Diffusedを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 3736件
To provide a cold cathode discharge tube in which mercury particles do not adhere to a fluorescent coated film on the inner face of a glass bulb by the mercury that is diffused and filled in the glass bulb and a long life is made possible.例文帳に追加
ガラスバルブ内に拡散封入された水銀によって、ガラスバルブの内面に形成された蛍光被膜に水銀粒が付着することがなく、しかも長寿命化を可能とした冷陰極放電管を提供する。 - 特許庁
To provide a functional material which increases the number of negative ions in the surrounding air, radiates far-infrared rays, exhibits mildew-resistant, deodorizing, and antimicrobial properties, and decreases the amount of volatile organic compounds diffused.例文帳に追加
周辺空気中のマイナスイオン数を増加させる作用、遠赤外線作用、防カビ性、脱臭性、抗菌性および揮発性有機化合物の放散量を低減する作用を有する機能性材料を提供する。 - 特許庁
When calculation processing for solving a simultaneous linear equation is diffused by a conjugate gradient method (S107), an initial value is to be X_MIN, and calculation processing for solving the simultaneous linear equation with the conjugate gradient method is operated (S108).例文帳に追加
共役勾配法でもって連立一次方程式を解く計算処理が発散すれば(S107)、初期値をX_MINに設定し、共役残差法でもって連立一次方程式を解く計算処理を行う(S108)。 - 特許庁
The flow of a fluid leaking out of the spool sliding hole is diffused by the widely opening hole and discharged from the drain opening, therefore hardly causing the entry directly to the plunger sliding hole and permitting the entry of less flowing foreign matters.例文帳に追加
スプール摺動孔から漏れ出す流体の流れが拡開孔で拡散され、ドレン孔から排出されるため、直接のプランジャ摺動孔への侵入が生じ難くなり、流れに乗った異物の侵入も減少する。 - 特許庁
The CMOS is constituted such that p-type impurity diffused electrodes 310 constituting source and drain regions of pMOSs are electrically connected to a metal wiring layer 600 through a p-type polycrystalline silicon- made leading layer 300, and n-type impurity diffused electrodes 410 constituting source and drain regions of nMOSs are electrically connected to the metal wiring layer 600 through an n-type silicon-germanium mixed crystal-made leading layer 400.例文帳に追加
pMOSのソース、ドレイン領域を構成するp型不純物拡散層電極310と金属配線層600とがp型多結晶シリコンからなる引き出し層300を介して電気的に接続され、nMOSのソース、ドレイン領域を構成するn型不純物拡散層電極410と金属配線層600とがn型シリコン・ゲルマニウム混晶からなる引き出し層400を介して電気的に接続されたCMOSである。 - 特許庁
Light emitted from a light source 106 is diffused by a diffuser panel 101, a polarization state of the diffused light is converted by a polarization conversion element 102, the light with which a specimen 108 is irradiated from among the light emitted from the element 2 is selected by driving a liquid crystal panel 103.例文帳に追加
光源106から発せられた光を拡散板101により拡散し、この拡散された光の偏光状態を偏光変換素子102により変換し、偏光変換素子102から出射された光のうち被測定体108に照射される光を液晶パネル103の駆動により選択し、被測定体載置板104上に載置された被測定体108から発せられた光を導光部106により導光し、測定する。 - 特許庁
As a result, an engine sound which is a low sound offensive to the ear of an operator sitting in the driving part, and performing the operation is shielded with the shielding body, and reflected/diffused and even the sound volume etc., are reduced to reduce the degree of offensiveness to the ear.例文帳に追加
その結果、運転部に着座して作業を行う作業者にとって耳障りな低音であるエンジン音が、遮蔽体により遮蔽されて反射・拡散し、音量等も低減されて耳障り度合いが軽減される。 - 特許庁
Outside air is hindered to linearly progress toward the center of the valve chamber 3 by the barrier wall diversion member 13, reduced in speed, and diffused into the valve chamber 3 toward the inner wall of the valve chamber 3 from the small gap 15 at a moderate speed.例文帳に追加
