「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(147ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result, a stray current is fed from the induction coil 41 to the mounting substrate 46 via a heat sink 42, a conductive member 34 and the stray capacitance, and is superimposed on a detection current fed from the detection circuit 43.例文帳に追加

これにより、浮遊電流が、誘導コイル４１から放熱体４２、導電性部材３４及び上記浮遊容量を介して実装基板４６に流れ、検出回路４３からの検出電流と重畳する。 - 特許庁

When the reception signals RXin change from L to H, the base potentials of the transistors T17 and T18 change from VF to 0V and the voltage Vc also changes from VF to 0V by the presence of the capacitance Cbc of the transistor T18.例文帳に追加

受信信号ＲＸｉｎがＬからＨになると、トランジスタＴ１７、Ｔ１８のベース電位がＶＦから０Ｖになり、トランジスタＴ１８の容量Ｃｂｃの存在により電圧ＶｃもＶＦから０Ｖに低下する。 - 特許庁

To provide a capacitance-type pressure sensor unit for preventing measurement accuracy from decreasing due to the leakage of fluid whose pressure is to be measured from a gap to the area between a sealing member and a pressure sensor element in low-temperature environment.例文帳に追加

低温環境下において、シール部材と圧力センサ素子との間に隙間から圧力被測定流体が漏れて測定精度が低下するのを防ぐことができる静電容量型圧力センサユニットを提供する。 - 特許庁

Thus, an extremely large dispersion is not caused in a potential of each pixel capacitance with respect to the potential of the data signal lines S, so that the dispersion of a leak current flowing via an active element of each pixel can be suppressed.例文帳に追加

したがって、データ信号線Ｓの電位に対する各画素容量の電位に極端に大きなばらつきを生じることはなく、各画素のアクティブ素子を介するリーク電流のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

A photoelectric conversion section 3 comprises arrays (a, a', a"), (b, b', b"), (c, c', c") of the three photoelectric conversion elements a, b, c and each photoelectric conversion element has the same element area and the same capacitance C_1.例文帳に追加

光電変換部３は、３つの光電変換素子ａ，ｂ，ｃの列「ａ，ａ’，ａ”」「ｂ，ｂ’，ｂ”」「ｃ，ｃ’，ｃ”」で構成されるが、各光電変換素子は同じ素子面積であり同じ容量値Ｃ_１を有している。 - 特許庁

To obtain a wiring board incorporating a capacitor in which capacitors are formed on the opposite major surfaces of a supporting substrate in order to double the capacitance as compared with a case where the capacitor is formed only on one major surface.例文帳に追加

コンデンサを内蔵する配線基板において、支持基体の表裏両側の主表面にコンデンサを形成することにより、一方の主表面にのみコンデンサを形成した場合と比較して形成容量を倍増させる。 - 特許庁

To reduce the capacitance of a capacitor as much as possible, and downsize and improve the efficiency of the entire system while supplying voltage with high stability in order to stabilize the power and phase in transmitting.例文帳に追加

送信時の電力や位相を可能な限り安定させるために極めて安定度の高い電圧を供給しながら、コンデンサの容量を可能な限り少なくし、システム全体を小型化および高効率化する。 - 特許庁

It is possible to decrease in-plane distribution of the OFF-state parasitic capacitance by misalignment between a gate electrode 25 and a source electrode 32 in the manufacturing process, and suppress the generation of a display unevenness even if the storage capacity is small.例文帳に追加

製造プロセスにおけるゲート電極25とソース電極32との合せずれによるオフ状態寄生容量の面内分布を低減することができ、蓄積容量が小さくても、表示むらの発生を抑制できる。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor, which is superior in electrical characteristics and is large in capacitance, by a method wherein a solid electrolyte layer consisting of conductive molecules, which are dense and even, is formed in the interior of a wound capacitor element, and a method of manufacturing the capacitor.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

An X-common driver 21 connected with a capacitance component CL of a PDP is provided with a reactive power recovering circuit 22, and a switching element SW is connected in parallel with a recovering condenser C1 in the circuit 22.例文帳に追加

ＰＤＰの容量成分ＣＬに接続されたＸ共通ドライバ２１は無効電力回収回路２２を備え、回路２２内の回収コンデンサＣ１に並列にスイッチング素子ＳＷが接続されている。 - 特許庁

Inductance and capacitance are formed on the surface of a sheet-like insulating base material by the use of a copper foil pattern and conductive paints, so that unit parts such as a coil and a capacitor can be dispensed with, and a manufacturing process can be shortened.例文帳に追加

シート状絶縁性基材の表面に導電性塗料及び銅箔パターンでインダクタンスおよびキャパシタンスを形成するため、コイルおよびコンデンサーの単品部品がなくなり製造工程が短縮できる。 - 特許庁

