「Al's」に関連した英語例文の一覧と使い方(144ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetostrictive material is represented by formula RT_w (wherein, R is one or more rare-earth metals; T is at least one metal selected from the group consisting of Fe, Ni and Co; and w satisfies 1.50≤w≤2.30 by atomic ratio) and manufactured by a powder metallurgy method and has ≤800 ppm Al content or 600 ppm C content.例文帳に追加

粉末冶金法で製造される式（１）：ＲＴ_ｗ（ここで、Ｒは１種類以上の希土類金属、ＴはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群から選択される少なくとも１種類の金属であり、ｗは原子比で表し、１．５０≦ｗ≦２．３０である）で表される磁歪材料であって、Ａｌ含有量が８００ｐｐｍ以下又はＣ含有量が６００ｐｐｍである磁歪材料とする。 - 特許庁

Powder having a basicity of ≤0.7 is used for continuous casting to Si killed steel having an Al content of <0.015 mass%; thus the concentration of hydroxide ions in the molten powder is increased, and in connection with this, fine bubbles are generated in a powder film made to flow into a space between a mold and a billet, so as to reduce heat release in the mold.例文帳に追加

Ａｌ含有量が０．０１５質量％未満のＳｉキルド鋼の連続鋳造に塩基度が０．７以下のパウダーを用いることにより、溶融パウダー中の水酸イオンの濃度を増加させ、これにともなって鋳型と鋳片間に流入したパウダーフィルム内に微細な気泡を発生させて、鋳型抜熱を低下させる。 - 特許庁

To obtain a package for containing a semiconductor element in which the basic body of a semiconductor device is hardly warped when a heat sink, i.e., an Al plate, for mounting the semiconductor device is warped thermally and thereby the substrate for mounting a semiconductor element placed on the upper surface of the basic body is not cracked thus preventing the wiring of circuit formed on the mounting substrate from being broken by cracking.例文帳に追加

半導体装置を搭載するヒートシンクとしてのＡｌ板が熱で反った場合、半導体装置の基体に反りが殆ど発生せず、その結果基体上面に載置された半導体素子の搭載用基板にクラックが発生せず、また搭載用基板に形成された回路配線がクラックにより断線しないようにすること。 - 特許庁

A concave pit 2a has the length longer than the basic length BL which is determined according to the data to be recorded, the length of space 2b between the concave pits adjacent each other in the direction of tracks has length shorter than the basic length BL, and the reflective layer 3 is made of materials which consist of aluminum (Al) as a principal component and an additive added to this.例文帳に追加

凹状ピット２ａが、記録すべきデータに応じて決定される基本長ＢＬよりも長い長さを有し、トラック方向に隣り合う凹状ピット間のスペース２ｂの長さが、基本長ＢＬよりも短い長さを有し、かつ、反射層３がアルミニウム（Ａｌ）を主成分としこれに添加物が加えられた材料からなる。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes an n-AlGaInP cladding layer 2, an AlGaInP/GaInPMQW active layer 3, a p-AlGaInP first cladding layer 4, and a single p-Al_xGa_1-xAs-ESL 5, and a p-AlGaInP second cladding layer 7 provided with the protruded stripe 6, and a p-GaAs contact layer 8 stacked on an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ装置においては、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、順に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰＭＱＷ活性層３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層４と、単層のｐ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ−ＥＳＬ５と、ストライプ状の凸部６を備えたｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層７と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８とが積層されている。 - 特許庁

The solder paste includes a solder alloy and flux, and, provided that the total content of the solder paste is defined as 100 mass%, the solder alloy comprises ≥0.2 and <1.5 mass% Sn, and further comprises 0.03 to 7.00 mass% Zn and/or 0.03 to 0.70 mass% Al, and the balance Bi with inevitably included impurities.例文帳に追加

はんだ合金とフラックスとを含んだはんだペーストであって、該はんだ合金はその合計を１００質量％としたとき、Ｓｎを０.２質量％以上１.５質量％未満含有するとともに、Ｚｎを０.０３質量％以上７.００質量％以下および／またはＡｌを０.０３質量％以上０.７０質量％以下含有し、残部が不可避的に含まれる不純物を除いてＢｉからなる。 - 特許庁