外部空気は障壁分流部材13によって弁室3中央部への直進が妨げられると共に減速されて小隙間15から緩やかな速度で弁室3内壁に向けて弁室3内に拡散される。 - 特許庁
To provide a light guide body 100 for a lighting device capable of emitting incident light from the whole emitting surface as diffused light at low cost, in comparison with addition of a light-diffusion material and application of a grain finish.例文帳に追加
光拡散材を添加したりシボ加工を施すのに比べて、より低コストで、入射した光を拡散光として出射面全体から出射させることのできる照明装置用導光体100を製造することができる。 - 特許庁
Thereby, the light from the respective elements 22A, 22B, 22C, 22D and 22E is diffused only in the horizontal direction without diffusing it in the vertical direction to form five horizontally long patterns in positions shifted from one another in the horizontal direction.例文帳に追加
これにより、各半導体発光素子22A、22B、22C、22D、22Eからの光を、上下方向には拡散させずに水平方向にのみ拡散させて、5つの横長配光パターンを互いに水平方向にずれた位置に形成する。 - 特許庁
The method for modifying the surface of the stainless steel material comprises the steps of: subjecting the surface of the stainless steel material to electric discharge machining while using a Ti-containing electrode; and successively subjecting the discharge-machined surface of the stainless steel material to electron beam machining to form a TiC-diffused modified layer.例文帳に追加
ステンレス系材料の表面に、Tiを含む電極を用いた放電加工、及び電子ビーム加工を順次行って、TiCが拡散された改質層を形成することを特徴とするステンレス系材料の表面改質方法。 - 特許庁
To provide a BiCDMOS structure implementing all of a DMOS (doubly diffused metal oxide silicon) power circuit, a CMOS (complementary metal oxide silicon) digital logic circuit and a complementary bipolar analog circuit on a single integrated circuit chip and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
DMOS電力回路、CMOSデジタル論理回路、及びコンプリメンタリバイポーラアナログ回路の全てを単一の集積化された回路チップ上に実現するBiCDMOS構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
As the excretion liquid absorbed in the liquid capturing layer 18 is attracted to a second compressed recess 24, in which the liquid capturing layer 18 is compressed, and diffused, the liquid capturing layer 18 located under the liquid penetration holes 23 is hardly saturated with the liquid.例文帳に追加
また液獲得層18に吸収された排泄液は、液獲得層18を圧縮した第2の圧着凹部24に引き付けられて拡散するため、液透過孔23の下に位置する液獲得層18が液で飽和し難くなる。 - 特許庁
An elastomer 23 is provided on a heating chamber 18 side of a connection member 22, a rail opening part 21 is closed by the elastomer 23, and cooling air is restrained from being diffused from the rail opening part 21 to flow into the rail opening part.例文帳に追加
弾性体23を連結部材22の加熱庫18側に設け、弾性体23により、レール開口部21を閉塞し、冷却風がレール開口部21から吹き出し、加熱庫18内に流入することを抑制する構成とした。 - 特許庁
It characterised in that the field magnets 26 and 27 have arcuate surfaces 128a and 128b defining the rotor pass hole 25c where a magnetic material diffused with magnetic power is integrally injection molded.例文帳に追加
界磁マグネット26,27は、ロータ通孔25cを規定する円弧状面128a,128bの夫々に、磁性粉体を拡散した磁石材料を射出成形により一体成形して装着されていることを特徴としている。 - 特許庁
An intermediate product having a mask 50 is exposed to an atmosphere 52 containing tin, thus diffusing the tin to a semiconductor multilayered film from an opening 50a, and preventing the tin from being diffused to a region in which an insulating film pattern of the mask 50 is formed.例文帳に追加
