「ASPECT RATIO」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To make it possible to efficiently, selectively and easily provide an electric conductor inside a hole, a concave portion, a groove or the like which is fine and has a high aspect ratio by using supercritical fluid irrespective of a grounding material.例文帳に追加

下地の材質に拘らず、微細でアスペクト比の高い孔や凹部あるいは溝等の内部に超臨界流体を用いて導電体を効率よく選択的に、かつ、容易に設けることができる導電体の選択形成方法を提供する。 - 特許庁

The subject cosmetic composition contains (a) silica-based porous particles having at least 2 aspect ratio and (b) the optically active substance internally contained in the porous particles in a biologically acceptable medium.例文帳に追加

生理学的に許容可能な媒体中に、ａ）少なくとも２のアスペクト比を有するシリカベースの多孔質粒子、及び、ｂ）前記多孔質粒子に内包された光学的活性物質を含有することを特徴とする化粧品組成物を提供する。 - 特許庁

The image forming method employs an organic photoreceptor including metal oxide particles having a number average primary particle diameter of 0.01-1.00 μm and protrusions having an aspect ratio of 0.01-0.3, and a toner including a fatty acid metal salt.例文帳に追加

数平均一次粒径が０．０１μｍ以上１．００μｍ以下の金属酸化物粒子と、アスペクト比が０．０１以上０．３以下の突起物を含有する有機感光体と、脂肪酸金属塩を含有するトナーを用いる画像形成方法。 - 特許庁

To provide a technology for obtaining the electrode of a battery in which a thick active material layer can be formed with high aspect ratio by simple process and device configuration, and with which a battery such as a lithium ion secondary battery having excellent charge/discharge capacity can be obtained.例文帳に追加

簡易な工程及び装置構成で、高アスペクト比で厚膜の活物質層を形成することができ、充放電容量に優れるリチウムイオン二次電池等の電池を実現するための電池用電極を得るための技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of forming an conductor film uniformly in grooves without deteriorating the performance of elements formed in the device even when there exist the grooves with a high aspect ratio.例文帳に追加

デバイス中に形成される各素子の性能を劣化させること無く、たとえアスペクト比の高い溝が存在したとしても、当該溝に均一な導電体膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The microstructure 11 provided with a plurality of recessed parts 12 composed of a predetermined dimensional shape and the wall parts 13 having a desired dimension and the high aspect ratio between the recessed parts 12, is manufactured by applying Ta plating to this secondary duplicate pattern 8.例文帳に追加

そして、この２次複製型８にＴａめっきを施して、所定の寸法形状からなる複数の凹部１２と、凹部１２の間において所望の寸法及び高いアスペクト比を有する壁部１３とが設けられた微細構造体１１を製造する。 - 特許庁

This polypropylene-based sheet is obtained by compounding two or more kinds of polypropylenes in which the difference between melting points measured by differential scanning calorimeter is 3-40°C with at least one kind of needle-like, fibrous or planar filler having 2-1,000 average aspect ratio.例文帳に追加

示差走査熱量計によって測定された融点の差が３〜４０℃である２種以上のポリプロピレンに平均アスペクト比が２〜１０００である、針状、繊維状、あるいは板状フィラーをすくなくとも１種類、配合してなるポリプロピレン系シート。 - 特許庁

To increase a reliability of electrolytic plating by forming a copper seed layer having a sufficient step coverage in a recessed section of a large aspect ratio consisting of a recess and a connection hole and forming a copper seed layer of a sufficient thickness on a substrate.例文帳に追加

溝と接続孔とからなるようなアスペクト比の大きい凹部に十分なステップカバリッジを得た銅シード層を形成するとともに基板上には十分な厚さの銅シード層の形成することで、電解メッキの信頼性の向上を図る。 - 特許庁

As shown in (b), when the image display member 6 is in the state having a longitudinally long aspect ratio, an input from a connector connected with the portable telephone 12 becomes valid and an input from a connector connected with the AV player 11 becomes invalid.例文帳に追加

（ｂ）に示すように、画像表示部材６が縦に長いアスペクト比を有する状態にあるときは、携帯電話１２に接続されたコネクタからの入力が有効となり、ＡＶプレヤー１１に接続されたコネクタからの入力は無効とされる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which can raise the embedding properties of recessed parts such as a high aspect ratio of holes or grooves, when a prescribed compound is specially grown by a deposition on a base body having the recessed parts in a PSG process, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

