「埋積層」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

表面に配線部が形成された配線基板をベース基板とし、ベース基板の配線部が形成された表面上に、更に、配線層１層毎に絶縁層を介して、配線層を１層以上積層して形成した配線基板であって、前記絶縁層に形成されたビアが、導体層で埋め込まれている。例文帳に追加

A via formed on the insulating layer is filled with a conductor layer. - 特許庁

そして、同電位となるセグメント２６ｂを短絡する短絡部材３１ａ〜３１ｈが積層された状態で埋め込まれた樹脂モールド２０が、前記電機子コア２１の中心孔２４に圧入固定されることにより、軸方向の範囲Ｘ内に収容された。例文帳に追加

A resin mold 20 where shorting members 31a-31h that short the segment 26b of the same potential are laminated and embedded, is housed in a range X in axial direction by press-fitting to a center hole 24 of the armature core 21. - 特許庁

心線が埋設された接着ゴム層２のベルト内面側にリブゴム層４が積層されたＶリブドベルトにおいて、クラックないし摩耗の進行程度に応じてベルトを交換する際に、適正な交換時期を判りやすくできるようにする。例文帳に追加

To easily judge appropriate replacing time for replacing a belt in accordance with the degree of progress of cracks and abrasion for a V ribbed belt in which a rib rubber layer 4 is laminated on a belt inner surface side of a bonding rubber layer 2 with a core wire embedded in it. - 特許庁

第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、種結晶上に、第２の条件により種結晶の混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。例文帳に追加

After a seed crystal including high-crystallinity mixed phase grains at low grain density is formed under a first condition, the mixed phase grains of the seed crystal are grown under a second condition on the seed crystal, thereby stacking a microcrystalline semiconductor film on the seed crystal so as to fill the space between the mixed phase grains. - 特許庁

樹脂管本体１の軸線方向に沿って導電線３を配設し、前記樹脂管本体の外周に押出成形により被覆管２を溶融積層し、この被覆管２により前記樹脂管本体と前記導電線とを保護する配管埋設用樹脂管。例文帳に追加

The resin pipe as a buried pipe wherein an electrical wire is arranged along the axis of the resin pipe body 1, a covering pipe is fusion- laminated on the periphery of the resin pipe body by extrusion molding, and the resin pipe body and the electrical wire are protected by the covering pipe 2. - 特許庁

無端キャリアの長手方向に、摺動可能であるとともに互いに接するように多数のブロックを係合してなる高負荷伝動ベルトにおいて、無端キャリアは樹脂材２ｃ中に心線２ｄをスパイラル状に埋設したバンドＢを複数枚積層した構成からなる。例文帳に追加

In this heavy load driving belt constituted by engaging many blocks so as to be slidable and to contact one another in the longitudinal direction of the endless carrier, the endless carrier is constituted by laminating plural sheets of bands B spirally embedding a core wire 2d in a resin material 2c. - 特許庁

走査線とゲート絶縁層と半導体層との積層よりなる多層膜パターンを形成し、多層膜パターン間を感光性無機絶縁層で埋めて走査線の側面を絶縁化することで、走査線と半導体層の同時形成を行うことができ、３枚マスク・プロセスを実現する。例文帳に追加

Multilayer film patterns comprising the laminate of a scan line, a gate insulating layer, and a semiconductor layer is formed, and spaces between multilayer film patterns are filled with a photosensitive inorganic insulating layer to insulate side faces of the scan line, whereby simultaneous formation of the scan line and the semiconductor layer is made possible to achieve the 3-mask process. - 特許庁

または、ＰＤＰにおいて、蛍光体層の一部分が蛍光体粒子と前記蛍光体粒子間の空隙部分を埋める無機バインダーにより形成される第一層と、一部分が蛍光体粒子により形成される第二層が順次積層されているものとする。例文帳に追加

In the PDP, a first layer where the partial part of the phosphor layer is formed with the phosphor particles and the inorganic binder infilling the void parts among the phosphor particles, and a second layer where a partial part thereof is formed with the phosphor particles are sequentially stacked. - 特許庁

複数枚の繊維強化樹脂シート２の積層体からなり、繊維強化樹脂シートのマトリックス樹脂に熱可塑性樹脂を用い、該マトリックス樹脂中に補強繊維のシート状基材を埋設したハードディスク１を成型する。例文帳に追加

