「ベーク」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、所定の条件で第１のレジスト下層膜単層をベークする際に発生する昇華物の量、第２のレジスト下層膜単層を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量、及び第１のレジスト下層膜上に第２のレジスト下層膜を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量を定量した結果を用いて、第２のレジスト下層膜のバリア性を評価する。例文帳に追加

The barrier property of the resist underlayer film is evaluated using results obtained by determining: an amount of a sublimate generated when baking the first resist underlayer single layer in a prescribed condition; an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer single layer by baking of a prescribed condition; and an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer on the first resist underlayer by baking in a prescribed condition. - 特許庁

ベースを提供し、該ベース上にフォトレジスト層を形成するステップと、如何なる光学的修正をも行わないレチクルを通して該フォトレジスト層を露光するステップと、露光した該フォトレジスト層をベークするステップと、該ベークしたフォトレジスト層に現像を行い、多重エッチングのレジストマスクを形成するステップとを含んでなる。例文帳に追加

The method includes steps of: providing a base and forming a photoresist layer on the base; exposing the photoresist layer through a reticle with no addition of optical correction; baking the exposed photoresist layer; and developing the baked photoresist layer to form the resist mask of multiple etching. - 特許庁

ＰＥＢで使用するベーク炉では天板の中央に設けられた分散排気孔から排気通路を介して、ウエハの周辺からベーク処理室に入ったドライエアがウエハの中心方向に向かう流れ、およびウエハの中心近傍から周辺部へ向かう流れを形成して、外部に排出される。例文帳に追加

In a bake furnace used for PEB, through an exhaust path from a dispersed exhaust hole provided in the center of the top plate, a flow of dry air, entering a bake processing chamber, from a periphery of the wafer toward the center of the wafer and a flow of dry air from nearby the center of the wafer toward a peripheral part are formed, so that the dry air is exhausted to the outside. - 特許庁

基板上に形成された隔壁により囲まれた凹部に、インクジェット方式によりカラーフィルタ用インクジェットインクの液滴を付与するインク付与工程と、前記液滴を加熱処理するベーク工程と、を含むカラーフィルタの製造方法であって、前記インク付与工程と前記ベーク工程との時間間隔を１分以上とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a color filter includes an ink imparting step of imparting liquid drops of an ink-jet ink for a color filter by an ink-jet system to recessed portions surrounded by barrier walls formed on a substrate, and a baking step of treating the liquid drops, wherein the time interval between the ink imparting step and the baking step is set to one minute or more. - 特許庁

基板１０上のフォトレジスト１１を露光現像して凹凸パターン１２，１３を形成し、ポストベークを行ってフォトレジスト１１をガラス転移点以上とし、ポストベーク工程において、フォトレジスト１１の凹凸パターン１３にレーザ光を照射して、得られる反射回折光を検出して光記録媒体用原盤を製造する。例文帳に追加

The master disk for the optical recording medium is manufacturing by exposing and developing a photoresist 11 on a substrate 11 to form rugged patterns 12 and 13, regulating the photoresist 11 to a glass transition point or above by performing post baking and detecting the reflected and diffracted light obtained by irradiating the rugged patterns 13 of the photoresist 11 with the laser beam in the post baking process step. - 特許庁

半導体ウェーハ接着装置１０のワックス塗布部１５でシリコンウェーハＷの裏面にワックスを塗布（Ｓ１０４）する直前に、プリベーク部１４において、シリコンウェーハＷを所定の温度までプリベーク（Ｓ１０３）し、シリコンウェーハＷの温度、ひいてはシリコンウェーハＷに塗布されるワックスの温度（粘度）を管理する。例文帳に追加

Immediately before applying a wax to the rear surface of a silicon wafer W in a wax application section 15 of a semiconductor wafer bonding device 10 (S104), a prebaking section 14 prebakes the silicon wafer W to a predetermined temperature (S103) to control the temperature of the silicon wafer W, and consequently, control the temperature (viscosity) of the wax to be applied to the silicon wafer W. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、感光性材料の溶液を塗布することにより感光性膜を形成する工程と、前記感光性膜をベークする工程と、前記感光性膜をベークしてから前記感光性膜を露光するまでの時間を用いて、露光条件を定める工程と、前記定められた露光条件で、前記感光性膜にパターンを露光する工程とを具備する。例文帳に追加