アスペクト比の大きなホール、溝等の凹部を有する基体に、特にＰＳＧプロセスで所定の化合物を堆積成長させる際に、凹部の埋め込み性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This silver color-developing pearlescent pigment is composed such that a coating layer 14 comprising titanium oxide is formed on a flaky substrate 13 having a major diameter of 5-100 μm and an aspect ratio of 50 or more, where the thickness of the coating layer 14 is 40-100 nm.例文帳に追加

長径が５〜１００μｍであってアスペクト比が５０以上の鱗片状基材１３に酸化チタンからなる被覆層１４が形成され、被覆層１４の厚みは４０〜１００ｎｍであるシルバー発色性真珠光沢顔料である。 - 特許庁

The columnar aluminum titanate has an average aspect ratio (=number average long axis diameter/number average short axis diameter) of 1.5 or larger and preferably has a magnesium content within the range of 0.5-2.0 wt.% based on the total weight of titanium and aluminum calculated in terms of oxides.例文帳に追加

平均アスペクト比（＝個数平均長軸径／個数平均短軸径）が１．５以上であり、好ましくは、マグネシウムの含有量が、チタン及びアルミニウムの合計に対してそれぞれの酸化物換算で、０．５〜２．０重量％の範囲内であること。 - 特許庁

An alumina sintered compact comprising a transition metal having an eutectic point with alumina is subjected to ordinary-pressure sintering and HIP (Hot Isostatic Pressing) treatment so as to obtain a sintered compact comprising anisotropic grains with the major axis length of ≥10 μm and an aspect ratio of ≥1.5 by ≥20%.例文帳に追加

アルミナと共晶点を有する遷移金属を有するアルミナ焼結体を常圧焼結及びＨＩＰ処理し、長軸長さ１０μｍ以上、アスペクト比１．５以上の異方性粒子を２０％以上含む焼結体を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, in which the resistance value of a via-hole conductor inside a depressed hole of high aspect ratio formed in a semiconductor substrate is reduced, and the via-hole conductor is satisfactorily brought into contact with a backside metal with satisfactory adhesion.例文帳に追加

半導体基板に形成した高アスペクト比の凹状穴の内面に形成されたバイアホールの抵抗値を低減し、かつバイアホールが裏面金属と密着性よく接触している半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the enamel substrate for mounting a light-emitting element in which the surface of a core metal is covered with an enamel layer, the aspect ratio of the substrate is not more than 20 times and the thickness of the substrate is not less than 1.0 mm.例文帳に追加

コア金属の表面にホーロー層が被覆されてなる発光素子実装用ホーロー基板であって、基板の縦横比が２０倍以下であり、且つ板厚が１．０ｍｍ以上であることを特徴とする発光素子実装用ホーロー基板。 - 特許庁

The modulus of the elasticity of the material forming the structure is 1 MPa or more and 1200 MPa or less, the aspect ratio of the structure is 0.6 or more and 5 or less, and the dynamic friction coefficient of the surface of the base material with the plural structures formed is 0.85 or less.例文帳に追加

構造体を形成する材料の弾性率が１ＭＰａ以上１２００ＭＰａ以下であり、構造体のアスペクト比が０．６以上５以下であり、複数の構造体が形成された基体の表面の動摩擦係数が０．８５以下である。 - 特許庁

An in-mold coated product is provided with an in-mold coated film 3 formed by carrying out in-mold coating with a coating for the in-mold coating prepared by compounding glitter flakes 4 having 1-5 aspect ratio on a design surface 2 of a resin molded product 1 obtained by molding in a mold.例文帳に追加

型内塗装製品は、型成形された樹脂成形品１の意匠面２に、アスペクト比が１〜５の光輝材４を配合してなる型内塗装用塗料を型内塗装して形成された型内塗装塗膜３を備えている。 - 特許庁

To provide an additive composition for a hydraulic composition, with which kneadability and curing property, that cause trouble in cost aspect, can be simultaneously satisfied while securing good fresh physical properties in a hydraulic composition in which the ratio of water to a hydraulic powder is <20 wt.%.例文帳に追加

