「埋積層」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、が埋設されてなる非接触ＩＣカードであって、金属反射層は、表面抵抗率が４．０４（Ω／□）よりも高いことを特徴とする。例文帳に追加

In the non-contact IC card constituted by sequentially laminating at least a magnetic recording layer, a metal reflection layer, a hologram layer on a card base and burying an antenna and the IC chip connected to the antenna in the card base, surface resistivity of the metal reflection layer is higher than 4.04(Ω/Square). - 特許庁

セル駆動型圧電／電歪アクチュエータ１は、圧電／電歪素子４が、複数の層状の圧電／電歪体１４と層状の電極１８，１９とが交互に積層されてなるとともに、電極１８，１９の端部が、少なくともセル３内側において圧電／電歪体１４内に埋設されていることを特徴とする。例文帳に追加

In the cell driving piezoelectric/elctrostrictive actuator 1, the piezoelectric/elctrostrictive element 4 is formed by laying a plurality of layer piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 and layer electrodes 18, 19 alternately and the end parts of the electrodes 18, 19 are buried in the piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 at least on the inside of the cell 3. - 特許庁

本発明の非接触ＩＣカードは、アンテナコイルを端子間に接続したＩＣチップがカード基体中に埋設されてなる非接触ＩＣカードにおいて、ＩＣチップ、アンテナコイルの両面にメッシュシートを介して非結晶性コポリエステルシートを各面に１または２層積層し、熱融着により一体のカード基体にされていることを特徴とする。例文帳に追加

The noncontact IC card comprises an IC chip 12 for connecting an antenna coil 14 between terminals and embedded in a card base, one or two amorphous copolyester sheet layers laminated on both surfaces of the coil 14 via mesh sheets 15, 16 and integrated as card base by heat fusion bonding. - 特許庁

セラミックコンデンサ焼結体２に埋め込まれた複数の内部電極層１の露出両端面に外部電極３を形成して積層セラミックコンデンサ素子４とし、前記外部電極３それぞれに金属銅板７を接続され、且つ、セラミックコンデンサ素子４部分が絶縁樹脂１０にて被覆されたものとする。例文帳に追加

This laminated ceramic electronic component is constituted by forming a laminated ceramic capacitor element 4 by forming external electrodes 3 on both exposed end surfaces of internal electrode layers 1 embedded in a ceramic capacitor sinter 2, connecting a metal copper plate 7 to the external electrodes 3 respectively, and coating the part of the ceramic capacitor element 4 with insulating resin 10. - 特許庁

ベルト長手方向に沿って心線３を埋設した接着ゴム層２に隣接してリブを設けた圧縮ゴム層４を配置し、ベルト背面に基布５を積層したＶリブドベルト１であり、圧縮ゴム層４が、ゴム１００質量部に対して、ナイロン樹脂パウダー６を３〜２５質量部配合したゴム組成物で構成されてなる。例文帳に追加

A V-ribbed belt 1 is formed by laminating base cloth 5 on a belt back face by arranging a compressed rubber layer 4 provided with a rib adjacently to an adhesive rubber layer 2 of embedding conductor 3 in the belt longitudinal direction, and the compressed rubber layer 4 is composed of a rubber composition of blending nylon resin powder 6 by 3 to 25 mass part to rubber 100 mass part. - 特許庁

ロータ本体５に設けたスロット孔８に永久磁石９を配置する埋め込み磁石型のロータにおいて、前記ロータ本体５は、前記スロット孔８を有する軸方向に分割された複数のロータ部材６と、前記各ロータ部材６の間に配置されるセパレータ７とを備え、前記複数のロータ部材６とセパレータ７とを軸方向に積層して一体的に形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

In the buried magnet rotor where a permanent magnet 9 is arranged in a slot hole 8 provided in the rotor body 5, the rotor body 5 has a plurality of rotor members 6 divided in the axial direction having the slot hole 8, and a separator 7 arranged between respective rotor members 6 wherein the plurality of rotor members 6 and the separators 7 are laminated in the axial direction and integrated. - 特許庁

本波長可変半導体レーザ装置１０は、ｐ−ＩｎＰ基板１２上に、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ酸化用層１４、ｐ−ＩｎＰ下部クラッド層１６、波長可変層１８、ｎ−ＩｎＰ中間層２０、ＭＱＷ活性層２２、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２４、ｐ−回折格子２６、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層２８の積層構造のメサを有する。例文帳に追加

