「HＦ」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The center burr masher roll for the recoiling line is characterized in that a particle disperse silicon carbide sintered body formed by sintering a silicon carbide which disperses Ti-Zr-B solid solution particles and/or Ti-Hf-B solid solution particles is formed into a barrel shaped roller whose curvature radius R of the sliding surface is 150 mm or less.例文帳に追加

Ti-Zr-B固溶体粒子及び/又はTi-Hf-B固溶体粒子を分散した炭化珪素を焼結した粒子分散炭化珪素質焼結体を、摺動面の曲率半径Rが150mm以下の樽型形状ロールに成形加工してなることを特徴とするリコイリングライン用センターバーマッシャーロールである。 - 特許庁

In the server 2, according to the home page information S, the file HF for home page is stored in a WWW server 21, and the E-mail carrying the home page address HA of the file HF for home page is transmitted to the mail address of the user.例文帳に追加

サーバ２では、ホームページ情報Ｓに基づいて、ホームページ用ファイルＨＦをＷＷＷサーバ部２１に格納すると共に、ホームページ用ファイルＨＦのホームページアドレスＨＡを記したイーメイルをユーザのメールアドレス宛に送信する。 - 特許庁

A method of depositing an insulating film includes: a first step of depositing an Hf-Si film 102 on an Si substrate 101 by sputtering; a second step of depositing an HfSiO film 103 by oxidizing the Hf-Si film; and a third step of forming an HfSiON film 105 by nitriding the HfSiO film.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１の上にスパッタによりＨｆ−Ｓｉ膜１０２を形成する第１工程と、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化してＨｆＳｉＯ膜１０３を形成する第２工程と、ＨｆＳｉＯ膜を窒化してＨｆＳｉＯＮ膜１０５を形成する第３工程を含む。 - 特許庁

An optical disk inspection device has HF signal amplifier circuits 43A-43D corresponding to four light receiving elements of a photodetector 28 in the optical pickup 20 and gain control circuits 54A-54D for setting amplification factors G_A-G_D in the HF signal amplifier circuits 43A-43D.例文帳に追加

光ディスク検査装置は、光ピックアップ２０におけるフォトディテクタ２８の４つの受光素子に対応するＨＦ信号増幅回路４３Ａ〜４３Ｄと、同ＨＦ信号増幅回路４３Ａ〜４３Ｄにおける増幅率Ｇ_Ａ〜Ｇ_Ｄを設定するゲイン制御回路５４Ａ〜５４Ｄとを備える。 - 特許庁

To provide a radio communication apparatus having an RFID tag function commonly utilizable in an LF or HF band RFID system and a UHF band RFID system in which mounting areas of antennas as large as possible can be ensured and a communication distance is comparable to that of each single antenna for an LF band or an HF band and a UHF band.例文帳に追加

ＬＦ帯又はＨＦ帯とＵＨＦ帯との各アンテナの実装面積をできるだけ大きく確保し、ＬＦ帯又はＨＦ帯と、ＵＨＦ帯と、の各単体の通信距離と同等の通信距離を有するＬＦ帯又はＨＦ帯ＲＦＩＤシステムとＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステムとに共用可能なＲＦＩＤタグ機能を備えた無線通信装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 - 特許庁

The first stage metal temperature predicting means 5 estimates a change vector dTm of the a first stage metal temperature based on a future transition of a steam temperature Tf inputted from the first stage steam temperature predicting means 3, a transition Hf of a thermal transmission ratio inputted from the thermal transmission ratio predicting means 4, and a future transition Tm of a rotor metal temperature inputted from the metal temperature accumulation means 9.例文帳に追加

第一段メタル温度予測手段５は、第一段蒸気温度予測手段３、熱伝達率予測手段４及びメタル温度積算手段９から入力した蒸気温度Tfの将来の推移、熱伝達率の推移Hf及びロータメタル温度の将来の推移Tmに基づいて、第一段メタル温度の変化ベクトルdTmを推定する。 - 特許庁

The adhesion layer is at least one element selected from the group consisting of Al, Ti, Zr, Hf, Ta, Zn and Si, or a substance containing at least one element selected from the group consisting of Al, Ti, Zr, Hf, Ta, Zn and Si, and oxygen and/or nitrogen, for example, AlO_x film etc.例文帳に追加

密着層としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなるものや、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＺｎおよびＳｉからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素と酸素および／または窒素とを含む物質からなるもの、例えばＡｌＯ_x 膜などを用いる。 - 特許庁