水／水硬性粉体比が２０重量％未満の水硬性組成物において、良好なフレッシュ物性を確保しつつ、コスト面で妨げとなる練り上がり性や硬化物性を同時に満足できる添加剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition capable of forming a space pattern excellent in heat resistance and having a high aspect ratio on a thick film board with good perpendicularity and resolution and to provide a board with a photosensitive film, a resist pattern forming method and a method for preparing the photoresist composition.例文帳に追加

厚膜基板上で、耐熱性に優れ、高アスペクト比のスペースパターンを垂直性、解像性よく形成可能なポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、レジストパターンの形成方法およびポジ型ホトレジスト組成物の製造方法の提供。 - 特許庁

The conductive paste includes conductive powder, a binder, and a solvent, and the conductive powder is flat-shaped and mostly covered with silver, and exposes a part of copper powder and copper alloy powder, and the conductive particle has an aspect ratio of 3-20, and an average grain diameter of 5-30 μm.例文帳に追加

導電粉、バインダ及び溶剤を含み、かつ導電粉が銅粉及び銅合金粉の一部を露出して大略銀で被覆され、その形状が扁平状で、アスペクト比が３〜２０及び長径の平均粒径が５〜３０μｍである導電ペースト。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a fabrication method thereof in which the barrier performance can be enhanced without destructing a diffusion layer on the surface of a substrate or deteriorating the aspect ratio of the contact hole while preventing fabrication yield from decreasing.例文帳に追加

基板表面の拡散層の破壊及びコンタクトホールのアスペクト比の悪化を生じることなく、バリア性を向上させることができると共に、製品歩留の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and apparatus capable of improving a production yield with no increase in manufacturing costs by preventing a mask collapse without using Xe gas, even when forming a hole having a high aspect ratio.例文帳に追加

高アスペクト比のホールを形成するような場合であっても、Ｘｅガスを用いることなく、マスク倒れの発生を抑制することができ、製造コストの上昇を招くことなく歩留まりの向上を図ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

In order to output image data of 16:9 on a high-definition panel device, an image signal is generated by performing necessary image conversion processing (e.g., wide-zoom image conversion accompanied with segmentation processing) in accordance with the relation of an aspect ratio with that of source image data.例文帳に追加

ハイビジョンパネル機器に１６：９の画像データを出力するために、元画像データとのアスペクト比との関係に応じて必要な画像変換処理（例えば切出し処理を伴うワイドズーム画像変換）を行って画像信号を生成する。 - 特許庁

To prevent burning of a display screen by reducing possibility of burning caused on a border between a video image part and a blank on the display device that displays a video signal whose aspect ratio differs from that of the display screen.例文帳に追加

本発明は、表示画面とアスペクト比の異なる映像信号を表示できる表示装置において映像部分と余白部分の境界に起こる焼き付き現象の発生する機会を少なくするようにして焼き付き防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an electronic component comprising a step for filling a through hole having a large aspect ratio surely with conductive paste without entraining air, or imparting conductive paste surely to the inner circumferential surface of the through hole.例文帳に追加

アスペクト比が大きい貫通孔に導電ペーストに空気を巻き込むことなく確実に充填あるいは該貫通孔の内周面に確実に導電ペーストを付与することを可能とする工程を備えた電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The body is constructed by a composite, in which thermoplastic resin of 3-15 wt.%, a ferrite powder of 65-95 wt.% and carbon fiber of 2-20 wt.% are made to contain there in, and the average aspect ratio of the carbon fiber is set to be within the range of 2-25.例文帳に追加

熱可塑性樹脂３〜１５重量％、フェライト粉末６５〜９５重量％、カーボンファイバー２〜２０重量％を含有させ、カーボンファイバーの平均アスペクト比を２〜２５の範囲とした複合材にて電波吸収体を構成する。 - 特許庁

The above photocurable resin coating composition has, as the vitreous filler, glass fibers having a fiber diameter of 5 to 20μm and an aspect ratio of 2-10, filmy glass having an average thickness of 1 to 10μm and an average particle size of 5 to 70μm or a mixture thereof.例文帳に追加

ガラス質フィラーが、繊維径５μｍ〜２０μｍでアスペクト比が２〜１０のグラスファイバー、平均厚さ１μｍ〜１０μｍで平均粒度が５μｍ〜７０μｍの薄膜状ガラス、またはその混合物である上記光硬化性樹脂コーティング組成物。 - 特許庁