A wafer mark on the wafer is irradiated with an alignment light AL through a light sending mirror 32 arranged adjacent to a primary image I, the aperture 36 of the primary mirror M1, and the aperture 37 of the auxiliary mirror M, and a return light from the wafer mark is detected via the apertures 37 and 36, and the light receiving mirror 33 arranged adjacent to the primary image I.例文帳に追加

一次像Ｉの近傍に配置された送光ミラー３２、主鏡Ｍ１の開口部３６、及び副鏡Ｍ２の開口部３７を介してウエハＷ上のウエハマークにアライメント光ＡＬを照射し、そのウエハマークからの戻り光を開口部３７、開口部３６、及び一次像Ｉの近傍に配置された受光ミラー３３を介して検出する。 - 特許庁

This organic EL element is provided with: transparent electrodes 18 formed on the surface of a transparent substrate 10 of glass, quartz or resin with a transparent electrode material such as ITO or SnO2; a luminescent layer 20 laminated on the transparent electrodes 18 and formed of an EL material; and back electrodes 22 laminated on the luminescent layer 20, and formed oppositely to the transparent electrodes 18 with Al, Li, Cs, etc.例文帳に追加

ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の表面にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極１８と、透明電極１８に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層２０と、この発光層２０に積層され、透明電極１８に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ，Ｃｓ等からなる背面電極２２とを備える。 - 特許庁

To provide water and a method for keeping silicon wafer by which the deterioration of the quality of a silicon wafer, such as of the oxide-film withstand voltage, etc., can be prevented by preventing the surface of the wafer from being contaminated with Cu and, in addition, such a metal as Al, etc., which has not been prevented by the conventional keeping water.例文帳に追加

ウエーハ表面へのＣｕ汚染を防止すると共に、従来の保管用水では防止することのできなかったＡｌ等の金属汚染を防止し、酸化膜耐圧等のウエーハ品質の低下を防止することを可能にしたシリコンウエーハの保管用水及び保管方法を提供する事を目的とする。 - 特許庁

The Ti-Al-N film contains titanium, aluminum and nitrogen, and is deposited on a substrate in such a way that particulates composed of nitrogen, titanium and/or aluminum produced in plasma are jetted into a vacuum chamber 30 from a supersonic nozzle 34 in a state of being carried on the gas flow of an supersonic free jet, and are physically vapor-deposited on a substrate 33 arranged in the vacuum chamber 30.例文帳に追加

チタン、アルミニウムおよび窒素を含有して、基板に形成されたＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜であって、プラズマ中で生成された窒素とチタンおよび／またはアルミニウムからなる微粒子を超音速ノズル３４から超音速フリージェットの気流に乗せて真空チャンバー３０中に噴出して、真空チャンバー３０中に配置した基板３３上に物理蒸着させて形成した膜とする。 - 特許庁

In this diamond grinding method, a diamond grinding wheel consisting mainly of an intermetallic compound of Ti and one or two or more kinds of elements selected from a group of Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu is pressed against a relatively rotating or moving diamond and ground while keeping the grinding wheel at room temperature or heating a grinding part at 100-800°C as necessary.例文帳に追加

Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの群から選択した１種または２種以上の元素とＴｉとの金属間化合物を主成分とすることを特徴とするダイヤモンド研磨用砥石、及び室温又は必要により研磨部を１００〜８００°Cに加熱しながら、砥石を相対的に回転又は移動するダイヤモンドに押し当て、研磨するダイヤモンドの研磨方法。 - 特許庁

The acceleration sensor includes piezoresistive elements constituted of diffusion layers; a first insulating layer with which the diffusion layer is coated; an interlayer connecting conductor passed through the first insulating layer and connected to the diffusion layers; and a wiring arranged over the insulating layer and connected to the interlayer connecting conductor, and further includes a conductor part containing Al and Nd and a second insulating layer with which the conductor part is coated.例文帳に追加

加速度センサが，拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と，拡散層を被覆する第１の絶縁層と，第１の絶縁層を貫通して前記拡散層に接続される層間接続導体と，絶縁層上に配置されて層間接続導体に接続される配線と，を有し，かつＡｌとＮｄとを含む導体部と，導体部を被覆する第２の絶縁層と，を具備する。 - 特許庁

