数の交流電圧を印加して、３５０℃以上４３０℃以下の成膜温度でガラス基板１０にアモルファスシリコン層を成膜する。例文帳に追加

An electrode plate 9 on which a glass substrate 10 is placed is used as a cathode electrode, and an AC voltage at a low frequency of not less than 100 kHz and not more than 2 MHz is applied, thus forming an amorphous silicon layer on the glass substrate 10 at a film-forming temperature of not less than 350°C and not more than 430°C. - 特許庁

式中、Ｍは金属又はシリコン、Ｘは架橋に関与する−Ｏ−結合又はＯＨ基であり、Ｒ^1は炭素数８〜２０の炭素原子含有分子鎖基であり、Ｒ^2はメチル、エチル、プロピル、又はフェニル基のいずれかの基を表し、ｎ１、ｎ２は０、１、または２のいずれかである。例文帳に追加

(In the formula, M is a metal or silicon, X is an -O- bond or an OH group involved in crosslinking, R^1 is an 8-20C atom-containing molecular chain group, R^2 is either one of a methyl, ethyl, propyl or phenyl group, n1 and n2 are each either 0, 1 or 2). - 特許庁

弁作用金属箔１の引出部１ａとこの引出部１ａに対応する弁金属多孔質体２の端面とに湿気または熱によって硬化するシリコーンゴムを塗布して絶縁分離層１０を設けることで、電気特性の優れた固体電解コンデンサとすることができる。例文帳に追加

This solid electroiytic capacitor, having superior electrical characteristics can be obtained by providing insulating and separating layers 10, by applying silicone rubber which is cured by moisture or heat to the pull-out section 1a of valve-action metal foil 1 and the end face of a porous valve metal body 2, corresponding to the pull-out section 1a. - 特許庁

本発明はこのような構成において基台の長さをフローチューブの３／１０以上の長さにすることと、フローチューブとカウンタチューブの振動位相を互いに逆相に振動させること及び基台の端部をシリコンゴウム等の弾性材料で支持することである。例文帳に追加

In this constitution, the length of the bases is set at 3/10 or more of the flow tube, the vibration phase of the flow tube and that of the counter tubes are vibrated in mutually opposite phases, and end parts of the bases are supported by an elastic material such as a silicone rubber or the like. - 特許庁

受信装置判定部３８４は、接続先ＤＢ３１を参照し、利用者端末１０から配信要求を受けたコンテンツを受信している他の無線ＬＡＮ装置３０が存在するかを判定し、転送元選択部３８５は転送元装置を選択する。例文帳に追加

A receiver decision part 384 refers to the connected party DB 31 to determine whether or not there is the other wireless LAN apparatus 30 which is receiving the content whose distribution request has been received from a user terminal 10 and a transferer selection part 385 selects a transferer apparatus. - 特許庁

貼り合わせ方により、埋め込み絶縁層２１上に第１のＳｉＧｅ層１４を有する積層構造体を作製し、その後、第１のＳｉＧｅ層１４上にそれよりゲルマニウム濃度が高い第２のＳｉＧｅ層４１を形成し、その上にシリコン層４２を形成する。例文帳に追加

A laminated structure with a first SiGe layer 14 is formed on a buried insulating layer 21 through a laminating method, thereafter a second SiGe layer 41 higher in germanium content than the first SiGe layer 14 is formed on the first SiGe layer 14, and a silicon layer 42 is formed thereon. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタ２０のソース／ドレイン領域１２の一方に電気的に接続されたストレージノード１は、シリコン窒化膜２４、ＢＰＴＥＯＳ膜４およびＴＥＯＳ膜５に設けられた開口部６の側壁および底壁に沿って形成されている。例文帳に追加

A storage node 1 connected electrically to one of source/drain regions 12 of a MOS transistor 20 is formed along a sidewall and a bottom wall of an aperture 6 formed in a silicon nitride film 24, a BPTEOS film 4 and a TEOS film 5. - 特許庁

そして、制御部８は、推定したシリコン酸化物付着量に応じて換気基準値を変更し、フレーム検出部１２からの信号に応じた値と前記換気基準値とを比較して燃焼機器が設置されている室内の酸素濃度が所定値未満であるか否かを判定する。例文帳に追加