マスク50を備える中間生産物を、錫を含む雰囲気52に晒すと、開口部50aから半導体多層膜に錫が拡散すると共にマスク50の絶縁膜パターンが設けられた領域には錫は拡散されない。 - 特許庁
Then, an embedded diffused silicon epitaxial wafer 100 is produced, by using a main rear-surface side silicon monocrystalline oxide film 42, which is formed on the main rear-surface side of the silicon monocrystalline substrate 1, after the alignment mark 7 has been formed, as an oxide film for defocus prevention.例文帳に追加
そして、アライメントマーク7の形成終了時にシリコン単結晶基板1の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜42をデフォーカス防止用酸化膜として、埋込拡散シリコンエピタキシャルウェーハ100を製造する。 - 特許庁
To improve performance and reliability of components of a wiring layer composed of a diffused layer, etc., by forming impurity ion implanted regions in contract with the surface of an insulation film on a part of semiconductor regions formed on an SOI substrate surface, and thermally diffusing the impurity in the impurity ion implanted regions.例文帳に追加
半導体領域に不純物が拡散されている拡散層からなる配線層などの構成要素の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an aroma diffusing device capable of being set to continue the strength of diffused aroma and a retention time, etc., in a desired state and intending a small size and a light weight when giving out an aromatic substance to diffuse aroma.例文帳に追加
芳香物質を放出して芳香を発生させるにあたり、発せられる芳香の強さ,持続時間等を所望の状態に継続すべく設定することができ、しかも、小型・軽量化を図ることが容易とされるものとなす。 - 特許庁
An influence of the returning light and the irregularly diffused light is reduced by simplifying the structure of the slit used in the optical scanner, and a manufacturing process is simplified to provide an inexpensive optical scanner.例文帳に追加
本発明は、光走査装置に使用するスリットの構造を単純にすることにより、戻り光および乱反射による影響を低減し、かつ、製造工程を簡略化できる安価な光走査装置を提供することができる。 - 特許庁
In this automatic vending machine, a duct 15 for generating a turbulent flow is arranged at the blowoff side of a crossflow fan 12 so that air (cooled air or heated air) from the crossflow fan 12 can be turned through the duct 15 into a turbulent flow, and diffused in the whole inside part of a storage chamber.例文帳に追加
クロスフローファン12の吹出側に乱流発生用のダクト15を設けてあるので、クロスフローファン12からの空気(冷却空気または加温空気)をダクト15を介して乱流化させて庫室内全体に拡散できる。 - 特許庁
To provide a permanent magnet which is manufactured through such a manner that films of Dy and Tb are formed on the surface of a rare earth-iron-boron-based sintered magnet prescribed in shape, and that Dy and Tb are diffused into a crystalline grain boundary phase and has a coercive force much higher than usual.例文帳に追加
所定形状鉄−ホウ素−希土類系の焼結磁石の表面にDy、Tbを成膜し、結晶粒界相に拡散させてなる永久磁石であって、一層高い保磁力を有するものを提供する。 - 特許庁
The effective coating pattern width of the coating material in the atomized and diffused state is controlled by the air after the collision (hitting) to deposit the coating material in thus controlled state to an object face S to be coated set ahead of the coating material atomization head 41.例文帳に追加
霧化拡散状態にある塗料の有効塗装パターン幅を上記衝突後のエアによりコントロールし、当該コントロール状態の霧化塗料を塗料霧化頭41の先方にある被塗装面Sに付着させる。 - 特許庁
An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加
N型シリコン基板4の上にN型シリコン−ゲルマニウム混晶層5が形成され、N型シリコン−ゲルマニウム混晶層5の上にN型シリコン層6が形成され、さらに、N型シリコン層6内にP型シリコン拡散層7が形成される。 - 特許庁
