「Al's」に関連した英語例文の一覧と使い方(146ページ目) - Weblio英語例文検索

A hydrocarbon gas adsorption and cleaning catalyst is provided which is based on Ce carried on H type β-zeolite or H type mordenite having an Si to 2Al weight ratio of 200-500 in such a way that the weight ratio and atomic ratio of Ce to Al contained structurally in the β-zeolite or mordenite ranges from 40 to 120 and from 20 to 60, respectively.例文帳に追加

Ｓｉ／２Ａｌの重量比が２００〜５００であるＨ型ベータゼオライトまたはＨ型モルデナイトにおいて、前記ゼオライトまたは前記Ｈ型モルデナイトに構造的に含まれるＡｌに対してＣｅの重量比が４０〜１２０、原子比で２０〜６０になるように、Ｃｅを担持したものを主成分とする。 - 特許庁

An iron disulfide and lithium primary battery includes a positive electrode plate formed by filling and holding a positive electrode mixture obtained by dispersing iron disulfide, a carbon conductive material, and a binder in expanded metal within the range of porosity of 25 to 35%, and a negative electrode plate constituted by lithium alloyed by one kind of an element or more among Sn, Mg, Zn, Bi, and Al.例文帳に追加

正極板は、二硫化鉄、カーボン導電材、結着剤を分散させた正極合剤をエキスパンドメタルに空隙率２５〜３５％の範囲で充填・保持させてなり、負極板はＳｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ａｌの一種以上の元素で合金化されたリチウムによって構成された二硫化鉄・リチウム一次電池である。 - 特許庁

In the exhaust gas treatment catalyst, a catalyst component A comprising at least one noble metal element selected from the group consisting of Pt, Pd, Rh, Ru, Ir, and Au is supported on a metal oxide containing at least one metal selected from the group consisting of Ti, Al, Si, W, and Zr, and the catalyst is obtained by regenerating catalytic activity.例文帳に追加

本発明にかかる排ガス処理触媒は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、ＷおよびＺｒからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含む金属酸化物に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＩｒおよびＡｕからなる群より選ばれる少なくとも１種の貴金属元素からなる触媒成分Ａが担持されてなり、触媒活性の再生により得られたものであることを特徴とする。 - 特許庁

This pretreating agent for cut flowers is characterized by containing as the effective components 0.3-0.8 wt.% one or more kind(s) of saccharide, 10-1,000 ppm potassium salt as K2O and 1-30 ppm one or more kind(s) selected from aluminum salts, zinc salts and their hydrates as Al or Zn.例文帳に追加

１種又は２種以上の糖０.３〜０.８重量％、１種又は２種以上のカリウム塩をＫ_２Ｏとして１００〜１０００ｐｐｍ及びアルミニウムもしくは亜鉛の塩またはこれらの含水物より選ばれる１種または２種以上の化合物をＡｌ又はＺｎとして１〜３０ｐｐｍ有効成分として含有することを特徴とする切り花用前処理剤。 - 特許庁

This silver coin consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る銀コインは、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

In this conveyability evaluation method of the pulverized coal, a nuclear magnetic resonance spectrum of ^27Al or ^29Si existing in the coal is measured, and the chemical form of an inorganic mineral mainly composed of Al and Si existing in the coal is classified based on the measured spectrum, and the conveyability of the coal is evaluated based on the classification.例文帳に追加

石炭中に存在する^27Ａｌまたは^29Ｓｉの核磁気共鳴スペクトルを測定し、該測定スペクトルに基づいて、上記石炭中に存在するＡｌとＳｉを主成分とする無機鉱物の化学形態を分類し、該分類に基づいて上記石炭の搬送性を評価することを特徴とする微粉炭の搬送性評価方法。 - 特許庁

This Ti-based high-strength superelastic alloy is a single-phase solid solution having a composition consisting of, by weight, 12 to 30% Nb, 12 to 30% Zr, 1 to 6% Al, 1 to 8% Cr, 1 to 8% Sn and the balance Ti.例文帳に追加