To realize a semiconductor device which reduces an inter-wiring capacitance, and which is hard to generate a short-circuit failure between adjacent wirings or a connection failure of the wiring to an interlayer connecting metal plug, if misalignment occurs.例文帳に追加

配線間容量を小さく抑え、かつ、アライメントずれが発生しても隣接する配線間等のショート不良や、配線と層間接続用金属プラグとの接続不良が発生しにくい半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can keep electrostatic capacitance required of cell operation by increasing a breakdown voltage and improve a retention property of a flash memory cell in such a way that impurities doped in polysilicon film used as a floating gate is prevented from spreading to the outside.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられるポリシリコン膜にドーピングされた不純物の外部への拡散を防止して上述した問題点を解決できるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

After the analog picture signal Sig A is held in a capacitance C-j, the signal is converted into a digital signal by an A/D converter 16-j in a time shorter than a horizontal scanning period and is held in a latch 17-j.例文帳に追加

アナログ画像信号ＳｉｇＡは、容量Ｃ−ｊに保持された後、１水平走査期間よりも短い時間内に、Ａ／Ｄ変換器１６−ｊによってデジタル信号に変換されてラッチ１７−ｊに保持される。 - 特許庁

The detecting member 15, where rugged regions with a constant spacing are formed on a surface opposite to the moving member, makes up an electrode 15a and is spaced at a distance D from the moving member so as to form a capacitor with the capacitance C.例文帳に追加

検出部材１５は移動部材との対向面に一定間隔で凹凸部が形成されて電極１５ａを構成し、移動部材１３と間隔Ｄを隔てて静電容量Ｃのコンデンサを形成する。 - 特許庁

The circuit 51 has an on-chip low-pass filter 511 and a DC control amplifier 512, and the filter 511 comprises: a first constant current source CS1; a differential pair of first and second transistor elements Mp1 and Mp2; and an on-chip capacitance C1.例文帳に追加

回路５１はオンチップローパスフィルタ５１と直流制御増幅器５１２を有し、フィルタ５１１は第１定電流源ＣＳ１、差動対の第１と第２のトランジスタ素子Ｍp1、Ｍp2、オンチップ容量Ｃ１を含む。 - 特許庁

Thus, the storage capacitance of the storage and preservation means is reduced as the number of shared files to be shared increases, the capital investment is reduced, and the recording reservation service is provided to a large number of users at low cost.例文帳に追加

したがって、共有ファイルの共有数が多いほど蓄積保存手段の記憶容量を大幅に削減することができ、設備投資を低減し低コストで多くのユーザに録画予約サービスを提供できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate structure that can reduce the parasitic capacitance between a gate electrode and a source/drain diffusion region (including its wiring) and can make a transistor element to operate at a high speed, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン拡散領域（及びその配線を含む）との間の寄生容量を低減でき高速動作が可能となるゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

According to this method, the nano-tube, the nano-wire or the nano-belt is employed as the area of a capacitor electrode whereby the capacitance of the integrated circuit element can be increased without widening the bottom area itself of the capacitor electrode.例文帳に追加

この方法によれば、コンデンサ電極の領域としてナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを用いているため、コンデンサ電極の底面積自体を広げることなく容量を増加させることができる。 - 特許庁

To provide a charge reallocation type analog/digital converter with high accuracy that can avoid reduction in the conversion accuracy due to fluctuations in the capacitance and to provide a simple and inexpensive design method for the charge reallocation type analog/digital converter.例文帳に追加

容量値変動のによる変換精度の低下を抑制し得る高精度な電荷再配分Ａ／Ｄ変換器、及び該電荷再配分Ａ／Ｄ変換器の簡単で且つ安価な設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor that improves the efficiency of a polarization electrode and at the same time has large capacitance.例文帳に追加

コーヒー豆の活性炭から形成した分極性電極１２、３２を金属素材からなる集電極１１、３１に付着させ負電極１と正電極３を構成し、その負電極１にマグネット２を埋設状態に設ける。 - 特許庁

To enhance electromagnetic coupling between an unbalanced line and a balanced line by narrowing an interval between these lines in an electromagnetic coupling portion, to reduce insertion loss, to miniaturize a balun, and to reduce an increase in parasitic capacitance caused by capacitor connection.例文帳に追加

不平衡線路と平行線路との電磁結合部分における間隔を狭くしてその間の電磁結合度を高め、挿入損を小さくし、小型化し、キャパシタ接続による寄生容量の増加を少なくする。 - 特許庁

