「埋積層」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明に係る電動機の回転子では、磁石４を埋め込まれた積層鉄心３を挟み込んでいる片方のエンドプレート２０が、樹脂製の終端リング９と金属製の終端リング１０とによる一体構造を有していることである。例文帳に追加

In the rotor for a motor, one end plate 20 interposing a stacked iron core 3 with a magnet 4 embedded therein has an integrated structure with a resinous end ring 9 and a metallic end ring 10. - 特許庁

半導体チップの上面に接続されたボンディングワイヤーの一部が接着テープ内に埋め込まれたときに、接着テープ内のワイヤーの周囲における空隙の形成を抑制することができる半導体チップ積層体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor chip laminate capable of preventing gap formation around bonding wires in an adhesive tape when one part of the bonding wire connected to the top surface of a semiconductor chip is embedded in the adhesive tape. - 特許庁

蛇行状もしくは渦巻き状に形成された不平衡コイルパターン２２と、それを挾むように誘電体材料を介して位置する第１及び第２の平衡コイルパターン２６，３０とが、誘電体材料中に積層埋設されている構造である。例文帳に追加

An unbalanced coil pattern 22 formed in meandering or spiral state and first and second balanced coil patterns 26 and 30 sandwiching it with a dielectric material interposed are stacked and buried in a dielectric material. - 特許庁

次に、クラッド箔１０と内層材４０との間に、チップ２０及び熱硬化性樹脂部材（プリプレグ）３０を介在させ、クラッド箔１０と内層材４０とを加熱しつつ加圧して、プリプレグ３０内にチップ２０を埋設して積層する。例文帳に追加

Next, with the chip 20 and a thermosetting resin member (prepreg) 30 interposed between the clad foil 10 and an inner layer material 40, the clad foil 10 and the inner layer material 40 are pressurized by heating to embed and stack the chip 20 inside the prepreg 30. - 特許庁

層間の配線パタ−ン相互の導通を図る為に形成されるインナ−・ビアホ−ル等の空隙が内層回路基板に形成される場合でも、その空隙に対して樹脂埋めを行うことなく外層基板を好適に積層処理可能な多層回路基板の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a multilayer circuit board, by which outer layer boards can be properly laminated without filling gaps such as inner via holes, etc., formed in inner layer circuit boards in order to have the interlayer electrical continuities between wiring patterns with resin. - 特許庁

本体ブロックと接続ブロックとが積層され同軸プローブとグラウンドプローブとが埋設され取付台に取付けられるポゴピンブロックであって、前記接続ブロックが絶縁材で構成されたことを特徴とする半導体テスタのポゴピンブロックである。例文帳に追加

In the pogo pin block of the semiconductor tester, a body block and a connection block are stacked, coaxial probes and ground probes are embedded and attached to an attachment platform, and the connection block comprises an insulator. - 特許庁

半導体内蔵基板１００は、基材１１０上に積層された樹脂層１２０内の導電パターン１１２ｂの上方に半導体装置４０が埋設配置されたものであり、セラミックバリスタ３が、半導体装置４０の周囲に同芯状に設けられている。例文帳に追加

A semiconductor built-in board 100 is such that a semiconductor device 40 is embedded in an upper part of a conductive pattern 112b inside a resin layer 120 stacked on a substrate 110 and the ceramic varistor 3 is disposed concentrically around the semiconductor device 40. - 特許庁

スピーカ付基板１は、パターニングが施された熱可塑性フィルムを複数積層して形成される多層プリント配線基板部３を備え、この多層プリント配線基板部３の内部にスピーカ４、通信手段５、駆動制御手段６を埋設した構成である。例文帳に追加

A substrate 1 with a speaker is provided with a multilayer printed wiring board part 3 formed by laminating a plurality of thermoplastic films to which patterning is applied, and a speaker 4, a communication means 5 and a drive control means 6 are buried within the multilayer printed wiring board part 3. - 特許庁

樹脂成形品は、塩素を含む第１樹脂材１（一般的にはＰＶＣ製）と、第１樹脂材１の裏側に積層された第２樹脂材２とを備えており、第２樹脂材２には、塩素と反応して中和する薬剤が埋設されている。例文帳に追加

