1016万例文収録!

「しりこんごむ」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > しりこんごむに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

しりこんごむの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5007



例文

無数の微細な針状突起13Aが形成された有機シリコン化合物からなる撥水膜12が、部材本体11の表面に形成され、撥水膜12の表面の凹凸に沿ってダイヤモンド状炭素薄膜13が褶曲するようにプラズマCVD法により形成されている。例文帳に追加

A water repellent membrane 12 of an organosilicon compound on which innumerable fine needle-shaped projections are formed is formed on the surface of a member body 11, and a thin film 13 of diamond carbon is formed in a fold along the unevenness on the surface of the membrane 12 by a plasma CVD method. - 特許庁

また、ゲート電極9aの加工時のn^+型単結晶シリコン基板1の温度を5℃とすることで、エッチング残渣が加工表面へ再付着するのを防ぎ、加工表面を滑らかな形状にすることにより、トレンチゲート型MOSFETの歩留まりおよび信頼性を高めることができる。例文帳に追加

Furthermore, by keeping the temperature of an n^+ type single crystal silicon substrate 1 at 5°C in processing the gate electrode 9a, the reattachment of an etching residue to the processed surface can be prevented, and by making the shape of the processed surface smooth, the yield and reliability of the trench gate MOSFET can be improved. - 特許庁

Grown−in欠陥のない直胴部を持ち、格子間酸素濃度[Oi]が1.4×10^18atoms/cm^3 以上のシリコンインゴットから切り出したウェーハに1000℃以上で10秒以下の急速昇降温熱処理を施す。例文帳に追加

A thermal treatment with rapid heating up and down is performed at ≥1,000°C for ≤10 seconds on a wafer obtained by cutting a silicon ingot having a straight drum portion free of a Grown-in defect and having an interstitial oxygen concentration [Oi] of ≥1.4×10^18 atoms/cm^3. - 特許庁

ゲート絶縁膜用の高誘電率膜の新材料としてハフニウム酸化物を用いた高誘電率膜を用いつつ、シリコン酸化膜換算膜厚の増大を招くことなく、結合欠陥による絶縁耐性の低下という問題を解消する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of solving the problem wherein a semiconductor device is reduced in dielectric strength due to a bonding failure, using a high-dielectric constant film formed of a hafnium oxide as a new material for a high-dielectric constant film used for a gate insulating film without increasing a film in thickness in terms of an silicon oxide film. - 特許庁

例文

エンジンの高速回転時には、吸気通路で吸気をスムーズに流してシリンダヘッドに導入し、エンジンの低速回転時には、燃料噴射ノズルから噴射する燃料と吸気とが効率よく混合するように吸気を燃料噴射ノズル近傍に導く。例文帳に追加

To introduce intake air to a cylinder head by making the same smoothly flow in an intake passage at a time of high speed rotation of an engine and introduce intake air to a vicinity of a fuel injection nozzle for efficiently mixing the same with fuel injected from the fuel injection nozzle at a time of low speed rotation of the engine. - 特許庁


例文

天板1の裏面に酸化チタン等の無機顔料7を配合したメタリック調絵具8を印刷した後、透光性の着色ガラス絵具9を印刷し、さらにシリコンあるいはフッ素系の透明な耐熱塗料10にてオーバーコートをする三層印刷構成とした。例文帳に追加

After a metallic tone paint 8, in which an inorganic pigment 7 such as titanium oxide is mixed, is printed on the backside of the top board 1, a translucent colored glass paint 9 is printed on it; and then a silicon or fluorine based transparent heat resistant paint 10 is overlaid, to make a coating layer of a printed three-layer structure. - 特許庁

これにより、高周波シリコンパワーMISの特性向上のために基板本体の抵抗を低くしても、p^+型埋め込み層8の端部8aにおいて発生した応力により誘発される欠陥等のゲート保護ダイオードGD1のリーク電流に与える影響が小さくなる。例文帳に追加