An auxiliary capacitor CSC is composed of an active layer 42 of a TFT, a silicon thin film 43 as a common layer, an auxiliary capacitance line formed by patterning a 1st metallic layer 46 laminated across a gate insulating film 44.例文帳に追加

ＴＦＴの能動層４２と共通層であるシリコン薄膜４３とゲート絶縁膜４４を介して積層された第１金属層４６をパターン化した補助容量ラインとにより補助容量ＣＳＣを構成する。 - 特許庁

Individual pixels 110 are disposed corresponding to intersections between scanning lines 112 and data lines 114 in such a manner that the scanning lines 112 and capacitance lines 132 are disposed for each line and that the data lines 114 are disposed for each row.例文帳に追加

１行毎に走査線１１２と容量線１３２が設けられ、１列毎にデータ線１１４が設けられて、各画素１１０は、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応して設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing an increase in an area of an element in the device having an analog switch circuit, a capacitance element and a noise cancelling circuit for reducing a switching noise.例文帳に追加

本発明は、アナログスイッチ回路と容量素子とスイッチングノイズを低減させるノイズキャンセル回路とを備えた半導体装置に関し、素子面積の拡大を抑えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, by changing the aspect ratio of the block, changing the block position or changing the cell line, the decoupling capacitance can be easily created at the most efficient inserting position.例文帳に追加

また、ブロックの縦横比すなわちアスペクト比を代えたり、ブロック位置を変えたり、セルラインを変更したりすることにより、最も効果高い挿入位置にデカップリング容量を容易に生成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor that is improved in electrical characteristics and increased in capacitance by forming a solid electrolyte layer composed of a dense and uniform conductive polymer in wound capacitor elements.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can achieve desired capacitance characteristic and delay characteristic while suppressing a soaring reticle cost and can make effective use of basic cells and I/O slots which are not in use.例文帳に追加

所望の容量特性や遅延特性を、レチクル費用の高騰を抑制しながらも得ることができ、未使用の基本セルやＩ／Ｏスロットを有効利用することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

During a period from preheating to applying starting voltage of the discharge lamp 14, the stray capacitance is calculated by using the lamp current detected by a current detecting means 28 and a lamp voltage detected by a voltage detecting means 29.例文帳に追加

放電灯14の予熱時から始動電圧印加時までの期間中に、電流検出手段28で検出されるランプ電流および電圧検出手段29で検出されるランプ電圧を用いて浮遊容量を算出する。 - 特許庁

To obtain a current addition type DAC in the form of IC in which highly accurate D/A conversion is ensured even when high frequency switching is performed by suppressing fluctuation of reference potential regardless of the stray capacitance.例文帳に追加

ＩＣ化されている電流加算型ＤＡＣにおいて、高周波スイッチングを行う場合でも、浮遊静電容量の存在に係わらず、基準電位の変動を低減し、高精度のＤ／Ａ変換を行うこと。 - 特許庁

Each of NMOS transistors M11 and M12 which are connected to output terminals Vout1 and Vout2 respectively consists of a transistor which has an impurity concentration lower than a normal concentration so that the parasitic capacitance between the drain and the source is reduced.例文帳に追加

出力端子Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２に接続されるＮＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２は、不純物濃度を通常の濃度よりも少なくしてドレイン・ソース間の寄生容量を低減化したトランジスタで構成されている。 - 特許庁

That can be realized by a process of lowering the contrast and luminance of display data than those at normal time, and an alternation of an element power source voltage (anode/cathode voltage) and a holding capacitance voltage Vsc of pixels from those at normal time, or the like.例文帳に追加

これは、表示データのコントラストや輝度を通常時より低下させる処理、素子電源電圧（陽極、陰極電圧）、画素の保持容量電圧Ｖscを通常時から変更するの変更などによって実現できる。 - 特許庁

An electrode arranged in the liquid crystal cell is defined as one electrode 14, and conductive materials arranged in the other member are defined as the other electrode 34, and a position on the liquid crystal display is detected based on the position of electrical capacitance change in depression.例文帳に追加

液晶セルが備える電極を一方の電極１４とし、他の部材が備える導電材を他方の電極３４とし、押圧時の電気容量変化の位置に基づいて、液晶表示上の位置を検出する。 - 特許庁

To enable sure adjustment of the optimum gain and offset at a desired detection position in a short time in a non-contact sensor such as a capacitance type for detecting the position of an object to be detected of an dielectric or the like.例文帳に追加

誘電体等の被検出物の位置を検出する静電容量型などの非接触センサにおいて、短時間で確実に所望の検出位置における最適なゲインとオフセットに調整できるようにする。 - 特許庁

