「Al's」に関連した英語例文の一覧と使い方(142ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, the sintered magnet body on its surface is coated with an RHM alloy layer composed of the RH (wherein RH is one or two or more rare earth elements selected from among Dy, Ho and Tb) and metal M (wherein M is one or two or more metal elements selected from among Al, Cu, Co, Fe and Ag), the metal M forming RHM so as to induce a melting point lowering.例文帳に追加

次に、焼結磁石体の表面にＲＨ（但し、ＲＨは、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂから選ばれる希土類元素の１種又は２種以上）と、ＲＨＭとなり融点を下げる金属Ｍ（但し、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇから選ばれる金属元素の１種または２種以上）とからなるＲＨＭ合金層を被覆する。 - 特許庁

The second steel sheet comprises >1.50 to 10.00% Al, and further comprises one or more selected from Bi, Pb, Sb and Sn, and in which the X-ray random intensity ratio in the {110}<001> orientation in the 1/2 sheet thickness part is ≥6, and the Young's modulus in a 55° direction to the rolling direction is 225 to 290 GPa.例文帳に追加

第２の鋼板は、Ａｌ：１．５０％超〜１０．００％を含有し、更に、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎの１種又は２種以上を含有し、１／２板厚部における｛１１０｝＜００１＞方位のＸ線ランダム強度比が６以上であり、圧延方向に対して５５°方向のヤング率が、２２５ＧＰａ〜２９０ＧＰａ以下である。 - 特許庁

Between a pair of electrodes 1 and 3, for example, a periodic structure 2 is provided which is formed by alternately laminating a plurality of semiconductor layers 2a such as n-type ZnO and a plurality of metal layers 2b such as Al, the thermoelectric conversion element is constituted by installing an insulating plate on the electrode 1 according to the necessity, and a heat generating source 4 abuts on the electrode 3 or the insulating plate.例文帳に追加

一対の電極１，３間に、例えばｎ型のＺｎＯ等の半導体層２ａとＡｌ等の金属層２ｂとが交互に複数積層された周期構造体２を設け、必要に応じて電極１上に絶縁板を設けて熱電変換素子を構成し、電極３上又は絶縁板上に発熱源４が当接する。 - 特許庁

To provide an all-solid lithium secondary battery having low internal resistance, while suppressing the occurrence of short circuiting, by using, as a solid electrolyte material, a ceramic material which has a garnet-type or a structure similar to garnet crystal containing lithium (Li), lanthanum (La), zirconium (Zr) and oxygen (O) and contains aluminum (Al), and using, as an electrode material, a metal electrode which contains lithium as the main component.例文帳に追加

固体電解質材料としてリチウム（Ｌｉ）とランタン（Ｌａ）とジルコニウム（Ｚｒ）と酸素（Ｏ）を含むガーネット型もしくはガーネット型類似の結晶構造を有し、アルミニウム（Ａｌ）を含有するセラミックス材料を用い、電極材料として、リチウムを主成分とする金属電極を用いて、ショート発生を抑制しつつ、内部抵抗の低い全固体リチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

Then a layer M which contains a metal element M (at least one selected from the group consisting of Al, Ga, In, Sn, Pb, Bi, Zn and Ag) is deposited on a surface of the sintered magnet body, and an RH layer containing a heavy rare-earth element RH (at least one selected from the group consisting of Dy, Ho and Tb) is deposited on the layer M.例文帳に追加

次に、焼結磁石体の表面に金属元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、およびＡｇからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するＭ層を堆積した後、重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｈｏ、およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するＲＨ層をＭ層上に堆積する。 - 特許庁

The magnesium alloy member 1 includes a rolled plate 2 of a magnesium alloy containing 5.8-10 mass% of Al and having a through hole 2H penetrating from one surface 2A to the other surface 2B, and a resin member 3 mechanically engaged with the rolled plate 2 by extending from a part of the one surface 2A of the rolled plate 2 to a part of the other surface 2B through the through hole 2H.例文帳に追加

Ａｌを５.８〜１０質量％含有するマグネシウム合金の圧延板２であり、その一方の面２Ａから他方の面２Ｂに貫通する貫通孔２Ｈを有する圧延板２と、圧延板２における一方の面２Ａの一部から貫通孔２Ｈを経て他方の面２Ｂの一部に至ることで圧延板２に機械的に係合する樹脂部材３と、を備えるマグネシウム合金部材１である。 - 特許庁