The stain-resistant film comprises a substrate and an organic-inorganic composite layer having a crosslinking structure formed by hydrolysis and condensation polymerization of an alkoxide of an element selected from Si, Ti, Zr and Al in a graft polymer layer composed of a graft polymer chain directly bonded to the surface of the substrate and is obtained by subjecting the surface of the organic-inorganic composite layer to water-repellent and oil-repellent treatment.例文帳に追加

本発明の防汚性フィルムは、支持体と、該支持体表面に直接結合したグラフトポリマー鎖からなるグラフトポリマー層中に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される元素のアルコキシドの加水分解及び縮重合により形成された架橋構造を含んでなる有機−無機複合層と、を備え、該有機−無機複合層表面に撥水撥油処理を施してなることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the compound magnetic substance is provided with a process for forming an oxide film on a surface of metal magnetic powder by heat-treating metal magnetic powder comprising Fe, Si and Al in an oxidization atmosphere; a process for adding binder into oxide film forming powder, performing pressure-forming, and making a compact; and a process for heat-treating the compact in the oxidization atmosphere.例文帳に追加

Ｆｅ、ＳｉおよびＡｌを含む金属磁性粉末を、酸化雰囲気中にて熱処理することにより金属磁性粉末表面に酸化皮膜を形成する工程、前記酸化皮膜形成粉に結着剤を添加し加圧成形して成形体とする工程、前記成形体を酸化雰囲気中にて熱処理を行う工程とから構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the solar battery cell is provided with (a) a step of forming a rear surface Al electrode 4 containing aluminum on the rear surface of a p-type silicon substrate 1 as a cell main body; and (b) a step of forming a front surface electrode 7 containing silver having ionizing tendency smaller than that of aluminum and glass on the front surface of the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る太陽電池セルの製造方法は、（ａ）アルミニウムを含有する裏面Ａｌ電極４をセル本体であるｐ型シリコン基板１の裏面側に形成する工程と、（ｂ）アルミニウムよりもイオン化傾向が小さい銀と、ガラスとを含有する表面電極７をｐ型シリコン基板１の表面側に形成する工程とを備える。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate has at least the double-hetero-structure having (Al_xGa_1-x)yIn_1-yP (where 0<x<1, 0<y<1) formed on a GaAs substrate, the compound semiconductor substrate having not less than five growth interfaces where layers differing in composition come into contact with each other between the GaAs substrate and double-hetero-structure.例文帳に追加

少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルヘテロ構造が形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓ基板と前記ダブルヘテロ構造との間に、組成の異なる層同士が接する成長界面を少なくとも５以上有するものであることを特徴とする化合物半導体基板。 - 特許庁

The aluminum alloy for diecasting has a composition containing, by mass, 3.6 to 5.5% Mg, 0.6 to 1.2% Mn, 0.2 to <0.5% Ni, 0.001 to 0.010% Be, 0.01 to 0.3% Ti and 0.001 to 0.05% B, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

ダイカスト用アルミニウム合金は、Ｍｇが３．６質量％乃至５．５質量％、Ｍｎが０．６質量％乃至１．２質量％、Ｎｉが０．２質量％乃至０．５質量％未満、Ｂｅが０．００１質量％乃至０．０１０質量％、Ｔｉが０．０１質量％乃至０．３質量％、Ｂが０．００１質量％乃至０．０５質量％で、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなる。 - 特許庁

In manufacturing the group III-V compound semiconductor light emitting device on a side wall of the ridge, having a ridge and a current block layer formed sandwiching the ridge, and including a layer having a larger Al ratio than that of the layer forming a bottom face of both sides of the ridge, the current block layer is made to grow under a condition of 650°C or below by a vapor deposition method.例文帳に追加

リッジと、リッジを挟んで形成された電流ブロック層とを有し、かつリッジの側壁に、Ａｌ混晶比が前記リッジの両側の底面を形成する層のＡｌ混晶比よりも大きい層を含むIII−Ｖ族化合物半導体発光素子を製造するにあたり、電流ブロック層を６５０℃以下の条件でかつ気相成長法により成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法。 - 特許庁

The steel for carburizing has a composition comprising, by mass, 0.1 to 0.4% C, ≤0.5% Si, ≤2.0%例文帳に追加

