「In Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a memory device which can relieve the defective sections in other memory chips with simple and high-speed control logic circuits, and make the memory chips small.例文帳に追加

より簡単でかつ高速な制御ロジックで、他のメモリチップの欠陥部分を救済することができ、かつメモリチップのサイズを小さすることができるメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of storing multi-valued information in one memory cell of a nonvolatile semiconductor memory, and to provide the driving method and manufacturing method.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の一つの記憶素子に多値情報が記憶可能な半導体記憶装置、その駆動方法および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller, a memory module and a memory control method, allowing continuous use even when a defective area occurs in a storage device after shipping.例文帳に追加

出荷後において記憶装置に不良領域が生じた場合でも継続して使用することができるメモリ制御装置、メモリモジュール及びメモリ制御方法の提供。 - 特許庁

Only a lower bit part (ADDRESS L) is supplied to a memory module model 131 as an effective memory address (MEM ADDRESS) in a memory address (ADDRESS).例文帳に追加

メモリモジュールモデル１３１には、メモリアドレス（ＡＤＤＲＥＳＳ）の内、下位ビット部（ＡＤＤＲＥＳＳ＿Ｌ）だけが有効メモリアドレス（ＭＥＭ＿ＡＤＤＲＥＳＳ）として供給される。 - 特許庁

Also, in the midst of changing an address, write-in of a test pattern for a semiconductor memory in a write-in control command section is prohibited.例文帳に追加

また、アドレスの変更途中は、書き込み制御指令部にて半導体メモリへのテストパターンの書き込みを禁止する。 - 特許庁

Then, the offsets generated in focus error signals F in respective land and groove obtained in the adjustment area are stored in a memory.例文帳に追加

そして、調整エリアで得たランドとグルーブそれそれにおけるフォーカスエラー信号Ｆに発生するオフセットをメモリに蓄える。 - 特許庁

In step S4, the fluorescent brightness obtained in the step S2 plus the time information obtained in the step S3 are stored in the memory.例文帳に追加

Ｓ４において、Ｓ２で得られた蛍光輝度値に、Ｓ３で得られた時間情報を付加した形でメモリに保存する。 - 特許庁

When the next wrote-in command is received, the wrote-in holding data are written in a memory cell corresponding to the write-in holding address.例文帳に追加

次の書き込みコマンドを受けたとき、書き込み保持データは、書き込み保持アドレスに対応するメモリセルに書き込まれる。 - 特許庁

USB memory comprising a USB memory body including a semiconductor memory and a USB joint terminal is provided and a memory storing part storing the USB memory body is formed on the upper surface of the disk part and the USB memory body is stored in it and the USB joint terminal is provided projecting and standing upward vertically from the memory storing part.例文帳に追加

半導体メモリを含むＵＳＢメモリ本体部とＵＳＢ接続端子部とを有するＵＳＢメモリを備え、前記円板部の上面にＵＳＢメモリ本体部を収納可能なメモリ収納部を形成してこれにＵＳＢメモリ本体部を収納し、メモリ収納部から突出して垂直上方に立ち上がるようにＵＳＢ接続端子部を設ける。 - 特許庁

A memory unit includes a system memory controller coupled to a plurality of memory clock oscillators and a plurality of respective voltage controllers, wherein each memory clock oscillator and respective voltage controller are coupled to a memory receptacle and thus provide a plurality of memory receptacles, each receptacle in the plurality of receptacles having a separate power boundary for operation of a memory type.例文帳に追加

メモリ・ユニットは、複数のメモリ・クロック発振器および複数のそれぞれの電圧コントローラに結合されたシステム・メモリ・コントローラを含み、各メモリ・クロック発振器およびそれぞれの電圧コントローラがメモリ・レセプタクルに結合され、したがって複数のメモリ・レセプタクルを提供し、複数のレセプタクル内の各レセプタクルはメモリ・タイプの動作に関する別々の電力境界を有する。 - 特許庁

In addition, information showing close phase difference is stored in a phase difference memory 30, a phase difference window PW is calculated from the average value of information of phase difference stored in the phase difference memory 30, and the range of phase difference to be stored in the phase difference memory from now on is set as the phase difference window PW in the phase difference memory 30.例文帳に追加

また、直近の位相差を示す情報を位相差メモリ３０に蓄え、該位相差メモリ３０に蓄えられた位相差の情報の平均値から位相差ウィンドウＰＷを算出し、位相差メモリ３０にこれから記憶させる位相差の範囲を該位相差ウィンドウＰＷとして設定するようにした。 - 特許庁

In addition, when the vacant area is formed in the memory 4 without the vacant area, key data Dk with high priority next to pieces of key data Dk, already registered in the memory 4 is automatically downloaded from the server 19, and the erased key data erased from the memory 4 in the previous download is re-registered in the memory 4 of the cellular phone 3.例文帳に追加

また、空き領域が無いメモリ４に空きエリアができた際、メモリ４に登録済みの鍵データＤｋ，Ｄｋ…の次に優先順位の高い鍵データＤｋをサーバ１９から自動でダウンロードして、先のダウンロード時にメモリ４から消した消去鍵データを携帯電話３のメモリ４に再登録する。 - 特許庁

The address of a memory region in an unused functional macro among functional macros 13 to 15 is changed by an in-functional macro memory region rearrangement control circuit 17, and the memory region in the unused functional macro is rearranged in a memory region accessible as an RAM region to be used in a general purpose manner by a CPU 11.例文帳に追加

機能マクロ内メモリ領域再配置制御回路１７により、機能マクロ１３〜１５のうち、不使用機能マクロ内のメモリ領域のアドレスを変更して、不使用機能マクロ内のメモリ領域をＣＰＵ１１が汎用的に使用するＲＡＭ領域としてアクセス可能なメモリ領域に再配置する。 - 特許庁