Ｔｉ系高強度超弾性合金は、１２重量％以上３０重量％以下のＮｂ、１２重量％以上３０重量％以下のＺｒ、１重量％以上６重量％以下のＡｌ、１重量％以上８重量％以下のＣｒ、１重量％以上８重量％以下のＳｎ、および残部がＴｉよりなる単相固溶体であることを特徴とする。 - 特許庁

A heat exchanger tube stock formed of an alloy comprising 0.90 to 1.50% Mn, and the balance Al with inevitable impurities is heated at 550 to 600°C in an air atmosphere or in an inert gas atmosphere, is held for 10 to 600 min, and is then cooled, so as to produce the heat exchanger tube (4) made of aluminum.例文帳に追加

Ｍｎ０．９０〜１．５０質量％を含み、残部Ａｌおよび不可避不純物からなる合金で形成された熱交換管素材を、大気雰囲気中または不活性ガス雰囲気中において５５０〜６００℃に加熱して１０〜６００分間保持し、ついで冷却することによって、アルミニウム製熱交換管(4)を製造する。 - 特許庁

In a continuous casting of a steel, massive materials consisting essentially of MgO etc., as Mg source or CaO, etc., as Ca source and Al, etc., as a reducing agent, are laid on slag in the ladle during transportation or during casting, and Mg gas or Ca gas is generated and reacted to oxygen in the invaded air.例文帳に追加

鋼の連続鋳造において、移動中もしくは鋳造中の取鍋内のスラグの上にＭｇ源としてＭｇＯ等もしくはＣａ源としてＣａＯ等、還元剤としてＡｌ等を主成分とする塊状物を乗せ、ＭｇガスもしくはＣａガスを発生させて侵入してきた空気中の酸素と反応させる。 - 特許庁

The hot dip Zn-Al-Mg based alloy plating can further contain 0.001 to 0.1% Ti and 0.0005 to 0.045% B, and, if required, can contain at least one kind of easily oxidizable element selected from rare earth elements, Y, Zr and Si in 0.005 to 2.0%.例文帳に追加

溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金めっきには、さらにＴｉ：０．００１〜０．１重量％、Ｂ：０．０００５〜０．０４５重量％を含有することができ、さらに必要に応じて希土類元素，Ｙ，ＺｒまたはＳｉから選ばれた易酸化性元素の少なくとも１種を０．００５〜２．０重量％含有することができる。 - 特許庁

In the zero-shrinkage cement, the ratio of the PFBC ash(P) occupied to 100 wt.% in total of the cement (C) of a binder (B) and PFBC ash (P) is adjusted to ≤40 wt.% and the mixing ratio of aluminum powder (Al) to the binder (B) is adjusted to 10 ppm or more.例文帳に追加

当該無収縮セメントは、具体的に、結合材（Ｂ）であるセメント（Ｃ）とＰＦＢＣ灰（Ｐ）との総重量１００重量％対するＰＦＢＣ灰（Ｐ）の占める割合を、４０重量％以下に調整するとともに、前記結合材（Ｂ）に対するアルミニウム粉末（Ａｌ）の混合比率を１０ｐｐｍ以上に調整したものである。 - 特許庁

This method for producing the ferrite magnetic material having a hexagonal W-type ferrite as a main phase comprises a forming process for making a formed body containing a main ingredient and the first accessory ingredient comprising one, two or more selected from the ingredients of Ga, Al, W, Ce, Mo and Cr and a firing process for firing the resultant formed body.例文帳に追加

六方晶Ｗ型フェライトが主相をなすフェライト磁性材料の製造方法であって、主成分とＧａ成分、Ａｌ成分、Ｗ成分、Ｃｅ成分、Ｍｏ成分及びＣｒ成分から選択される１種又は２種以上からなる第１副成分を含む成形体を作製する成形工程と、成形体を焼成する焼成工程と、を備えることを特徴とするフェライト磁性材料の製造方法。 - 特許庁

The multiple oxide fine particles contain Ti, one or more kinds of metal elements selected from the element group L comprising Sb and Bi, and one or more kinds of metal elements selected from the element group M comprising Al, Zr, Zn, Sn, Ca and Mg.例文帳に追加