質量％で、Ｃ：0.1〜0.4％、Si：0.5％以下、Mn：2.0％以下、Al：0.1％以下、Ti：0.1〜0.5％、Mo：0.05〜1.0％、Ｓ：0.005％以下およびＮ：0.004％以下を、次式（１）を満足する範囲において含有し、残部はFeおよび不可避的不純物の組成にすると共に、鋼組織を、フェライトと、パーライト及び／又はベイナイトからなる組織にし、該フェライトの組織分率を50％以上にし、かつフェライト相中に粒径：20nm未満の微細析出物を１×10^3個／μm^3以上分散させる。 - 特許庁

In the ink jet head with discharge openings for discharging the ink, and ink repellent parts in the periphery of the discharging openings which show the ink repellency to the ink, the ink repellent part is formed of a compound which includes a fluorine containing group and is composed of a hydrolytic condensate of an element M selected from among Si, Al, Ti and Zr.例文帳に追加

インクを吐出する吐出口と、該吐出口周囲に前記インクに対して撥インク性を示す撥インク部と、を有するインクジェットヘッドにおいて、前記撥インク部は、フッ素含有基を含むとともに、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒから選ばれる元素Ｍの加水分解性縮合体からなる化合物により形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In a photolithography process for forming electric wiring on an insulating substrate, the major surface of the substrate 1 on which a thin Al film 2 is formed entirely is coated uniformly with photoresist 3 and heated, at the time of prebake, such that the major surface of the substrate 1 has a partially different surface temperature before the photoresist is exposed and developed.例文帳に追加

絶縁性の基板上に電気配線を形成するためのフォトリソグラフィ工程において、前記基板１のＡｌ薄膜２を形成した主面全面にフォトレジスト３を均一に塗布した後、プリベークの際に、前記基板１の主面の表面温度が部分的に異なる温度になるように加熱し、露光、現像する。 - 特許庁

An alloy element consisting of at least one kind of Si, Al, Be, Co, P and Sn having the effect of stabilizing the ferritic Fe phase and the effect of repulsion with carbon in steel is diffusion-coated from a surface layer, the surface layer is carburized, carbo-nitrided and/or nitrided, and quenched or quench-tempered.例文帳に追加

フェライトＦｅ相を安定化する作用および鋼中の炭素と反発し合う作用を有するＳｉ，Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｏ，Ｐ，Ｓｎのうちの少なくとも一種以上からなる合金元素を表面層から拡散浸透させるとともに、その表面層を浸炭、浸炭浸窒および／または浸窒処理した後に焼入れもしくは焼入れ焼戻し処理を施す。 - 特許庁

The mesa semiconductor element 100 capable of excluding the factors, containing the environmentally hazardous substances while securing stability and reliability in electrical characteristics, is obtained by allowing a silicon oxide film 1a coating a slanted side in the mesa section 111 of a semiconductor substrate 102 to contain an Al ions to be charged fixedly and negatively, even if lead or zinc is not doped to the film.例文帳に追加

半導体基体１０２のメサ部１１１の傾斜側面を皮覆するシリコン酸化膜１ａが、鉛や亜鉛を添加せずとも、Ａｌイオンを含むことで固定的な負電荷を帯びることにより、電気特性の安定と信頼性を確保しつつ環境負荷物質を含む要素を除外可能なメサ型半導体素子１００を実現する。 - 特許庁

The light shielding film comprises a Ti-base alloy having a composition consisting of 0.3-3.0%, in total, of Ni and/or Pd and the balance Ti with inevitable impurities or further contains 2-10%, in total, of one or more selected from Mo, V and Al.例文帳に追加

ＮｉおよびＰｄの内の１種または２種を合計で０．３〜３．０％を含有し、さらに必要に応じてＭｏ、ＶおよびＡｌの内の１種または２種以上を合計で２〜１０％を含有し、残りがＴｉおよび不可避不純物からなる組成を有するＴｉ基合金で構成された遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In performing sputtering deposition under an oxidizing atmosphere of the barrier layer which constructs the thin-film transistor, a Cu alloy sputtering target is used, which is constructed of a Cu alloy which has a component composition consisting of Al of 1 to 10 atom%, Ca of 0.1 to 2 atom%, and the balance comprising Cu and inevitable impurities (1% or less).例文帳に追加

薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

In the continuous casting method of steel having Al content of less than 0.015 mass%, the water vapor partial pressure in the atmosphere in contact with the powder covering surface inside a continuous casting mold is made lower than the water vapor partial pressure in the air, and the water vapor partial pressure is controlled to not more than 0.02 atm.例文帳に追加