Consequently, even when the resistance of the substrate main body for improving characteristics of the high-frequency silicon power MIS is made small, an influence of a defect etc., generated owing to stress generated at the end 8a of the p^+-type buried layer 8 on a leakage current of the gate protective diode GD1 becomes small. - 特許庁

特に、多結晶シリコン層(150)は、TFTアレイ基板(10)に直に接しているため、TFTアレイ基板(10)の下面が空気(0℃における熱伝導率が0.0241W/mK)に曝されている場合に比べて、TFTアレイ基板(10)から熱エネルギーを効率良く逃がすことが可能である。例文帳に追加

Especially, the polycrystalline silicon layer (150) is in direct contact with the TFT array substrate (10), so the heat energy can be efficiently discharged from the TFT array substrate (10) as compared with a case wherein the reverse surface of the TFT array substrate (10) is exposed to air (with a heat conductivity of 0.0241 W/mK at 0°C). - 特許庁

筐体1に取り付けられたシリコンゴム製のパッキング12は、円筒形をしている外壁部12aと内壁部12bとを環状の遮蔽部12cでつなぎ、内壁部12bの奥端には内側に張り出した環状のフランジ部12dを設けた形状をしている。例文帳に追加

The silicone rubber-made packing 12 mounted on the casing 1 has cylindrical outer wall part 12a and inner wall part 12b mutually connected through an annular shielding part 12c and an inwardly protruded annular flange part 12d provided on the deep end of the inner wall part 12b. - 特許庁

例文

焼成体を載置する複数の焼成体載置部材22の間に配設される焼成用スペーサー21を、気孔率:7容積%以下、かつ平均孔径:0.02μm以下の、シリコン(Si)を含浸させた炭素繊維強化炭素複合材料により構成する。例文帳に追加

The spacer 21 for baking set between members 22 to placing multiple baked bodies on them consists of a carbon fiber-reinforced carbon composite material impregnated with silicon(Si) whose porosity is 7% by volume or less and average pore diameter is 0.02 μm or smaller. - 特許庁

例文

ダイオード用ポリシリコン15は初段MOSトランジスタの動作時に上記ダイオードに逆方向バイアスがかかるか上記ダイオードの両端が同電位になるように正電圧の電源電位又は接地電位に接続される。例文帳に追加

The diode polysilicon 15 is connected at the potential of a positive voltage of a power supply or at grounding potential so that, when the first stage of MOS transistor is operated, a reverse bias is applied to the diode or both ends of the diode have the same potential. - 特許庁

市販の家庭用磁気治療器に使用される磁石粒を該磁石粒のサイズ程度の有底の穴に嵌め込み、該穴を設けたシリコンゴムの磁石粒装着式ブラジャー用替えストラップをブラジャーに取り付けて使用することにより任意の箇所への磁気治療が可能となる。例文帳に追加

The replacement strap for a magnet grain-attached brassiere is formed by fitting a magnetic grain used for a commercially available home-use magnetic therapeutic apparatus, into a bottomed hole similar in size to the magnet grain, so that the hole-formed silicone rubber replacement strap for a magnet grain-attached brassiere is attached to a brassiere to be used so as to enable magnetic therapy to desired portions. - 特許庁

このゴルフクラブの溶接材料は、18.0wt%のクロム、1.2wt%のホウ素、1.8wt%のシリコン、1.2wt%の鉄、0.024wt%の炭素、6.0wt%のリン、他の元素、ならびに残り成分のニッケルなどの要素から形成される。例文帳に追加

This welding material for golf club consists of 18.0 wt.% of chromium, 1.2 wt.%; of boron, 1.8 wt.%; of silicon, 1.2 wt.% of iron, 0.24 wt.% of carbon, 6.0 wt.% of phosphor, other elements, and a remaining component of an element such as nickel or the like. - 特許庁

そして、通信コントローラ12を通じて単位データが受信される毎にレジスタ17をクリアしつつ、その後一定の時間を経てもレジスタ17にエッジ検出フラグF1がセットされていないとき、受信端子TE1へのシリアルデータの受信が完了した旨を判定する。例文帳に追加