The control part 8 changes a ventilation reference value according to the estimated adhesion quantity of silicone oxide and determines whether oxygen concentration in a room where the combustion appliance is installed is less than a predetermined value or not by comparing a value according to the signal from the flame detection part 12 and the ventilation reference value. - 特許庁

ヘッドバンド部５の内側の電池ケース蓋を開けて電池を挿入し、リモートコントローラ９で受光窓１ｃに向けて動作指示を行い半導体メモリカード３からの再生出力をスピーカ４ａ，６ａで聴取する。例文帳に追加

The user opens a battery case cover on the inside of the head band part 5 to insert a battery and indicates an operation toward a light reception window 1c by a remote controller 9 and hears the reproduced output from the semiconductor memory card 3 through speakers 4a and 6a. - 特許庁

窒化チタン膜１２，アルミニウム膜１３及び窒化チタン膜１４によって構成されるメタル積層膜２０のような最上部が窒化チタン膜によって構成される下地層と、シリコン酸化膜１５などの絶縁膜とを形成し、その上レジストパターン１７を形成する。例文帳に追加

A ground layer where the uppermost part, such as a metal lamination film 20 that is composed of a titanium nitride film 12, an aluminum film 13, and a titanium nitride film 14 is composed of the titanium nitride film, and an insulation film such as a silicon oxide film 15 are formed, and a resist pattern 17 is formed on it. - 特許庁

続く第2の工程では、部分的に炭酸化した或いは種結晶を混合した石灰乳に、ｐH10〜12に維持しながら、炭酸ガスまたは炭酸化ガス含有ガスを連続的に接触させて連続的に炭酸化し、溢流から炭酸カルシウムを回収する。例文帳に追加

In the succeeding second process, the milk of lime which is partially carbonated or is mixed with the seed crystal is brought into contact with carbon dioxide or a gas containing carbonating gas and is continuously carbonated while being maintained at pH 10-12 and calcium carbonate is recovered from the overflow. - 特許庁

一例として、ＧＡＰの距離Ｌを、メルトレベル検出装置からの実測値に基づいて精密にフィードバック制御すると共に、結晶引上げ速度Ｖについても精密に制御することにより、製造されたシリコンインゴットの広い領域にわたって無欠陥結晶領域が形成される。例文帳に追加

As an example, a fault-free crystal region is formed over a wide region of a produced silicon ingot by the precise feedback control of the distance L of GAP basing on a measured value by a melt level detector and also the precise control of a crystal pulling velocity V. - 特許庁

そして、制御部１００は、成膜処理により半導体ウエハＷに形成されるシリコン窒化膜の累積膜厚が１．５μｍを超える工程を実行する前に、反応管２内にクリーニングガスを供給して、熱処理装置１の内部を洗浄する洗浄処理を実行する。例文帳に追加

The control part 100 further executes a cleaning process of cleaning the interior of the heat treatment apparatus 1 by supplying a cleaning gas into a reaction tube 2 before executing the process in which the cumulative film thickness of silicon nitride films formed on semiconductor wafers W by the film forming process exceeds 1.5 μm. - 特許庁

イヤリング１は、間隙を挟んで互いに対向する開放端部２１，２２を有する金属製の本体部２と、一方の開放端部２１に他方の開放端部２２との間に耳たぶ１０の厚みに相応する間隙を残して装着されるシリコンゴム製の球状体３とで構成される。例文帳に追加

The earring 1 includes a metal body 2 having opening ends 21 and 22 facing each other across a gap; and a silicone-rubber spherical body 3 attached to one opening end 21 leaving the gap corresponding to the thickness of the earlobe 10 to the other opening end 22. - 特許庁

外部ベース層を、多結晶シリコンゲルマニウムからなる第１の外部ベース層７と、第１の層とはエッチングレートの異なる第２の外部ベース層８の２層から形成し、外部ベース部分の形状をパターニング後、第２の外部ベース層８をエッチングにより選択的に除去する。例文帳に追加

The external base layer is formed with two layers: a first external base layer 7 made of polycrystal silicon germanium and a second external base layer 8 whose etching rate differs from that of the first layer, the shape of the external base layer is subject to patterning and thereafter the second external base layer 8 is selectively removed by etching. - 特許庁