The resin molded article has a first resin material containing chlorine (generally made of PVC) and the second resin material 2 laminated to the rear surface of the first resin material 1 and a chemical agent reacting with chlorine to neutralize the same is embedded in the second resin material 2. - 特許庁

複数の半導体チップ１０をそれぞれの貫通電極１３を接続しつつ積載し、積載された複数の半導体チップの周囲を覆うと共に該半導体チップ間の隙間を埋める第１の封止樹脂層１４を形成することでチップ積層体を作成する。例文帳に追加

A chip laminate is created by stacking a plurality of semiconductor chips 10 while connecting respective through electrodes 13 of the semiconductor chips 10 to each other, and forming a first sealing resin layer 14 for covering the periphery of the plurality of stacked semiconductor chips, and filling gaps between the semiconductor chips. - 特許庁

凸状の半導体積層構造からなる光導波路構造と、前記光導波路構造を埋め込み、前記光導波路構造の頂上に達する複数の開口部を有する有機絶縁体と、前記複数の開口部に形成された電極を具備すること。例文帳に追加

The optical semiconductor device includes; an optical waveguide structure consisting of a projection-shaped semiconductor laminate structure; the organic insulator embedding the optical waveguide structure and having a plurality of opening parts reaching the top of the optical waveguide structure; and an electrode formed in a plurality of opening parts. - 特許庁

キャパシタＣＡＰは、下部電極４０、キャパシタ誘電体膜４１、上部電極４２を積層させた構造を有し、読み出しおよび書き込みトランジスタを埋め込んだ層間絶縁膜６上（または、さらに上層の層間絶縁膜上）に形成されている。例文帳に追加

The capacitor CAP has a multilayer structure of a lower electrode 40, a capacitor dielectric film 41, and an upper electrode 42 formed on an interlayer insulating film 6 (or further on the upper interlayer insulating film) embedded with the read and write transistors. - 特許庁

太陽電池モジュール１は、太陽電池モジュール用中間膜２と、太陽電池モジュール用中間膜２の表面に積層されているか、又は太陽電池モジュール用中間膜２内に埋め込まれている光電変換素子５とを備える。例文帳に追加

The solar cell module 1 has the intermediate layer 2 for the solar cell module, and photoelectric conversion elements 5 which are laminated on the surface of or buried in the intermediate layer 2 for the solar cell module. - 特許庁

多孔質金属板１１の厚み方向の一部のみが燃料極層３に埋め込まれている場合は、多孔質金属板１１の燃料極層３外に露出した部分を、燃料極層３の上に積層する燃料極集電体の少なくとも一部として利用する。例文帳に追加

When a part of the porous metal plate 11 only in the thickness direction is buried in the fuel electrode layer 3, a part of the porous metal plate 11 exposed outside the fuel electrode layer 3 is utilized as at least a part of a fuel electrode collector laminated on the fuel electrode layer 3. - 特許庁

窒化物半導体素子の製造方法は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板に窒化物半導体薄膜を積層し、凹部の断面積に対して、凹部に埋め込まれた窒化物半導体薄膜の占める断面積の割合を０．８以下とする。例文帳に追加

The nitride semiconductor device manufacturing method laminates a nitride semiconductor thin film on a processed substrate having a dug-out region, or a recess, wherein the ratio of the cross-sectional area of a nitride semiconductor thin film embedded into the recess is ≤0.8 relative to the cross-sectional area of the recess. - 特許庁

絶縁性埋め込み部材５を第１基板１と第２基板２とで挟み込むようにして、層間接続部材４の他方の配線回路２４に導電性ペースト１４Ａを接触させて第２基板２を積層した後、これらを加熱圧着する。例文帳に追加

The conductive paste 14A is brought into contact with another wiring circuit 24 of the interlayer-connecting member 4 to laminate the second substrate 2, in such manner as to sandwich the insulating embedded member 5 with the first substrate 1 and the second substrate 2; and thereafter, the elements are compressively bonded. - 特許庁