Chip timing is controlled by the time resolution of measurement and a value obtained by A/D converting an input signal at the chip timing is inversely diffused and measured by the short code at all points given by the time resolution of the measurement section.例文帳に追加
測定の時間分解能でチップ・タイミングを制御し、測定の区間の時間分解能で与えられるすべてのポイントで、入力信号をチップ・タイミングでA/D変換した値を前記ショートコードで逆拡散して測定する。 - 特許庁
This porcelain of dielectrics consists mainly of BaTiO3 forming particles 1 of porcelain of dielectrics constituted by a core 2 of ferroelectric phase and a shell 3 of paraelectric phase surrounding the core 2 and where Mg and rare earth elements are diffused in BaTiO3.例文帳に追加
誘電体磁器は、BaTiO_3 を主体とし、誘電体磁器粒子1が強誘電体相のコア2と、このコア2を囲んで形成され、BaTiO_3 にMgと希土類元素が拡散した常誘電体相のシェル3とを有する。 - 特許庁
Air flowing in from the main chamber 1 is diffused in the auxiliary chamber 2 by the rounded surface 21, and flame containing an air-fuel mixture existing in the neighbourhood of the part 18 speedily flows into the communicating hole 14 with little loss after fuel injection.例文帳に追加
アール面21によって、主室1から流入する空気は副室2に拡散し、燃料噴射後、部分18付近に存在する混合気を含む火炎は、速やかに且つ損失が少なく連絡孔14に流れ込む。 - 特許庁
In this method for measuring the concentration of the specific component in the blood specimen containing a blood corpuscle, the concentration of the specific component is operated in consideration of the diffusion speed of the specific component diffused to the outside of the blood corpuscle from the inside thereof.例文帳に追加
血球を含む血液試料中の特定成分の濃度を測定する方法において、上記特定成分が血球内から血球外に拡散する拡散速度を考慮して、上記特定成分の濃度を演算する。 - 特許庁
The light from a discharge bulb 28 is diffused and deflection reflected in the right and left direction by a plurality of reflecting elements 26s that constitute the side region A1 on the left side of a light axis Ax2 on the reflecting face 26a of a reflector 26.例文帳に追加
リフレクタ26の反射面26aにおける、光軸Ax2の左側の側方領域A1を構成する複数の反射素子26sにより、放電バルブ28からの光を左右方向に拡散偏向反射させる。 - 特許庁
A p-channel MOSFET 101 and an n-channel MOSFET 102 are formed in n-type semiconductor layers 3 on an SOI substrate 200 and a heavily doped impurity diffused region 10 is formed in such a way as to encircle these MOSFETs.例文帳に追加
SOI基板200上のn形半導体層3にpチャネルMOSFET101とnチャネルMOSFET102が形成され、これらを取り囲むように、高濃度の不純物拡散領域10を形成する。 - 特許庁
In addition, the semiconductor device 100 includes a contact 134, which is coupled to the N-type impurity-diffused region 116a in the both sides of the first gate 210 and is buried in the second concave portion having a diameter that is large than the first concave portion.例文帳に追加
また、半導体装置100は、第1のゲート210の両側方のN型不純物拡散領域116aに接続され、第1の凹部よりも径が大きい第2の凹部内に埋め込まれたコンタクト134を含む。 - 特許庁
This liquid medicine container has a space including a delivery inhibitor in a barrel for storing the liquid medicine, and the included delivery inhibitor is diffused into the liquid medicine in the barrel, after used specified times, so as to block a delivery port.例文帳に追加
本発明の薬液容器は、薬液を収容するバレル内に吐出阻害剤を内包する空間を有し、規定回数使用後に、内包する吐出阻害剤をバレル内の薬液中に拡散せしめ、吐出口を詰まらせる。 - 特許庁
The pressurized gas jetted from the blow-off nozzle is blown to a liquid film (a) formed by immersing the liquid film generation means in liquid and making it pass through the liquid and a spherical bubble body b is generated and diffused to an external world.例文帳に追加
液膜生成手段が液体内に浸漬されかつ通過することによって形成された液膜aに向けて吹出しノズルから噴出する加圧気体を吹き付けて球状気泡体bを生成して外界に拡散する。 - 特許庁