A silicon wafer, an HF gas and HNO_3 gas generation source are arranged in a semiconductor wafer container, and the container is closed, and the gate generation source is made to generate HF gas and HNO_3 gas, and the container is left unattended in 5 to 60 minutes, and drops generated in the container are collected, and metallic components in the collected drops are analyzed.例文帳に追加

半導体ウェーハ収納容器内に、シリコンウェーハならびにＨＦガスおよびＨＮＯ_3ガス発生源を配置した後に容器を密閉し、ガス発生源からＨＦガスおよびＨＮＯ_3ガスを発生させて５〜６０分放置した後に、容器内部に発生した液滴を回収し、次いで、回収された液滴中の金属成分を分析する。 - 特許庁

A pulse sequence is generated having both an HF excitation pulse and a magnetic field gradient pulse for completely rephasing the nuclear magnetization of the subject of inspection which is induced by the HF excitation pulse; in that case, a measuring cycle is interrupted after the repetition of a fixed number of consecutive pulse sequences and before the arrival of the nuclear magnetization at a driven equilibrium state (steady state) and is newly started thereafter.例文帳に追加

ＨＦ励起パルスと、ＨＦ励起パルスにより惹起される検査対象物の核磁化を完全にリフェージングするための磁界勾配パルスとを有するパルスシーケンスを発生し、その際に測定サイクルを相続くパルスシーケンスの固定された数の繰り返しの後に核磁化の被駆動平衡状態（定常状態）の到達の前に中断し、またその後に新たに開始する。 - 特許庁

In the wet etching method of a gallium oxide single crystal for etching a gallium oxide single crystal with an HF (hydrogen fluoride) solution, a gallium oxide single crystal is immersed in an HF solution of ≥47% concentration and etched at a room temperature, thereby etching the gallium oxide single crystal in a depth direction at an etching speed of ≥60 nm/h.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶をＨＦ溶液でエッチングすることを特徴とする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法であり、例えば濃度４７％以上のＨＦ水溶液中に酸化ガリウム単結晶を浸漬して室温でエッチングすることで、酸化ガリウム単結晶を深さ方向に６０ｎｍ／ｈ以上のエッチング速度でエッチングすることができる。 - 特許庁

A memory element 10 is constituted by laminating an oxide layer 13 consisting mainly of an oxide of at least one kind of element selected from Zr and Hf; and a conductive nitride layer 12 and 14 consisting of at least one kind of element and nitrogen, selected from Ti, Zr, Hf and Ta on the lower and upper of the oxide layer 13.例文帳に追加

Ｚｒ，Ｈｆから選ばれる少なくとも一種以上の元素の酸化物を主体とする酸化物層１３と、この酸化物層１３の下層及び上層に、それぞれＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａから選ばれる少なくとも一種以上の元素と窒素とから成る導電性窒化物層１２，１４が積層されて成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

HF (hydrogen fluoride) gas is supplied to a wafer W having a thermal oxidation film 72, a BPSG (boron phosphorous silicate glass) film 75 and a deposit film 76 to etch the BPSG film 75 and the deposit film 76 selectively by hydrofluoric acid while residue 41 consisting of H_2SiF_6 generated upon the etching is decomposed into HF and SiF_4 through heating.例文帳に追加

熱酸化膜７２、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６をフッ酸により選択的にエッチングし、該エッチングの際に発生するＨ_２ＳｉＦ_６からなる残留物４１を加熱によってＨＦとＳｉＦ_４に分解する。 - 特許庁

To obtain a radio communication device providing a RFID tag function, which can be shared by an LF band RFID system or HF band RFID system and a UHF band RFID system, having an equivalent communication distance to an individual communication distance of an LF band or HF band and a UHF band by ensuring a mounting area of each antenna as large as possible.例文帳に追加

各アンテナの実装面積をできるだけ大きく確保し、ＬＦ帯またはＨＦ帯と、ＵＨＦ帯と、の各単体の通信距離と同等の通信距離を有するＬＦ帯ＲＦＩＤシステムまたはＨＦ帯ＲＦＩＤシステムとＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステムとに共用可能なＲＦＩＤタグ機能を備えた無線通信装置を得る。 - 特許庁

This defect detection method includes a step for carrying out HF treatment for dipping the surface having an SOI layer into hydrofluoric acid for treatment, a step for depositing electrolytes at the site on the surface of the SOI layer closest or regarded as closest from a place having cavities or defects in an insulating layer due to the HF treatment, and a step for detecting the site where the electrolytes are decorated.例文帳に追加