The semiconductor device manufacturing method comprises a process for forming a photosensitive film by applying a solution of a photosensitive material, a process for baking the photosensitive film, a process for determining an exposure condition by using time from the baking of the photosensitive film up to the exposure of the photosensitive film, and a process for exposing the photosensitive film with a pattern under the determined exposure condition. - 特許庁

本発明はポリイミド前駆体樹脂のベーク膜の残存溶媒量を、ガスクロ分析を用い、装置のコンディションや装置の種類によらず、高精度かつ再現性良く測定する方法及びポリイミド前駆体樹脂のベーク条件出しを簡易的かつ短時間で可能にする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for highly accurately measuring the amount of residual solvents in the baked membrane of a polyimide precursor resin without good reproducibility through the use of gas chromatography analysis regardless of the conditions of devices or the types of the devices and a method for easily obtaining the baking conditions of the polyamide precursor resin in a short time. - 特許庁

非化学増幅型レジストを塗布することによって基材２にレジスト層４を形成する工程と、レジスト層４を露光する工程と、露光を行った基材２を９０℃以上１３０℃以下の温度でベークする工程と、ベークを行った基材２を現像する工程とを少なくとも含んでレジストパターンを形成する。例文帳に追加

The resist pattern is formed by using at least a pattern for forming a resist layer 4 on a base material 2 by applying the non-chemical amplification type resist, a process for exposing the resist layer 4, a process for baking the exposed base material 2 at 90-130°C temperature, and a process for developing the baked base material 2. - 特許庁

ポリベンゾオキサゾール前駆体と感光性ジアゾキノン化合物からなる感光性樹脂組成物を塗布、プリベーク、露光、現像し、パターンを作成した後、プリベーク温度より高い温度、ただし、最終硬化温度より低い温度にて硬化を行い、その後、エッチングし、感光性樹脂組成物を最終硬化する感光性樹脂組成物の加工方法である。例文帳に追加

In the processing method, a photosensitive resin composition comprising a polybenzoxazole precursor and a photosensitive diazoquinone compound is applied, prebaked, exposed and developed to form a pattern, curing is carried out at a temperature higher than the prebaking temperature and lower than the final curing temperature, and after etching, the photosensitive resin composition is finally cured. - 特許庁

基板処理装置１は、１段目に配置される複数の湿式処理ユニット（洗浄ユニット１０，レジスト塗布ユニット３０）と、湿式処理ユニットの上方に積層される複数の乾式処理ユニット（脱水ベークユニット２０，プリベークユニット４０）と、上下動ロボット２ａ，５１，５２とを備えている。例文帳に追加

A substrate-processing device 1 comprises a plurality of wet-type processing units (a cleaning unit 10 and a resist coating unit 30) provided on a first stage, a plurality of dry-type processing units (a dehydration bake unit 20 and a pre-bake unit 40) laminated above the wet-type processing unit, and vertically-moving robots 2a, 51, and 52. - 特許庁

半導体ウェーハを加熱するホットプレート２を備えたベークユニットと、このベークユニットに交換可能に設けられ処理対象半導体ウェーハ７に塗布された薬液からの昇華物を回収するダミーウェーハ５と、この昇華物を回収したダミーウェーハ５を洗浄して再生するためのクリーニングユニットとを設ける。例文帳に追加

A baking unit equipped with a hot plate 2 which heats a semiconductor wafer, a dummy wafer 7 which recovers sublimates from chemicals applied to a processing target semiconductor wafer 7, and a cleaning unit which cleans the dummy wafer 5 from which sublimates are recovered to recycle it, are provided. - 特許庁

マイクロディラクションのために最適化されたどの検出器の設計も、ベーク能力、直線性、高いダイナミックレンジなどの必要条件を満たさなければならない。例文帳に追加

Any detector design optimized for microdiffraction must meet the requirements of bakeability, linearity, high dynamic range, etc.  - 科学技術論文動詞集