Ｔｉ、下記元素群Ｌから選ばれる少なくとも１種類以上の金属元素、及び下記元素群Ｍから選ばれる少なくとも１種類以上の金属元素を含有する複合酸化物微粒子であり、含有する金属元素中の元素群Ｌのモル比［Ｌ］／［Ｔｉ＋Ｌ＋Ｍ］が０．０１〜０．２であり、かつ含有する金属元素中の元素群Ｌと元素群Ｍの合計のモル比［Ｌ＋Ｍ］／［Ｔｉ＋Ｌ＋Ｍ］が０．０１〜０．５の範囲である複合酸化物微粒子。 - 特許庁

The alloy having high ductility and improved plastic working properties without decreasing its shape memory characteristics is the iron-manganese-based shape memory alloy which has a composition containing iron, manganese (Mn) solely, or further chromium (Cr), and/or nickel (Ni) and silicon (Si), has an Ms point of room temperature or lower, and further includes 1 mass% aluminum (Al).例文帳に追加

鉄にマンガン（Ｍｎ）単独、もしくはさらに、クロム（Ｃｒ）および／または、ニッケル（Ｎｉ）、シリコン（Ｓｉ）を含有する組成の鉄−マンガン系であって、Ｍｓ点が室温以下の形状記憶合金にアルミニウム（Ａｌ）を１質量％含有させることにより、形状記憶特性を損なうことなく、高い延性を有し、塑性加工性が向上した合金を得る。 - 特許庁

The aluminum battery comprises: a cathode 4; an anode 1 containing an anode activator containing an intermetallic compound containing at least two kinds of metals chosen from Al, Mg, Zn, Mn, Sn and In by not less than 0.001 Wt.% and not more than 30 Wt.%, and at least one substance chosen from aluminum or aluminum alloy; and an electrolyte containing iodic component.例文帳に追加

正極４と、Ａｌ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｓｎ及びＩｎよりなる群から選択される少なくとも２種類の元素からなる金属間化合物を０．００１重量％以上、３０重量％以下と、アルミニウム及びアルミニウム合金のうち少なくとも一方とを含有する負極活物質を含む負極１と、沃素成分を含有する電解液とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

A vibrator 3 for vibration generator is composed of a sintered alloy obtained by applying compaction and sintering to a tungsten-base alloy powder prepared by doping a tungsten powder with at least one element selected from aluminum(Al), silicon(Si), potassium(K), nickel(Ni), iron(Fe), cobalt(Co), rhenium(Re), thorium(Th), niobium(Nb), and yttrium(Y).例文帳に追加

タングステン粉末にアルミニウム（Ａｌ），けい素（Ｓｉ），カリウム（Ｋ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），レニウム（Ｒｅ），トリウム（Ｔｈ），ニオブ（Ｎｂ）およびイットリウム（Ｙ）から選択される少なくとも１種の元素をドープしたタングステン基合金粉末を成形・焼結した焼結合金から成ることを特徴とする振動発生機用振動子である。 - 特許庁

Then, an oxygen gas, a hydrogen gas, and trimethyl aluminum are supplied to the diamond crystal layer 1 in a CVD chamber having been reduced in pressure to 76 Torr to form an insulating layer 4 of an Al(OH)_3 or Al_1-x-yO_xH_y compound at a gate portion between the source electrode 2 and drain electrode 3 into a thickness of 8 nm.例文帳に追加

次に、７６Ｔｏｒｒに減圧したＣＶＤチャンバ内で、上記ダイヤモンド結晶層１に、酸素ガス、水素ガス、トリメチルアルミニウムを供給し、ソース電極２とドレイン電極３との間のゲート部に厚さ８ｎｍのＡｌ（ＯＨ）_3またはＡｌ_1-x-yＯ_xＨ_y化合物からなる絶縁層４を形成する。 - 特許庁