The variable wavelength semiconductor laser device 1 has a mesa of a laminated structure comprising a p-AlInAs oxidizing layer 14, a p-InP lower clad layer 16, a variable wavelength layer 18, an n-InP intermediate layer 20, a MQW active layer 22, a p-InP spacer layer 24, a p-grating 26 and p-InP embedded layer 28 on a p-InP substrate 12. - 特許庁

チップアンテナは、互いに所定間隔をおいて配された主及び補助アンテナ素子（１０、２０）とこれを囲むフレームとを連結部を介して連結してなる導体平板（４０）を形成し、この導体平板を誘電体チップ（３０）に埋設または積層し、次いで、誘電体チップの両側面に沿って導体平板を切断することにより製造される。例文帳に追加

The chip antenna is manufactured by forming a conductor plate (40) formed by connecting the main and auxiliary antenna elements (10, 20) placed at a prescribed interval and a frame surrounding them via a connection part, embedding or layering the conductor flat plate in a dielectric chip (30) and cutting off the conductor flat plate along both side faces of the dielectric chip. - 特許庁

本発明はセラミック電子部品に用いられるセラミックグリーンシートに感するものであり、薄層のセラミックグリーンシートを用いて薄層化してもショート率・絶縁耐圧の低下を抑制できる電極埋め込みセラミックグリーンシートとその製造方法およびそれを用いた高容量・高信頼性の積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide an electrode-embedded ceramic green sheet which can suppress reduction in short-circuit ratio and dielectric voltage even when a thin layer is formed using a thin ceramic green sheet, and to provide a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor using the same with a high capacity and high reliability. - 特許庁

回路素子１４２を基材１４０に固定した状態で、絶縁樹脂膜１２２および導電性膜１２０の積層体１２３を配置し、前記回路素子１４２を前記絶縁樹脂膜内１２２に埋め込む工程と、圧着により前記回路素子１４２を前記絶縁樹脂膜内１２２に固定する工程と、を含む半導体モジュールの製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor module includes a process wherein the laminated body 123 of an insulating resin film 122 and a conductive film 120 is arranged while a circuit element 142 is fixed to a substrate 140 to bury the circuit element 142 into the insulating resin film 122 and another process wherein the circuit element 142 is fixed to the insulating resin film 122 through pressing. - 特許庁

有底ビア１８内をめっき金属１９によって埋めるビアフィルめっき時には、有底ビア１８の底面に露呈している銅箔１３のみを有効なめっき電極として機能させ、有底ビア部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく有底ビア１８内をめっき金属１９で充填する。例文帳に追加

Upon via-fill plating wherein bottomed via 18 is filled with the plating metal 19, only copper foil 13 exposed at the underside of the bottomed via 18 is made to function as an effective plating electrode, and the inside of the bottomed via 18 is filled with the plating metal 19 without growing the plating on the surface of the laminated board except the bottomed via hole. - 特許庁

建築用パネル１は、ガラスチョップを含有し、多数の独立気泡を有する多孔質の発泡セメント固化物３内にガラスチョップドストランドマット又はガラスネット等３を埋設してパネル本体２を構成し、その両面に、接着剤８により、表面に合成樹脂フィルム７がコートされた耐水紙６を積層して耐水層５を形成してある。例文帳に追加

A glass chop is contained in the building panel 1, a panel body 2 is constituted by burying a glass-chopped strand mat or a glass net etc. in a porous foaming cement solidifying object 3 having a large number of independent bubbles, and water resisting layers 5 are formed on both sides by laminating water resisting paper 6 coating synthetic resin films 7 on the surfaces with adhesives 8. - 特許庁

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。例文帳に追加

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth. - 特許庁

周辺領域の第２素子分離絶縁層は、周辺領域の第２素子分離溝内の全体に埋込まれると共にその上面が半導体基板の上面の上方に突出した第１の酸化膜と、当該第１の酸化膜上に積層され、その上面が第１導電膜の上面より上方に突出している第２の酸化膜とで構成されている。例文帳に追加