Then, the register 17 is cleared each time unit data are received through the communication controller 12, and when any edge detection flag F1 is not set in the register 17 even after the lapse of a fixed time afterwards, it is decided that the reception of serial data to the reception terminal TE1 has been completed. - 特許庁

機械加工が容易で、半導体チップの熱膨張係数に近い熱膨張係数を示し、かつ、シリコンの熱伝導率(150W/m・K)を超える高い熱伝導率を有する材料およびこの材料から形成した放熱用基板を提供する。例文帳に追加

To provide an easily machinable material exhibiting having coefficient of thermal expansion close to that of a semiconductor chip and thermal conductivity exceeding that of silicon (150 W/m.K) and a heat dissipation plate made of that material. - 特許庁

半導体基板11上に形成されたポリシリコン膜13の如き半導体薄膜の表面形状を,分光エリプソメトリを用いて測定するか,もしくは,半導体薄膜をIPAVaporにさらして乾燥させた後,GC.MassによりIPAを定量分析して測定する。例文帳に追加

A method for measuring the surface shape of a semiconductor thin film like a poly-silicon film 13 formed on a semiconductor substrate 11 includes measurement with a spectro-ellipsometer or IPA quantitative analyze with GC/MS after having exposed the semiconductor thin film in IPA vapor and having dried it. - 特許庁

本発明は、酸化膜が表面を覆っているシリコンウェハに窒化膜(フッ酸エッチングに対する高い耐性を有する膜)を形成することで、選択エッチングを行った際に表層部を保護し、表層部のBMD評価が可能となる技術を提供する。例文帳に追加

The present invention provides a technique for protecting the surface layer part in selective etching and for evaluating the BMDs in the surface layer part, by forming nitride film (film having high resistance against hydrofluoric acid etching) in the silicon wafer with a surface coated with an oxide film. - 特許庁

少なくとも結着樹脂と着色剤との混合物に、質量平均分子量(Mw)が3000を超えるC9系石油樹脂を内添して混練して得た組成物を粉砕および分級する工程を経て製造されたことを特徴とする。例文帳に追加

The toner is manufactured by stages of intnernally adding a C9-based petroleum resin having a mass average molecular weight (Mw) exceeding 3,000 to a mixture composed of at least a binder resin and a coloring agent, kneading the mixture and subjecting the obtained composition to grinding and classifying. - 特許庁

たとえば、MOSセンサの単位セル6_11は、P導電型シリコン基板21上のP導電型エピタキシャル層21aの表面に、フォトダイオードとなるN導電型の電荷蓄積部24、および、走査トランジスタ部のP導電型ウェル領域25が設けられている。例文帳に追加

For example, in a unit sell 6_11 of a MOS sensor, there are provided an n conductivity type charge storage 24 becoming a photodiode, and a p-conductivity well region 25 of a scanning transistor on the surface of a p-conductivity epitaxial layer 21a on a p-conductivity silicon substrate 21. - 特許庁

IEEE1394シリアルバスに接続されるHDD内蔵DVDレコーダ等のディスク録画装置において、パソコン側で編集後のDVストリームを、簡単、かつ、短時間でHDD内蔵DVDレコーダ内のDVD又はハードディスクにダビングする。例文帳に追加

To easily dub a DV stream edited by a personal computer side to a DVD or a hard disk in an HDD built-on DVD recorder in a short period of time in a disk video recorder such as an HDD built-in DVD recorder to be connected to an IEEE1394 serial bus. - 特許庁

セメントと補強繊維を主成分とする抄造シート1上に、セメントと補強繊維を主成分とする半乾式のセメント成形材料2を散布した後に、この上に、異なる粒度の骨材及びシリカヒュームの混合物3を散布し、次いで加圧成形する。例文帳に追加

After spreading semi-dry type cement molding material 2 having cement and a reinforcing fiber as principal components on a paper-making processed sheet 1 having the cement and the reinforcing fiber as principal components, a mixture 3 of aggregate of different particle sizes and silica fume is spread thereon and then press-molded. - 特許庁