若い松井大輔一人ではこの局面を打開できずエンゲルス監督、そして後任のピム・ファーベーク監督も早々と解任されるなどチームは迷走した。例文帳に追加

Young Daisuke MATSUI was not able to make a breakthrough in this situation by himself, and the fact that manager ENGELS and his successor, manager Pim VERBEEK were dismissed immediately, indicated that the team had strayed.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

このチーズ入りカスタードクリームの製品にホイップさせたメレンゲを混ぜ合わせてチーズケーキの生地を作り、これを焼成することにより、簡単容易にベークドタイプのチーズケーキを造ることができるものである。例文帳に追加

This baked type cheesecake can simply and readily be produced by mixing the cheese-containing custard cream product with meringue to give cheesecake dough and baking the dough. - 特許庁

続いてこの縦型容器内の雰囲気を加熱し、塩化水素ガスとこのガスの反応性を高めるためのガスとを含むベーク用ガスを縦型容器内に供給する。例文帳に追加

Subsequently, the atmosphere of the upright container is heated, and a baking gas containing a hydrogen chloride gas and a gas for improving the reaction of the hydrogen chloride gas is supplied into the upright container. - 特許庁

メラミン樹脂はポストベーク工程の熱によってアルカリ可溶樹脂、モノマーと架橋することで塑性変形量を低減すると共に、形成されるフォトスペーサ−に柔軟性を付与する。例文帳に追加

The melamine resin crosslinks with the alkali-soluble resin and the monomer by the heat of a post-baking step to impart flexibility to formed photo spacers as well as to reduce plastic deformation. - 特許庁

この後に、露光後ベーク工程は、露光された後に、フォトレジスト層上で行われ、現像工程を行うことによってフォトレジスト層のパターニングを完成する。例文帳に追加

Then, the bake process after exposure is performed on the photoresist layer after exposure, and the patterning of the photoresist layer is completed by performing a development process. - 特許庁

塩酸ガスエッチングの後に水素ガス中で１０００〜１１８０℃×３０秒以上の水素ガスベークを行うことにより、塩酸ガスエッチングでエピタキシャル膜に生じたくもりを除去する。例文帳に追加

Cloudiness occurred in the epitaxial film through hydrochloric acid gas etching is removed by performing hydrogen gas baking at 1,000-1,180°C for 30 sec or longer in hydrogen gas following to hydrochloric acid gas etching. - 特許庁

前記樹脂溶液を約１２０℃ないし２５０℃の低い温度でハードベークさせると、前記レゾール分子が相互反応したり、前記レゾール分子及び前記架橋剤が相互反応して硬化樹脂膜を形成する。例文帳に追加

By hard baking the resin solution at a low temperature of about 120°C to 250°C, the molecules of the resol react with each other, or the molecules of the resol react with the crosslinking agent to form the cured resin film. - 特許庁

また、低誘電率膜に吸湿した水分を除去するのに適した製造工程とベークを一貫して行うことで、吸湿量が少ない半導体装置を製造する。例文帳に追加

A semiconductor device with little moisture absorption amount is manufactured, by consistently carrying out a manufacturing process suitable for removing moisture absorbed to the low dielectric film and baking. - 特許庁

半導体基板を熱処理するバッチ式の熱処理装置に用いられる石英製品に含まれる例えばアルミニウム等の金属を除去することの可能な石英製品のベーク方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a baking method of quartz products, which method can remove metals such as aluminum contained in the quartz products used for a batch-type heat treatment apparatus to heat treat semiconductor substrates. - 特許庁

フィルム基板５１にフォトレジストを塗布し、ベークを行ってフォトレジスト層を形成後、アライメントマーク５０１を形成し、配線電源層５０を完成させる。例文帳に追加

After forming a photoresist layer by applying photoresist to the film substrate 51 and baking it, the alignment marks 501 are formed to complete a wiring power supply layer 50. - 特許庁

半導体製造装置の配管経路の全体に亙ってベークアウトに必要な温度まで昇温可能にすると共に、清掃のためのメンテナンス作業を低減し作業効率を向上させる。例文帳に追加

To increase temperature required for bake-out over the entire piping route of a semiconductor manufacturing apparatus, and to improve working efficiency by reducing maintenance work for cleaning. - 特許庁