A second element isolation insulating layer in a peripheral region includes the first oxide film that is embedded in the entirety of a second element isolation groove in the peripheral region and whose top surface protrudes above the top surface of the semiconductor substrate and a second oxide film that is stacked on the first oxide film and whose top surface protrudes above the top surface of a first conductive film. - 特許庁

相互に電磁結合しているλ／４結合ストリップラインの組が２組以上、誘電体チップ中で実装面に対して垂直方向に重畳した状態で埋設され、誘電体チップ内に位置するストリップライン端と外部電極との間が引出しラインで繋がれているチップ型積層バラン素子である。例文帳に追加

In the chip type laminated balun element, two or more sets of λ/4 coupled strip lines mutually electromagnetically coupled are embedded in a dielectric chip in such a manner as overlapped in a vertical direction to the mounting surface of the chip, and one end of the strip line positioned within the dielectric chip and an external electrode are connected by a lead line. - 特許庁

埋立て廃棄物１０を覆土する保護層１６に勾配を付して、前記保護層１６の勾配に沿って空隙が大きなマット１８を敷設して、前記マット１８よりも空隙が小さく大きな毛管力を備えた排水層２０を前記マット１８上に積層して浸透水キャピラリーバリア層１７を形成する。例文帳に追加

The penetrating water capillary barrier layer 17 is formed by providing a protective layer 16 for covering the reclaimed waste material 10 by soil with an incline, laying a mat 18 having a large space along the inclination of the protective layer 16, and laminating a drainage layer 20 having a smaller space and a larger capillary strength than the mat 18 on the above-described mat 18. - 特許庁

ヘッドスライダの空気流出側端部に形成された非磁性絶縁層４０４の内部に、ヘッド素子４０８と熱発生素子４１０とに加えて、スライダ長手方向に積層され、各層のうち少なくとも一つの層がスライダ幅方向両脇付近まで延伸した多層構造の熱伝導機構４１２が埋め込まれる。例文帳に追加

Inside a nonmagnetic insulating layer 404 formed in an air outflow end of the head slider, in addition to a heat generating element 410 and a head element 408, a multiple layer heat conducting mechanism 412 which is laminated in a slider longitudinal direction and where at least one layer out of the layers extends to near both the ends of a slider width direction, is embedded. - 特許庁

埋立て廃棄物の上表面に粗粒層１８とその上層に積層した細粒層２０からなる勾配が付された浸透水キャピラリーバリア層を形成し、前記キャピラリーバリア層１７による勾配に沿った移動で浸透水が粗粒層１８へ浸透する箇所に複数の排水溝２４を形成する。例文帳に追加

A sloped seepage water capillary barrier layer composed of a coarse grain layer 18 and a fine grain layer 20 stacked on the upper layer of the layer 18 is formed on the upper surface of earth filling waste, and a plurality of drainage channels 24 are formed in a place where seepage water penetrates into the coarse grain layer 18 by being moved along a gradient by the capillary barrier layer 17. - 特許庁

シリコン基板１上に形成されるバイポーラトランジスタであって、その基本構造では、半導体基板表面に一導電型不純物を有する真性ベース６が形成され、真性ベース６に埋め込まれて逆導電型不純物を有するエミッタ１０が形成され、エミッタ１０上に逆導電型の単結晶シリコン９ａと第２のポリシリコン１１が積層して形成されている。例文帳に追加

In this bipolar transistor formed on a silicon substrate 1, the basic structure is constituted of an intrinsic base 6 having a one conductivity type impurity formed on the surface of a semiconductor substrate, and an emitter 10 having the opposite conductivity type impurity embedded in the intrinsic base 6, and single crystal silicon 9a having an opposite conductivity type impurity and a second poly silicon 11 formed in a layer stack on the emitter 10. - 特許庁

透明基板に設けた凹状区域に、各画素毎の入射光を色補正するカラーフィルター層が少なくとも積層され、保護層が前記カラーフィルター層を被覆し、かつ前記凹状区域内の隙間を埋めるように形成されており、保護層表面と凹状区域外の基板表面とが面一につながっていることを特徴とする光学フィルター。例文帳に追加

