「INTERSTITIAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the filter cloth running type dehydrator 5, since the thickness of the sludge upon the treatment is extremely thin, the force can be sufficiently conducted even when the flocks remain fine, and interstitial water can be easily extracted from the space between the fine flocks by the sufficient force, thus the water content can be sufficiently reduced.例文帳に追加

この濾布走行式脱水機５では、処理する際の汚泥の厚さが非常に薄いため、細かいフロックのままでも力を十分に伝えることができると共に、この十分な力により細かいフロック同士間から間隙水を容易に抜くことができ、その結果、含水率を十分低減できる。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal which does not belong to any to a vacancy-enriched V-region, an OSF region, and an interstitial silicon- enriched region, or an I-region, when it is manufactured by a Czochralski method, which has excellent electrical characteristics and a gettering capability, and with which the yield of a device can be reliably improved, and to provide an epitaxial wafer.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ優れた電気特性とゲッタリング能力を有し、デバイス歩留りを確実に向上させることができるシリコン単結晶及びエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

The base wafer 22 of the SOI wafer is composed of a single silicon crystal grown by the Czockralski method and the whole surface of the wafer 22 is on the outside of an OSF region, does not contain the defective region detected by the Cu deposition method, and contains an I region in which the dislocation cluster caused by interstitial silicon exists.例文帳に追加

ベースウエーハ２２が、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、該ウエーハ全面がＯＳＦ領域の外側であって、Ｃｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まず、且つ格子間シリコンに起因した転位クラスタが存在するＩ領域を含むものからなることを特徴とするＳＯＩウエーハ２６。 - 特許庁

The low-resistance n-type semiconductor diamond contains both lithium and nitrogen atoms at a rate of 10^17cm^-3 or above, lithium atoms are doped at the interstitial position of carbon atoms, and nitrogen atoms are doped at the substitutional position of carbon atoms, and the lithium atoms and nitrogen atoms are so structured as to be located adjacent to each other.例文帳に追加

リチウム原子と窒素原子とが共に１０^１７ｃｍ^−３以上含まれており、リチウム原子が炭素原子の格子間位置に、窒素原子が炭素原子の置換位置に、それぞれドープされ、リチウム原子と窒素原子は互いに隣接している構造を持つ低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

The inner wall of an interlayer connection hole composed of an interstitial via or a via or a through-hole and a land are divided into a plurality of electrodes, the divided electrodes are disposed closely with keeping them insulated, and lead lines and lines led are wired to the respective electrodes to lower than inductance of a connection conductor.例文帳に追加

本発明は、インタスティショナルバイアホールまたはバイアホールまたはスルーホールでなる層間接続穴の内壁とランドとを複数の電極に分割し、当該分割した電極を絶縁を維持して接近させ、夫々の電極に誘導ラインと被誘導ラインとを配線し、接続導体のインダクタンスを低下させる。 - 特許庁

Visual cell or its function is regenerated and the effect for suppressing visual cell degeneration is improved and sustained by the administration of a sustained-release retinoid composition composed of retinoid and a biocompatible polymer such as lactic acid-glycolic acid copolymer in combination with a visual cell such as fat-derived interstitial cell or a cell for regenerating or complementing the function.例文帳に追加

レチノイドと乳酸−グリコール酸共重合体などの生体適合性高分子からなるレチノイド徐放性組成物と、脂肪由来間質細胞などの視細胞またはその機能を再生若しくは補完する役割を有する細胞を組み合わせて投与すれば、視細胞またはその機能が再生し、視細胞変性抑制効果が増強・持続する。 - 特許庁

The components of a control circuit protected by a protection part 37 are mounted on the multi- layer circuit board 30, and the connections are generated by middle layer pattern wirings 33 and 34, obverse surface pattern wiring 35, and rear surface pattern wiring 36, wherein the layers of the multi-layer wiring board 30 are connected by interstitial via holes 39 and bias holes 40.例文帳に追加

保護部３７によって保護される制御回路の各部品は、多層プリント配線板３０に搭載され、各部品は、中層パターン配線３３，３４、表面パターン配線３５、裏面パターン配線３６の各パターン配線により接続され、多層プリント配線板３０の各層は、インタスティシャルバイアホール３９、バイアホール４０により接続されるパターン配線構造とする。 - 特許庁

The silicon carbide crystal ingot is fabricated by performing acid cleaning of raw material powder containing metal atoms each having a larger atomic radius than silicon in the crystal of silicon carbide powder as at least either of interstitial atoms and substituent atoms, and then by allowing the silicon carbide crystal ingot 5 to vapor-phase grow by using the raw material powder 6.例文帳に追加