基板２０の表面の所望の領域に、アルミニウムなどで構成された電極パッド３０が多層配線と接続され、電極パッド３０の周囲の基板２０は、シリコン窒化膜などからなる保護膜４０によって被覆されている。例文帳に追加

An electrode pads 30 which is composed of aluminum, etc., is connected to a multilayer wiring in desired regions on the surface of a substrate 20, and a protective film 40 made of silicon nitride film, etc. covers the peripheries of the pads 30 on the substrate 20. - 特許庁

本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜として、３種類の金属元素から構成される非晶質の複合酸化膜を用いたことにより、比誘電率が高く、かつ緻密化したゲート絶縁膜を備えた半導体装置、特にＭＩＳ型トランジスタ素子を提供することができる。例文帳に追加

By using an amorphous composite oxide film constituted of three kinds of metal elements as the gate insulation film on the silicon single crystal substrate, the semiconductor device provided with the minute gate insulation film of the high dielectric constant, especially the MIS type transistor element, is provided. - 特許庁

ここで、当該電子線の照射処理の際には、電子線を７０ｋＶから９０ｋＶまでの範囲内の加速電圧で発生させると共にシリコンゴムに照射する電子線の線量を４ｋＧｙから２０ｋＧｙまでの範囲内の値としている。例文帳に追加

In this case, upon the electron beam irradiation process, the electron beam is generated with acceleration voltage in the range of 70 to 90 kV, and also, radiation dosage emitted on the silicon rubber has a value in the range of 4 to 20 kGy. - 特許庁

ＣＭＰ法による研磨によって、銅からなるスルーホール導電体５および接地配線層１０は、窒化シリコンからなるスルーホール絶縁体１１よりも硬度が低いため、皿状に窪んで低くなって、ディッシング部１７が生じる。例文帳に追加

A copper through-hole conductor 5 and a grounded interconnection layer 6 become depressed like a dish through being polished by a CMP method, forming a dishing part 17, because they have lower hardness than that of a through-hole insulator 11 formed of nitride silicon. - 特許庁

無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２として銅（Ｃｕ）を用いる製造装置。例文帳に追加

The device for producing the silicon ingot includes a bottomless cooling mold 1 and a heating induction coil 2, and furthermore a plasma torch 3 as a heat source, and uses electromagnetic induction heating and plasma heating in combination, wherein copper (Cu) is used as a plasma electrode 12 which is installed in the plasma torch. - 特許庁

この特徴ある構成は、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われ、アルカリエッチング液の濃度を８ｍｏｌ／ｌ以上とし、かつ酸エッチングのエッチングレートをシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で０．２μｍ／秒以上とするところにある。例文帳に追加

In this method, the alkaline etching is treated after the acid etching, the concentration of the alkaline etchant is set to be 8 mol/l or more, and the etching rate of the acid etching is set to be 0.2 μm/sec or more in total in the front and rear surfaces of the silicon wafer. - 特許庁

本発明は、シリコンやスズなどの高容量活物質では、充放電反応時にリチウム吸蔵放出に伴う体積変化が大きく、これに伴って負極合剤も膨張するため、集電不良となりサイクル特性が劣化する。例文帳に追加

To solve a problem of deterioration of cycle characteristics due to a current collection failure since an anode mixture expands with a volume variation according to storage/discharge of lithium at the time of a charge/discharge reaction in a high-capacity active material such as silicon or tin. - 特許庁

紫外線などの短い波長光で、その分子立体構造を変化させることが可能なアゾベンゼンの置換体について、量子化学計算を用いて分子内原子核間相互作用を制御できる分子を探索し、液体ＮＭＲなどによる量子コンピュータ用素子。例文帳に追加

The element for the quantum computer by a liquid NMR or the like is provided by searching a molecule capable of controlling the intramolecular interaction between atomic nuclei by using quantum chemical calculation as substitution products of an azobenzene enabling the molecular three-dimensional structure to be changed with a short wave-length light such as ultraviolet lays. - 特許庁

無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２としてタングステン（Ｗ）を用いる製造装置。例文帳に追加