The optical filter comprises: laminating a color filter layer color-correcting incident light at each pixel on a recessed region provided on a transparent substrate at the lowest; covering the color filter layer by the protection layer, being formed so as to bury a gap in the recessed region; and connecting the surface of the protection layer and the surface of the substrate out of the recessed region. - 特許庁

ベルト長手方向に沿って心線２を埋設した接着ゴム３と、ベルト長手方向に沿って少なくとも１つのリブ部７をもつ圧縮ゴム層４からなるＶリブドベルト１であり、繊維材料５を積層したベルト背面６の表面粗さＲａを２０μｍ以下にした構成からなる。例文帳に追加

A V-ribbed belt 1 is comprised of bonded rubber 3 in which a core wire 2 is buried along the length direction of the belt; and a compressed rubber layer 4 having at least one rib part 7 along the length direction of the belt, and surface roughness Ra of the belt back surface 6 formed by laminating a fiber material 5 is specified to 20 μm or less. - 特許庁

前記半導体基板に設けられた素子分離溝部に埋め込まれ、底面が前記半導体基板と前記トンネル絶縁膜の接する面の高さよりも低く、かつ上面が前記電荷蓄積層および前記ブロック絶縁膜の接する面の高さよりも低い第１の素子分離絶縁膜が設けられる。例文帳に追加

A first element isolating insulation film is provided which is buried in an element isolation groove provided on the semiconductor substrate, and the bottom face of which is lower than the height of a face at which the semiconductor substrate and the tunnel insulation film are contacted and the top face of which is lower than the height of a face at which the charge storage layer and the block insulation film are contacted. - 特許庁

このカシメ加工のカシメ位置７を、埋込まれた永久磁石４の積層鉄心１の外周側の長辺を延長して画成される多角形８の内側でかつ、磁石挿入穴２等、軸方向に貫通した穴部とカシメ部外周部との最短距離が最も小さいものでも電磁鋼板の板厚の三倍以上に設定する。例文帳に追加

Caulking positions 7 of the caulking work are set inside a polygon 8, demarcated by extending longer sides of the periphery side of the laminated core 1 of the embedded permanent magnets 4, and the beeline between holes perforating the magnet inserting holes, or the like, in the axial direction and the periphery of caulking portions is set so as that even the shortest is three or more times the sheet thickness of the electromagnetic steel sheet. - 特許庁

光電変換モジュールとしての太陽電池モジュールは、内部に板状の太陽電池素子１が埋め込まれている透光性基板と、透光性基板の受光面側と反対側の主面に積層された保護層４と、保護層４の表面に太陽電池素子１と重なるように設置された金属部材５とを具備している。例文帳に追加

A solar cell module as the photoelectric conversion module comprises: a transparent substrate including a plate-shaped solar cell element 1 embedded therein; a protective layer 4 stacked on a principal surface located on the opposite side to a light receiving surface side of the transparent substrate; and a metal member 5 installed on the surface of the protective layer 4 such that it overlaps on the solar cell element 1. - 特許庁

地下壁１０を形成するコンクリートの内表面に粗面加工を施した後に、その凹部１１に珪藻土を主成分とする目地埋め材１２を充填し、ついで、前記地下壁の内面に、珪藻土を主成分とする下地材１３を塗布することにより、前記地下壁内面を平滑化し、ついで、前記下地材の表面に、珪藻土を主成分とする仕上げ材１４を少なくとも一層以上積層する。例文帳に追加

After surface processing is applied to the inside surface of a concrete constituting the basement wall 10, the recess section 11 is filled with joint fillers 12 having diatom earth as main ingredients, the ground 13 having diatom earth as main ingredients is applied to the inside of the basement wall to smooth the inside of the basement wall, and the finish 14 having diatom earth as main ingredients is laminiated at least one or more layers. - 特許庁

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置の製造方法であって、スクライブラインＳＬで区分された基板の半導体装置形成領域ＳＤにおいて、基板１０上に積層された絶縁樹脂層（１６，２０）からなる絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた再配線層（１７，１８，２１，２３）を形成し、さらに、スクライブラインＳＬにおいて基板１０を切断する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the packaged semiconductor device including a semiconductor; an insulating layer consisting of insulating resin layers (16, 20) laminated on a substrate 10 and re-wiring layers (17, 18, 21, 23) buried in the insulating layer are formed on a semiconductor device forming region SD of the substrate segmented with scribe lines SL, and the substrate 10 is cut on the scribe lines SL. - 特許庁