シリコンゴム等の撥水性を有する弾性材料により、原型から雌型11を成型した後、前記雌型11に、漆製品の表面層となる高粘性の表面漆材13を塗着し、ついで前記表面漆材13に下地漆材14を塗着する。例文帳に追加

After being formed from an original mold by using a water-repellent elastic material such as a silicon rubber, a female mold 11 is coated with a high-viscosity surface lacquer material 13 serving as a surface layer of the lacquered product, and the surface lacquer material 13 is coated with a substrate lacquer material 14 after that. - 特許庁

フォトダイオードPDやMOSゲート等を設けたシリコン基板40の上部に、絶縁層41を介して3層の信号線42、43、44が配置され、その上部にカラーフィルタ46、オンチップレンズ47が設けられている。例文帳に追加

Three layers of signal lines 42, 43, and 44 are disposed in an upper part of a silicon substrate 40 provided with a photodiode PD, an MOS gate or the like via an insulation layer 41, and a color filter 46 and an on-chip lens 47, are provided in an upper part thereof. - 特許庁

キノコ菌床の木を非酸素雰囲気下において焼成して形成される本体(12)と、本体に設けられた1又は複数の中空部に充填される、アルミニウム粉末とトルマリン粉末又はグラファイトシリカ粉末とを混合した粉体(14)とを備えることを特徴とする消臭体(10)。例文帳に追加

The deodorizer (10) is provided with a body (12) formed by baking the wood used as a mushroom bed under a non-oxygen atmosphere, and a fine particle (14) in which aluminum powder and tourmaline powder or graphite silica powder are mixed, which is filled in one or more cavity parts provided in the body (12). - 特許庁

ヒートローラ1とバックアップローラ2は、それぞれ芯金の外周面上に体積抵抗値が10の13乗Ωcm以上の単一シリコンゴム層を被覆したものを備え、ヒートローラ1が記録媒体6の搬送時に生じる摩擦帯電によりトナー7と同極性に帯電する。例文帳に追加

A heat roller 1 and a backup roller 2 are equipped with a substance obtained by coating the outer peripheral surface of a core bar with a single-silicone rubber layer, whose volume resistance value is 1013 Ωcm or higher and electrified to have the same polarity as toner 7 by triboelectrification generated by the roller 1, when the recording medium 6 is carried. - 特許庁

焙煎コーヒーを水、極性有機溶媒又はこれらの混合物で抽出して得られる抽出物を分画処理して得られた分画分子量10000以上の画分を乳製品等に添加することにより、乳製品等に、こく、ボリューム感を付与することができる。例文帳に追加

Fractions each molecular weight cut off of which is10,000 and which is obtained by fractionating extract substance produced by extracting roasted coffee with water, polar organic solvent or a mixture thereof, are added to a milk product or the like so as to impart bodily taste and voluminous feeling to the milk product. - 特許庁

本圧力計110においては、シリコンゴムより形成されたシール材14が、ターミナルピン2a,2bの各突起部2yのボンディングワイヤーにて接続される平頂部を完全に覆っており、これにより、各金属部材(ターミナルピン2a,2b)は、封入液13から完全に遮断される。例文帳に追加

In the pressure gauge 110, a sealing material 14 made of a silicone rubber fully covers each flat top part on protrusion parts 2y of terminal pins 2a, 2b connected by bonding wires so that each metal part (the terminal pins 2a, 2b) is fully isolated from a sealed liquid 13. - 特許庁

前記外装カバー8は、複数に分割された部分カバーからなり、これらの部分カバーを継ぎ合わせて構成し、前記部分カバー同士の継ぎ目にシリコンゴム又はパッキン材を充填して前記静磁場発生手段1及び傾斜磁場コイル2を完全に密閉する。例文帳に追加

The exterior cover 8 comprises partial covers divided into a plurality of sections and is constituted of joining the partial covers, and the joints of the partial covers are filled with silicone rubber or packing materials to completely seal the static magnetic field generating means 1 and the gradient magnetic field coil 2. - 特許庁