この基板処理装置に係る現像処理ユニットＤでは、一つのチャンバ５１内で基板Ｗに対する現像処理、洗浄処理、乾燥処理及びベーク処理が行われる。例文帳に追加

In a development processing unit D according to this substrate processing apparatus, the development processing, a cleaning processing, a drying processing and a bake processing to a substrate W are performed within one chamber 51. - 特許庁

溶剤を蒸発させるソフトベークを行った後、酸を拡散し、架橋性樹脂との反応を起こすベーキング処理を行い、硬化層１４を形成する。例文帳に追加

After soft baking for vaporizing a solvent is carried out, a baking process in which acid is diffused to cause reaction with the bridging resin is performed to form a cured layer 14. - 特許庁

レジスト膜１１に対してプリベークを行なう際に、レジスト膜１１におけるアミンの濃度が表面側で低くて基板側で高くなるようにアミン濃度に傾きを持たせる。例文帳に追加

This resist film 11 is prebaked, in such a way that the concentration of the amine is made lower on the surface side and higher on the substrate side. - 特許庁

カセットポート１とスピンコータ３との間にロードロック室２を設け、ベーク炉５で加熱されたウェハをロードロック室２で冷却してから、カセットポート１に搬出する。例文帳に追加

A load lock chamber 2 is provided between a cassette port 1 and a spin coater 3, and a wafer heated in a baking furnace 5 is conveyed to the cassette port 1 after being cooled in the load lock chamber 2. - 特許庁

このため、第１、第２ピエゾアクチュエータ２、３が細線電極１をクランプする際に発生するクランプ力の一部が第１、第２ベークライト１３、２０で吸収される。例文帳に追加

Therefore, clamping force generated when first and second piezo actuators 2, 3 clamp the thin line electrode 1 is partially absorbed by the first and second Bakelites 13, 20. - 特許庁

前処理として酸素原子、水分子を含まないガス雰囲気中で、波長１２０ｎｍ〜１９０ｎｍの紫外線が照射装置１１２によってウエハＷに対して照射され、ウエハＷは１７０℃以上でベークされる。例文帳に追加

An irradiation device 112 irradiates the wafer W with ultraviolet rays having a wavelength of 120-190 nm in a gas atmosphere that does not contain any oxygen atoms and wafer molecules as pretreatment, and the wafer W is baked at temperature of not less than 170°C. - 特許庁

チャンバ内部の温度雰囲気が迅速に形成されると共にウェハのＣＤ均一性を改善することができる半導体デバイス製造のためのベーク装置を提供する。例文帳に追加

To provide a baking apparatus for manufacturing a semiconductor device capable of quickly forming a temperature atmosphere within a chamber and improving the CD uniformity of a wafer. - 特許庁

パターン２を有する熱伝導性基板１に熱重合性組成物を塗布して塗膜３を形成したのち、ベークおよび現像をして被覆パターン７を形成する。例文帳に追加

After forming a coating film 3 by coating thermal polymerization composition on a thermally conductive substrate 1 having a pattern 2, a coated pattern 7 is formed by baking and developing. - 特許庁

アルミニウムホイール用３コート１ベーク仕上げで使用される熱硬化性溶剤型塗料光輝性カラーベース組成物及びそれを用いた塗膜形成方法例文帳に追加

BRIGHT COLOR BASE COMPOSITION FOR THERMOSETTING SOLVENT TYPE COATING USED IN 3-COAT-1-BAKE FINISHING FOR ALUMINUM WHEEL AND COATING FILM FORMING METHOD USING THEREOF - 特許庁

半田１３ａの融点よりも高い温度でベーク処理を行って、半田１３ａが溶融した状態で封止用樹脂を硬化させて封止樹脂部５ａを形成する。例文帳に追加

Baking processing is performed at a temperature higher than the melting point of solder 13a, the resin for sealing is cured in the melting state of the solder 13a, and a sealing resin section 5a is formed. - 特許庁

成形された生地小片をベークしまたはフライにすることで、中空、格子、螺旋、または渦巻き形状などのパスタ形状の成形チーズクラッカーまたはスナックが得られる。例文帳に追加