The hard disk 1 consisting of a laminated body of a plurality of fiber reinforced resin sheets 2 is formed by using a thermoplastic resin for the matrix resin of the fiber reinforced resin sheets and by embedding the sheet base material of the reinforcing fiber in the matrix resin. - 特許庁

シリコン基板上に積層した絶縁膜１２にプラグ１６を形成するべく、プラグ１６を埋め込むためのホール１３およびこれと位置合わせするためのアライメントマーク１４を、その深さが絶縁膜１２の膜厚Ｔ１２と等しくなるようにエッチング形成する。例文帳に追加

A hole 13 for burying the plug 16 and an alignment mark 14 for alining with the hole 13 are subjected to etching to form a plug 16 in an insulating film 12 laminated on a silicon substrate, so that the depth is equal to the thickness T12 of the insulating film 12. - 特許庁

とくに捲回体における積層構造の電極１が、多孔質集電体１０の中心から集電体厚さの２０〜９０％の部分に隙間１００を有し、その他の部分にシート状合剤層１１ａ，１１ｂが埋設されている上記構成の電池。例文帳に追加

Especially, the electrode 1 of the laminated structure in the wound body has the gap 100 at a part of 20-90% of the thickness of the current collector from the center of the porous current collector 10, and the sheet-formed mixture layers 11a, 11b are embedded into other parts. - 特許庁

また、振動吸収体を用いた側溝の埋設方法は、振動吸収性能に優れたゴム、プラスチックスと発泡材とを積層してなる振動吸収体を形成し、前記振動吸収体を側溝の外側に配設することを特徴とする。例文帳に追加

In a burying method of a gutter using the vibration absorber, the vibration absorber is formed by laminating the rubber and the plastics 1 which are excellent in vibration absorbing performance, and the foamed material 2, and the vibration absorber is arranged outside the gutter. - 特許庁

固定子１の内側に回転子２を備えた永久磁石電動機において、回転子２は、永久磁石３を埋め込む孔を形成し、この永久磁石３の磁束を方向を指定するためのフラックスガイド６の孔を形成したコアシートを多数枚積層してなる。例文帳に追加

In a permanent magnet electric motor with a rotor 2 inside a stator 1, the rotor 2 is formed by laminating a number of core sheets while forming a hole for burying a permanent magnet 3, and by forming the hole of a flux guide 6 for specifying the direction of the magnetic flux of the permanent magnet 3. - 特許庁

突起構造を絶縁樹脂に埋め込むようにして配線層、絶縁樹脂および半導体素子を積層した半導体モジュールにおいて、半導体素子の電極にダメージを与えるおそれを低減し、かつ突起構造と半導体素子の電極との接続信頼性を向上させる。例文帳に追加

To reduce possibility of giving damage to an electrode of a semiconductor element and to improve reliability of connection between a projected structure and the electrode of semiconductor element in a semiconductor module in which a wiring layer, an insulating resin, and a semiconductor element are laminated in such a manner as burying the projected structure in the insulating resin. - 特許庁

各パッケージ内に埋設された高周波信号用及び電源／制御用信号の各線路５，８の各パッド及びグランドパッドは、積層される各パッケージ１の対向面に配設されており、それぞれ対応する各パッドは、金バンプ６により接合される。例文帳に追加

Respective pads and ground pads of lines 5 and 8 for a high frequency signal a and a power/control signal which are embedded in each package are arranged on the opposite surface of the stacked package and respective corresponding pads are joined by gold bumps 6. - 特許庁

セラミックシートにビア２３，２７，３１，３５を設け、該ビアを介して上下の内部電極間を接続した積層チップ部品において、前記ビアを受ける内部電極側の電極２４，２８，３２，３６の幅を、前記ビアを埋める内部電極２２，２６，３０，３４の電極幅よりも狭幅とした。例文帳に追加

In the laminated chip part where vias 23, 27, 31 and 35 are provided on a ceramic sheet and upper and lower inside electrodes are connected through the vias, widths of electrodes 24, 28, 32 and 36 of an inside electrode side receiving the vias are narrower than electrode widths of the inside electrodes 22, 26, 30 and 34 embedding the vias. - 特許庁