おろし器1を台2の上に置いて使用する際には,おろし板20と台2との間に容器底部11が介在され,このシリコンゴム製の容器底部11は滑り止めの役割を果たすから,おろし板20で容易に対象食材をおろすことができる。例文帳に追加

When the grater 1 is put on a table 2 and used, the container bottom part 11 is interposed between the grating plate 20 and the table 2 and the container bottom part 11 made of the silicone rubber plays a role of slip-stop, so that the target food stuff is easily grated by the grating plate 20. - 特許庁

石英ルツボの表面より150μm以内の層に、それより内側層よりシリコン融液との反応性が高い層を形成し、結晶核の生成より溶損速度を速くして、剥離の原因となるブラウンマークの個数を減少させる。例文帳に追加

The number of brown marks causing exfoliation is reduced by forming a layer, which is highly reactive with a silicon melt in comparison with its inner layer, within a layer of 150 μm from the surface of the quartz crucible so as to make the erosion speed higher than the formation speed of a crystal nucleus. - 特許庁

回転部材は、シリコンロッドを保持するのに好適な少なくとも一つのロッドホルダーおよびロッドホルダーに関して一定の位置に保持された単結晶種晶を含み、概ね水平な回転軸の周りを支持部材に関連して動くように支持体上に回転可能に設けられている。例文帳に追加

The pivoted member comprises at least one rod holder suitable for holding a silicon rod and a single crystal seed held in a fixed position relative to the rod holder, and the pivoted member is pivotably mounted on the support body for movement relative to the support body about a generally horizontal pivot axis. - 特許庁

触媒及び含フッ素イオン交換樹脂を溶媒中に分散又は溶解した液状混合物から溶媒を除去して平均粒径が0.1〜100μmを有する粒子に造粒し、該粒子をイオン交換膜表面に散布し、加熱圧着することによりガス拡散電極を製造する。例文帳に追加

The gas diffusion electrode is manufacturing by removing a solvent from a liquid mixture having a catalyst and a fluorine contained ion exchange resin dispersed or dissolved into the solvent to form particles having an average particle size of 0.1-100 μm and spraying the particles to the surface of an ion exchange membrane to be heated and compression bonded. - 特許庁

半球形シリコン形成技術を用いて電子島を効果的に形成し、従来のトランジスタ製造工程との互換性を有する単電子素子及びその製造方法並びに単電子素子とMOSトランジスタとを同時に形成する製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a single electron device in which electron islands are effectively formed by using a hemi-spherical-grain-silicon forming technique, a method of manufacturing the same which is compatible with the manufacturing steps of a conventional transistor, and a manufacturing method by simultaneously forming the single electron device and a MOS transistor. - 特許庁

銀塩フイルムカメラ及び電子的撮像装置を兼用する後蓋交換式のカメラにおいて、電子的撮像装置として機能させた場合にコンデンサーレンズの取り付け誤差等に起因する光軸の偏芯等を防止し良好な撮影結果を取得し得るカメラを提供する。例文帳に追加

To provide a camera capable of obtaining an excellent photographing result by preventing an eccentricity of optical axis caused by an attaching error of condenser lens in the case of making a rear cover interchangeable type camera used both as a silver salt film camera and an electronic image pickup device function as the electronic image pickup device. - 特許庁

検出流路8を流れる液体を検出器の上流側で混合してからPDA22及びMS24に送ることで、流路切換えバルブ型スプリッタ2の断続的な溶出液の導入によって生じる試料成分の濃度変動を抑制する。例文帳に追加

The concentration fluctuation is restrained from being generated by introducing an eluate intermittently in the flow passage switching type splitter 2, by feeding the liquid flowing in the detection flow passage 8 to the PDA 22 and an MS 24, after mixed in an upstream of a detector. - 特許庁

さらに、シリコンからなる電極に、導電補助材を30wt%以上加えた場合には初期効率を80%以上にでき、60wt%以下とした場合にはリチウムの脱離量の変化(5サイクル目と10サイクル目との間の変化)を小さくできる。例文帳に追加