To provide a multiple chip part capable of suppressing the generation of cracks causing changes in the characteristics and leakage, reducing the stresses generated in a multiple capacitor, and reducing the fluctuations of the capacitance in the capacitor.例文帳に追加

本特性の変化やリークの原因となるようなクラックの発生を抑制し、また多連コンデンサに生じる応力を低減し、コンデンサの静電容量の変動を低減することのできる多連チップ部品を提供する。 - 特許庁

The flexible printed board has an inductor 2 fabricated by circuit formation to the flexible printed circuit board and high permeability layers 3, 4 laminated on the upper and lower sides of the inductor 2, wherein the capacitance of the inductor 2 is increased by the high permeability layers 3, 4.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製されたインダクタ２と、このインダクタ２の上下に積層された高透磁率層３，４とを有し、高透磁率層３，４によりインダクタ２の容量が増加されている。 - 特許庁

Since the capacitor of the current amplifier simulates the gate capacitance of the semiconductor element when viewing from the gate driver, an intended gate charge/discharge characteristic is provided independently of a state of the semiconductor element.例文帳に追加

これによって、ゲートドライバ側より見ると電流アンプのコンデンサが半導体素子のゲート容量を模擬するため、半導体素子の状態のいかんに係わらず意図するゲート電荷充放電特性を持たせる事が出来る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state electrolytic capacitor by which a solid-state electrolytic layer composed of fine uniform conductive molecules is formed into a winding type capacitor element and which has excellent electrical characteristics and large capacitance.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れ、かつ大容量の固体湖電解コンデンサを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To form a capacitor in which capacitance per unit volume is large, voltage dependence is low, and the absolute level is a MOS transistor level only by adding a mask in a process of manufacturing a BicMOS-type semiconductor device.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳ型半導体装置のプロセスにおいて、マスクを一枚追加するだけで単位体積あたりの容量値が大きく、電圧依存性が小さく、絶対段差はＭＯＳトランジスタレベルの容量を形成する。 - 特許庁

The resistors 9 and 10 are connected to a voltage source 12 in order to charge the equivalent input capacitance of an element up to a nominal voltage of a live electric bus line 2 or 3 before connecting the element to the line 2 or 3.例文帳に追加

抵抗（９、１０）は、素子を活電バスライン（２又は３）に接続する前に、素子の等価入力キャパシタンスを活電バスライン（２又は３）の公称電圧まで充電するために電圧源（１２）に接続される。 - 特許庁

Moreover, since the distance between an IC chip 3 and the monitor electrode 13 other than the island-shaped projection 16 in the monitor electrode 13, a gap can be formed so that the coupling capacitance between the monitor electrode 13 and the IC chip 3 can be decreased.例文帳に追加

また、モニター用電極１３の島状凸部１６以外のモニター用電極１３とＩＣチップ３との距離が長いので隙間ができ、モニター用電極１３とＩＣチップ３とのカップリング容量を少なくできる。 - 特許庁

Thus, a circuit in which a circuit Q is higher and an energy loss is smaller can be realized in comparison with the case where an oscillation frequency is controlled by using a variable capacitance diode such as the conventional Colpitts oscillation circuit.例文帳に追加

これにより、従来のコルピッツ型の発振回路のように可変容量ダイオードを用いて発振周波数を制御する場合と比較して、回路Ｑが高く、エネルギー損失が少ない回路を実現できる。 - 特許庁

When a positive voltage of V1 is applied to a drive capacitor 46 with a brake voltage V2 in the state of 0 V, the movable electrode 18 moves to the side of a drive electrode 14, and the capacitance C of a tunable capacitor 44 becomes small.例文帳に追加

ブレーキ電圧Ｖ２が０Ｖの状態で、駆動キャパシタ４６にＶ１の正電圧を印加すると、可動電極１８が駆動電極１４側に移動して、チューナブル・キャパシタ４４の容量Ｃが小さくなる。 - 特許庁

A voltage-controlled oscillator comprises a parallel resonance circuit including an inductor circuit, a variable capacitance circuit, and a high-frequency switching circuit, a negative resistance circuit, a frequency control section, and a frequency tuning sensitivity control section.例文帳に追加

電圧制御発振器は、インダクタ回路と可変容量回路と高周波スイッチ回路とで構成された並列共振回路と、負性抵抗回路と、周波数制御部と、周波数感度制御部とを備える。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion module wherein electronic components are mounted to a metallic stem by means of an insulating submount provided with an electrode pattern and which achieves high transmission at a small parasitic capacitance.例文帳に追加

電子部品の金属製のステムへの実装を、電極パターンが形成された絶縁性のサブマウントを介して行う光電変換モジュールであって、寄生容量が小さく高速伝送が可能なものを提供する。 - 特許庁