The counter electrode substrate is formed of any one of Al, Cu, Ag, Au or SUS, the corrosion-resistant conductive layer is formed of any one of Ti, Cr, Ni, Nb, Mo, Ru, Rh, Ta, W, In, Pt or hastelloy, and the conductive catalyst layer is formed of any one of carbon, Tu, Rh, Pd, Os, Ir, Pt or conductive polymer, respectively.例文帳に追加

対向電極基板はＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＳＵＳの何れか、耐腐食性導電層はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｎ、Ｐｔ、ハステロイの何れか、導電性触媒層は、カーボン、Ｔｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、導電性高分子の何れかによってそれぞれ形成される。 - 特許庁

The aluminum alloy casting member includes 7.0-11.5 mass% Si, 0.9-4.0 mass% Mg, 0.1-0.65 mass% Fe, and 0.1-0.8 mass% Mn, with the balance being Al and unavoidable impurities, wherein eutectic Si has an aspect ratio of 2.0 or less and an average particle size of 1.0 μm or less.例文帳に追加

アルミニウム合金鋳物部材は、Ｓｉ：７．０〜１１．５質量％、Ｍｇ：０．９〜４．０質量％、Ｆｅ：０．１〜０．６５質量％及びＭｎ：０．１〜０．８質量％を含み、残部がＡｌ及び不可避不純物からなり、共晶Ｓｉのアスペクト比が２．０以下であり、且つ共晶Ｓｉの平均粒径が１．０μｍ以下であるものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor wafer 1; an Al-Si metal layer 2 which is patterned on the wafer 1 and provides a plurality of concaves 9 on the top surface; an oxide film 11 which is formed at the section to which the layer 2 and the wafer 1 are exposed; and Ni plated film 3 and Au plated film 4 which are formed to fill the concaves 9 through the film 11 on the layer 2.例文帳に追加

半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 - 特許庁

The method for processing the seaweeds comprises a pre-drying process for pre-drying the seaweeds comprising raw Undaria pinnatifida or raw Laminariaceae Bory harvested from the sea, a soaking process for soaking the pre-dried seaweeds in a warmed metal ion solution containing any of metal ions comprising Zn, Cu, Fe, Mg, Al, Se, Mo, Cr and Mn to fix the seaweeds to have green color and a drying process for drying the fixed seaweeds.例文帳に追加

海藻の加工方法は、海から採取された生ワカメまたは生コンブからなる海藻を予備乾燥工程で予備乾燥した後、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｅ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎのいずれかの金属イオンを含む加温された金属イオン液に浸漬する浸漬工程で緑色に定着すると共に、浸漬工程で緑色に定着された海藻を乾燥工程で乾燥する。 - 特許庁

Anneal is performed in a state where the first electrode film 30 and the main dielectric film 31 are formed, thereby aluminum (Al) in the first electrode film is allowed to react with oxygen (O) in the main dielectric film to form a subsidiary dielectric film 35 containing aluminum oxide at an interface between the first electrode film and the main dielectric film.例文帳に追加

第１の電体膜３０と主誘電体膜３１とが形成されている状態でアニールを行うことにより、第１の電極膜中のアルミニウム（Ａｌ）と主誘電体膜中の酸素（Ｏ）とを反応させて、第１の電極膜と主誘電体膜との界面に、酸化アルミニウムを含む副誘電体膜３５を形成する。 - 特許庁

The hot dip galvanized high strength steel sheet is obtained by applying hot dip galvanizing to a steel sheet having a steel composition comprising, by mass, 0.05 to 0.25% C, ≤2.0%例文帳に追加

溶融亜鉛めっき高強度鋼板は、質量％にて、C:0.05〜0.25%、Si:2.0%以下、Mn:0.8〜35、P:0.0010〜0.1%、S:0.0010〜0.０５%、N:0.0010〜0.010%、Al:0.01〜2.0％を含有し、残部鉄及び不可避的不純物からなる鋼組成を有し、 組織中に平均炭素量０．９％以上の残留オーステナイトを３％以上含有し、 板厚ｔの1/8t〜3/8ｔの範囲でのＭｎミクロ偏析が、式（１）を満たす範囲にある鋼板に、溶融亜鉛めっきが施されたことを特徴とする。 - 特許庁