Since the group III-V compound semiconductor layer 21 is formed of a material containing Al elements, Ga elements and In elements as group III elements and containing As elements as group V elements, band offsets in a conduction band of the embedded semiconductor layer 19, that of the second clad layer 23 and that of the group III-V compound layer 21 are small.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層２１は、III族元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素を含むと共にＶ族元素としてＡｓ元素を含む材料からなるので、埋込半導体層１９の伝導帯及び第２クラッド層２３の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯とにおけるバンドオフセットは小さい。 - 特許庁

In the steel having a composition containing, by mass, ≤0.010% C, 0.1 to 3.0% Si, 0.4 to 3.5% Al and 0.1 to 1.5% Mn, and the balance Fe with inevitable impurity elements, Vickers hardness is ≤180, and yield ratio is ≥0.65.例文帳に追加

質量％で、Ｃ：０．０１０％以下、Ｓｉ：０．１〜３．０％、Ａｌ：０．４〜３．５％、Ｍｎ：０．１〜１．５％を含有し、残部Ｆｅ及び不可避不純物元素よりなる鋼において、ビッカース硬度が１８０以下で、かつ降伏比が０．６５以上であることを特徴とする磁気特性と打ち抜き加工性に優れた無方向性電磁鋼板。 - 特許庁

The cleaning device uses the cleaning blade 62 introducing a pressure-contact system by a spring 66, wherein the cleaning device is additionally provided with a dynamic vibration reducer 670 having a natural frequency equal to the frequency of the blade 62 in the natural vibration primary mode when the leading end part of the blade 62 performs the stick-slip vibration upon cleaning an image carrier al.例文帳に追加

バネ６６による圧接方式のクリーニングブレード６２を用いたクリーニング装置であって、像担持体ａ１の清掃においてブレード６２の先端部がスティックスリップ振動しようとするときのブレード６２の固有振動第１次モードの振動数と同じ固有振動数を有する動吸振器６７０が付加されているクリーニング装置６０及び該クリーニング装置を採用した画像形成装置Ａ。 - 特許庁

Disclosed is a method for producing an ingot by an electroslag melting process characterized in that dry air is used as a seal gas for shielding the inside of a mold from an air atmosphere during the melting of an electrode composed of a stock for melting and further, Al is continuously added to slag in the mold from the start of the melting of the electrode to the completion of the melting.例文帳に追加

溶解用素材により構成された電極の溶解中に鋳型内を大気雰囲気から遮断するシールガスとしてドライエアを使用するとともに、電極の溶解開始から溶解終了までの間、鋳型内のスラグへＡｌを連続的に添加することを特徴とするエレクトロスラグ溶解法による鋳塊の製造方法である。 - 特許庁

The mirror-faced aluminum material comprises an aluminum base material and a barrier-type anodic oxide coating formed on the surface of the aluminum base material, wherein the aluminum base material contains ≥99.5 wt.% Al, and its surface shows an arithmetical mean roughness Ra of ≤0.1 μm and a mean distance Sm between concaves and convexes of ≥10 μm.例文帳に追加

９９．５重量％以上のＡｌを含有し、表面における０．１μｍ以下の中心線平均粗さＲａと１０μｍ以上の凹凸平均間隔Ｓｍとを有するアルミニウム基材と、その表面に形成され１００〜５００ｎｍの厚さを有するバリア型陽極酸化皮膜とを備えることを特徴とする鏡面アルミニウム材。 - 特許庁

This musical instrument consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu Ta, Cr, Ti Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る楽器は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a Cu containing TiN layer which functions as a cap layer 130 (310) is formed by using a Cu containing Ti target, and Cu contained in the Cu containing TiN layer is diffused by heat treatment to an Al-Cu wiring 120 (320) located in an electrical connection part with the interlayer wiring 200.例文帳に追加

キャップ層１３０（３１０）として働くＣｕ含有ＴｉＮ層がＣｕ含有Ｔｉターゲットを用いて形成され、Ｃｕ含有ＴｉＮ層に含有されたＣｕを、熱処理により、層間配線２００との電気的接続部に位置するＡｌ−Ｃｕ配線１２０（３２０）に拡散させることを特徴とする半導体装置製造方法。 - 特許庁