透湿防水フィルム５に不織布層６が積層された一対のキャッピングシート４の端縁同士を重ね合わせて接合するに際し、下記（ａ）あるいは（ｂ）の方法により不織布層の空隙を埋めた後に、接合する。例文帳に追加

When end edges of a pair of capping sheets 4 each formed by layering nonwoven fabric layers 6 on a moisture permeation waterproof film 5 are superimposed on and joined to each other, the gap of the nonwoven fabric layers is buried by a method of the following (a) or (b) and then the end edges are joined. - 特許庁

貫通ホール１７の内面上には、膜厚が４ｎｍ以上である電極側絶縁膜２５と、電荷蓄積膜２６と、膜厚が４ｎｍ以上である半導体側絶縁膜２７とがこの順に積層されており、貫通ホール１７の内部にはシリコンピラーＳＰが埋設されている。例文帳に追加

An electrode side insulating film 25 having a film thickness of not less than 4 nm, a charge storage film 26, and a semiconductor side insulating film 27 having a film thickness of not less than 4 nm are laminated in this order on an inner surface of the through-hole 17, and a silicon pillar SP is embedded inside the through-hole 17. - 特許庁

プリント配線基板の小径化、薄型化、高アスペクト比化に対応し、貫通孔内のめっき埋め込み性に優れ、長期接続信頼性に優れたプリント配線基板用の積層板とその製造方法および半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a laminated board for a printed-wiring board having an excellent plating burying property in a through-hole and having a superior long-term connection reliability in response to the reduction of the diameter, the thinning and aspect ratio enhancing of the printed-wiring board, and also to provide the method of manufacturing the laminated board for the printed-wiring board and a semiconductor device. - 特許庁

本発明は、充填材層２，４に埋設された太陽電池素子３の背面側に配設される太陽電池モジュール用バックシート５であって、太陽電池素子３側から発泡性樹脂層５１と耐加水分解性樹脂層５２が順次積層されていることを特徴とする。例文帳に追加

The back sheet 5 for a solar cell module is located on the back surface side of a solar cell element 3 buried in a filler layer 2, 4, and includes a laminate of a foaming resin layer 51 and a hydrolysis-resistant resin layer 52 laid sequentially from the side of the solar cell element 3. - 特許庁

積層体等で被覆したコンクリート構造物において、コンクリートに埋設されている鋼材に電気防食を施してもブロッキング現象が生じ電極から電流が流れなくなり、適正な防食電流が供給できなくなる。例文帳に追加

To solve a problem that in a concrete structure coated with laminates, an adequate protection current cannot be supplied though the buried steel materials in the concrete is cathodically protected, because a blocking phenomenon occurs and the current does not flow from the electrode. - 特許庁

面状の光源を形成するために、複数の高輝度ＬＥＤ１ａ〜１ｄをＬＥＤ実装基板２に実装し、これと階層状に積層されたＬＥＤ実装基板１０には複数の表面実装ＬＥＤ１１を高輝度ＬＥＤの非発光部分を埋めるように配置して実装する。例文帳に追加

In order to form the planar light source, a plurality of high luminance LEDs 1a-1d are mounted on an LED mounting substrate 2, and a plurality of surface mounted LEDs 11 are arranged on an LED mounting substrate 10 hierarchically laminated on the substrate 2 so as to fill the non light emitting part of the high luminance LEDs. - 特許庁

コグドＶベルト１は、内周側の圧縮ゴム層２と、外周側の伸張ゴム層５と、両ゴム層２，５間に接着ゴム層８を積層した構成を有し、該接着ゴム層８にはベルト長手方向に伸延した心線９が埋設されている。例文帳に追加

A cogged V belt 1 has a configuration constituted by laminating a compressed rubber layer 2 on an inner peripheral side, an extended rubber layer 5 on an outer peripheral side, and a bonded rubber layer 8 between both rubber layers 2 and 5, and a core wire 9 extended in the longitudinal direction of the belt is buried in the bonded rubber layer 8. - 特許庁