The small pieces of the shaped dough are baked or fried, to form hollow, lattice, spiral or pasta-shaped cheese crackers or snacks. - 特許庁

シリコンウェーハの表面処理方法及び半導体ウェーハにおいて、水素ベークの低温化を行っても十分に自然酸化膜や有機物を除去すること。例文帳に追加

To enough remove a natural oxidation film or organic matters, even in a process of treating the surface of a silicon wafer and hydrogen-baking a semiconductor wafer at a lowered temperature. - 特許庁

第２のレジスト層を適切にベークすることによって、対称アライメントマークを第２のレジスト層内に、第１のレジスト層内のアライメントマークからのオフセットエラーなく、またはほとんどなく形成する。例文帳に追加

The second resist layer is suitably baked to form a symmetrical alignment mark in the second resist layer without or substantially without an offset error from the alignment mark in the first resist layer. - 特許庁

素子分離溝３中の少なくとも一部に塗布法により塗膜４ｃを埋込み、当該塗膜４ｃをベークすることで膜中の溶媒を蒸散させてポリシラザン膜４ｄを形成する。例文帳に追加

A coating film 4c is embedded in at least part of an element isolation oxide film 3 by a coating method, the coating film 4c is baked to evaporate a solvent in the film and form a polysilazane film 4d. - 特許庁

印刷適性に大きな影響を与えることなく、ポストベーク時の熱架橋により凝集力と硬化性を向上でき、密着性とＰＣＴ耐性に優れたブラックマトリックス用着色組成物の提供。例文帳に追加

To provide a color composition for a black matrix capable of improving cohesion and curability upon heat crosslinking in post-baking without considerably affecting printability, and excellent in adhesion and PCT resistance. - 特許庁

フォトレジスト層１の表面に導電皮膜６を形成する前に、フォトレジストの現像・洗浄後にベークを行わず、その後、窒素またはアルゴンガスといった不活性ガス中で紫外線照射を行う。例文帳に追加

Before forming a conductive film 6 on a surface of a photoresist layer 1, a post-exposure/cleaning baking for the photoresist layer 1 is not performed, then, a ultraviolet ray irradiation is performed in an inactive gas such as a nitrogen gas or an argon gas. - 特許庁

洗浄加熱ブロック１０は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、第１および第２のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２および載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢを含む。例文帳に追加

The cleaning/heating block 10 includes cleaning/drying treatment units SD1 and SD2, substrate mounting portions PASS1 and PASS2, first and second center robots CR1 and CR2, and a mounting and baking unit P-PEB. - 特許庁

前記加工ステーションの一つで前記処理加工部に液状物をポッティングして被着させ、その後の加工ステーションで前記液状物をベークして硬化させる。例文帳に追加

A liquid-like object is deposited on the processing section by potting at one of the machining stations, and the liquid-like object is baked for curing at the succeeding machining stations. - 特許庁

また、試料１の上方には、ベークライトにホルマール線を使用し、Ｈｙコイル上に直交してＨｘコイルを巻いたＨコイル５が配置される。例文帳に追加

An H-coil 5 wound with an Hx-coil orthogonally on an Hy-coil using the formal wire on Bakelite (R) is arranged in an upper side of the sample. - 特許庁

電極基板１，２のうち一方の電極基板上にスクリーン印刷またはディスペンサによってシールパターンを形成し、プリベーク（８０〜１００℃で１０〜３０分間加熱）によって溶剤を乾燥させる。例文帳に追加

A seal pattern is formed on one electrode substrate out of electrode substrates 1, 2 by screen-printing or dispensing and the solvent is dried up by pre-baking (heating at 80-100°C for 10-30 minutes). - 特許庁

ベークド物品は、３０ｇ単位当たり、少なくとも約４ｇのタンパク質含量、少なくとも約４ｇの繊維含量、および少なくとも約４ｇの全粒粉含量を有することができる。例文帳に追加

The baked goods may have a protein content of at least about 4 g, a fiber content of at least about 4 g, and a whole grain flour content of at least about 4 g per 30 g serving. - 特許庁