In the rolling face of the sheet or bar, provided that the average crystal grain size (a) measured in the sheet width direction is 5 to 20 μm, and also, the average crystal grain size measured in a direction parallel to the rolling direction is (b), its aspect ratio b/a is controlled to 2.5 to 10.例文帳に追加

板又は条の圧延面において、板幅方向に測定した平均結晶粒径ａを５〜２０μｍとし、かつ圧延方向に平行な方向に測定した平均結晶粒径をｂとしたときアスペクト比ｂ／ａを２．５〜１０とする。 - 特許庁

To provide a method of forming wiring structure by which the reliability and initial yield of wiring can be improved while coping with the further scale down and higher integration of a semiconductor device by enabling a barrier metal film corresponding to the higher aspect ratio of a via hole to surely obtain sufficient coverage.例文帳に追加

ビア孔の高アスペクト化に対応したバリアメタル膜の十分な被覆性（カバレッジ）を確実に得ることを可能とし、半導体装置の更なる微細化・高集積化に対応しつつも配線信頼性及び初期歩留りの向上を実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which eliminates the need for tapering a connection hole by wet etching to reduce the aspect ratio of the connection hole and can reduce the generation rate of a connection hole formation defect.例文帳に追加

本発明は、接続孔のアスペクト比を低減するために、ウェットエッチングにより接続孔にテ−パを施す必要がなく、接続孔形成不良の発生率を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To extract a spread spectrum signal superimposed on a video signal from the video signal after conversion when the video signal with the spread spectrum signal superimposed thereon has been converted into a video signal of forming an image with a different aspect ratio.例文帳に追加

スペクトラム拡散信号が重畳されている映像信号が、アスペクト比の異なる画像を形成する映像信号に変換された場合に、変換後の映像信号からこれに重畳されているスペクトラム拡散信号を抽出できるようにする。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride capable of attaining a high heat conductivity with a less loading amount, excellent in operability, and having a high aspect ratio, therefore, little in the effect to human body, a method of manufacturing it, and a high heat conductivity resin complex material.例文帳に追加

より少ない充填量で高い熱伝導率を達成可能で、且つ作業性、人体への影響の少ない高アスペクト比を有する窒化アルミニウム、その製造方法およびそれを用いた高熱伝導性樹脂複合材料を提供する。 - 特許庁

The metal nano fiber-containing composition is characterized by comprising a metal nano rod of which a long axis is less than 400 nm and an aspect ratio is larger than 1 and a metal nano wire of which the long axis is 400 nm or longer and a short axis is 50 nm or shorter.例文帳に追加

長軸が４００ｎｍ未満であってアスペクト比が１より大きい金属ナノロッドと、長軸が４００ｎｍ以上であって短軸が５０ｎｍ以下である金属ナノワイヤーとを含有することを特徴とする金属ナノ繊維含有組成物。 - 特許庁

To provide a low-profile tire with the aspect ratio less than 50%, for example, which separately provides both of a side reinforcing part and a display part with integrated surface appearance while securing the effective size of characters and so on of the display part on the outer surface of a side wall part.例文帳に追加

サイドウォール部の外面に、表示部の文字等の有効サイズを確保しつつ、統一感のある表面外観でサイド補強部と表示部の双方を別々に設けることができる、例えば偏平率が50％以下の偏平タイヤを提供する。 - 特許庁

To provide a new copolymer exhibiting an excellent transmittance, a high sensitivity, and a high resolution in the field of photolithography using a light source in the DUV(deep ultraviolet) region, a photoresist composition, and a method for producing a high-aspect-ratio resist pattern by using a silylating agent.例文帳に追加

ＤＵＶ領域の光源を用いるホトリソグラフィー分野において、透過性に優れ、高感度、高解像性を有する新規コポリマー、ホトレジスト組成物およびシリル化剤を用いた高アスペクト比のレジストパターンを形成する方法の提供。 - 特許庁

In the door mirror for the automobile provided with the fine particle of tungsten oxide or the tungsten oxide composite material on a surface, an average particle diameter of the fine particles is in a range of 1-200 nm and an aspect ratio of the fine particle is made to a range of 1-3.5.例文帳に追加

酸化タングステンまたは酸化タングステンの複合材の微粒子を表面に具備する自動車用ドアミラーにおいて、前記微粒子の平均粒径が１ｎｍから２００ｎｍの範囲であり、かつ微粒子のアスペクト比を１〜３．５の範囲とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a constant performance which can form a damascene structure without using a stopper film having a high relative permittivity, and can accurately process a fine via hole with a high aspect ratio.例文帳に追加