Ｖベルト１は、内周側の圧縮ゴム層２と、外周側の伸張ゴム層５と、両ゴム層２，５間に接着ゴム層８を積層した構成を有し、該接着ゴム層８にはベルト長手方向に伸延した心線９が埋設されている。例文帳に追加

The V-belt 1 has a configuration constituted by laminating a compressed rubber layer 2 on an inner peripheral side, an extended rubber layer 5 on an outer peripheral side, and a bonded rubber layer 8 between both rubber layers 2 and 5, and a core wire 9 extended in the longitudinal direction of the belt is buried in the bonded rubber layer 8. - 特許庁

シリコン基板１上にパッド酸化膜９、ＳｉＮ膜１０を積層し、素子分離用溝（ＳＴＩ）６を形成した後、ＳＴＩ６内およびシリコン基板１表面に埋め込み酸化膜８を堆積させ、さらに全面を被覆する耐腐食層（ポリシリコン層）１２を形成する。例文帳に追加

In this manufacturing method, a pad oxide film 9 and a SiN film 10 are stacked on a silicon substrate 1, an element isolation groove (STI) 6 is formed, an embedded oxide film 8 is stacked in STI 6 and on the surface of the silicon substrate 1, and a corrosion-resistant layer (polysilicon layer) 12 covering the whole face is formed. - 特許庁

本発明の窒化物半導体素子及びその製造方法は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板に窒化物半導体薄膜を積層し、凹部の断面積に対して、凹部に埋め込まれた窒化物半導体薄膜の占める断面積の割合を０．８以下とする。例文帳に追加

The nitride semiconductor element is constituted by laminating a nitride semiconductor film on a processing substrate including an embedded region consisting of a recess such that a ratio in a cross-sectional area occupied by the nitride semiconductor film embedded in the recess is ≤0.8 of a cross-sectional area of the recess. - 特許庁

液晶装置等の電気光学装置において、配線等を基板等の上に形成された溝内に埋め込む場合、該溝が形成されている部分及びそうでない部分の上に形成される積層構造物等に不具合を生じさせない。例文帳に追加

To cause no troubles in laminated structures formed on a part where a groove is formed and on the other part where no groove is formed when wiring is buried in the groove formed on the substrate etc., as to an electrooptical device such as a liquid crystal device. - 特許庁

配線用積層膜１０５の上に第１の層間絶縁膜１０６を形成した後、該第１の層間絶縁膜１０６に対して選択的にエッチングを行なって第１のプラグ用開口を形成し、その後、第１のプラグ用開口に第１の導電膜を埋め込んで第１の接続プラグ１１０を形成する。例文帳に追加

After having formed a first interlayer insulating film 106 on a laminated layer 105 for wiring, a first opening for plugs is formed by selectively etching the first interlayer insulating film 106, and a first contact plug 110 is formed subsequently by burying a first conductive film in the first opening for plugs. - 特許庁

本発明は、薄いセラミックグリーンシートを用いてもショート率の悪化・絶縁耐圧の低下を抑制できる電極埋め込みセラミックグリーンシートとその製造方法並びにそれを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide an electrode-embedded ceramics green sheet that can prevent rate of short-circuiting to decrease or the withstand voltage to decrease through thin ceramics green sheets, a method for manufacturing this ceramics green sheet, and a method for manufacturing a laminated ceramics capacitor which uses this ceramics green sheet. - 特許庁

予めパターニングされた金属板からなり、誘電体チップ２に埋め込んで、または誘電体チップの表面に積層して設けられるアンテナ導体１と、このアンテナ導体の互いに異なる部位からそれぞれ導出されて誘電体チップ２から突出する複数の端子３とを備える。例文帳に追加

A chip antenna is equipped with an antenna conductor 1, which is formed of a previously patterned metal plate and embedded in a dielectric chip 2 or laminated on the surface of the dielectric chip 2, and a plurality of terminals 3 which are extracted out from the different parts of the antenna conductor 1 and protrude from the dielectric chip 2. - 特許庁

熱伝導率の高いコア材を用いる放熱性に優れたプリント配線板において、信号回路層とコア材との積層及びコア材の貫通穴の穴埋めを一括して行う際に、接着部材を薄くし、厚さ方向の放熱性を改善する。例文帳に追加