Subsequently, a p-conductivity type semiconductor layer 7 is formed at the bottom of the opening 6 by introducing p-conductivity type impurities to the surface of the epitaxial layer 2, and a metal electrode 10 is formed using a metal film 8 of W touching the p-conductivity type semiconductor layer 7 at the bottom of the opening 6 and a metal film 9 of Al.例文帳に追加

次いで、開口部６の底部にてエピタキシャル層２の表面にｐ型の導電型を有する不純物の導入によってｐ型半導体層７を形成した後、Ｗ膜からなり開口部６の底部でｐ型半導体層７と接触する金属膜８とＡｌ膜からなる金属膜９を用いて金属電極１０を形成する。 - 特許庁

An OEL element 11 is structured of a positive electrode 15 composed of an ITO or the like, an organic layer 16 containing an electro-luminescence layer 21, an electron injection layer 17 composed of Ba or the like, a buffer layer 18 composed of Al or the like, and a transparent negative electrode layer 19 composed of indium zinc oxide laminated in that order.例文帳に追加

ＯＥＬ素子１１は、ＩＴＯ等から構成される陽極層１５と、電界発光する発光層２１を含む有機層１６と、Ｂａ等から構成される電子注入層１７と、Ａｌ等から構成されるバッファー層１８と、インジウム亜鉛酸化物等から構成される透明陰極層１９と、が順に積層されて構成されている。 - 特許庁

The surface treated galvanized steel sheet has a first film layer formed of a water based composition containing at least one kind selected from the phosphates, carbonates, nitrates, acetates, hydroxides and fluorides of Mg, Mn or Al, and an organic acid capable of coordination to a bivalent or higher metallic ion, and an organic film layer formed from an epoxy resin and a glycol urea resin on the first film layer.例文帳に追加

Ｍｇ、ＭｎまたはＡｌのリン酸塩、炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩、水酸化物およびフッ化物の金属化合物の少なくとも１種と、２価以上の金属イオンに配位可能な有機酸とを含む水性組成物から形成された第一皮膜層と、該第一皮膜層上にエポキシ樹脂およびグリコールウリル樹脂から形成された有機皮膜層とを有する表面処理亜鉛系めっき鋼板。 - 特許庁

The manufacturing method of a light olefin and/or a monocyclic aromatic compound comprises carrying out a catalytic cracking reaction by bringing a hydrocarbon raw material into contact with a catalyst in the presence of steam in a moving bed reactor, where pentasil zeolite having an Si/Al atomic ratio smaller than 50 and containing a rare earth element is used as the catalyst.例文帳に追加

移動床反応器を用いて、水蒸気の存在下、炭化水素原料を触媒に接触させて接触分解反応を行い、軽質オレフィン及び／又は単環芳香族化合物を製造する方法であって、該触媒として、Ｓｉ／Ａｌ原子比が５０より小さく、かつ希土類元素を含有するペンタシル型ゼオライトを用いることを特徴とする軽質オレフィン及び／又は単環芳香族化合物の製造方法。 - 特許庁

The hot dip Zn-Al-Mg based alloy plating contains 0.001 to 0.1% Ti and 0.0005 to 0.045% B, and, if required, at least one kind of easily oxidizable element selected from rare earth elements, Y, Zr and Si can be incorporated therein in 0.005 to 2.0%.例文帳に追加

溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金めっきには、さらにＴｉ：０．００１〜０．１重量％、Ｂ：０．０００５〜０．０４５重量％を含有することができ、さらに必要に応じて希土類元素，Ｙ，ＺｒまたはＳｉから選ばれた易酸化性元素の少なくとも１種を０．００５〜２．０重量％含有することができる。 - 特許庁

The Schottky electrode 2 includes: an electrode body 6; a connection electrode 8, which is formed in a position apart from the electrode body 6 when viewed from the semiconductor layer 1, and contains Al; and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and connection electrode 8, and containing at least one selected from a group consisting of W, TiW, WN, TiN, and Ta.例文帳に追加

ショットキー電極２は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成された、Ｗ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、およびＴａよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。 - 特許庁