Ａｌ含有量が０．０１５質量％未満の鋼の連続鋳造方法であって、連続鋳造鋳型内のパウダー被覆面と接する雰囲気中の水蒸気分圧を大気中の水蒸気分圧よりも低減し、水蒸気分圧を０．０２ａｔｍ以下とすることを特徴とする鋼の連続鋳造方法である。 - 特許庁

An electromagnetic field introducing window, members constituting one part or the whole of the side of an etching chamber 1 which makes contact with plasma, or the members in the etching chamber 1 comprise the materials, in which the oxygen content is 50% or less, especially Si nitrides, or Si, or Si carbide, or carbon, or Al nitride film, or polyimide or polyamide.例文帳に追加

電磁界導入窓２や、プラズマと接触するエッチングチャンバ１壁面の一部または全部の構成部材や、エッチングチャンバ１内の構成部材を、酸素の組成比が５０％以下の材質、特にＳｉ窒化膜、またはＳｉ、またはＳｉ炭化物、または炭素、またはＡｌ窒化物、またはポリイミド、またはポリアミドとしたものである。 - 特許庁

Especially, the metallized layer (11) is constituted of a metallic phase containing Mo or W and a metal oxide phase composed of an oxide of Si and one or more kinds of the metal oxides selected from Mg, Al, Ti, and Mn and the ratio of the metal oxide phase occupying in the metallized layer (11) is 20 to 50vol.%.例文帳に追加

特に、メタライズ層（１１）は、Ｍｏ又はＷを含む金属相と、Ｓｉの酸化物及びＭｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｎから選ばれる１種以上の金属酸化物からなる金属酸化物相とから構成されており、しかも、メタライズ層（１１）中に占める金属酸化物相の割合が、２０〜５０体積％である。 - 特許庁

To produce a new alloy excellent in high temperature characteristics such as high temperature strength and ductility and moreover excellent in strength and ductility in a room temperature region as for an O phase base Ti-Al-Nb alloy in which application to use including the engine members of aircraft, automobiles or the like is expected and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

航空機、自動車等のエンジン部材をはじめとする用途への応用が期待されているＯ相基Ｔｉ−Ａｌ−Ｎｂ系合金について、高温での強度、延性という高温特性に優れているとともに、室温域での強度並びに延性にも優れた、新しい合金とそのための製造方法を提供する。 - 特許庁

When the ceramic catalyst is produced by directly supporting a noble metal catalyst such as Pt on a ceramic carrier prepared by substituting W for one or more kinds of elements, for example Al, in the structural elements of cordierite as the base ceramic material, a compound containing no chlorine such as dinitrodiammine platinum or the like is used as the start source material of the noble metal catalyst.例文帳に追加

基材セラミックであるコーディエライトの構成元素のうちの少なくとも１種類またはそれ以上の元素、例えばＡｌをＷで置換したセラミック担体に、Ｐｔ等の貴金属触媒を直接担持してセラミック触媒体とする際に、貴金属触媒の出発原料として、ジニトロジアンミン白金等の塩素を含まない化合物を使用する。 - 特許庁

This light emitting element contains a liquid-crystal electron injection layer 15 comprising the organic charge transport material having a liquid-crystal phase between two electrodes (ITO electrode 12 and Al electrode 17) facing each other, and the molecular major axes of the liquid-crystal phase of the liquid-crystal injection layer 15 are arranged almost parallel to the plane of the electrode.例文帳に追加

対向する２つの電極（ＩＴＯ電極１２とＡｌ電極１７）の間に、液晶相を有する有機電荷輸送材料からなる液晶性電子注入層１５を含有し、液晶性電子注入層１５の液晶相の分子長軸は、前記電極の平面に対して略平行に配列されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the heat source device 1, the notifying timing by a sounding notifying means is delayed until a sounding prohibiting time zone passes when the time is within the sounding prohibiting time zone in the timing when a liquid level in the expansion tank 32 is less than a notifying reference liquid level Al detectable by the liquid level detecting electrode 52.例文帳に追加