ＲＦＩＤ６を埋め込んだ複数の生ラベル２を剥離可能に積層した単一のキャリアテープ３を送り、ＲＦＩＤ６から生ラベル２の印刷条件に関する属性情報を読み出し、読み出した属性情報に基づいて各生ラベル２に画像の印刷を行うと共に、各ＲＦＩＤ６に認証ラベルの認証情報を書き込むことで、生ラベルから認証ラベルを連続的に作成する。例文帳に追加

The label creation system feeds a single carrier tape 3 removably laminating a plurality of the raw labels 2 embedding RFID 6, reads an attribute information concerning a printing condition of the raw labels 2 from RFID 6, prints an image on each raw label 2 on the basis of the read attribute information, and continuously creates an authentication label from the raw label by writing authentication information of the authentication label on each RFID 6. - 特許庁

そして、柱状部を有する半導体堆積層１５０を形成する工程において、チップの境界領域に所定パターンの分離用半導体層１３０を形成し、埋込み絶縁層１２０を形成する工程において、分離用半導体層１３０の少なくとも上面を露出させ、かつ、チップを形成する工程において、分離用半導体層１３０を用いて前記分離が行われる。例文帳に追加

In a step of forming the semiconductor deposition layer 150 having the columnar parts, a predetermined pattern of isolating semiconductor layer 130 is formed in a boundary region of the chip; in a step of forming the embedded insulating layer 120, at least the upper surface of the isolating semiconductor layer 130 is exposed; and in a step of forming the chip, the isolation semiconductor layer 130 is used to realize this isolation. - 特許庁

ロータコア２１の内部にマグネットを装着するマグネット装着孔２２、２３を有する埋込磁石型回転電機用ロータにおいて、ロータコア２１を積層された炭素鋼や合金鋼などの焼入れ性を有する鋼板より構成し、かつマグネット装着孔２２、２３の周りのブリッジ部２４、２５とブリッジ部の近傍２６、２７を焼入れ処理した。例文帳に追加

In the rotor for embedded magnet type dynamo-electric machines, which has magnet mounting holes 22 and 23 for mounting magnets inside the rotor core 21, the rotor core 21 is constituted of stacked steel plates, having hardenability, such as carbon steel or alloy steel, etc., and the bridge sections 24 and 25 around the magnet mounting holes 22 and 23 and the vicinity 26 and 27 of the bridge sections are quenched. - 特許庁

多層プリント配線板は、部品が表面実装された第１のリジッド基板と、この部品の位置及び外形に対応した逃げ部を有する第２のリジッド基板と、第１及び第２のリジッド基板よりも長く形成されたフレキシブル基板とが、それぞれ絶縁層を介して積層一体化され、部品がリジッドな絶縁層内に埋設されている。例文帳に追加

The multilayer printed wiring board is configured in such a way that a first rigid substrate having a surface-mounted component, a second rigid substrate having an escape portion corresponding to the position and profile of this component, and a flexible substrate formed to be longer than the first and second rigid substrates, are each integrally stacked via an insulating layer; and the component is buried in the rigid insulating layer. - 特許庁

接着層２０の上面に電子素子３０を付着する工程と、電子素子３０が埋め込まれるように、電子素子３０の上側及び接着層２０の下側に絶縁体４１，４３をそれぞれ積層する工程と、絶縁体４１に回路パターン４５及びビア４６を形成する工程と、を含むことを特徴とする印刷回路基板及びその製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the printed circuit board includes a step of adhering an electronic element 30 on the adhesive layer 20, a step of stacking insulation bodies 41, 43 on the upper side of the electronic element 30 and the lower side of the adhesive layer 20 to embed the electronic element 30 therein, and a step of forming a circuit pattern 45 and a via 46 in the insulation body 41. - 特許庁

断裁されることにより帯状の樹脂層となる樹脂シート２上に積層されたホットメルト層３０を溶融しておき、このホットメルト層３０に対して、ＩＣチップ１０を射出し、ＩＣチップ１０の射出の勢いによって、溶融したホットメルト層３０内にＩＣチップ１０を埋め込む。例文帳に追加