電池内部の積層極板群または巻廻極板群において、正極板１と負極板２の対向していない部分を粒子４で埋め、その部分の反応性を低下させ、この部分においてのリチウムのデンドライトの発生を抑制し、安全性を向上する。例文帳に追加

In the laminated electrode groups or the wound electrode groups, safety is improved by filling a portion, which a positive-electrode board 1 and a negative-electrode board 2 are not counterposed, with particles 4, by reducing reactivity of the portion, and by suppressing generating of dendrite of lithium in this portion. - 特許庁

略黒色に着色された着色層を含む少なくとも１層以上の基材上に、押し出しラミネート透明樹脂を積層してグリッターを埋設してなり、前記着色層を介して前記グリッターが観察側から視認可能な光輝性を有することを特徴とする。例文帳に追加

The decorative sheet is produced by laminating an extrusion laminate transparent resin on a substrate composed of at least one or more layers containing a nearly black colored layer and embedding a glitter in the transparent resin, and the glitter has brightness allowing visual recognition from the observer side through the colored layer. - 特許庁

建物の外板となる外装板１１、断熱材１２及び補強配筋１４を埋設するコンクリート薄板１３をこの順序で積層してなり、補強配筋１４の一部がコンクリート薄板１３の表面から露出しているコンクリート打ち込み型枠１０。例文帳に追加

The concrete placing form 10 laminates an exterior finishing plate 11 used for an outside plate of a building, the heat insulating material 12 and a concrete thin plate 13 embedding a reinforced bar arrangement 14 in due order, and the reinforced bar arrangement 14 is partially exposed from the surface of the concrete thin plate 13. - 特許庁

絶縁層４６の開口４４を介して積層構造２１のｐ型第１のクラッド層２０の頂部を露出させる溝状部４８が設けられ、ｐ型の第１のクラッド層２０と接触するように溝状部４８を埋める金属膜がｐ側電極５０として設けられている。例文帳に追加

A trench 48 by which the top of the p-type first clad layer 20 of the lamination structure 21 is exposed via the aperture 44 of the insulating layer 46 is formed, and a metal film with which the trench 48 is filled is arranged as a p-side electrode 50 so as to be in contact with the p-type first clad layer 20. - 特許庁

ＳＯＩ基板等の半導体基板に形成する素子間分離用のトレンチの傾斜角度を８８度、あるいは８９度に形成し、かつ減圧ＣＶＤ法によりＮＳＧまたはＨＴＯとＮＳＧとが積層された絶縁材料を成長してトレンチ内に埋設する。例文帳に追加

The angle of inclination of an element isolation trench provided to a semiconductor substrate such as an SOI substrate or the like is set at an angle of 88 degrees or 89 degrees, and an insulating material where NSG(non- doped silicate glass) or HTO(high-temperature oxide film) and NSG are laminated is grown and buried in the trench. - 特許庁

ＥＬ光源体２０は、積層重畳して配置されるマスク部１１、ＥＬ発光素子１、素子用配線基板２、熱伝導性弾性体１３、およびヒートシンク１４を収納（埋設）する形状とされた枠部１０ｆを有する透光性保護基板１０を備えている。例文帳に追加

The EL light source body 20 is provided with a translucent protective substrate 10, having a frame part 10f in a shape housing (burying) a mask part 11, an EL light-emitting element 1, a wiring board for elements 2, heat-conductive elastic body 13, and a heat sink 14 arranged in overlapped lamination. - 特許庁

地山に形成された凹部２の側面２ｂに沿って積層されて廃棄物埋設処分施設の側面部の遮水工４を構築する遮水工構築部材８であって、網状の袋体１２の中に膨潤性止水材料１３が充填された構成とする。例文帳に追加

The barrier constructing members 8 are for constructing a barrier 4 in the side surface part of a waste burying disposal facility by being layered along the side surface 2b of a recessed part 2 formed at a natural ground, and has a constitution such that a swelling barrier material 13 is filled into netted bag bodies 12. - 特許庁

屈折率が１．７以上の透明微小球１層と、厚さ１５μｍ以下の透明樹脂プライマー層２と、屈折率が１．７以上の透明金属薄膜３からなる光反射層と、前記透明微小球１を部分的に埋没させて保持する固着樹脂層４を順次積層した。例文帳に追加