This hydrocarbon adsorbing material is acid BETA zeolite in which a part or all of Al atoms or Si atoms are substituted by other metal atoms, acid NU-2 zeolite having the same BEA structure as that of the acid BETA zeolite or the zeolite which has the BEA structure resembled to that of the acid BETA zeolite and is obtained by using SSZ-31 and/or SSZ-41 as a precursor.例文帳に追加

Ａｌ原子又はＳｉ原子の一部又は全部が他の金属原子によって置換された酸性ＢＥＴＡゼオライト、酸性ＢＥＴＡゼオライトと同じＢＥＡ構造を有する酸性ＮＵ−２ゼオライト、あるいは酸性ＢＥＴＡゼオライトと類似のＢＥＡ構造を有し、ＳＳＺ−３１及び／又はＳＳＺ−４１を前駆体として得られたゼオライトを使用する。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

The plasma display panel is such that a scanning electrode 12a and a sustaining electrode 12b formed on a front surface glass substrate 11 are covered by a dielectric glass layer 13 and the dielectric glass layer 13 is covered by a protection layer 14 of magnesium oxide, and the protection layer 14 is structured by a material made of magnesium oxide containing at least either boron (B) or aluminum (Al).例文帳に追加

前面ガラス基板１１上に形成した走査電極１２ａ、維持電極１２ｂを誘電体ガラス層１３で覆い、その誘電体ガラス層１３を酸化マグネシウムの保護層１４で覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層１４を酸化マグネシウムにホウ素（Ｂ）およびアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一方を含む材料により構成したものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing generation of a spike and conduction failure by fully covering a sidewall surface and bottom surface of a hole with target material in forming the target material as a barrier layer and an Al layer or the like especially on the hole with a high aspect ratio formed on a semiconductor substrate such as an Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やＡｌ層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A composition includes: a carbonate of an alkaline earth metal of at least one selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba; and a composite oxide containing an alkaline earth metal of at least one selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba and a component of at least one selected from the group consisting of Ti, Al, Zr, Fe, W and Mo.例文帳に追加

Ｃａ，ＳｒおよびＢａからなる群より選ばれる少なくとも１種類のアルカリ土類金属の炭酸塩と、Ｃａ，ＳｒおよびＢａからなる群より選ばれる少なくとも１種類のアルカリ土類金属と、Ｔｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｆｅ，ＷおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種類の成分を含む複合酸化物とを含有する組成とする。 - 特許庁

A baffle plate member 15 comprises a baffle plate main body 15b substantially containing a vibration damping alloy consisting of 6-10 wt.% of Al and the ballance of Fe, and a weight member 15c installed in a projection 15a at a predetermined position near the circumference of the baffle plate main body 15b.例文帳に追加

バッフルプレート部材１５は、実質的に、Ａｌ：含有量６〜１０重量％と残部Ｆｅとを含んで構成される制振合金体を含んで構成されるバッフルプレート本体１５ｂと、バッフルプレート本体１５ｂの外周付近の予め定める位置の突出部１５ａに設けられた錘部材１５ｃとを含んで構成される。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet for a cap has a composition comprising Mg, Fe, Mn and Cr, and the balance Al with inevitable impurities, has a texture in which cube orientation density is ≤9, and also, the maximum orientation density of each orientation belonging to β fiber is ≤15, and has a tensile strength in the range of 190 to 290 MPa.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｒを含有するとともに残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、集合組織のキューブ方位密度が９以下であり、かつβファイバに属する各方位の最大方位密度が１５以下であり、引張強度が１９０ＭＰａ以上２９０ＭＰａ以下の範囲であることを特徴とするキャップ用アルミニウム合金板を採用する。 - 特許庁

The substrate for the hydrophilic member has an undercoat layer of a partial structure represented by M-OH (wherein M is Si, Ti, Zr or Al) on the base material, in which a value of M-OH/M on the surface of the undercoat layer is 1-0.4, and the hydrophilic layer on the undercoat layer.例文帳に追加