The initial efficiency can be set80%, when a conductive auxiliary material is added by: ≥30 wt% to an electrode made of silicon, and variations (variations between the 5th cycle and the 10th cycle) of the desorption amount of lithium can be reduced, when the auxiliary material is added by: ≤60 wt%. - 特許庁

一例として、GAPの距離Lを、メルトレベル検出装置からの実測値に基づいて精密にフィードバック制御すると共に、結晶引上げ速度Vについても精密に制御することにより、製造されたシリコンインゴットの広い領域にわたって無欠陥結晶領域が形成される。例文帳に追加

As an example, the fault-free crystal region is formed over a wide region of a produced silicon ingot by the precise feedback control of the distance L of GAP basing on a measured value by a melt level detector and also the precise control of a crystal pulling velocity V. - 特許庁

接触端子103を形成するための型となる穴を、シリコンウエハの異方性エッチングにより形成して、この型を用いて、接触端子103、ポリイミド膜よりなる絶縁フィルム104および引き出し用配線105を形成する。例文帳に追加

A hole which is to serve as a die for forming the contact terminal 103 formed by anisotropic etching of a silicon wafer, and the contact terminal 103, an insulating film 104, comprising a polyimide film and a lead-out wire 105 are formed using the die. - 特許庁

クッション21は、ラバーシート12とともにシリコンゴムで形成され、弾性により液晶側筐体2の衝突を緩衝する機能を果たしつつ、ラバーシート12と一体化され、折り畳み式携帯電話の部品点数を削除する効果を奏している。例文帳に追加

The cushion 21 is formed of silicon rubber together with the rubber sheet 12 and integrated with the rubber sheet 12 while accomplishing the function of elastically buffering the collision of the liquid crystal side case 2 thus decrease the number of components of the folding portable terminal. - 特許庁

VTR記録中、ドリフト検出部16は、時間間隔t_1毎に、現在TVカメラ11で撮像されている試料像を現在画像としてその内部メモリM_Bに取り込んで、前記リファレンス画像と現在画像の位置ずれを検出してドリフト補正を行う。例文帳に追加

During the video tape recording, the detection part 16 introduces the sample image being currently photographed by the TV camera 11 into its internal memory M_B as a present image at every time interval T_1 to correct a drift by detecting the displacement of the present image from the reference image. - 特許庁

本断熱構造は、熱空間(4)と外部空間(6)との間、一例として熱空間の外面を熱硬化性のシリコーンゴムに独立気泡を混入して成る断熱材の層(2)によって覆い、この断熱層の外側を熱反射材(5)によって覆う、ものである。例文帳に追加

This heat insulating structure covers between a thermal space 4 and an external space 6, for one example with a layer 2 of adiabatic material formed with an outer surface of the thermal space by mixing a closed cell in a silicon rubber, an outer side of this adiabatic layer is covered with a thermal reflecting material 5. - 特許庁

高抵抗シリコン基板1上に一導電型半導体層2と逆導電型半導体層3と個別電極4とを形成し、一導電型半導体層2を引き延ばした延在部の上に共通電極5を接続し、その延在部の表面粗さをRa100Å以下にする。例文帳に追加

A one conductivity-type of semiconductor layer 2, an opposite conductivity-type semiconductor layer 3, and individual electrodes 4 are formed on a high-resistance silicon substrate 1, and a common electrode is connected to the top of the extension of the one conductivity-type of semiconductor layer 2, and the surface roughness of the extension is made Ra100 Å or smaller. - 特許庁

サーマルプロテクタを付勢する弾性手段にてサーマルプロテクタを変位可能に保持するサーマルプロテクタホルダをモータの固定子に固定手段にて固定し、さらに、巻線とサーマルプロテクタ間にシリコンゴムを介在させて巻線との密着性をよくする。例文帳に追加

A thermal protector holder, which holds a thermal protector displaceably with an elastic means for biasing the thermal protector, is fixed to the stator of a motor by a fixing means, and further silicon rubber is interposed between the winding and the thermal protector so as to improve the adherence with the winding. - 特許庁