熱源装置１では、膨張タンク３２内の液位が液位検知電極５２により検知可能な報知基準液位ＡＬを下回ったタイミングにおいて、時刻が放音禁止時間帯内である場合に、前記放音禁止時間帯を経過するまで、前記放音報知手段による報知のタイミングが遅延される。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the oxide conductive material adjusts a suspension containing a compound composed of an indium compound and two or more elements selected from a group composed of Sn, Zn, Mg, Ni, Al, Ga, Si, and Ge, obtains a vaporized mixture by supplying the suspension into thermal plasma, and cools the mixture.例文帳に追加

インジウム化合物、及びＳｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選択される２以上の元素を含有する化合物を含む懸濁液を調製し、前記懸濁液を熱プラズマ中に供給して気化混合物とし、前記混合物を冷却する酸化物導電性材料の製造方法。 - 特許庁

To obtain lead-base alloy for lead storage batteries, which shows corrosion resistance and improves mechanical strength, when it is used for the lattice plate of the lead storage battery, by containing Ag and Bi into this conventional alloy, obtained by improving the conventionally well-known Pb-Ca- Sn-Al alloy for the lead storage batteries.例文帳に追加

この発明は、従来公知の鉛蓄電池用Ｐｂ−Ｃａ−Ｓｎ−Ａｌ合金の改良を行ったもので、この従来の合金にＡｇとＢｉを含有することにより鉛蓄電池の格子基板に使用したときに、耐食性を示すとともに機械的強度が向上する鉛蓄電池用鉛基合金を得ようとするものである。 - 特許庁

The container for manufacturing polycrystalline silicon has a face contacting molten silicon whose constituents are at least molten quartz glass of 99.75 wt.% or more, Al content of 150-550 wt.ppm, and respective contents of Fe, Na, K, Mg and Ca of 25 wt.ppm or less.例文帳に追加

少なくともシリコン融液と接触する面の構成成分が、溶融石英ガラス９９．７５重量％以上であり、Ａｌ含有量が１５０重量ｐｐｍ以上５５０重量ｐｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎａ，Ｋ，ＭｇおよびＣａの各含有量が２５重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする多結晶シリコン製造用容器を用いる。 - 特許庁

To manufacture high purity silicon nitride powder suitable for use as a release agent for production of polycrystalline silicon through direct nitriding of metallic silicon easy to mass-produce by lowering the contents of metal impurities present by ≥10 μg/g, such as Al, Ca and Mg and impurities which are B, P and As as dopants of p- and n-type semiconductors.例文帳に追加

１０μｇ／ｇ以上に存在するＦｅ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ等のような金属不純物と、ｐ型、ｎ型半導体のドープ剤であるＢ、Ｐ、Ａｓとの不純物含有量を著しく少なくし、多結晶シリコン製造用離型材として好適な高純度の窒化ケイ素粉末を、量産化の容易な金属シリコンの直接窒化法によって製造する。 - 特許庁

The phosphor material has a garnet structure having Ce as the luminescent element and containing at least Gd, Al, Ga and O and contains at least one element selected from the group consisting of Pr, Sm, Nd, Dy, Er, Ho and Tm in a content of ≥0.0005 mol% and ≤1 mol%.例文帳に追加

本発明の蛍光材料は、Ｃｅを発光元素とし、少なくともＧｄ、Ａｌ、Ｇａ及びＯを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、ＨｏおよびＴｍからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、その含有量が０．０００５ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The acid concentrating method is characterized in that a waste acid solution containing Al is pressurized to be supplied to a pressure dialyzer 1, which has a charged separation membrane 2 having micropores of a nanometer unit of preferably 0.1-10 nm, mounted therein and dialyzed by the separation membrane 2 to concentrate the acid in the waste acid solution.例文帳に追加

この発明の酸の濃縮方法は、ナノメーター単位、好ましくは０．１〜１０ｎｍの微細孔を備え荷電した分離膜２が装着された圧力透析装置１にＡｌを含有する廃酸溶液を加圧して供給し、前記分離膜２で透析して廃酸溶液中の酸を濃縮することを特徴とする。 - 特許庁

To remove residues after patterning an electrode film on one principal surface side of a wafer without affecting the other principal surface side even if a curvature is generated on the wafer in a method of manufacturing an insulation gate type semiconductor device that includes a step of forming an Al-based alloy electrode film on the one principal surface of a thin wafer of 200 μm.例文帳に追加