The apparatus for producing an silicon ingot using the plasma heating system and the electromagnetic induction heating system in combination includes: a bottomless cooling mold 1; an induction coil 2 for heating; and a plasma torch 3 as a heating source, wherein tungsten (W) is used as a plasma electrode 12 arranged in the plasma torch 3. - 特許庁

半導体薄膜の製造方法は、表面に配列された複数の突起部１０を設けた単結晶半導体基板（単結晶シリコン基板２）と表面に半導体薄膜を堆積した基板４とを互いの表面を向き合わせて結合する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the semiconductor thin film, a single crystal semiconductor substrate (single crystal silicon substrate 2) provided with a plurality protrusions 10 arranged on its surface is coupled with a substrate 4 having a semiconductor thin film deposited on its surface, so that the surfaces of the substrates oppose each other. - 特許庁

金属その他の軸芯部材と、上記軸芯部材の周囲に形成されたシリコンゴムの多孔性弾性層と、上記多孔性弾性層の外周面に皮膜状に形成された金属その他の外形表面層とを有するロール体を次のように構成する。例文帳に追加

The roll body having: the shaft center member made of metal and the like; a porous elastic layer made of silicone rubber formed around the shaft center member; and the external surface layer made of metal and the like and formed in a coating film state on the outer peripheral surface of the porous elastic layer is constituted as follows. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）素子が形成されたシリコン基板１１とその上層に形成されたゲート絶縁膜１２とを下地層として、その上層に有機ＳＯＧ（Spin On Glass ）膜１３等からなる絶縁層が堆積され、その絶縁層に溝１５を形成する。例文帳に追加

A silicon substrate 11 having a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) formed therein and a gate insulating film 12 formed thereon are formed as base layers, an insulating layer as an organic SOG (spin on glass) film 13 or the like is deposited thereon, and grooves 15 are made in the insulating layer. - 特許庁

装用感の悪化や酸素透過性能の低下、レンズ寿命の低下、視力の低下、角膜障害等の問題の発生が可及的に回避され得るような、装用者に適合するコンタクトレンズとそのケアシステムを選定することで、眼に対する安全性を高度に確保する方法を、提供すること。例文帳に追加

To provide a method of highly securing safety for the eyes, by selecting a contact lens fitting for a wearer and a care system therefor so that deterioration in wearing feeling or decrease in oxygen permeability, decrease of the lens life, decrease in eyesight, cornea disorder, and so forth can be avoided at quickly as possible. - 特許庁

導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有する多接合薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a multi-junction thin-film silicon solar cell module having high light conversion efficiency, in which current leakage through an intermediate layer having conductivity, light transmissivity and light reflectivity is suppressed and an ineffective area not contributing to electricity generation is prevented from enlarging, and to provide a method of manufacturing the module. - 特許庁

シャンプー、リンス、乳液等の内容物を押しボタンの押圧操作によって吐出させるディスペンサーにおいて、ノズルの先端開口部の外に突き出るように、ノズル通路内に、シリコンゴムなどのエラストマー製のチューブを挿入してなる、液垂れ防止機能付きディスペンサー。例文帳に追加

In a dispenser for discharging such a content as a shampoo, a rinse and a milky lotion by a pressing operation of a push button, the dispenser inserts a tube made of an elastomer such as a silicone rubber into a nozzle passage so as to project to the outside of the opening part of the front end of the nozzle. - 特許庁

各電界効果型トランジスタセル２０は、ＭＯＳＦＥＴの構造を有し、ｐ形シリコン基板１の主表面側にドレイン領域２とソース領域３とが離間して形成され、両領域２，３間のチャネル部４上にゲート絶縁膜５を介してゲート電極１６が形成されている。例文帳に追加

Each of the field-effect transitor cells 20 has a structure of a MOSFET and a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of the P-type silicon substrate 1 with spacing and a gate electrode 16 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5. - 特許庁

この塗膜は、基材上に水溶性アルカリ金属珪酸塩系水溶液塗料を塗布して適度に乾燥させて形成した塗膜に、ｐＨ値が３．５〜１０．０の酸・アンモニウム塩系の水溶液を適用し、水洗し、乾燥し、この上にアクリルシリコン系表面層を形成することにより得られる。例文帳に追加