Under the condition that a hot melt layer 30 laminated onto a resin sheet 2, which is turned into a strip-like resin layer by being cut out, is kept under being fused, the IC chip 10 is jetted against the hot melt layer 30 so as to embed the IC chip 10 in the fused hot melt layer 30 by the jetting force of the IC chip 10. - 特許庁

Ｂステージ状態の樹脂層４の一面又は両面に、表面に導体回路５が設けられると共にこの導体回路５に対して電気部品１０が実装された転写用基材６を導体回路５及び電気部品１０と樹脂層４とが対向するように積層すると共に導体回路５及び電気部品１０を樹脂層４に埋設する。例文帳に追加

On one side or both sides of a resin layer 4 in a stage B state, a transfer base 6 having conductor circuits 5 on which electric components 10 are mounted is laminated in a manner wherein the conductor circuits 5 and the electric components 10 face to the resin layer 4, and the conductor circuits 5 and the electric components 10 are buried in the resin layer 4. - 特許庁

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、ストライプ状のトレンチ５０を有する基板１と、トレンチ５０の底部に埋設された第１の電極１０と、隣り合う第１の電極間１０の基板表面を覆う第２の電極２０と、ソース／ドレインとしての拡散層４０と、電荷蓄積層としてのトラップ膜３０とを備える。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor memory has a substrate 1 having stripe-like trenches 50, each first electrode 10 buried in the bottom of each trench 50, each second electrode 20 covering the surface of the substrate interposed between the adjacent first electrodes to each other, each diffusion layer 40 served as each source or each drain, and each trap film 30 served as a charge accumulating layer. - 特許庁

エラストマー４中に心線５をスパイラル状に埋設したセンターベルト３と、該センターベルト３の長手方向に沿って複数のブロック２を設けた高負荷伝動ベルト１において、カバー帆布１０のブロック２と接触する側の面にフッ素樹脂製繊維を積層配置したものである。例文帳に追加

In this high load transmitting belt 1 provided with the center belt 3 in which a core wire 5 is spirally buried in an elastomer 4, and the plurality of blocks 2 arranged along the longitudinal direction of the center belt 3, fluorine resin fiber is stacked on a face at a side kept into contact with the blocks 2, of the cover canvas 10. - 特許庁

基材１の上に光触媒粒子を含む光触媒層３が積層され、この光触媒層３に硬化性樹脂領域４が光触媒層３の表面から突出した状態で分散して形成された光触媒部材Ａとするか、この光触媒層３に硬化性樹脂領域４が光触媒層３の表面と面一になるように埋入された状態で分散して形成されている光触媒部材とする。例文帳に追加

The photocatalytic member A is formed by layering a photocatalyst layer 3 containing a photocatalyst particle on a base material 1 and dispersing a thermosetting resin area 4 in the photocatalyst layer 3 so that the thermosetting resin area is projected from the surface of the photocatalyst layer 3 or buried in the photocatalyst layer to form one and the same surface as that of the photocatalyst layer 3. - 特許庁

極めて平坦でかつ厚み精度の良いセラミックグリーンシート薄膜を製造することができ、そしてセラミックグリーンシートの製造工程でのキャリヤーシートの取り扱いが容易で、特に内部電極埋め込み式の積層コンデンサを製造するのに有用なセラミックコンデンサー製造用キャリヤーシートを提供する。例文帳に追加

To provide a carrier sheet for manufacturing a ceramic capacitor, which can manufacture a ceramic green sheet extremely flat and superior in thickness accuracy, and is easy of handling the carrier sheet in the manufacturing process of the ceramic green sheet, and is especially useful for manufacturing an internal electrode embedded stacked capacitor. - 特許庁

ストレージ電極のバーパターン７０と埋没コンタクトホール５３との不整合のため、オーバエッチング終了段階でストレージ電極に食刻溝７１が形成されても、この食刻溝７１を、バーパターン７０側壁の導電性スペーサ７３で充填した後、ストレージ電極上に誘電体膜８０を積層する。例文帳に追加

Even if an etched groove 71 is formed at a storage electrode at the completion stage of over-etching due to unconformity between a bar pattern 70 of the storage electrode and an embedded contact hole 53, the etched groove 71 is filled with a conductive spacer 73 on the side wall of the bar pattern 70 before a dielectrics film 80 is laminated on the storage electrode. - 特許庁