ＳＯＩ層がある面をフッ化水素に浸漬処理するＨＦ処理をするステップと、ＨＦ処理されたことで生じた絶縁層の空洞または絶縁層の欠陥がある箇所から最短距離または最短距離とみなせるＳＯＩ層の面上の部位に電解物質を（析出）させるステップと、電解物質がデコレートされた部位を検出するステップと、を有する。 - 特許庁

To provide a double tuning circuit of a nuclear magnetic resonance apparatus which expands the variable range of LF resonance frequency by adding a capacitor or coil with no effect on the HF resonance frequency, and tunes with an LF frequency without using a variable capacitor at a part of a resonator of 1/4 wavelength of HF frequency.例文帳に追加

ＨＦ共振周波数に影響を与えることなく、コンデンサーやコイルを追加して、ＬＦ共振周波数の可変範囲を広げることができ、しかも、ＨＦ周波数の１／４波長共振器の一部にバリコンを使用しなくても、ＬＦ周波数に対する同調が可能な核磁気共鳴装置の複同調回路を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the metal oxide film is a titanium dioxide film with an anatase structure, wherein one or more dopants selected from the group consisting of Sn, Hf, Si, Zr, Pb and Ge and one or more dopants selected from the group consisting of Nb, Ta, Mo, As, Sb and W, are added to a titanium dioxide film.例文帳に追加

本発明のひとつの側面は、アナターゼ構造を有する二酸化チタン膜である金属酸化物膜であって、二酸化チタン膜に、Sn、Hf、Si、Zr、Pb及びGeからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパント、並びに、Nb、Ta、Mo、As、Sb及びWからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加されていることを特徴とする金属酸化物膜にある。 - 特許庁

The position of a primitive (including the constitution point and the control point of an object) in this flow field HF and information (for example, a color (luminance), and an α value) ancillary to the primitive are found by using a flow field information (for example, a speed vector) found on respective lattice points as information on the two-dimensional flow field HF obtained by fluid simulation.例文帳に追加

流体シミュレーションにより得られた２次元の流れ場ＨＦの情報として各格子点について求められた流れ場情報（例えば速度ベクトル）を用いて、この流れ場ＨＦの中のプリミティブ（オブジェクトの構成点及び制御点を含む）の位置や、プリミティブに付随する情報（例えば、色（輝度）、α値等）を求める。 - 特許庁

The TBC bond coat material is a nickel-chromium-aluminum-yttrium (NiCrAlY) composition containing silicon (Si), hafnium (Hf) and also <10 wt.% cobalt.例文帳に追加

ＴＢＣボンドコート材料は、ケイ素（Ｓｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）及び１０重量％（ｗｔ％）未満のコバルト（Ｃｏ）をも含む、ニッケル−クロム−アルミニウム−イットリウム（ＮｉＣｒＡｌＹ）組成物である。 - 特許庁

The getter material is made of at least one type selected from among a group of tantalum (Ta), niobium (Nb), zirconium (Zr), chromium (Cr), titanium (Ti) and hafnium (Hf).例文帳に追加

また、ゲッター材は、タンタル（Ｔａ）、ニオビウム（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）およびハフニウム（Ｈｆ）からなる群から選択される少なくとも一種の材料からなる。 - 特許庁

Herein, M represents Si, Ti, Zr or Hf, and R^1 represents hydrogen or methyl group, and R^2 represents methyl group, ethyl group, propyl group or tertiary butyl group.例文帳に追加

但し、ＭはＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ又はＨｆであり、Ｒ^1は水素又はメチル基を示し、Ｒ^2はメチル基、エチル基、プロピル基又はターシャリーブチル基を示す。 - 特許庁

Acrylonitrile or methacrylonitrile is manufactured by the gaseous phase catalytic ammonoxidation of propane or isobutane by using a catalyst containing Mo, V, Nb and Sb and further containing a specific fifth component (Re, Hf).例文帳に追加

Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｂを含み、更に特定の第５成分（Ｒｅ、Ｈｆ）を含む触媒を用い、プロパンまたはイソブタンを気相接触アンモ酸化反応させ、アクリロニトリルまたはメタクリロニトリルを製造する。 - 特許庁

By forming the sidewall using the carbon containing silicon nitrided, oxided film HF resistance is improved and fringe capacity is reduced due to the contribution of nitrogen atoms and carbon atoms.例文帳に追加

炭素含有シリコン窒化酸化膜を用いてサイドウォールを形成することで、窒素原子や炭素原子の寄与により、ＨＦ耐性向上やフリンジ容量低減を図れる。 - 特許庁

Liquid synthetic fuel is characteristically obtained by bringing the starting gas mixture including carbon monoxide and hydrogen into contact with a catalyst including at least one of the sulfides of metals selected from Rh, Pd, Pt and Hf.例文帳に追加