This coating film is obtained by applying an acid-ammonium salt-base aqueous solution of a pH value of 3.5-10.0 to the coating film that is formed by coating a water-soluble alkali metal silicate-base aqueous coating on the base material and suitably drying it, washing, drying and forming the acrylic-silicone-base surface layer thereon. - 特許庁

放熱材１０８は、例えば、シリコン樹脂やアクリル樹脂で直方体として成形されたゴム系の部材であり、発熱部品１０６ａの電極部（電極１０９ａがはんだ付けされた部分）と金属ケース１０３を熱的に接続するように基板１０１上に配設されている。例文帳に追加

A heat dissipation material 108 is, e.g., a rubber-made member formed of silicone resin or acrylate resin into a rectangular solid, and is disposed onto a substrate 101 such that an electrode part of a heat generating part 106a (part to which an electrode 109a is soft-soldered) and a metal case 103 are thermally connected. - 特許庁

素子形成領域１０Ａ内のシリコン基板１１の表面は、ゲート配線１５の延長方向に見て、素子分離領域１０Ｂとの境界から素子形成領域１０Ａの中央に向かって一旦低くなり、次いで、順次に高くなる。例文帳に追加

The surface of the silicon substrate 11 inside the element formation region 10A is low from a boundary to the isolation region 10B toward a center of the element formation region 10A viewed in an extension direction of the gate wiring 15, and then is high sequentially. - 特許庁

ガベージコレクションを備えるオブジェクト指向プログラミング言語により実装される、ネットワーク上の複数のコンピュータ間でサービスのリクエストを仲介する装置において、ガベージコレクションの発生により通信が中断し、リアルタイム性が損なわれることを解消する。例文帳に追加

To prevent communication from being interrupted by the occurrence of garbage collection and being degraded in the real-time properties of a device for mediating service requests among a plurality of computers on a network, the device being implemented by an object-oriented programming language having garbage collection. - 特許庁

装用感の悪化や酸素透過性能の低下、レンズ寿命の低下、視力の低下、角膜障害等の問題の発生が可及的に回避され得るような、装用者に適合するコンタクトレンズとそのケアシステムを選定することで、眼に対する安全性を高度に確保する方法を、提供すること。例文帳に追加

To provide a method of highly securing the safety for eyes by selecting such contact lenses and their care system suitable for a user that occurrences of problems such as degradation of wearing feeling, reduction of oxygen transmission performance, reduction of the lifetime of lenses, failing of eyesight, and corneal trouble are avoided as much as possible. - 特許庁

メガネの耳掛けを無くしたメガネであって、レンズをブリッジで固定しブリッジに鼻当て接着部を設け、鼻あて接着部にはシリコンゴム材等の粘着性のある素材を使用した、繰り返し着脱可能であることを特徴とする軽量な鼻着脱式メガネ。例文帳に追加

The nose-attached spectacles is provided which do not have no temple, the nose-attached spectacles being lightweight and characterized in that lenses are fixed by a bridge, nose pad adhesion parts are provided in the bridge, and adhesive raw materials such as silicone rubber materials are used for the nose pad adhesion parts to enable the spectacles to repeatedly be put on and off. - 特許庁

バインダーとして酢酸ビニル系高分子、デンプン類、ゼラチンの何れかを、またブロック粒子として炭酸カルシウム、タルク、マイカ、シリカ、ゼオライト、木粉、紙粉の何れかを使用して、該予備発泡ビーズに予め混練させたブロック粒子とバインダーを加えて混合、乾燥、粉砕の後、成形する通気性発泡体及びその製造方法。例文帳に追加

A method for manufacturing the breathable foam is also provided. - 特許庁

サーマルプロテクタを巻線に取付けるにあたってタイトバンドやシバリイトおよびシリコンゴムを使用しないで、熱収縮チューブを使用して巻線に取付けて作業性を改善し、しかも動作温度バラツキを抑制した駆動用モータを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a drive motor which improves the workability while controlling variation in operating temperature by fixing a thermal protector to a winding by using a heat shrinkage tube instead of a tight band, a binding thread, and a silicone rubber. - 特許庁