半導体ウエハー１０に感光性絶縁樹脂付き銅箔１を積層し、金属レジスト１２により銅箔１をエッチングして回路１３を形成し、形成した回路を感光性絶縁樹脂２に埋没させた後、感光性絶縁樹脂２をマスク露光、現像、硬化することにより、ワイヤボンド用開口部を一括形成する。例文帳に追加

A copper foil 1 with a photosensitive insulation resin is laminated on a semiconductor wafer 10, the copper foil 1 is etched by a metal resist 12 to form a circuit 13, and after the formed circuit is buried in the photosensitive insulation resin 2, wire bond opening parts are collectively formed by mask- exposing, developing and curing the photosensitive insulation resin 2. - 特許庁

フッ素ゴムを含むゴム組成物で形成され、ベルトの長手方向に沿って延びる心線５が埋設されたベルト本体と、このベルト本体の少なくとも一方の面に、フッ素ゴムと水素化ニトリルゴムとを含むゴム組成物で被覆された布帛で形成された補強層６とを積層することにより、伝動ベルトを得る。例文帳に追加

The transmission belt is formed by laminating a belt body formed of a rubber composition including fluorine rubber and embedded with a core wire 5 extending along the belt longitudinal direction, and a reinforcing layer 6 formed of cloth covered by a rubber composition including fluorine rubber and hydrogenated nitrile rubber at least on one face of the belt body. - 特許庁

表面に補強カバー材５を積層し、ベルト長手方向に沿って心線２を埋設した接着ゴム層３に隣接して圧縮ゴム層４を配置した動力伝動用ベルト１において、上記補強カバー材５が円筒状のニット製の丸編物６であり、カーボンブラック分散液とレゾルシン−ホルマリン−ラテックス液の混合溶液で接着処理している。例文帳に追加

In this power transmission belt 1 having a compressive rubber layer 4 disposed adjacent to an adhesive rubber layer 3 in which cores 2 are buried along the longitudinal direction of the belt, the reinforced cover material 5 is formed in a cylindrical knitted round knitting 6, and subjected to adhesion treatment with a mixed solution of carbon black dispersed liquid and a resorcinol-formalin-latex liquid. - 特許庁

積層型誘電体フィルタは、複数の誘電体層から成る誘導体２と該誘導体２に埋設され且つ互いに対向配置された少なくとも第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６と第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６に対向配置されたグランド導体層２２，２５と入出力導体層２８とから成るストリップライン共振器Ｌ１を具備している。例文帳に追加

The laminate type dielectric filter comprises a strip line resonator L1 comprising a dielectric 2 composed of a plurality of dielectric layers; at least first and second mutually opposed strip line conductor layers 13, 16 embedded in the dielectric 2; ground conductor layers 22, 25 opposite to the first and second stripline conductor layers 13, 16; and an input/output conductor layer 28. - 特許庁

半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。例文帳に追加

This compound sensor includes a UV sensor part including a PN junction area provided within an SOI layer layered on an embedded oxide film on a semiconductor substrate, and an IR sensor part including an N-type low-density diffusion area provided in the SOI layer, and an N-type high-density diffusion area provided within the semiconductor substrate opposedly to the low-density diffusion area. - 特許庁

積層、接合された複数の絶縁体層と、これらの接合界面にその界面を形成する絶縁体層の両者に埋没するように配置した複数の磁性粒子とを含むアンテナ基板；および前記アンテナ基板の主面に直接または近接して配置されたアンテナを備えることを特徴とするアンテナデバイス。例文帳に追加

The antenna device includes the antenna substrate that comprises a plurality of insulating layers layered and bonded, and a plurality of magnetic particles arranged in bonded interfaces of the insulating layers and being embedded in both of the insulating layers that form the bonded interfaces; and an antenna arranged directly or in close proximity to the main face of the antenna substrate. - 特許庁

真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。例文帳に追加

To excellently embed a thin film into a recess formed on the surface of a substrate in forming the thin film by sequentially supplying at least two kinds of reactant gases reacting with each other in a vacuum chamber to the surface of the substrate on a rotation table and executing this supply cycle to laminate layers of a reaction product. - 特許庁