一酸化炭素と水素とを含む原料ガスを、Ｒｈ、Ｐｄ、ＰｔおよびＨｆからなる群から選択される少なくとも一種を含有する金属硫化物を含む触媒に接触させて、液体合成燃料を得ることを特徴とする。 - 特許庁

The polymerization catalyst disclosed contains a metal center chosen from Ti, Zr, Hf, Ni, and Pd accompanied by at least one chelate ligand.例文帳に追加

開示される重合触媒を、少なくとも一つのキレート配位子を伴うＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＮｉおよびＰｄから選択された金属中心を含有する。 - 特許庁

As examples of the metal oxide, Ni oxide, Ti oxide, Hf oxide, Zr oxide, Zn oxide, W oxide, Co oxide, or Nb oxide can be cited, and the metal ion dopant may be transition-metal ions.例文帳に追加

金属酸化物の例としては、Ｎｉ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｈｆ酸化物、Ｚｒ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｗ酸化物、Ｃｏ酸化物またはＮｂ酸化物などがあり、金属イオンドーパントは、遷移金属イオンでありうる。 - 特許庁

To provide a highly effective preparation method of 1,1,1-trifluoro-2,2- dichloroethane by catalytic chlorination of 1,1,1-trifluoro-2-chloroethane in the presence of HF.例文帳に追加

ＨＦの存在下での１，１，１−トリフルオロ−２−クロロエタンの触媒塩素化による１，１，１−トリフルオロ−２，２−ジクロロエタンの高効率の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress the decrease in film forming rate on a substrate when raw material gas is supplied to the substrate from a gas shower head to continuously form an oxide film containing Hf atoms and Si atoms.例文帳に追加

基板に対してガスシャワーヘッドから原料ガスを供給し、Ｈｆ原子とＳｉ原子とを含む酸化膜を連続的に成膜するにあたり、基板上の成膜レートの低下を抑えること。 - 特許庁

At least first freewheeling FW period is provided in the cycloconverter for each cycle of the HF inverter 3 by controlling the cycloconverter 7.例文帳に追加

サイクロコンバータ７を制御することは、ＨＦインバータ３の各サイクルに対してサイクロコンバータにおいて少なくとも第１のフリーホイーリングＦＷ期間を提供する。 - 特許庁

Nearly 0.05 atom%-5 atom% of Hf or the Zr is added to a metal electrode film 5 of TiN which constitutes a metal gate electrode 8 at the time of the formation.例文帳に追加

金属ゲート電極８を構成するＴｉＮの金属電極膜５に、その形成時にＨｆまたはＺｒを０．０５原子％〜５原子％程度添加しておく。 - 特許庁

In addition, reactor vessels may be provided for reacting the HF, superacid additive and boron hydride that are fabricated from materials resistant to superacid compounds.例文帳に追加

また、このＨＦ、超酸添加物、および水素化ホウ素を反応させるために反応容器が備えられてもよく、それは超酸化合物に耐性を示す材料から組み立てられる。 - 特許庁

A cap layer containing carbon is provided between a gate electrode containing silicon and a gate insulating film containing oxygen and at least one of Hf, Zr, and Al formed above a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上方に形成されたＨｆ、Ｚｒ或いはＡｌの少なくとも一つと酸素とを含むゲート絶縁膜とシリコンを含むゲート電極との間に、炭素を含むキャップ層を設ける。 - 特許庁

Silicon particles are formed by immersing a silicon wafer into a third solution containing hydrofluoric acid (HF) and alcohols and then applying a voltage to the silicon wafer to form a porous silicon layer on the silicon wafer.例文帳に追加

シリコン粒子は、フッ化水素（ＨＦ）酸およびアルコール類を含む第３の溶液中に浸漬し、電圧を印加し、シリコンウエハ上にポーラスシリコン層を形成することによって形成される。 - 特許庁

The charge storage layer 15 includes an oxide, a nitride or an oxynitride which contains at least one of Hf, Al, Zr, Ti, or a rare earth metal and is crystallized entirely or partially.例文帳に追加

電荷蓄積層１５は、Ｈｆ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、及び希土類金属のうち少なくとも１つを含む、全部又は一部が結晶化した酸化物、窒化物、或いは酸窒化物を含む。 - 特許庁

To provide a simple method for separating and purifying highly pure adamantane in a high yield, when the adamantane is produced by the isomerization reaction of tetrahydrodicyclopentadiene in the presence of a HF.BF3 catalyst.例文帳に追加