The material has successively deposited layers of transparent minute spheres 1 having ≥1.7 refractive index, a transparent resin primer layer 2 having ≤15 μm thickness, a reflection layer made of a transparent metal thin film 3 having ≥1.7 refractive index, and a fixing resin layer 4 partly embedding and holding the transparent minute spheres 1. - 特許庁

回転子１０は、複数の電磁鋼板１２を積層したローターコア１４、ローターコア１４の中心に取り付けられた回転軸１６、ローターコア１４に埋設された複数の永久磁石１８、ローターコア１４の端部に配置された端板２０、２１を備える。例文帳に追加

A rotor 10 includes: a rotor core 14 that has a plurality of laminated magnetic steel sheets 12; a rotating shaft 16 that is mounted at the center of the rotor core 14; a plurality of permanent magnets 18 that are embedded in the rotor core 14; and end plates 20 and 21 that are arranged at respective ends of the rotor core 14. - 特許庁

導電性材料２が充填された貫通孔３を有するＢステージ状態の樹脂層４の一面又は両面に、表面に導体回路５が設けられた転写用基材６を導体回路５と樹脂層４とが対向するように積層すると共に、導体回路５を樹脂層４に埋設する。例文帳に追加

Base materials 6 for transfer whose surface is formed with a conductor circuit 5 are laminated on one face or both faces of a resin layer 4 in a B stage state having a through-hole 3 packed with conductive materials 2 so that the conductor circuit 5 can be faced to the resin layer 4, and the conductor circuit 5 is embedded in the resin layer 4. - 特許庁

半導体チップ１５を樹脂封止する際に封止樹脂面から突出可能な端子部１１ｆ，１１ｇを有するリードフレーム１０と、その端子部１１ｆ，１１ｇの突出側を深さ５μｍ以上で埋入させた耐熱性シート２０とを備えるリードフレーム積層物。例文帳に追加

The lead frame laminate includes a lead frame 10 having terminal portions 11f and 11g which can be protruded from the sealing resin surface when a semiconductor chip 15 is subjected to plastic molding, and the heat- resistant sheet 20 in which the terminal portions 11f and 11g are buried to a depth not less than 5 μm on the protruded side thereof. - 特許庁

回転子１０は、複数の電磁鋼板１２を積層したローターコア１４、ローターコア１４の中心に取り付けられた回転軸１６、ローターコア１４に埋設された複数の永久磁石１８、ローターコア１４の端部に配置された端板２０を備える。例文帳に追加

A rotor 10 includes: a rotor core 14 formed by laminating a plurality of magnetic steel sheets 12; a rotating shaft 16 mounted to the center of the rotor core 14; a plurality of permanent magnets 18 embedded in the rotor core 14; and end plates 20 disposed at ends of the rotor core 14. - 特許庁

基板１上に形成された層間絶縁膜ＩＬに埋め込み配線用の溝５ａ，５ｂを形成し、次に層間絶縁膜ＩＬ上および溝５ａ，５ｂ内部にバリアメタル膜６、配線膜７を積層し、配線膜７上の全面に保護膜ＰＬを形成する。例文帳に追加

Grooves 5a and 5b for embedded wiring are formed in an inter- layer insulation film IL formed on a substrate 1, then a barrier metal film 6 and a wiring film 7 are laminated on the inter-layer insulation film IL and in the grooves 5a and 5b, and a protective film PL is formed over the whole surface of the wiring film 7. - 特許庁

複数の壁面ブロック１を積層し、当該壁ブロック１の背部に盛土２をまき出し、かつ盛土２内に壁面ブロック１の固定および盛土２の補強を目的とする補強材３と支圧ブロック４を複数埋設する。例文帳に追加

A plurality of wall face blocks 1 are laminated and a fill 2 is spread in the rear of the wall block 1, and a plurality of the reinforcing members 3 and support blocks 4 to fix the wall face blocks 1 and reinforce the fill 2 are embedded in the fill 2. - 特許庁

ＩＣチップ（１１）は、ＩＣチップの状態でも、ＩＣチップを樹脂中に埋め込んだコイン状の状態にしても、熱可塑性樹脂フィルムや金属箔、紙、これらの積層体からなる基材にＩＣを取り付けたＩＣタグの状態にしても、いずれであってもかまわない。例文帳に追加