On the base 1 made of a specific single-crystal material, a group III nitride film 2 containing at least Al is subjected to epitaxial growth for forming, and the substrate 10 for ZnO-based film epitaxial growth is prepared by allowing the ZnO-based film subjected to the epitaxial growth on the group III nitride film 2 for forming.例文帳に追加

所定の単結晶材料からなる基材１上に、少なくともＡｌを含むIII族窒化物膜２をエピタキシャル成長させて形成し、このIII族窒化物膜２上にＺｎＯ系膜をエピタキシャル成長させて形成することによってＺｎＯ系膜エピタキシャル成長用基板１０を作製する。 - 特許庁

To provide mold flux for continuous casting which effectively prevents the deterioration of surface quality on a cast slab and the breakout caused by defective lubrication of the mold flux during the continuous casting, at the time of continuously casting a steel having a slag reducible metallic elements, such as high Al, Y or REM.例文帳に追加

本発明は高ＡｌまたはＹやＲＥＭなどのスラグ還元性金属元素を有する鋼を連続鋳造する際に、連続鋳造中にモールドフラックスの潤滑不良に起因する鋳片表面品質の劣化防止や、ブレークアウトの防止に効果的な連続鋳造用モールドフラックスを提供する。 - 特許庁

In the corrosion-resistant rare earth-based permanent magnet, the Al covering is formed on the surface of the magnet, the surface is subjected to substitution treatment by Zn and/or Sn, and inorganic covering that is slightly soluble to water or is insoluble to water containing at least one type of metal phosphate selected from Mg, Ca, Ba, Sr as the components is formed.例文帳に追加

本発明の耐食性希土類系永久磁石は、磁石の表面にＡｌ被膜を形成した後、その表面をＺｎおよび／またはＳｎによる置換処理をしてから、構成成分としてＭｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒから選ばれる少なくとも１種の金属のリン酸塩を含む、水に難溶乃至不溶の無機物被膜を形成してなることを特徴とするものである。 - 特許庁

The lap fillet arc welding method of a galvanized steel sheet and a welded joint are characterized in that an Si content in a weld metal is at most 0.5 mass%, and a sum total of a content of Si and Al in a steel sheet of an upper plate is at least 0.35 mass% in lap fillet arc welding of a galvanized steel sheet.例文帳に追加

亜鉛めっき鋼板の重ね隅肉アーク溶接において、溶接金属中のＳｉ含有率が質量％で０．５％以下であり、且つ上板の鋼板中のＳｉとＡｌの含有率の合計が質量％で０．３５％以上であることを特徴とする亜鉛めっき鋼板の重ね隅肉アーク溶接方法および溶接継手。 - 特許庁

The dilute copper alloy material is used in an environment with presence of hydrogen, and includes pure copper containing unavoidable impurities, oxygen in an amount exceeding 2 mass ppm, and an additive element which is selected from the group consisting of Mg, Zr, Nb, Ca, V, Fe, Al, Si, Ni, Mn, Ti and Cr, and forms oxide in combination with the oxygen.例文帳に追加

本発明に係る希薄銅合金材料は、水素が存在する環境下で使用され、不可避的不純物を含む純銅に、２ｍａｓｓ ｐｐｍを超える量の酸素と、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｖ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、及びＣｒからなる群から選択され、酸素との間で酸化物を形成する添加元素とを含む。 - 特許庁

The carburizing rolled steel having excellent high temperature carburizing properties and hot forgeability is composed of a rolled steel in which the contents of C, Si, Mn or the like are specified and the contents of N, Al, Nb and Ti are also specified, and regarding its microstructure, the area ratio of ferrite+pearlite is ≥90%, and also, the ferrite grain size number is ≤11.例文帳に追加

Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎなどの含有率が特定される他、Ｎ，Ａｌ，Ｎｂ，Ｔｉの含有率が特定された圧延鋼材からなり、ミクロ組織がフェライト＋パーライト面積率で９０％以上を示し、且つフェライト粒度番号が１１番以下である、高温浸炭特性と熱間鍛造性に優れた浸炭用圧延鋼材を開示する。 - 特許庁