本発明の親水性部材用基板は、基材上にＭ−ＯＨ（式中、ＭはＳｉ、Ｔｉ、ＺｒまたはＡｌを表す。）で表される部分構造を含有する下塗層を有し、該下塗層表面のＭ−ＯＨ／Ｍの値が１〜０．４であるものであり、本発明の親水性部材用基板は、その下塗層上にさらに親水性層を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the film forming device 1, the targets (1st target) 21a and 21b of ferrosilicon material containing Al and Cr are used, and their mechanical strength is higher than the conventional target of polycrystalline silicon, so that cracks are hardly caused even in the case of supplying high-density power to the 1st targets 21a and 21b thick in thickness.例文帳に追加

本発明の成膜装置１には、ＡｌとＣｒとを含有するフェロシリコン材料のターゲット（第一のターゲット）２１ａ、２１ｂが用いられており、従来の多結晶シリコンターゲットに比べて機械的強度が高いので、厚みの厚い第一のターゲット２１ａ、２１ｂに高密度電力を投入しても、割れやクラックが生じにくい。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet for the case of the secondary battery includes 0.6-1.5 wt.% Mn, 0.1-0.8 wt.% Si, 0.1-0.8 wt.% Cu, 0.1-0.8 wt.% Fe, more than 0.2 to 0.7 wt.% Zn, and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｍｎを０．６〜１．５重量％、Ｓｉを０．１〜０．８重量％、Ｃｕを０．１〜０．８重量％、Ｆｅを０．１〜０．８重量％、Ｚｎを０．２超〜０．７重量％それぞれ含有し、残部が不可避的不純物及びＡｌからなることを特徴とする二次電池ケース用アルミニウム合金板により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The alloy sheet has a composition containing, by mass, 0.05 to 0.3% Cu, 0.05 to 0.8% Mg, 0.6 to 1.5% Mn and either or both of Si and Fe by 0.1 to 1.0%, and the balance Al with inevitable impurities, and has proof stress of 240 to 320 MPa.例文帳に追加

Ｃｕを０．０５から０．３質量％、Ｍｇを０．０５から０．８質量％、およびＭｎを０．６から１．５質量％含み、さらにＳｉおよびＦｅの両方またはいずれか一方の各元素を、０．１から１．０質量％含み、残部がＡｌと不可避的不純物とからなる組成を有し、かつ耐力が２４０から３２０ＭＰａとしたアルミニウム合金板として構成する。 - 特許庁

The central conductor is constituted of metallic materials with any of Cu, Au, Ag and Al as main components or alloy materials containing them as base materials, and metallic materials of any of Ni, Fe, Ti and W or alloy materials containing them are cladded as doubling materials on at least the face butted to the inner peripheral electrode 12 of the tongue piece 32.例文帳に追加

中心導体はＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかを主成分とする金属材又はそれらを含む合金材を母材とし、少なくとも舌片３２の内周電極１２と当接する面にはＮｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗのいずれかの金属材又はそれらを含む合金材を合わせ材としてクラッドされている。 - 特許庁

The ZnSe light emitting element which emits the light from an emitting surface 16 to an exterior includes an n-type ZnSe substrate 1 having a self-activation luminescent center SA, an active layer 4 formed on the substrate 1, and an Al layer 9a disposed on a surface at an opposite side to the emitting surface 16 to reflect the light to the emitting surface side.例文帳に追加

出射面１６から光を外部に出射するＺｎＳｅ系発光素子であって、自己活性発光中心ＳＡを含むｎ型ＺｎＳｅ基板１と、ｎ型ＺｎＳｅ基板１の上に形成された活性層４と、出射面１６と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射するＡｌ層９ａとを備える。 - 特許庁

This ornament consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る宝飾品は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

To provide a joining method where, when a member made of a Ti-Al alloy and a member made of steel are joined, so as to produce a joined body in which the strength of the joint is higher than the strength of the base metal, the joined body can be stably produced at a high excellent article yield even without making the control of temperature upon the joining severe.例文帳に追加

Ｔｉ−Ａｌ合金製の部材と鋼製の部材とを接合し、接合部の強度が母材強度を上回る接合体を製造するに当たり、接合時の温度コントロールをシビアにしなくても、高い良品歩留まりをもって、安定に接合体を製造することが可能な接合方法を提供する。 - 特許庁