HF・BF_3触媒を用いて、テトラヒドロジシクロペンタジエンの異性化反応によりアダマンタンを製造するに際し、高純度のアダマンタンを高収率で分離精製するための簡便な方法を提供する。 - 特許庁

By wet treatment using mixed solution of HF and ozone water, a (111) face of the silicon substrate is etched selectively, and configuration of the upper edge of the trench 3 is shaped.例文帳に追加

次にＨＦとオゾン水との混合液を用いたウエット処理により、シリコン基板の（１１１）面を選択的にエッチングし、トレンチ３の上部エッジの形状を整形する。 - 特許庁

To provide a method for producing a super high purity hafnium complex Hf (DPM)_4 with good repeatability that is a raw material to form a hafnium-containing metal oxide film by a CVD method.例文帳に追加

ＣＶＤ法によるハフニウム含有金属酸化物膜を形成するための原料として、ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)_4を超高純度で再現性良く製造する方法の提供。 - 特許庁

This Ni based alloy is composed of Si of 1.8-2.2 mass%, Y and/or Hf and/or Zr of 0.05-0.1 mass%, Al of 2-2.4 mass% and the balance of Ni.例文帳に追加

該ニッケルベースの合金は、ケイ素１．８質量％〜２．２質量％、イットリウム及び／又はハフニウム及び／又はジルコニウム０．０５質量％〜０．１質量％、アルミニウム２質量％〜２．４質量％及びニッケル残余を有する。 - 特許庁

To prevent lead wires from changing their positions, when an ion lens is dismounted and remounted for cleaning, etc., and to dispense readjustment of a resonant circuit for supplying a HF voltage.例文帳に追加

清掃等によるイオンレンズの取り外し・取り付けに際してのリード線の位置変化を防止し、それによる高周波電圧供給のための共振回路の再調整を不要とする。 - 特許庁

As the valve metal compound, the oxide, hydroxide, fluoride or the like of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Mo, W, Si, Al or the like are given, and, preferably, at least one kind is oxoate having oxidizing properties.例文帳に追加

バルブメタル化合物にはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ，Ａｌ等の酸化物，水酸化物，フッ化物等があり、少なくとも１種が酸化性を有する酸素酸塩であることが好ましい。 - 特許庁

Concretely, Al ion or Si ion is injected by using HfO_2 as the high dielectric constant film, and oxygen in the HfO_2 film is connected to the injected ion, and then etching is carried out by using HF water solution.例文帳に追加

具体的に、例えば、高誘電率膜として、ＨｆＯ_２を用いて、Ａｌイオンまたは、Ｓｉイオンを注入し、ＨｆＯ_２膜中の酸素と、注入したイオンとを結合させた後、ＨＦ水溶液により、エッチングする。 - 特許庁

To provide an electrolytic treatment cell capable of safely and efficiently producing gaseous nitrogen trifluoride, in the production of gaseous nitrogen trifluoride by an electrolytic process using an ammonium fluoride (NH_4F)-hydrogen fluoride (HF) based molten salt as an electrolytic solution.例文帳に追加

フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）−弗化水素（ＨＦ）系溶融塩を電解液として用いた電解法による三弗化窒素ガス製造において、安全且つ効率よく三弗化窒素ガスを製造することができる電解槽を提供すること。 - 特許庁

The resist film remaining as residues on the surface of the substrate is embossed by HF dry cleaning and then the embossed residues are flushed from the surface of the substrate by supercritical cleaning.例文帳に追加

そして、残渣として基板表面に残ったレジスト膜をＨＦドライ洗浄によって浮き上がらせ、その後に超臨界洗浄によって浮き上がった残渣を基板表面から洗い流す。 - 特許庁

A manufacturing method of the micro array includes a process for implementing an anodic oxidation process on a surface of a silicon substrate within a HF solution, and a process for fixing the polynucleotide on the obtained porus silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の表面をＨＦ溶液中で陽極酸化処理する工程、及び得られたポーラスシリコン基板にポリヌクレオチドを固定化する工程を含む、マイクロアレイの製造方法。 - 特許庁

A volume of hydrogen fluoride or hydrogen fluoride generated from the HF generating material is 1×10^-4 to 5×10^-1 wt.part against 1 wt. part of the fluid medium 1.例文帳に追加

フッ化水素、または、ＨＦ発生材料より発生するフッ化水素の量は、液状媒体１重量部に対して１×１０^−４〜５×１０^−１重量部である。 - 特許庁