The IC chip (11) can be in a state of the IC chip, in the sate of a coin shape for which the IC chip is buried in a resin or in the state of an IC tag for which an IC is attached to a base material composed of a thermoplastic resin film, metal foil, paper or the laminated body. - 特許庁

Ｓｉ基板１０に、Ｓｉコレクタ埋め込み層１１と、Ｃ含有率の高いＳｉＧｅＣ層からなる第１ベース領域１２と、Ｃ含有率の低いＳｉＧｅＣ層又はＳｉＧｅ層からなる第２ベース領域１３と、エミッタ領域１４ａを含むＳｉキャップ層１４とを積層している。例文帳に追加

The heterobipolar transistor has laminated on a Si substrate 10 a Si collector-embedded layer 11; a first base region 12, formed of an SiGeC layer containing C with high content; a second base region 13, formed of an SiGeC layer containing C with low content or SiGe layer; and an Si-capping layer 14, inclusive of an emitter region 14a. - 特許庁

超音波プローブ１１に内蔵された超音波トランスデューサ３１には、常温接合技術を応用した技術を用いて作製され、薄膜パターン５２が積層されてなる３次元構造体５１と、３次元構造体５１が埋設される母材５０とからなるバッキング材４０が具備されている。例文帳に追加

An ultrasonic transducer 31, which is built in an ultrasound probe 11, comprises a backing material 40 consisting of a three-dimensional structure 51, which is produced using technique by making use of ordinary temperature junction technique and is laminated with a thin film pattern 52, and the base material 50 under which the three-dimensional structure 51 is laid. - 特許庁

基板、強磁性体３、絶縁体中に埋設された磁気コイル１、及び、透明絶縁保護層の順で積層した構造からなる磁気ヘッドを、磁気コイル１の光ディスク媒体と対向する面と反対側に強磁性体３が位置するように配置する。例文帳に追加

A magnetic head having a structure produced by laminating a substrate, ferromagnetic material 3, magnetic coil 1 embedded in an insulating material and transparent insulating protective layer is disposed in such a manner that the ferromagnetic material 3 is placed in the opposite side to the face of the magnetic coil 1 facing an optical disk medium. - 特許庁

埋め込み型半導体レーザ１は、ｐ型のＩｎＰ基板２を用いて形成され、ｐ型ＩｎＰからなる第１クラッド層３、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層４、ｎ型ＩｎＰからなる第２クラッド層５を積層したリッジ部６を有している。例文帳に追加

The buried semiconductor laser 1 is formed of a p-type InP substrate 2 and has a ridge 6 consisting of a first clad layer 3 made of p-type InP, an AlGaInAs distortion quantum well active layer 4 and a second clad layer 5 made of n-type InP which are laminated. - 特許庁

第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。例文帳に追加

A seed crystal including mixed-phase grains with high crystallinity at low grain density is formed under a first condition, and then a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by growing the mixed-phase grains under a second condition so as to fill the space between the mixed-phase grains. - 特許庁

半導体基板（１）上に積層された絶縁膜（６、８、１０、１２）に形成されたトレンチ内に、蓄積電極（１９）、キャパシタ絶縁膜（２０）およびプレート電極（２１）からなるキャパシタが形成され、埋込配線層（９、１１）が、キャパシタの下方に形成されている。例文帳に追加

In a trench formed through dielectric films (6, 8, 10 and 12) laminated on a semiconductor substrate (1), a capacitor composed of a storage electrode (19), a capacitor dielectric film (20), and a plate electrode (21) is formed, and buried wiring layers (9 and 11) are formed below the capacitor. - 特許庁

樹脂管本体１の軸線方向に沿って導電線３を配設し、前記樹脂管本体の外周に押出成形により被覆管２を溶融積層し、この被覆管２により前記樹脂管本体と前記導電線とを保護する配管埋設用樹脂管。例文帳に追加

A conductive wire 3 is disposed along the axial direction of the resin tube body 1, a cover tube 2 is melted and laminated on the outer circumference of the resin tube body through extrusion molding, and the resin tube body and the conductive wire are protected by this cover tube 2. - 特許庁