To obtain a light-dispersing resin composition that has excellent light dispersion and light transmission and occurs no color difference in the diffused light depending on the view angle, and obtain film and plate formed products from the resin composition or its fabricated products.例文帳に追加
光拡散性及び光透過性が優れ、見る角度によって拡散光に色の差が生じない光拡散性樹脂組成物および該樹脂組成物からなるフィルムもしくは板状の成形品又はその加工品を得る。 - 特許庁
As the light from the sub-discharging arc S and the main discharging arc M hit an electrode and diffused ( diffusion reflection) by diffusion means 22, 32, 42, the influence on the light distribution of the reflector 90 is small.例文帳に追加
また、光拡散手段22、32、42により、サブ放電アークS、メイン放電アークMからの光が電極に当たって拡散(拡散反射)されるので、配光、すなわち、リフレクタ90の配光への影響がない、もしくは、少ない。 - 特許庁
By forming dielectric separation films 122 and 132 in the form of closed loops, respectively, on a silicon layer, first semiconductor layer regions 123 and 133 on the silicon layer are insulated and separated, and diffused resistors 124 and 134 are formed on the inside thereof.例文帳に追加
シリコン層上に誘電体分離膜122、132を閉ループ状に形成することによりシリコン層上の第一の半導体層領域123、133を絶縁分離し、その内側に拡散抵抗124、134を形成する。 - 特許庁
To provide an image forming device that highly accurately detects density regardless of an individual difference between density detection sensors each of which detects the density of a developed toner image by mirror reflection light and diffused reflection light and regardless of accuracy in mounting a density detection sensor.例文帳に追加
顕像化されたトナー像の濃度を正反射光と乱反射光により検出する濃度検知センサの個体差や取り付け精度によらず高精度な濃度検知を行うことのできる画像形成装置を提供する。 - 特許庁
After that, thermal treatment is performed at a temperature higher than that of this thermal treatment, aluminum and boron are diffused in the N-type semiconductor substrate 1, and first and second P-type semiconductor regions 7, 8 different respectively in impurity concentrations are formed.例文帳に追加
しかる後、この熱処理温度よりも高い温度で熱処理してアルミニウム及びホウ素をN形半導体基板1内に拡散させて不純物濃度の異なる第1及び第2のP形半導体領域7、8を形成する。 - 特許庁
Subsequently, the data of ink spreading after predicted hitting is read out from a memory for a nozzle corresponding to the processing pixel (S7), a quantization error is corrected based on that data (S8) and the corrected quantization error is diffused to peripheral pixels (S9).例文帳に追加
つぎに処理画素に対応するノズルの、予測されるインク着弾後のインクの広がりのデータをメモリより読み出し(S7)、このデータにより量子化誤差を修正し(S8)、この修正した量子化誤差を周辺画素へ拡散する(S9)。 - 特許庁
A secondary station having a receiving means for receiving messages from a primary station and a transmitting means for transmitting transmission signals as diffused spectrum signals in response to a received invitation from the primary station is provided.例文帳に追加
第一の局からのメッセージを受信する受信手段と、第一の局からのインビテーションの受信に応答して拡散スペクトル信号として送信信号を送信する送信手段と、から構成された第二の局が提供される。 - 特許庁
Since the electrodes 10, 10 are disposed separately from the insulating plate 7, the heat applied to the electrodes 10, 10 is so transferred and so diffused scarcely to the insulating plate 7 that the soldering of the capacitor is performed surely.例文帳に追加
基板接続電極10、10は、絶縁板7から離間して配置されているため、基板接続電極10,10に加えられた熱が、絶縁板7に伝達・拡散することが少なくなり、半田付けが確実に行われるようになる。 - 特許庁