前記炭化珪素結晶インゴットは、炭化珪素粉末の結晶中に珪素よりも原子半径の大きな金属原子を格子間原子および置換原子の少なくとも一方として含む原料粉末を酸洗浄した後、前記原料粉末６を用いて炭化珪素結晶インゴット５を気相成長させることにより製造する。 - 特許庁

In the method for determining interstitial pneumonia, the amount of IL-8 in blood is used as the index for analyzing or evaluating the determination or diagnosis of intestitial pneumonia, the specification of the kind of intestitial pneumonia, a degree of the advance possibility of the sympton of intestitial pneumonia, a risk degree, the pathophysiological state of intestitial pneumonia and/or the tendency of treatment responsiveness.例文帳に追加

血液中のIL-8量を、間質性肺炎の判定又は診断、間質性肺炎の種類の特定、間質性肺炎の症状進行の可能性の程度、リスクの高低、間質性肺炎の病態生理学的状態及び／又は治療応答性の傾向を分析あるいは評価するための指標として用いる判定方法。 - 特許庁

In the ground where the underground water level is high or the underground water level rises after rain or the like to easily cause liquefaction in case of an earthquake, this backfilling material is used to quickly dissipate excessive interstitial water pressure generated in case of the earthquake due to the influence of the underground water and to restrain influence on an underground buried structure or the like due to liquefaction.例文帳に追加

地下水位が高く、或いは雨後などにより地下水位が上昇して地震の際に液状化を生じやすい地盤において、埋め戻し材料とすることにより、これらの地下水の影響により地震時に発生する過剰間隙水圧を速やかに消散させ、液状化による地下埋設構造物などへの影響を抑制することができる。 - 特許庁

To provide an agent acting based on an excellent action of inhibiting a trkA receptor and used for treating and/or preventing frequent urination, urinary urgency, and urinary incontinence involved in various lower urinary tract diseases including overactive bladder, various lower-urinary-tract-pain-accompanying lower urinary tract diseases such as interstitial cystitis and chronic prostatitis, and various pain-accompanying diseases.例文帳に追加

優れたtrkA 受容体阻害作用に基づく、過活動膀胱を含む各種下部尿路疾患に伴う頻尿、尿意切迫感、尿失禁、及び間質性膀胱炎や慢性前立腺炎などの下部尿路疼痛を伴う各種下部尿路疾患、並びに疼痛を伴う各種疾患の治療及び/又は予防剤を提供すること。 - 特許庁

Moreover, since the substrate is performed a normal epitaxial growth as one containing the high-concentration interstitial oxygen and the region 3 can be formed by heat-treating the substrate in the oxidizing atmosphere, the significant reduction in the cost of the substrate can be achieved even though this manufacturing method of this substrate is compared with an SIMOX method needed for conducting high-energy ion implantation of oxygen.例文帳に追加

また、基板を高濃度の格子間酸素を含むものとして通常のエピタキシャル成長を行い、酸化性雰囲気中で熱処理することでＳｉＯ_2の層状領域３を形成できるため、酸素の高エネルギーイオン注入の必要性があるＳＩＭＯＸ法と比較しても、大幅なコスト低減を達成することができる。 - 特許庁

Pulmonary diseases treated by the invention include, but are not limited to, asthma, bronchial constriction, bronchitis, a chronic obstructive pulmonary disease (COPD), interstitial lung diseases, lung malignancies, α-1 anti-trypsin deficiency, emphysema, bronchiectasis, bronchiolitis obliterans, sarcoidosis, pulmonary fibrosis, and collagen vascular disorders.例文帳に追加

本発明によって処置される肺の疾患又は状態としては、喘息、気管支収縮、気管支炎、慢性閉塞性肺疾患（ＣＯＰＤ）、間質性肺疾患、肺悪性疾患、α−１アンチトリプシン欠損症、気腫、気管支拡張症、閉塞性細気管支炎、サルコイドーシス、肺線維症及びコラーゲン血管障害が挙げられるが、これ等に限定されない。 - 特許庁

Using a rapid heating furnace, a silicon wafer is heat-treated for 10 second at 1,150°C under an atmosphere of ammonia or nitrogen gas in order to inject vacancies into the wafer, and then the wafer is heat-treated consecutively for 1 second at 1,150°C under an atmosphere of oxygen gas in order to inject interstitial silicon into high density vacancies or vacancy clusters thus causing pair annihilation.例文帳に追加