部品内蔵基板Ａは、表裏主面に導電配線３，４が設けられた第１絶縁層１と、第１絶縁層１の表主面の導電配線３に搭載された回路部品６と、第１絶縁層１の上に積層され、回路部品６を埋設する第２絶縁層１０とを含む。例文帳に追加

The substrate A with a built-in component comprises a first insulating layer 1 where conductive interconnect lines 3 and 4 are provided on its front and rear main surface, a circuit component 6 mounted on the conductive interconnect line 3 located on the front main surface of the first insulating layer 1, and a second insulating layer 10 which is laminated on the first insulating layer 1 to bury the circuit component 6. - 特許庁

内装板４は、耐火被覆材層３上に直接積層されており、アンカー６と位置決め部材６（覆工面取付部材７及び内装板取付部材８）とからなる固定具によって、アンカー６の頭部が耐火被覆材層３中に埋もれるようにして、覆工面２上に固定されている。例文帳に追加

The interior finish plate 4 is directly laminated on the heat-resisting covering material layer 3, and fixed to the lining surface 2 by fixtures each consisting of an anchor 5 and a positioning member 6 (a lining surface mounting member 7 and an interior finish plate mounting member 8) so that a head of the anchor 5 is embedded in the fire-resisting covering material layer 3. - 特許庁

順次下方から積層する、仕切ボード、断熱材、断熱材、コンクリート蓄熱層及び蓄熱接触層からなる岩盤部と、岩盤部のコンクリート蓄熱層に埋め込んだ温水配管と、岩盤部上に配した浴槽部３とからなる。例文帳に追加

The bedrock bathing apparatus is comprised of a bedrock portion comprising a partitioning board, an insulation material, an insulation material, a concrete heat storing layer, and a heat storing contact layer stacked from the lower side in series, warm water piping embedded in the concrete heat storing layer of the bedrock portion, and a bathtub portion 3 arranged on the bedrock portion. - 特許庁

ｎ型クラッド層２１、活性層２２、ならびにストライプ状の埋込リッジ部２８を含むｐ型クラッド層２３、ｎ型バッファ層２４、ｐ側コンタクト層２５、エッチングストップ層２６およびキャップ層２７をこの順に積層してなる半導体層２０を備える。例文帳に追加

There is provided a semiconductor layer 20, which is formed of an n-type clad layer 21, an active layer 22, a p-type clad layer 23 that includes a stripe shaped embedded ridge portion 28, an n-type buffer layer 24, a p-type contact layer 25, an etching stop layer 26, and a gap layer 27, laminated in this order. - 特許庁

多孔質シリカ７４層に緑・青・赤用開口部７６Ｒ，７６Ｇ，７６Ｂを順番に形成するとともに、各開口部が形成される度にその開口部を埋めるように、開口部に対応した色の緑・青・赤色層８３Ｇ，８３Ｂ，８３Ｒを多孔質シリカ７４層上に順番に積層する。例文帳に追加

Green/blue/red openings 76R, 76G, 76B are formed in order in the porous silica layer 74, and green/blue/red layers 83G, 83B, 83R corresponding to the colors of the openings are stacked in order on the porous silica layer 74 to fill in the opening every time each opening is formed. - 特許庁

貼り合わせ方により、埋め込み絶縁層２１上に第１のＳｉＧｅ層１４を有する積層構造体を作製し、その後、第１のＳｉＧｅ層１４上にそれよりゲルマニウム濃度が高い第２のＳｉＧｅ層４１を形成し、その上にシリコン層４２を形成する。例文帳に追加

A laminated structure with a first SiGe layer 14 is formed on a buried insulating layer 21 through a laminating method, thereafter a second SiGe layer 41 higher in germanium content than the first SiGe layer 14 is formed on the first SiGe layer 14, and a silicon layer 42 is formed thereon. - 特許庁

外装シート材３２Ａ，３２Ｂ間に介在しアンテナモジュール３６が埋め込まれた接着材料層３３の内部に、アンテナモジュール３６のチップ搭載面に接着剤３３Ｃを介して積層される内コアシート材３２Ｃを設ける。例文帳に追加

An inner core sheet material 32C laminated on a chip mounting surface of an antenna module 36 via adhesive 33C is disposed in the adhesive material layer 33 interposed between facing sheet materials 32A and 32B and embedded with the antenna module 36. - 特許庁