By this, since the suppression torque Tα is set smaller as an elapsed time tstop is shorter and as an altitude Al is higher, or as the negative pressure of an intake system of the engine is larger and as the torque fluctuation acting on the driving shaft is smaller, excessive suppression torque Tα to torque fluctuation can be suppressed to suppress the shock at the time of starting the engine.例文帳に追加

これにより、停止後経過時間ｔｓｔｏｐが短いほど、また、標高Ａｌが高いほど、すなわち、エンジンの吸気系の負圧が大きく駆動軸に作用するトルク変動が小さいほど、抑制トルクＴαを小さく設定するから、トルク変動に対して抑制トルクＴαが過剰になるのを抑えてエンジンを始動する際のショックの発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a sputtering target of Al-(Ni, Co)-(Cu, Ge)-(La, Gd, Nd)-based alloy, which reduces the occurrence of splash at the initial stage of the use of the sputtering target, thereby prevents a defect from occurring in a wiring film or the like, and can improve the yield or performance of FPD, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの使用初期段階でのスプラッシュの発生を軽減し、これにより配線膜等に生じる欠陥を防止し、ＦＰＤの歩留りや動作性能を向上させることが可能なＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In molten steel refining in which molten steel in a ladle is circulated to a reduced-pressure vacuum tank to be refined, desulfurizing refining is performed by adding a powder desulfurizing agent to the molten steel, then oxygen gas is sprayed to the molten steel in a vacuum tank to burn Al in the molten steel, and further, the molten steel is circulated between the ladle and the vacuum tank.例文帳に追加

取鍋内の溶鋼を減圧した真空槽に環流して精錬を行う溶鋼精錬において、粉体脱硫剤を溶鋼に添加して脱硫精錬を行った後、真空槽内で酸素ガスを溶鋼に吹き付けることによって溶鋼中のＡｌを燃焼させ、さらに取鍋と真空槽の間で溶鋼を環流する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor epitaxial substrate 10 comprises forming an ELO growth layer 4 of the composition of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) on a group III nitride layer 2 formed on a substrates 1, wherein the ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) growth layer 4 is formed using a mask pattern 3 consisting of carbon formed on the group III nitride layer 2.例文帳に追加

基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 - 特許庁

In the case the depth by which the peak value of an oxygen profile measured by an X-ray microanalyzer of the surface after the hot rolling of a laminated material obtained by laminating an Al-Si brazing filler metal on the surface of a core material composed of aluminum or an aluminum alloy reaches 1/2 is defined as a surface oxidized film thickness, the surface oxidized film thickness is ≤250 Å.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金からなる芯材の表面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材が積層された積層材が熱間圧延された後の表面のＸ線マイクロアナライザで測定される酸素プロファイルのピーク値が１／２となる深さを表面酸化膜厚さとすると、その表面酸化膜厚さは２５０Å以下である。 - 特許庁

The adsorbent comprises zeolite containing at least Al and P as elements constituting a skeleton thereof, wherein the zeolite has pores of 3.8-7.1 angstroms diameter and one-dimensional structure, has a skeleton density of ≤18.0 T/angstrom^3 and has any of an ATS structure, an ATN structure, an AWW structure, an LTL structure and an SAS structure.例文帳に追加

骨格を構成する元素として少なくともＡｌとＰを含み、且つ、細孔が３．８から７．１オングストロームの径を有する１次元構造であり、且つ骨格密度が１８．０Ｔ／オングストローム^３以下のゼオライト、ＡＴＳ構造、ＡＴＮ構造、ＡＷＷ構造、ＬＴＬ構造、ＳＡＳ構造の何れかからなる吸着剤を用いる。 - 特許庁

(1), wherein M includes at least one selected from the group consisting of Mg, Sr, Ba, Zn, Na, Al, Ga, Ge, P, As and Fe, and N includes at least one selected from the group consisting of Eu^2+, Mn^2+, Tb^3+, Yb^2+ and Tm^3+.例文帳に追加