To enhance the heat dissipation property in the thickness direction of a printed wiring board which uses a high thermal conductivity core material and is superior in heat dissipation, by reducing the thickness of an adhesion member when laminating signal circuit layers and the core material, and filling the through-hole of the core material collectively. - 特許庁

治具板片１６…を板厚方向へ積層して、エポキシ液状樹脂材を充填する型枠を兼ねた治具を形成し、硬化した基材樹脂塊から第２金属接続体を等間隔で埋設するセンサ基材が切り出される。例文帳に追加

The repairing tool plate pieces 16 are laminated in the direction of plate thickness so that a repairing tool to be used also as a framework filled with epoxy liquid-like resin materials can be formed, and a sensor base material in which second metallic connectors are embedded with equal intervals is segmented from a hardened base material resin lump. - 特許庁

ベルト長手方向に沿って心線を埋設したゴム層と、該ゴム層に隣接してベルトの長手方向に延びるリブ部もしくはベルト長手方向に所定間隔で設けたコグ部からなる型付部を有する圧縮ゴム層とを積層した伝動ベルトの製造方法である。例文帳に追加

The transmission belt is composed by laminating a rubber layer containing core wires embedded along the belt length, and a compression rubber layer having a molded part adjoining the rubber layer, comprising rib parts extended along the belt length or cog parts provided at a prescribed interval along the belt length laminated with it. - 特許庁

本発明による 極微小光導波路は、金属基板中に部分的に埋め込まれ、光の波長以下の幅と高さを有する酸化膜よりなるとともに、金属基板がチタン、アルミニウム、銀等の異種金属の複合積層膜より形成されることを特徴とする。例文帳に追加

The extremely small optical waveguide is formed of an oxide film which is partially buried in a metallic substrate and has a width and a height equal to or less than the wavelength of light and is characterized by that the metallic substrate is formed of a composite laminated film of different kinds of metals such as titanium, aluminum, and silver. - 特許庁

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a silicon epitaxial wafer, which is capable of efficiently producing the epitaxial wafer in which plural epitaxial layers are stacked through buried ion implanted layers and by which the silicon epitaxial wafer small in diffusion of the formed ion implanted layers in the lateral direction can be obtained. - 特許庁

ここで、回路基板１０を回路基板６に圧着することにより、導電部８ａは導電部５ａとともに絶縁層３内に積層して埋設され、導電部８ａと導電部５ａとは絶縁層３内で接続部１１を形成し、回路基板１０と回路基板６とを電気的に接続している。例文帳に追加

Here, by press-fitting the circuit board 10 to the circuit board 6, the conduction part 8a is laminated and embedded in the insulating layer 3 together with the conduction part 5a, and a connection part 11 is formed in the insulating layer 3 by the conduction part 8a and the conduction part 5a, to electrically connect the circuit board 10 and the circuit board 6. - 特許庁

超音波プローブ１１に内蔵された超音波トランスデューサ３１には、常温接合を応用した技術を用いて作製され、薄膜パターン５２が積層されてなる３次元構造体５１と、３次元構造体５１が埋設される母材５０とからなる音響整合層４２が具備されている。例文帳に追加

An ultrasonic transducer 31 built in an ultrasonic probe 11 includes the acoustic matching layer 42 composed of: a three-dimensional structure 51 which is produced using technology obtained by adapting normal temperature junction and in which thin film patterns 52 are laminated; and a base material 50 in which the three-dimensional structure 51 is embedded. - 特許庁

具体的には、配線構造層９０に積層される各Ａｌ層９４，９８，１０２の下の層間絶縁膜９２，９６，１００に受光部４の外周に沿ってトレンチ１３４を形成し、これらトレンチに各Ａｌ層を埋め込んで、周に沿って延在するプラグ１３６を形成する。例文帳に追加

In more detail, trenches 134 are formed along the external periphery of the light-receiving section 4 on interlayer insulating films 92, 96 and 100 below Al layers 94, 98 and 102 laminated on the wiring structure layer 90, the Al layers are embedded in the trenches to form a plug 136 extending along the periphery. - 特許庁