Afterwards, heat treatment is conducted at a temperature higher than such a heat treatment temperature, aluminum and boron are diffused inside the N-type semiconductor wafer 1 so that first and second P-type semiconductor regions of different impurity concentrations can be formed.例文帳に追加
しかる後、この熱処理温度よりも高い温度で熱処理してアルミニウム及びホウ素をN型半導体基板1内に拡散させて不純物濃度の異なる第1及び第2のP型半導体領域を形成する。 - 特許庁
Since heat generated from the fuses 6 and 7 is not concentrated locally but diffused and dissipated, local temperature rise of the circuit in the multilayer FPC 1 is suppressed thus suppressing temperature rise of the entire circuit.例文帳に追加
ヒューズ6,7で発生する熱は、局所的に集中することなく分散して放熱されるため、多層FPC1の回路の局所的な温度上昇は軽減されると共に、回路全体の温度上昇も軽減される。 - 特許庁
Since the LED emission parts 30 are installed on an LED mounting block 31 having heat radiation performance installed on the case 20 through a radiation material 32, heat emitted from the LED emission parts 30 can be conducted and efficiently diffused.例文帳に追加
LED発光部30は、放熱材32を介して、筐体20に取り付けられている放熱性を有するLED取付ブロック31に取り付けられるので、LED発光部30が発した熱を伝導して効率よく拡散できる。 - 特許庁
If a contour of the projection image is to be diffused and gradated, an opening size of the aperture 23 of the projection image forming part 14 is adjusted outside the imageable range 'a' in which the projected image can be formed by the optical system 13.例文帳に追加
投光像の輪郭を拡散させてぼやけさせる場合には、投光像形成部14のアパーチャ23の開口寸法を光学系13で投光像を結像可能な結像可能範囲aよりも大きい結像可能範囲外に調整する。 - 特許庁
To provide a safe and reliable garbage-housing cabinet by which a large quantity of garbage is compressed and volume-reduced to be housed, bad smell is never diffused to outside in the case of compression and volume reduction and the feeding and removing work of the garbage is facilitated.例文帳に追加
ごみが圧縮減容されて多量に収容され、圧縮減容される際には外部へ臭気が発散せず、ごみの投入・除去作業も容易となって、安全で信頼性の高いごみ収容キャビネットを提供する。 - 特許庁
A p-type area 105 with diffused Zn is formed penetrating the n-InP window layer 104, thereby forming a pn junction in the n-InGaAs optical absorption layer 103 or adjacent thereto and making the area 105 as a light receiving part.例文帳に追加
Znが拡散されたp型領域105を、n−InP窓層104を貫通する様に形成する事で、n−InGaAs光吸収層103中あるいは近傍にpn接合が形成され、受光部となる。 - 特許庁
This is a light source/optical fiber coupler that couples a diffused optical flux outgoing from a light source (e.g. semiconductor laser 10) on the end face of an optical fiber (e.g. single-mode optical fiber 14) through a distributed refractive index type rod lens 12.例文帳に追加
光源(例えば、半導体レーザ10)から出射する拡散光束を屈折率分布型ロッドレンズ12によって光ファイバ(例えば単一モード光ファイバ14)端面に結合する光源−光ファイバ結合器である。 - 特許庁
Next, in a second diffusion step, the impurities are thermally diffused from the diffusion layer source 12 to inside the wafer, and a heavily-doped impurity diffusion layer 19, which increases a diffusion depth in the diametric direction of the wafer 11, is formed.例文帳に追加
次に、第2の拡散工程において、上記拡散層源12からウェーハ内部に不純物を熱拡散させ、ウェーハ11の上記径方向に拡散深さが増大する高濃度不純物拡散層19を形成する。 - 特許庁
Furthermore, a p-type stopper layer 64, whose conductivity type is reverse to that of an epitaxial layer 62, is diffused into the surface of the epitaxial layer 62 near a gap between the tips of the gate extension parts 67a of transistors 10 and 20, to shut off a leakage current nearly completely.例文帳に追加
さらに、両トランジスタ10と20のゲート延在部67aの先端間の隙間付近のエピタキシャル層62の表面にストッパ層64をそれとは逆のp型で拡散して漏れ電流をほぼ完全に遮断する。 - 特許庁
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