（化１） Ｃａ_２−ｘ−ｙ−ｚＭｘＳｉＯ_４：ｙＣｅ^３＋，ｚＮ（０≦ｘ＜０.５、０＜ｙ≦０.１、０≦ｚ＜０.１５）…（１）化学式（１）で、Ｍは、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｎａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｓ及びＦｅからなるグループから選択された少なくとも１つを含み、ＮはＥｕ^２＋、Ｍｎ^２＋、Ｔｂ^３＋、Ｙｂ^２＋及びＴｍ^３＋からなるグループから選択された少なくとも１つを含む。 - 特許庁

Copper alloy materials having major components such as Cu, Zn, Al, Mn, and Si are employed as bearing materials 10 and 11 of the supercharger, and the extending direction of an Mn-Si series compound crystallized in the alloy material is set in the axial direction of a rotational axis for a radial bearing, and also in the perpendicular direction of the rotational axis for a thrust bearing.例文帳に追加

過給機の軸受材１０，１１として、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｉを主成分とする銅合金材を採用するとともに、該合金材に晶出されるＭｎ−Ｓｉ系化合物の伸長方向を、ラジアル軸受については回転軸の軸方向に、スラスト軸受については回転軸の軸直角方向に配設して構成する。 - 特許庁

This radiogram conversion panel having on a support, a phosphor layer containing at least one layer of phosphor particles is characterized by containing amorphous AOx particles (A is at least one kind selected from Si, Ti, Al, Zr, transition elements and rare earth elements) whose ratio occupying in the phosphor particles is 0.0005-1.0 wt.%.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも１層の蛍光体粒子を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、不定形ＡＯｘ粒子（Ａは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、遷移元素及び希土類元素から選ばれる少なくとも１種）を含有し、該蛍光体粒子に占める該不定形ＡＯｘ粒子の比率が、０．０００５〜１．０質量％であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

This ornament consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る装飾品は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

The coating film consists of a translucent film material CL12 composed of Al_2O_3 (alumina) locally covering the vicinity of the laser outgoing part (emission spot) on the laser outgoing side end face, and a film material CL11 composed of Al having thermal conductivity higher than that of the film material CL12 and covering other parts on the laser outgoing side end face.例文帳に追加

このコーティング膜は、レーザ出射側素子端面のレーザ出射部（発光スポット）の近傍を局所的に覆ってＡｌ_2Ｏ_3（アルミナ）からなる透光性の膜材ＣＬ１２と、同レーザ出射側端面の他の部分を覆って該膜材ＣＬ１２よりも高い熱伝導率をもつＡｌからなる膜材ＣＬ１１とにより構成される。 - 特許庁

The chromium-free surface treatment agent for a metallic sheet material contains (A) water based resin having carboxyl groups and acid-amido bonds, (B) one or more kinds of metallic compounds selected from the metallic compounds of Al, Mg, Ca, Zn, Ni, Co, Fe, Zr, Ti, V, W, Mn and Ce, and (C) a silicon compound.例文帳に追加

（Ａ）カルボキシル基と酸アミド結合を有する水系樹脂、（Ｂ）Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｍｎ及びＣｅの金属化合物から選ばれる１種又は２種以上の金属化合物、及び（Ｃ）珪素化合物を含有するクロムを含有しない金属板材用表面処理剤である。 - 特許庁

The display apparatus has a first conductive layer formed by using a transparent conductive film consisting essentially of indium oxide, a conductive base layer formed on the first conductive layer, a second conductive layer formed on the base layer by using a film consisting essentially of Al and a third conductive layer formed on the second conductive layer by using the same material as the second conductive layer.例文帳に追加

酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された導電性の下地層と、前記下地層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層と、前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a pad 20 provided on a compound semiconductor layer 12, including Al, and provided with a wiring connection part 26 provided evading a bonding region 28; a wiring layer 34 including Au, which is electrically connected to the wiring connection part 26 of the pad 20; and a barrier layer 32 provided between the wiring connection part 26 and the wiring layer 34.例文帳に追加

本発明は、化合物半導体層１２上に設けられ、Ａｌを含み、かつボンディング領域２８を避けて設けられた配線接続部２６を有するパッド２０と、パッド２０の配線接続部２６に電気的に接続されたＡｕを含む配線層３４と、配線接続部２６と配線層３４との間に設けられたバリア層３２と、を具備する半導体装置である。 - 特許庁