硬化作業性の良い硬化性重合体組成物を提供すること、及び電気絶縁性、耐薬品性、耐熱性及び密着性に優れ、且つ該硬化性重合体組成物の硬化物がスルーホールやビアホールなどの凹部に空隙なく埋め込まれた（すなわち、積層性に優れた）多層回路基板を提供する。例文帳に追加

To obtain a curable polymer composition having excellent curing workability and to provide a multilayer printed circuit board having excellent electrical insulating properties, chemical resistance, heat resistance and adhesivity in which a cured material of the curable polymer composition is embedded in recessed parts such as through hole and via hole (namely, excellent lamination). - 特許庁

撚りを付与する対象に対して接触する表面ゴム層２と、基布としての第一基布３と、芯線４が埋設された補強ゴム層５と、他の基布としての第二基布６と、エラストマー層７と、を外周側からこの順に積層して成る。例文帳に追加

The twister belt is obtained by laminating a surface rubber layer 2 contacting an object to be twisted; a first base fabric 3 as a base fabric; a reinforcing rubber layer 5 embedding core wires 4; a second base fabric 6 as another base fabric; and an elastomer layer 7 in the order from the outer peripheral side. - 特許庁

ｎ型不純物を含むＧａＮの基板６の表面に、ｎ型不純物を含むＧａＮの基層８と、ｐ型不純物を含むＡｌＧａＮの埋め込み層１０と、アンドープドＡｌＧａＮの被覆層９と、基層８と同一材料の表面層２５を順に積層する。例文帳に追加

A base layer 8 of GaN containing n-type impurities, an embedding layer 10 of AlGaN containing p-type impurities, a coating layer 9 of undoped AlGaN and a surface layer 25 of a material same as that of the base layer 8 are laminated sequentially on the surface of the substrate 6 of GaN containing n-type impurities. - 特許庁

独立気泡体１５は、吸音性衝撃吸収体１０の厚み方向を高さ方向とするリブ形状や柱状として、吸音性衝撃吸収体１０の片面１０Ａにおける３５〜６５％の部分に、埋設や積層によって設けるのが好ましい。例文帳に追加

The closed-cell foam objects 15 are formed as rib shapes or columnar forms by determining the thickness direction of the sound absorptive impact absorber 10 as a height direction and is preferably provided by embedment or lamination in the portions of 35 to 65% on one side 10A of the sound absorptive impact absorber 10. - 特許庁

ｐ型基層１０２と埋め込み絶縁層１０４と活性層１０６が積層されているＳＯＩ基板１００の活性層１０６の一部に素子領域１２２が形成されており、素子領域を一巡する素子領域分離用絶縁壁１２４が形成されている。例文帳に追加

An element area 122 is formed in a part of the active layer 106 of an SOI substrate 100 wherein a p-type base layer 102, an embedded insulating layer 104, and an active layer 106 are stacked, and an element area isolation insulating wall 124 is formed around the element area. - 特許庁

またＣｕ層／Ｃｕ合金層／Ｃｕメッキ埋め込み層の成膜時の基板温度は何れも室温で行うことで、各積層間の密着性は十分な強度をもつものとなり、次工程のＣＭＰによる平面化処理を実施することができる。例文帳に追加

Furthermore, when a film of Cu layer/Cu alloy layer/Cu plated buried layer 6 is formed, by conducting this at a room temperature, with the result that a close adhesion between the respective laminated layers have full strength, and a leveling process by a CMP in a next step can be executed. - 特許庁

板状多孔質セラミックス抵抗発熱層１１と、板状多孔質セラミックス補強層１２との積層構造物であり、該補強層に、該抵抗発熱層の表面が露出する温度検出素子埋設用の穴を設けた加熱体１０。例文帳に追加

The heating body 10 is a laminated structure of a plate-shaped porous ceramic heating resistor 11 and a plate-shaped porous ceramic reinforcing layer 12, and a hole, in which a temperature detection element is inserted, and on which the surface of the heating resistor layer is exposed, is formed on the reinforcing layer. - 特許庁