２００μｍ以下の薄いウエハの一方の主面にＡｌ系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When a signal with a low voltage signal level received at a signal input terminal 101 changes from aL level to a H level, a booster circuit 108 boosts an input voltage level given to an inverter circuit 103 to the low voltage signal level or over on the basis of an input signal change and a voltage of a capacitive element 113 charged via a diode element 112.例文帳に追加

信号入力端子１０１に入力される低電圧信号レベルの信号がＬレベルからＨレベルに変化する際に、昇圧回路１０８は、ダイオード素子１１２を介して充電されたコンデンサ素子１１３の電圧と入力信号変化とに基いて、インバータ回路１０３の入力電圧レベルを上記低電圧信号レベル以上に引き上げる。 - 特許庁

To obtain lead-base alloy for lead storage batteries, which shows corrosion resistance and improves mechanical strength, when it is used for the lattice plate of the lead storage battery, by containing Ba and Bi into this conventional alloy, obtained by improving the conventionally well-known Pb-Ca- Sn-Al alloy for the lead storage batteries.例文帳に追加

この発明は、このような従来の期待に応えて公知の鉛蓄電池用Ｐｂ−Ｃａ−Ｓｎ−Ａｌ合金の改良を行ったもので、ＢａとＢｉを含有することにより鉛蓄電池の格子基板に使用したときに、耐食性を示すとともに機械的強度が向上する鉛蓄電池用鉛基合金を得ようとするものである。 - 特許庁

The adsorbent contains particles of faujastite zeolite e.g. LSX zeolite having an Si to Al ratio of <1.5 and contg. 80-99% Li+ cations, 0.01-20% Na+ cations, 0.01-10% Mg2+ cations, 0.01-10% Ca2+ cations and 0-3% K+ cations.例文帳に追加

吸着剤は、Ｓｉ／Ａｌ比が１．５未満で、８０ないし９９％のＬｉ^+カチオンと、０．０１ないし２０％のＮａ^+カチオンと、０．０１％ないし１０％のＭｇ^2+カチオンと、０．０１％ないし１０％のＣａ^2+カチオンと、および０ないし３％のＫ^+カチオンとを含む例えばＬＳＸゼオライトであるホージャサイトゼオライトの粒子を含む。 - 特許庁

To provide a brazing method for aluminum, particularly, upon the production of automotive heat exchanger parts made of an aluminum alloy by brazing, e.g., in brazing joining between a tube material and an inner fin, which can improve brazing property by using an aluminum clad material having a cladding layer of an Al-Si-based alloy comprising a specified amount of Si to a brazing part.例文帳に追加

チューブ材とインナーフィンとのろう付け接合など、とくにアルミニウム合金製自動車熱交換器部品をろう付けにより製造する際、特定量のＳｉを含有するＡｌ−Ｓｉ系合金のクラッド層を有するアルミニウムクラッド材をろう付け部位に使用して、接合性を向上させることを可能とするアルミニウムのろう付け方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a wiring groove 5a that is formed at an interlayer insulation film 5, a double-layer TIN layer 12 with different crystal orientations while being formed at the bottom of the wiring groove 5a, and an Al alloy wiring 15a that is formed on the double-layer TiN layer 12 and is buried into the wiring groove 5a.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、層間絶縁膜５に形成された配線用溝５ａと、この配線用溝５ａの底部に形成された互いに結晶方位の異なる２層のＴｉＮ層１２と、この２層のＴｉＮ層１２の上に形成され、上記配線用溝５ａの内部に埋め込まれたＡｌ合金配線１５ａと、を具備するものである。 - 特許庁

The flexible laminate 101 includes a base film 1, an intermediate layer 2 laminated on the base film 1, an electrically conductive layer 3 laminated on the intermediate layer 2, wherein the intermediate layer 2 contains nitrogen together with one sort or two sorts or more of elements chosen from among Mo, Cr, Ni, Si, Fe, and Al.例文帳に追加

ベースフィルム１と、このベースフィルム１上に積層された中間層２と、この中間層２上に積層された導電層３と、を備えたフレキシブル積層板１０１であって、前記中間層２は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，およびＡｌから選択される１種または２種以上の元素を含有するとともに、窒素を含んでいることを特徴とするフレキシブル積層板１０１を用いることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