比誘電率の高いストッパー膜を用いることなくダマシン構造を形成できるとともに、高いアスペクト比の微細なヴィアホールを高精度に加工することが可能であり、均一な性能の半導体装置を製造し得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transfer sheet for forming an electrode of a solar cell capable of easily and simply forming an electrode having a high aspect ratio in an appropriate cross section and layout, and a method of manufacturing a solar cell using the same.例文帳に追加

容易かつ簡便に、高アスペクト比を有する電極を、適当な断面積及びレイアウトで形成することができる太陽電池の電極形成用転写シート及びこれを用いた太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since in the catalytic section (42) of the gas sensor element (1), fraction of particles (particles by which adhesion condition with the induction layer 41 is in good) with aspect ratio of 2.0 or more is specified to at least be 20% or more, exfoliation from the induction layer (41) can be suppressed.例文帳に追加

ガスセンサ素子（１）の触媒部（４２）は、アスペクト比が２．０以上となる粒子（感応層４１との密着状態が良好となる粒子）の割合が少なくとも２０％以上に規定されており、感応層（４１）からの剥離を抑制できる。 - 特許庁

As the piezoelectric activating section 42 is so constituted that an aspect ratio of a driving section which is in roughly the same shape of a pressurizing chamber is approximately one and a connection section 42D with an electric pad section is constricted, it allows the driving section to be readily deformed by a piezoelectric function.例文帳に追加

更に、圧電能動４２は、圧力室と略同一形状の駆動部のアスペクト比が１に近い形状であり、且つ、電気パット部との接続部４２Ｄはくびれているため、駆動部の電歪作用によるたわみ変形を妨げにくい。 - 特許庁

To equip an over-wrapping packaging machine, which closes both the sides of a product in a double-point end fold form, with a folding apparatus which can beautifully and surely carry out folding in a double-point end fold form even if the aspect ratio of the sides of the product is small.例文帳に追加

ダブルポイントエンドフォールドの形態で製品側面を閉じる上包み包装機において、前記製品側面の縦横比が小さくでも、ダブルポイントエンドフォールドでの折込みを綺麗且つ確実に行うことができる折込み装置を提供する。 - 特許庁

By displaying an image having such an aspect ratio in a maximum size that is settled within the display area, a peripheral area of lower significance than the parking area 210, namely, unwanted information can be removed from the image.例文帳に追加

そして、このような縦横比の画像を表示領域に収まる最大の大きさで表示させることで、駐車領域２１０に比べて重要度が低い周辺の領域，つまり不必要な情報を画像から除去することができる。 - 特許庁

The powder for powder coating is such a powder for powder coating as comprising polymer particles (A) and having an average particle diameter of 50-170 μm, with the polymer particles (A) containing a thermoplastic elastomer and being approximately spherical and also having an aspect ratio thereof 2.0 or less.例文帳に追加

ポリマー粒子（Ａ）を有し、平均粒径が５０〜１７０μｍである粉末成形用パウダーであって、ポリマー粒子（Ａ）が、熱可塑性エラストマーを含有し、略球状であり、ポリマー粒子（Ａ）のアスペクト比が２．０以下である粉末成形用パウダー。 - 特許庁

The separator has a porous membrane made of thermoplastic resin containing an inorganic filler, and at least one of the active material contained in the negative electrode and the active material contained in the positive electrode is a particle shape active material of an aspect ratio of 1.02 or more and 3 or less.例文帳に追加

セパレータは、無機充填剤を含有する熱可塑性樹脂よりなる多孔質膜を有し、負極に含まれる活物質及び正極に含まれる活物質の少なくとも一方がアスペクト比１．０２以上３以下の粒子状活物質である。 - 特許庁

To prevent a device from causing defects without making unwanted constituents to infiltrate into a seam, even if the aspect ratio of an inter-electrode insulating film formed in between a plurality of laminated layer gate electrodes is high and a seam is generated therein.例文帳に追加

複数の積層ゲート電極間に形成される電極間絶縁膜のアスペクト比が高く電極間絶縁膜内にシームが生じたとしても当該シーム内に不要成分を侵入させることなくデバイス不良を防止できるようにする。 - 特許庁