急速加熱炉を用い、シリコンウェーハを、アンモニアあるいは窒素ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒間熱処理してウェーハ内部に空孔を注入し、これに連続してウェーハを酸素ガスの雰囲気下、１１５０℃、１秒間熱処理し、高濃度の空孔や空孔クラスターに格子間シリコンを注入して対消滅させた。 - 特許庁

The ingot thus pulled is sliced into zones V rich in vacancy containing each vacancy mass at the center and a plurality of semi-zero defect wafers W_1 to W_4 having a zero defect zone P free from a vacancy mass and an interstitial mass though being positioned between the zone V rich in vacancy and the edge part of the wafers.例文帳に追加

このように引上されたインゴットは各べーカンシー固まりを含むその中央のべーカンシー豊富領域Ｖと、べーカンシー豊富領域Ｖとウェーハの縁部分の間に位置しながらべーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりがない無欠陥領域Ｐを有する複数個のセミ-無欠陥ウェーハＷ_１乃至Ｗ_４にスライシングされる。 - 特許庁

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.例文帳に追加

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁

An instrument 2 includes at least one site flow characterization element 12 for determining the flow characteristics of a potential physiological fluid sampling site and/or at least one sample type characterization element 14 for determining whether or not a vasculature is arterial, venous or neither, i.e., an interstitial fluid sampling site.例文帳に追加

本発明の器具２は、潜在的な生理学的流体試料採取部位の流れ特性を決定する少なくとも１つの部位流れ特性決定要素１２及び（又は）脈管構造が動脈であるか、静脈であるか、或いはそのどちらでもない場合、即ち、間質液試料採取部位であるかどうかを判定する少なくとも１つの試料タイプ特性決定要素１４を有している。 - 特許庁

Thus, fat-derived interstitial cells are useful as a remedy for diseases causing visual cell injuries such as retinal pigment degeneration, cone dystrophy, age-related macular degeneration, age-related maculopathy, macular edema, retinal detachment, cancer-associated retinopathy, retinal vein occlusion, retinal pigment epithelial detachment and so on and, moreover, can be used as an excellent material for regenerating visual cells or the functions thereof.例文帳に追加

したがって、脂肪由来間質細胞は、網膜色素変性、錐体ジストロフィー、加齢黄斑変性、加齢黄斑症、黄斑浮腫、網膜剥離、癌関連網膜症、網膜静脈閉塞症、網膜色素上皮剥離などの視細胞障害を惹起する疾患の治療剤として有用であり、また、視細胞またはその機能を再生させるための優れた材料となる。 - 特許庁

The present invention related to an interstitial marker for localizing an organ, tumor or tumor bed within a mammalian body wherein the marker has a proximal end, a distal end, and a continuous intervening length, at least a portion of the intervening length of the marker being visible under at least one imaging modality and having a flexibility such that the marker follows movements and changes of shape of the organ, tumor or tumor bed.例文帳に追加

哺乳類の体内の器官、腫瘍または腫瘍床の位置を特定するための侵入型マーカーにおいて、マーカー１は基端、先端及び連続的な中間部分を有し、その中間部分の少なくとも一部が少なくとも１つの画像技術下で視認可能であり、器官、腫瘍または腫瘍床の動き及び形状の変化に追随するような可撓性を有する。 - 特許庁

The titanium alloy contains Ti as the principal component, 3 to 11 mass% (the entire being 100 mass%) molybdenum equivalent (Moeq), and 0.3 to 3 mass% interstitial solute element comprising a least one member selected from among O, N, and C and contains 1.8 mass% or smaller aluminum (Al) and takes a βsingle phase at at least room temperature.例文帳に追加

本発明のチタン合金は、全体を１００質量％としたときに主成分であるＴｉと、モリブデン当量（Ｍｏｅｑ）を３〜１１質量％とする合金元素を一種以上と、０．３〜３質量％の、Ｏ、ＮまたはＣの一種以上からなる侵入型固溶元素とを含有すると共に、アルミニウム（Ａｌ）は１．８質量％以下であり、少なくとも室温でβ単相であることを特徴とする。 - 特許庁

The machining method for silicon substrate comprises a step for forming a protective film, through thermal oxidation, on a silicon substrate produced from silicon single crystal by Czochralski method, a step for removing the protective film partially, and a step for etching silicon exposed after removal of the protective film wherein the concentration of interstitial oxygen contained in the silicon substrate is set not higher than 14×1017 atoms/cm3.例文帳に追加

チョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶から作られたシリコン基板上に、熱酸化法により保護膜を形成する工程と、保護膜を部分的に除去する工程と、除去後に表出するシリコンをエッチングする工程を有するシリコン基板加工において、前記シリコン基板中に含まれる格子間酸素濃度を１４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下とすることにより実現する。 - 特許庁