The martensitic stainless steel has a composition comprising 0.01 to 0.1% C, 0.05 to 1% Si, 0.05 to 1.5% Mn, ≤0.03% P, ≤0.01%例文帳に追加

C：0.01〜0.1％、Si：0.05〜1％、Mn：0.05〜1.5％、P≦0.03％、S≦0.01％、Cr：9〜15％、Ni：0.1〜2.0％、Al≦0.05％およびN≦0.1％を含むとともに、Cu：0.05〜4％、Mo：0.05〜3％、V：0.005〜0.5％、Nb：0.005〜0.5％、B：0.0002〜0.005％、Ca：0.0003〜0.005％、Mg：0.0003〜0.005％およびREM：0.0003〜0.005％のうちの1種以上を含有し、残部がFeおよび不純物であり、下記の方法で測定される鋼中の残留オーステナイト相の厚さが100nm以下で、Ｘ線積分強度111γと110αが下記式（ａ）を満たすマルテンサイト系ステンレス鋼。 - 特許庁

The welding member is formed by welding metal materials, wherein at least one of the metal materials comprises more than 2 mass ppm oxygen and an additive element chosen from the group consisting of Mg, Zr, Nb, Fe, Si, Al, Ca, V, Ni, Mn, Ti and Cr in pure copper containing unavoidable impurities.例文帳に追加

本発明に係る溶接部材は、金属材料同士を溶接して形成される溶接部材であって、前記金属材料の少なくとも一方が、不可避的不純物を含む純銅に、２ｍａｓｓ ｐｐｍを超える酸素と、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、及びＣｒからなる群から選択される添加元素とを含む金属材料である。 - 特許庁

The organic-inorganic hybrid material has a support and the organic-inorganic composite layer which contains such a crosslinked structure in the graft polymer layer comprising graft polymer chains bonding directly to the surface of the support as is formed by the hydrolysis and the polycondensation of an alkoxide of the element selected from Si, Ti, Zr and Al and besides which has an uneven surface.例文帳に追加

支持体と、該支持体表面に直接結合したグラフトポリマー鎖からなるグラフトポリマー層中に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される元素のアルコキシドの加水分解及び縮重合により形成された架橋構造を含んでなり、且つ、凹凸表面を有する有機−無機複合層とを備える。 - 特許庁

To stabilize an etching step for a surface oxide film on an Al pad, regardless of the condition of the surface oxide film thereon and form a fine projecting electrode in the air through electroless plating.例文帳に追加

スパッタリング法によりＡｌ電極パッド上の表面酸化膜を除去後、Ａｌ電極パッド上へ直接Ｎｉメッキを行い突起電極の形成を行う場合、スパッタリング法によりＡｌ電極パッド上の表面酸化膜の除去後直接、不活性雰囲気中へ移動し、メッキ工程を行わなければならなく、大掛かりな装置が必要となる。 - 特許庁

The electrodes includes an electrode body 6, a connector electrode 8 formed at a position distant from the electrode body 6 from the view from the semiconductor layer 1 and containing Al, and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and the connector electrode 8 and containing at least one selected from the group consisting of W, TiW, WN, TiN, Ta and TaN.例文帳に追加

電極は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成されたＷ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、Ｔａ、およびＴａＮよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a translucent ceramic comprising a crystal having a garnet structure synthesized from Y_2O_3 (yttria) and Al_2O_3 (alumina), wherein the addition of any form of metal elements except Y and Al is made needless by controlling the composition ratio of Y_2O_3 and Al_2O_3 to be raw materials.例文帳に追加

Ｙ_２Ｏ_３（イットリア）とＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）から合成されるガーネット構造の結晶からなる透光性セラミックスにおいて、原料となるＹ_２Ｏ_３およびＡｌ_２Ｏ_３の組成比を制御することで、Ｙ、Ａｌ以外のあらゆる形態の金属元素の添加を必要としないことを特徴とする透光性セラミックスを提供する。 - 特許庁

In the crystal growth of a compound semiconductor heterobipolar transistor device structure, a compound semiconductor containing at least Al is used to form a boundary for suppressing doping delays due to memory effect at the boundaries among a collector layer, an emitter layer and a base layer, resulting in a steep acceptor impurity doping boundary.例文帳に追加