主機制御盤16から、油圧シリンダ9の停止の旨の信号を受けると、コントローラ3は、可変速モータ2の回転速度を、回転速度記憶部に記憶された回転速度となるように制御した後、切換弁10を開から閉に操作する。例文帳に追加

When receiving a signal for stopping the hydraulic cylinder 9 from a main machine control panel 16, the controller 3 controls the rotating speed of the variable motor 2 to be a rotating speed stored in the rotating speed storage part and then operates the selector valve 10 opened to be closed. - 特許庁

p型シリコン基板1上の表面の領域にMOSFETの活性領域を分離するフィールド酸化膜2を形成し、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、ヒ素イオン注入層5にイオン注入し熱処理を行いn型拡散層6を形成する。例文帳に追加

A field oxide film 2, isolating the active region of a MOSFET is formed in a region on the surface of a p-type silicon substrate 1, a gate electrode is formed via a gate oxide film, ions are implanted into an arsenic ion implantation layer 5, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a n-type diffused layer 6. - 特許庁

キー照光装置には、基板20側にタクトスイッチ部21及び光源部(LED22a、22b)が、また筐体10側にタクトスイッチ部21をオンオフ可能に操作し、光源部からの光を照光する樹脂キー部11及びシリコンゴム部12が配設される。例文帳に追加

The key lighting device has a tact switch 21 and light source sections (LEDs 22a, 22b) on a side of a substrate 20, and a resin key section 21 and a silicone rubber section 12 on a side of a housing 10, for operably turning on or off the tact switch section 21 and applying light from the light source. - 特許庁

この構成により、複数のLED33が配置される導光板32の側端部32a近傍に偏在する光混合開始領域における輝度ムラを低減し、面内輝度分布の向上を図ることができるとともに、正面輝度の向上を図ることができる。例文帳に追加

By this constitution, luminance unevenness in a light mixing beginning region, which is unevenly distributed near a side edge part 32a of a light guiding plate 32 where a plurality of light emitting diodes 33 are arranged, is reduced and improvement of the in-plane luminance distribution can be attained and further improvement of the front face luminance can be attained. - 特許庁

小さな付属パーツ(シリコンやゴムのクッションD、フックパーツE、吸盤パーツF、安定台パーツG等)を使って、各鏡の組み合わせを換えるだけでスタンドミラーJ、拡大鏡I、二面鏡K、三面鏡Hなどとして使用できる多機能を持った組み換え鏡にすることができる。例文帳に追加

This rearrangeable mirror with multifunction can be used as a stand mirror J, a magnifying glass I, a double mirror K and a triple mirror H by just changing the arrangement of respective mirrors using small attachments (a silicone or rubber cushion D, a hook part E, a suction cup part F, and a stabilized stand part G). - 特許庁

セメント基材としてアルミナセメントにシリカヒュームを混合したものを用いたから、アルミナセメントの耐酸性に優れ、白華しにくい性質により、強い日光や酸性雨に対しても劣化することなく光触媒作用を長期に渡って持続できる。例文帳に追加

Because the alumina cement mixed with the silica fume is used as a cement base material, the photocatalytic action is sustained over a long period without the degradation due to strong sunlight or the acid rainfall by the excellent acid resistance and a characteristic of hardly causing efflorescence which are given by alumina cement. - 特許庁

例文

ジャケット14の天井壁14b内面から上方に凹んで略直線状に延びるとともに長手方向一端から他端に向かうにつれて上端閉塞部が高くなるエア抜き溝50が、ジャケット14の最も高い部分を形成するようにしてシリンダヘッド12に設けられる。例文帳に追加

An air vent groove 50 recessed upward from the inner surface of the ceiling wall 14b of the jacket 14, generally linearly extending, and having an upper end closed part increased in height from one end to the other end thereof in the longitudinal direction is formed in the cylinder head 12 so as to form a highest portion of the jacket 14. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS