「縁のない」に関連した英語例文の一覧と使い方(396ページ目) - Weblio英語例文検索

一次コイルの巻回を行う際に一次コイルにおける一対の巻線端部をコネクタ部に直接係止することができ、一次コイルを構成する電線に設けられた絶縁被膜に傷が入ることを効果的に抑制することができる内燃機関用点火コイル及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ignition coil for an internal combustion engine configured such that when a primary coil is wound, a pair of winding ends of the primary coil are directly locked to a connector part and damaging of an insulating coating provided to an electric wire constituting the primary coil is effectively suppressed, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

取付金具２と、絶縁碍子３と、中心電極４と、中心電極との間に火花放電ギャップを形成する主接地電極５１と、碍子先端部３１における先端外周角部３１１との間にコロナ放電ギャップを形成する副接地電極５２とを有する内燃機関用のスパークプラグ１。例文帳に追加

The spark plug 1 for the internal combustion engine includes a fitting 2, an insulator 3, a center electrode 4, a main ground electrode 51 forming the spark discharge gap between the center electrode and itself, and a sub ground electrode 52 forming a corona discharge gap between a front end outer peripheral angle portion 311 at an insulator front end 31 and itself. - 特許庁

本発明のイオンソースヘッド２００は、アークチャンバ２０２と、両端部がアークチャンバ２０２外に露出するようにアークチャンバ２０２内に配置されたフィラメント２０４と、フィラメント２０４の端部と電気的に接続するフィラメント電極２０６と、フィラメント電極２０６の少なくとも一部を覆う位置に配置された絶縁体２１４とを備える。例文帳に追加

The ion source head 200 includes an arc chamber 202, a filament 204 arranged inside the arc chamber 202 so that both end sections are exposed to outside the arc chamber 202, a filament electrode 206 electrically connected to an end section of the filament 204, and an insulator 214 arranged in a position covering at least one portion of the filament electrode 206. - 特許庁

ブラシ装置は、絶縁材料からなるブラシホルダと、ブラシホルダ上に形成された複数のブラシ収容部と、ブラシ収容部内に収容される複数の第１、第２のブラシ部材とを有し、ブラシホルダ上に配される正極ターミナルプレートと、正極ターミナルプレート上に配されるターミナルカバーと、ターミナルカバー上に配される負極ターミナルプレートとを有する。例文帳に追加

The brush member has a brush holder made of an insulating material, a plurality of brush housings formed on the brush holder, a positive pole terminal plate having a plurality of first and second brush members housed in the brush housings and disposed on the brush holder, a terminal cover disposed on the positive pole terminal plate, and a negative pole terminal plate disposed on the terminal cover. - 特許庁

天面及び切り込み部の開口側を覆うように導電性樹脂１８を塗布するとともに、集合基板１０の周縁部まで導電性樹脂１８を連続して塗布することで切り込み部内部の空間を密閉した後、集合基板１０に対し等方圧プレスで圧力及び熱を加えて導電性樹脂１８を硬化させた後、集合基板１０を分断して電子部品モジュールに個片化する。例文帳に追加

After the conductive resin 18 is applied to cover the top surface and opening sides of the cut parts and continuously applied up to a peripheral edge part of the aggregate substrate 10 to seal spaces inside the cut parts, the conductive resin 18 is cured by applying pressure and heat to the aggregate substrate 10 by an isostatic press, and the aggregate substrate 10 is parted into the individual electronic component modules. - 特許庁

高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。例文帳に追加

To obtain a low temperature-fired ceramic sintered product which has high strength, high thermal conductivity and high Young's modulus, is dense, can be produced by firing at a low temperature of ≤1,000°C, and is useful as an insulating substrate having a wiring layer composed of low resistant conductors such as Cu, Ag, Au and Al on the surface or inside thereof. - 特許庁

カメラ装置Ｃｍのカメラモジュール基板Ｓｃを金属筐体１６ａ内部に配置したノートパソコンに組み込まれるノイズ低減装置であって、金属筐体１６ａと一体的に形成されて前記カメラモジュール基板の周縁を囲む導電性枠体部４２を備え、前記金属筐体と前記導電性枠体部とで、前記カメラモジュール基板を収容する基板収容凹所４０が形成されている。例文帳に追加

The noise-reducing device is incorporated in a notebook computer, where a camera module board Sc of the camera device Cm is disposed inside a metal casing 16a and includes a conductive frame body section 42, which is integrally formed with the metal casing 16a and surrounds the camera module board; and a substrate storage recess 40 for storing the camera module board is formed by the metal casing and the conductive frame body section. - 特許庁

第一導電型の半導体基板１００表面に第一導電型のドレインドリフト層１０１、ドリフト層１０１表面に第二導電型のウェル層１０２を順次形成し、ウェル層１０２表面からドリフト層１０１に至るまで内壁に絶縁膜１０７を有するトレンチ１０６を形成する。例文帳に追加

A first conductivity-type drain drift layer 101 is formed on a surface of a first conductivity-type semiconductor substrate 100, a second conductivity-type well layer 102 is formed on a surface of the drift layer 101 sequentially, and a trench 106 including an insulating film 107 on an inner wall is formed from a surface of the well layer 102 to the drift layer 101. - 特許庁

流体の圧力を測定する流体圧力センサ１は、起歪体であるダイアフラム部１２、絶縁膜であるシリコン酸化膜２１および結晶性シリコンの歪ゲージ２０を備えており、ダイアフラム部１２には機械強度と耐食性に優れたオーステナイト系の析出硬化型Ｆｅ−Ｎｉ耐熱鋼が用いられる。例文帳に追加

A fluid pressure sensor 1 for measuring a fluid pressure is equipped with a diaphragm part 12 which is a strain body, a silicon oxide film 21 which is an insulating film, and a strain gage 20 made of crystalline silicon, and an austenitic precipitation hardening-type Fe-Ni heat resisting steel having excellent mechanical strength and corrosion resistance is used for the diaphragm part 12. - 特許庁

異方導電性コネクタ３０は、アダプタ本体１０のコネクタ電極１６が形成された側の面上に形成された絶縁性の弾性体層３２と、弾性体層３２に形成され、コネクタ電極１６と連続する空間領域３４と、空間領域３４内に充填された導電部４０と、を有する。例文帳に追加

The anisotropic conductive connector 30 is provided with an insulating elastic body layer 32 formed on the face of the adapter main body 10 on the side where the connector electrodes 16 are formed, space regions 34 formed on the elastic body layer 32 and continued to the connector electrodes 16, and conduction sections 40 filled in the space regions 34. - 特許庁

金型４２は、半導体素子を樹脂封止する樹脂封止部の外形形状に対応するキャビティ４３と、該キャビティに連通する樹脂注入部４４を有しており、さらにキャビティ４３の周囲に、該キャビティに連通するトレンチ４５を、外部接続端子を接合する領域の内縁から離間してリング状に設ける。例文帳に追加

The mold 42 has the cavity 43 corresponding to the outer shape of the resin sealing part for sealing the semiconductor element and the resin injection part 44 communicating with the cavity 43 and the trench 45 communicating with the cavity is provided to the periphery of the cavity 43 in a ring shape so as to be spaced apart from the region joining the external connection terminal. - 特許庁

また、データライン駆動用ドライバ搭載領域１４内に、データライン用静電気保護ライン４１、データライン用静電気保護用薄膜トランジスタ４２および第１、第２の接続用薄膜トランジスタ４３、４４を設けると、これらを配置するためのそれ専用の配置領域が不要となり、それに応じて額縁面積を小さくすることができる。例文帳に追加

Further, a static electricity protective thin film transistor 42 for data lines, and first and second connecting thin film transistor 43, 44 are disposed in a driver mounting region 14 for driving the data lines, then the dedicated region for disposing these elements is unnecessary, thereby reducing the frame area. - 特許庁

エポキシ樹脂、酸無水物及び水和アルミナを含有するエポキシ樹脂組成物において、湿潤分散剤として、１分子内に無機物に対して反応性を持つユニット、有機物に対して反応性に富むユニット及び有機物との相溶性を高めるユニットを含むシリコーン系化合物を配合してなる難燃性エポキシ樹脂組成物並びにこの難燃性エポキシ樹脂組成物を用いて絶縁処理してなる電気部品。例文帳に追加

This flame-retarded epoxy resin composition comprises an epoxy resin, an acid anhydride and a hydrated alumina, and finally a silicone compound is formulated to the resin composition, that bears a unit that has the reactivity to inorganic substance, the unit that is rich in reactivity to organic substance and the unit that increases the compatibility with the organic substance. - 特許庁

蛍光体４及び無機陽イオン交換体１２を分散した合成樹脂バインダー３により発光体層１１を形成することによって、発光体層１１内の無機陽イオン交換体１２が、高湿度中で蛍光体４から溶出したイオンを捕捉するため、発光体層１１の絶縁性を維持し黒点の発生し難いＥＬ素子を得ることができる。例文帳に追加

By forming the illuminant layer 11 with a synthetic resin binder 3, where a phosphor 4 and an inorganic positive ion exchanger 12 are dispersed, the inorganic positive ion exchanger 12 in the illuminant layer 11 catches ions dissolved from the phosphor 4 in high humidity, so that the EL element, capable of keeping the insulation property of the illuminant layer 11 and of hardly producing a black point, can be provided. - 特許庁

また、データライン駆動用ドライバ搭載領域１４内に、データライン用静電気保護ライン４１、データライン用静電気保護用薄膜トランジスタ４２および第１、第２の接続用薄膜トランジスタ４３、４４を設けると、これらを配置するためのそれ専用の配置領域が不要となり、それに応じて額縁面積を小さくすることができる。例文帳に追加

If an electrostatic protection line 41 for data line, an electrostatic protection thin film transistor 42 for data line, and first and second thin film transistors 43 and 44 for connection, are provided in a driver mounted region 14 for data line driving, the need for an arrangement region exclusive for arrangement for them is eliminated, so that the frame area is made small accordingly. - 特許庁

ウエザストリップ４は、フランジ２３に保持されるとともに、ＥＰＤＭ微発泡ゴムからなるトリム部５と、当該トリム部５から突出して設けられ、ドア閉時にドアの周縁に圧接されるシール部６と、複数の短冊状の骨片部３１を有し、前記トリム部５内に埋設されるインサート１４とを備える。例文帳に追加

The weatherstrip 4 is held by a flange 23, and includes the trim portion 5 made of EPDM fine foam rubber, a seal portion 6 protruded from the trim portion 5 to be pressed against a peripheral edge of a door when closing the door, and an insert 14 which has a plurality of rectangular rib piece portions 31 and is embedded in the trim portion 5. - 特許庁

空孔率が２０％〜３０％で膜厚が１μｍ〜７μｍの薄型セパレータと絶縁性を備えた被覆材で電極の所定部位を覆うこととを組み合わせることで、高容量でありながら、かつ内部ショート発生率が低く、高温での信頼性が高い、非水電解質二次電池を提供する例文帳に追加

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery of high capacity yet a low generation rate of internal short circuit and high reliability at high temperature, through combination of using of thin-type separator with a porosity ratio of 20 to 30% and a film thickness of 1 μm to 7 μm and covering of a given portion of an electrode with a coating material with an insulating property. - 特許庁

半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定する素子分離領域を含み、活性領域内でチャンネル領域を介在してソース領域及びドレイン領域が互いに離隔されて形成されており、ソース領域とドレイン領域間の活性領域上にゲート電極が形成されており、活性領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成されているトランジスタ。例文帳に追加

The MOS field-effect transistor includes a device isolating region disposed on a predetermined portion of the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain region spaced apart from each other about a channel region within the active region, a gate electrode formed on the active region between the source region and the drain region, and a gate insulating layer formed between the active region and the gate electrode. - 特許庁

エリアイメージセンサ素子４０を内蔵するエリアイメージセンサモジュール用パッケージ１１を備えるエリアイメージセンサモジュール１０において、エリアイメージセンサ素子４０を収納する収納部４９の側壁を形成する、樹脂組成物を材料とする絶縁層２２，２３の断面に金属膜３７，３８を形成する。例文帳に追加

In an area image sensor module 10, having a package 11 for an area image sensor module containing an area image sensor element 40, metal films 37 and 38 are formed at cross-sections of insulation layers 22 and 23 that use as a material resinous compositions, that form the sidewall of a housing section 49 that houses an area image sensor element 40. - 特許庁

グロープラグは、絶縁性セラミックからなるセラミック基体中１３に導電性セラミックからなるセラミック抵抗体１０が埋設された棒状のセラミックヒータ１を備えて構成され、セラミックヒータ１の先端部を突出させる形にて配置される金属外筒３と、内燃機関への取付部が形成された主体金具４が設けられる。例文帳に追加

The glow plug is equipped with a bar-shaped ceramic heater 1 where a ceramic resistor 10 consisting of conductive ceramic is buried in a ceramic substrate 13 consisting of insulating ceramic, and it is provided with a metallic outer tube 3 which is arranged with the tip of the ceramic heater 1 projected, and a main metal fitting 4 where a mounting part to an internal combustion engine is made. - 特許庁

少なくとも渦流量計を含む絶縁された配管システムを流れる液体に容量結合される商用電源ノイズを取り除くための商用電源ノイズ減衰器は、一端が配管システムを形成する管路に接続され、商用電源ノイズ減衰器に設けられた管路内を流れる液体に接触し、他端がアースケーブルを介して接地されたホルダーに固定される導電部材を備えている。例文帳に追加

In the commercial power supply noise attenuator for removing a commercial power supply noise capacitively-coupled with liquid flowing in the insulated pipe system including at least the vortex flowmeter, one end is connected to a pipe forming the pipe system, in contact with the liquid flowing in a pipe provided in the commercial power supply noise attenuator, and the other end includes a conductive member fixed to a holder grounded through an earth cable. - 特許庁

人工爪組成物に対して耐性と硬化後剥離性とを有する合成樹脂で、可撓性を有するように形成され、自然爪の先端部が前縁部１１に掛けられる爪配置孔１が、左右方向における中央部に形成され、左右の両側部１０、１０を互いに係止可能かつ該係止を解除可能な係止手段３、４、５、６が、設けられている人工爪造形用シートＳ。例文帳に追加

This artificial nail molding sheet S is formed of synthetic resin having resistance and peelability after hardening relative to artificial nail components, having flexibility, a nail disposing hole 1 having a front edge part 11 hooking the end of a natural nail is formed at a central part in the left/right direction, and locking means 3, 4, 5 and 6 lockable and unlockable both left/right sides 10 and 10. - 特許庁

そして障子２は、開口部８１の室内側周縁部に添設された気密材６から離間した状態で、壁面８と平行に昇降するとともに、走方向変換手段４を介して壁面８と平行な姿勢のまま水平移行することができ、開口部８１の気密材６に均等に密着しうる構成とする。例文帳に追加

The sash 2 can ascend/descend in parallel with the wall surface 8 in the state of being separated from the airtight material 6 annexed to the indoor-side peripheral edge of the opening 81, can horizontally move while maintaining an attitude parallel to the wall surface 8 via the means 4, and can come into equally close contact with the airtight material 6 of the opening 81. - 特許庁

代表的な実施形態は、ハウジング３から電気的、且つ、熱的に絶縁された放射プレートと；内面５ａ上の空気をガイドする構造５１ａ、５１ｃを水平方向に偏向させる放射プレートと；傾斜部が保護囲いカバー上の平坦化された領域３０ａに整列された曲げられた金属シートと；保護囲いカバー上の冷却要素６に向けられた曲げられた金属シートとを含んでいる。例文帳に追加

A typical execution mode includes the radiation plate electrically further thermally insulated from a housing 3, the radiation plate making structures 51a, 51c for guiding air on an inner surface 5a deflect in a horizontal direction, the flexed metal sheet with an inclined part lined up in a region 30a flattened on the protective enclosure cover, and the flexed metal sheet toward a cooling element 6 on the protective enclosure cover. - 特許庁

接地体３を形成する絶縁性を有する樋状部材３ａの凹部溝内に充填された導電性セメントを介して、或いは、該導電性セメント及び接地体３が設置されるマンホール部材１の箱体１ｂに付設された導電性セメントを介して、大地Ｇに埋設されたマンホール部材１の箱体１ｂに、接地体３を設置するように構成する。例文帳に追加

The device is so structured to have a grounding body 3 arranged in a box 1b of a manhole member 1 buried in the ground G, through conductive cement filled in a groove of an insulating gutter-like member 3a forming the grounding body 3, or through conductive cement attached to the box 1b of the manhole member 1 with the conductive cement and the grounding body 3 installed therein. - 特許庁

絶縁膜に形成された溝もしくは孔パターン内に選択的に金属膜を埋め込むことにより配線パターンを形成するダマシン配線形成法を用いた半導体装置の製造方法において、前記溝もしくは孔パターンを含む全面に金属膜を形成し、前記金属膜上に皮膜を形成し、この皮膜と溝もしくは孔パターン外の金属膜とを研磨除去する。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device, using a damascene wiring forming method of forming a wiring pattern by selectively burying a metal film in a trench or hole pattern formed on an insulation film, comprises a step of forming a metal film on the entire surface including the trench or hole pattern, forming a film on the metal film, and polishing off this formed film and the metal film outside the trench or hole pattern. - 特許庁

そのような積層型電子部品の一つである積層型チップビーズ１は、絶縁体を積層して形成された積層体１０（外装部１１）と、積層体１０内部に配置されるコイル部３０とを備え、コイル部３０を形成するコイル導体間において、外装部１１のみによって囲繞される空洞４０が１箇所以上形成されている。例文帳に追加

A stacked chip bead 1 which is one of such multilayer electronic parts is provided with a laminate 10 (armored section 11) formed by laminating insulators and a coil 30 disposed inside the laminate 10, and one cavity 40 circumscribed by the package 11 only or more are formed between coil conductors that form the coil 30. - 特許庁

走査ライン駆動用ドライバ搭載領域１１内に、走査ライン用静電気保護ライン３１、第１、第２の走査ライン用静電気保護用薄膜トランジスタ３２、３３および接続用薄膜トランジスタ３４を設けると、これらを配置するためのそれ専用の配置領域が不要となり、それに応じて額縁面積を小さくすることができる。例文帳に追加

By disposing a static electricity protective line 31 for scanning lines, first and second static electricity protective transistors 32, 33 for scanning lines, and a connection thin film transistor 34 in a driver mounting region 11 for driving scanning lines, a region exclusive for disposing these elements is made unnecessary, and accordingly, a frame area can be reduced. - 特許庁

走査ライン駆動用ドライバ搭載領域１１内に、走査ライン用静電気保護ライン３１、第１、第２の走査ライン用静電気保護用薄膜トランジスタ３２、３３および接続用薄膜トランジスタ３４を設けると、これらを配置するためのそれ専用の配置領域が不要となり、それに応じて額縁面積を小さくすることができる。例文帳に追加

A static electricity protective line 31 for scanning lines, first and second static electricity protective thin film transistors 32, 33 for scanning lines, and a connecting thin film transistor 34 are disposed in a driver mounting region 11 for driving the scanning lines, then a dedicated region for disposing these elements is unnecessary, thereby reducing the frame area. - 特許庁

ロジックトランジスタ１０と高耐圧トランジスタ２０が混載された半導体装置１において、高耐圧トランジスタ２０のゲート電極２２両側のＳｉ基板２内に形成された低濃度ドレイン領域２４ｂ上に、外周部が厚く形成された開口領域２８を有する絶縁膜を形成する。例文帳に追加

In the semiconductor device 1 hybridly mounted with a logic transistor 10 and a high breakdown voltage transistor 20, an isolation film with an opening region 28, whose outer circumference is formed thick is formed on a low-concentration drain region 24b formed in an Si substrate 2, on both sides of a gate electrode 22 of the high breakdown voltage transistor 20. - 特許庁

油槽２１内に、高電圧が印加される電極装置２５と、接地されたアース板２６とが互いに対向するように配置されると共に、電極装置２５とアース板２６との間のフライ領域を囲むように、絶縁性材料でなる電界遮断層２２が配置され、電極装置２５への高電圧印加によりフライ領域に高電圧微弱電流が発生する。例文帳に追加

In an oil bath 21, an electrode device 25 to be applied with a high voltage and a grounded earth plate 26 are so disposed as to face each other, and an electric field blocking layer 22 formed on an insulating material is so disposed as to surround a frying region between the electrode device 25 and the earth plate 26. - 特許庁

この太陽電池集電用シート５は、太陽電池モジュール１における内部配線用として太陽電池素子４の裏面側に配置され、樹脂基材５３の表面に形成され、金属からなる配線部５４１と非配線部５４２とからなる回路５４と、回路５４上に形成される絶縁層５２を備える。例文帳に追加

The sheet 5 for solar cell collector comprises a circuit 54 consisting of a metal wiring part 541 and a non-wiring part 542 arranged, as the internal wiring of a solar cell module 1, on the back side of a solar cell element 4 and formed on the surface of a resin base material 53, and an insulation layer 52 formed on the circuit 54. - 特許庁

基板上に形成された凹部３を有する絶縁膜２の表面に、ＡｌまたはＡｌ合金（以下「Ａｌ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ａｌ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。例文帳に追加

Wiring of a semiconductor device is formed by forming a thin film 5 of Al or Al alloy (hereinafter, Al base metal) by sputtering on the surface of an insulating film 2 comprising a recess 3 formed on a substrate, and then applying high-temperature and high-pressure process so that the Al base metal is packed in the recess. - 特許庁

サージ電源を用いて回転電機内サージ伝播速度およびケーブル−回転電機接続部の電圧増加率を計測し、計測したサージ伝播速度、電圧増加率と供試インバータの波頭長に基づいて、層間絶縁分担電圧を求め、回転電機の部分放電特性、課電寿命特性と比較する。例文帳に追加

The surface propagating speed in the electric rotating machine and the voltage increasing rate at the connection between a cable and the machine are measured by using a surge power source and the voltage born by interlayer insulation is determined based on the measured surge propagation speed and voltage increasing rate and the duration of wavefront of a specimen inverter. - 特許庁

ゲート絶縁膜４内で保持されて周囲に空間でなるスペーサ６を形成した浮遊ゲート層４に、あらかじめ蓄積されている電子（または正孔８）に外部から電圧を加えることで浮遊ゲート層５の機械的状態を変化させ、変化した浮遊ゲート層５の状態をチャネル電流によって読み取ることで情報の記憶を行う。例文帳に追加

The information is stored by changing a mechanical state of the floating gate layer 5 with a spacer 6 held in a gate insulating film 4 and formed as the space, by impressing a voltage to the previously stored electrons (or holes 8) from an external side and then reading a change of state of the floating gate layer 5 with a channel current. - 特許庁

本発明に係る弾性表面波装置は、パッケージ２の内部に弾性表面波素子１を収容してなり、パッケージ２は、弾性表面波素子１を収容するためのキャビティ20が凹設されたセラミック基体21と、キャビティ20を覆ってセラミック基体21の開口縁に溶接固定された金属蓋22とから構成される。例文帳に追加

The surface acoustic wave accommodates the surface acoustic wave element 1 in the inside of the package 2, and the package 2 comprises a ceramic base 21 recessed with a cavity 20 to accommodate the surface acoustic wave element 1; and a metallic lid 22 welded and fixed to an opening edge of the ceramic base 21, while covering the cavity 20. - 特許庁

本現像装置は、トナー担持ローラ７１の表面に沿うようにトナー担持ローラに設けられ互いに絶縁された多数の電極に周期的な電圧を印加することにより、トナー担持ローラ表面に担持されている所定極性に帯電したトナーをホッピングさせるためのホッピング電界をトナー担持ローラ表面上に発生させるホッピング電界発生手段を有する。例文帳に追加

The developing device has a hopping electric field generating means to generate hopping electric field for making the toner electrified to have a predetermined polarity and carried on the surface of the toner carrying roller 71 hop on the surface of the toner carrying roller by the application of periodic voltage to many electrodes provided on the toner carrying roller so as to profile the surface of the toner carrying roller and insulated from each other. - 特許庁

絶縁体２０の表面に放電トリガーギャップ３１を有する導電性皮膜３０を形成してなるサージ吸収素子１５を、不活性ガスを充填した管４０内に収容し、管４０の端部を封止電極５０，５０で封止するとともに封止電極５０，５０をサージ吸収素子１５の端部に接続する。例文帳に追加

A surge absorbing element 15 comprising an electro-conductive membrane 30 which has a discharge trigger gap 31 on the surface of an insulator 20 is housed in a tube 40 filled with inert gas, the terminal of the tube 40 is sealed with sealing electrodes 50, 50, and the sealing electrodes 50, 50 are connected to the terminal of the surge absorbing element 15. - 特許庁

円筒状の絶縁管２１の内部に、プラズマガス導入口２４よりヘリウムガスおよび不活性ガスを導入し、高周波誘導コイル２２に通電して誘導結合型プラズマを形成し、そのプラズマ空間３０に処理ガス導入口２５を通してＳＦ_6 ガスを導入し、誘導結合型プラズマによって加熱し、分解する。例文帳に追加

Helium gas and inert gas are introduced into a cylindrical insulating pipe 21 from a plasma gas introducing port 24 and a current is supplied to a high-frequency induction coil 22 to form inductive coupling plasma and SF6 gas is introduced into the plasma space 30 in the insulating pipe 21 through a gas introducing port 25 to be heated by the inductive coupling plasma to be decomposed. - 特許庁

このようなシール部材３４は、内部発泡層４６が圧潰的に弾性変形可能であり、外部スキン層４４が陥凹的に弾性変形可能であるから、空気流通路１４における空気流入口１６の開口端縁１６ａに対して適度に弾性変形しつつ密着的に当接して好適なシール状態を形成し得る。例文帳に追加

Since the inner foamed layer 46 is elastically deformable in a crushed shape, and the outer skin layer 44 is elastically deformable in a recessed shape, such a seal member 34 closely abuts on the opening edge 15a of an air inflow port 26 in an air passage 14 with proper elastic deformation to form a suitable seal state. - 特許庁

ＮＲＯＭ型メモリアレイをメモリブロック毎に分割し、各メモリブロックの境界領域に電気的に各メモリブロックを絶縁するための分離部を設けることにより、同時に読み出すあるいは書込むデータ数を各メモリブロック内では１つに限れば、データ読出あるいは書込みした場合に貫通電流パスの生成を阻止することができる。例文帳に追加

Generation of a through current path can be blocked at the time of reading or writing data by dividing an NROM type memory array for each memory block and providing a part for isolating each memory block electrically in the boundary region thereof thereby limiting the number of data being read out or written in simultaneously to only one. - 特許庁

本発明に係るスイッチング電源１０において、温度検出素子２４は、ベースプレート１２上に三角形状に配置されたスイッチング素子１６ａ、メイントランス１８及びダイオード２０ａの、それぞれの搭載領域３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃの外周縁端を結ぶ仮想的な領域３０内に設置されている。例文帳に追加

In the switching power supply 10, a temperature detecting element 24 is arranged in a virtual region 30 formed by connecting outer peripheral ends of mounting regions 30A, 30B, and 30C for a switching element 16a, a main transformer 18, and a diode 20a, which are arranged in triangle on a base plate 12. - 特許庁

複数の縦型ＭＯＳＦＥＴ２１０が形成されたｎ^＋型半導体基板２１上のゲート電極２５およびソース領域２７を覆う層間絶縁膜２８にソース領域２７を露出するコンタクト孔２９が形成され、コンタクト孔２９の内部にバリアメタル膜３０を介して導電体プラグ３１が充填されている。例文帳に追加

A contact hole 29 which exposes a source region 27 is formed in an interlayer insulating film 28 covering a gate electrode 25 and a source region 27 on an n^+ type semiconductor substrate 21 wherein a plurality of longitudinal MOSFETs 210 are formed, and the contact hole 29 is filled with a conductor plug 31 via a barrier metal film 30. - 特許庁

少なくとも導電層を被覆する層間絶縁膜をエッチングするエッチングガスにフルオロカーボンガスを含む混合ガスを用いて、接続孔内部で横方向広がり部の発生を抑制しながら、微細で且つ孔アスペクト比の接続孔を形成できる半導体装置の接続孔形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a junction hole of a semiconductor device which can form a junction hole with minuteness and high aspect ratio with a mixture gas including at least a fluorocarbon gas for an etching gas to etch an interlayer dielectric film covering an electrically conducting layer, controlling generation of side spread in the junction hole. - 特許庁

高熱伝導性を有する金属製の中空状のホルダケース５内に発光ダイオード２およびダイクロイックミラー３を対向配置してなる複数の反射型発光ダイオードユニット１０を、電気的絶縁材からなる連結材４を介して連結して積層型発光ダイオード装置１００を構成した。例文帳に追加

The stacked light emitting diode 100 is formed by connecting a plurality of reflective light emitting diode units 10 that are respectively formed by placing a light emitting diode 2 in opposite arrangement and a dichroic mirror 3 in a metallic hollow holder case 5 with high thermal conductivity, by means of a connection member 4 made of an electric insulating material. - 特許庁