化合物半導体ヘテロバイポーラトランジスタ素子構造の結晶成長において、コレクタ層／エミッタ層／ベース層界面におけるメモリー効果によるドーピング遅れを抑制するために、少なくともＡｌを含んだ化合物半導体で界面を形成し、急峻なアクセプター不純物ドーピング界面を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an aluminum alloy panel member for an automobile capable of stably press-forming the aluminum alloy panel member for an automobile by surely preventing cracks and wrinkles from occurring during the press working of an Al-Mg-based aluminum alloy sheet and manufacturable at low cost by reducing a manufacturing time.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ系アルミニウム合金板のプレス加工時の割れの発生やしわの発生を確実に防止して、アルミニウム合金製自動車用パネル部材を安定的にプレス成形することができるうえに、製造時間を短縮することができ、製造コストも低コストとすることができるアルミニウム合金製自動車用パネル部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises: providing an article substrate 32 having a substrate surface; forming a bond coat on the substrate by depositing a beta-phase Ni-Al bond coat by cathodic arc deposition; processing the bond coat by peening to improve the coating structure; and heat treating the bond coat.例文帳に追加

基板表面を有する部品基板３２を準備し、陰極アーク蒸着によりβ層Ｎｉ−Ａｌ基ボンドコーティングを蒸着させることによって、基板にボンドコーティングを形成し、ピーニングによりボンドコーティングを加工処理し、被膜構造を改良し、ボンドコーティングを加熱処理することを含む。 - 特許庁

In a vertical semiconductor device for constituting the rear surface electrode 5 on a silver (Ag) paste 2 formed on a frame 1 and the semiconductor chip 4 formed on the rear surface electrode 5, the electrode 5 is thinner than the paste 2, and a single layer structure of a low resistance aluminum (Al) layer 3 is formed.例文帳に追加

フレーム１上に形成された銀（Ａｇ）ペースト２上に裏面電極５と、該裏面電極５上に形成された半導体チップ４を構成する縦型の半導体装置において、当該裏面電極５が銀（Ａｇ）ペースト２よりも膜厚が薄く、低抵抗のアルミニウム（Ａｌ）層３の単層構造を成す。 - 特許庁

A rough drawing wire of an aluminum alloy having a composition containing, by weight, 0.10 to 0.50% Zr and 0.05 to 0.50% Sc, and the balance Al with inevitable impurities is cold-worked at a reduction in area of ≥30%.例文帳に追加

Ｚｒを０．１０〜０．５０重量％、Ｓｃを０．０５〜０．５０重量％含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金の荒引線を断面積減少率３０％以上で冷間加工し、次いで１００〜５００℃で１〜１００時間熱処理してから断面積減少率７０％以上の冷間加工を施して形成する。 - 特許庁

The epoxy resin composition for sealing semiconductors comprises the epoxy resin, a curing agent, ≥1 kind of inorganic fillers selected from silicate salts such as talc, baked cay and the like, oxides such as silica, fused silica and the like, and hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and the like and a Mg, Zn, Al hydroxide carbonate hydrate as a pH buffer agent.例文帳に追加

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、タルク、焼成クレー等のケイ酸塩、シリカ、溶融シリカ等の酸化物および水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物の中から選ばれる１種以上の無機充填材と、ｐＨ緩衝剤としてマグネシウム・亜鉛・アルミニウム・ハイドロオキサイド・カーボネート・ハイドレートと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The reticle 2 is usable for EUV aligners and comprises a low expansion glass substrate 20, a multilayer film ML formed on the upside of the glass substrate 20 for reflecting EUV rays, an absorptive layer AL having an exposure pattern formed on the multilayer film ML and a conductive film CL formed on the downside of the glass substrate.例文帳に追加

本発明に係るレチクルは、ＥＵＶ露光装置に用いるレチクル２であって、低膨張ガラス基板２０と、このガラス基板２０の上面に形成された、ＥＵＶ光を反射するための多層膜ＭＬと、この多層膜上に形成された、露光パタンを有する吸収層ＡＬと、低膨張ガラス基板の下面に形成された導電性の膜ＣＬと、を具備するものである。 - 特許庁