Further, in this electronic control device, when the built-in memory re-write command signal is input from an external device, the microcomputer reads the control software stored in an external non-volatile memory and designated from the external device from the external non-volatile memory, and rides the control software in the non-volatile memory built in the microcomputer (S180).例文帳に追加

また、この電子制御装置では、車外装置から内蔵メモリ書換指令信号が入力されると、マイコンが、外部不揮発性メモリが記憶する制御ソフトウェアであって、車外装置から指定された制御ソフトウェアを、外部不揮発性メモリから読み出し、これをマイコンが内蔵する不揮発性メモリに書き込む（Ｓ１８０）。 - 特許庁

When the memory pack 1 is loaded into the loading chamber 210, an image based on image data recorded in the memory card in the memory pack 1 is developed and the secondary battery in the memory pack 1 is charged, and a photograph in which the image based on the image data is printed and the memory pack with the fully charged secondary battery are returned to a user.例文帳に追加

その装填室２１０にメモリパック１が装填されたらメモリパック１内のメモリカードに記録された画像データに基づく画像の現像を行なうとともにメモリパック１内の二次電池に充電を行なって、画像データに基づく画像が焼き付けられた写真、および満充電になった二次電池を備えたメモリパックをユーザに返却する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array region A formed in a p-type well 1 where a plurality of memory cells are arranged in a matrix, a plurality of word lines 13 for commonly connecting memory cells aligned in the same row, and a protective diode region B formed in the p-well 1 to be separated from the memory cell array region A.例文帳に追加

半導体記憶装置は、Ｐ型ウェル１に形成され、複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイ領域Ａと、複数のメモリセルのうち同一の行に並ぶメモリセル同士を共通に接続する複数のワード線１３と、Ｐ型ウェル１にメモリセルアレイ領域Ａと分離して形成された保護ダイオード領域Ｂとを有している。 - 特許庁

The apparatus is provided with a display panel, a memory card socket for attaching a memory card wherein data for advertisement consisting of advertisement image data and its display schedule information is stored, and a means which displays the advertisement image data stored in the memory card attached to the memory card socket, in the display panel in accordance with display schedule information stored in the memory card.例文帳に追加

表示パネル、広告画像データとその表示スケジュール情報とからなる広告用データを格納したメモリカードを装着するためのメモリカードソケット、およびメモリカードソケットに装着されたメモリカードに格納されている広告画像データを、メモリカードに格納されている表示スケジュール情報にしたがって表示パネルに表示させる手段を備えている。 - 特許庁

When a memory card 40 is inserted, or when the memory card 40 was already inserted in determination processing of S1 (S1; YES), a sub-directory name stored in an identification information memory 10a of a flash memory 10 is read in accordance with the kind of the memory card, and 1 is added to four digits contained in the sub-directory name (S3).例文帳に追加

メモリカード４０が挿入された場合、またはＳ１の判断処理において、メモリカード４０が既に挿入されていた場合は（Ｓ１：Ｙｅｓ）、そのメモリカードの種類に対応してフラッシュメモリ１０の識別情報メモリ１０ａに記憶されているサブディレクトリ名を読み出し、サブディレクトリ名に含まれる４桁の数字に１加算する（Ｓ３）。 - 特許庁

To solve a problem in which: in a system that performs high-speed image formation, memory access to a number of discontinuous access areas results in significant deterioration in memory access performance and inability of correcting misregistration.例文帳に追加

多くの不連続なアドレス領域へのメモリアクセスを行うため、メモリアクセスのパフォーマンスが著しく劣化し、高速な画像形成を行うシステムにおいて、レジストレーションずれ補正ができなくなる。 - 特許庁

Re-storage in which partial images to be combined in generation of a panoramic image are extracted from the captured images stored in the memory area MA and stored in a memory area MC is performed.例文帳に追加

メモリ領域ＭＡに記憶されている撮像画像からパノラマ画像の生成で合成される部分画像を抽出してメモリ領域ＭＣに記憶させる再記憶を行う。 - 特許庁

When a new operator is inputted in a state that the maximum number of items is stored in an operational history memory, all items stored in the memory are erased in a step a4.例文帳に追加

演算履歴メモリに最大項目数が記憶された状態で、新たな演算子の入力があると、まず、ステップａ４で演算履歴メモリに記憶されている全項目を消去する。 - 特許庁

When the write-in mask information signal has contents that a present write-in operation is not to be masked, data are written in proper memory cells in the memory circuit by the conventional method.例文帳に追加

書込みマスク情報信号が現在の書込み動作をマスクすべきでないという内容の時は、データを従来の方法によってメモリ回路内の適切なメモリセルに書込む。 - 特許庁

The pixel data of the second frame (search frame) is stored in a unit B with multiple memory cells in a memory cell array unit 20b arranged in a complement form in the direction to which the bit line BL is extending.例文帳に追加

第２のフレーム（探索フレーム）の画素データを、メモリセルアレイ部２０ｂの、ビット線ＢＬが延びる方向に並ぶ複数のメモリセルからなるユニットＢに２の補数の形式で記憶する。 - 特許庁

The pixel data of the first frame (reference frame) is stored in a unit A with multiple memory cells in a memory cell array unit 20a arranged in a straight binary form in a direction to which a bit line BL is extending.例文帳に追加

第１のフレーム（参照フレーム）の画素データを、メモリセルアレイ部２０ａの、ビット線ＢＬが延びる方向に並ぶ複数のメモリセルからなるユニットＡに、ストレートバイナリの形式で記憶する。 - 特許庁

In the memory cell array, multiple nonvolatile memory cells in which a threshold value during erasing is included in a first threshold value distribution and a threshold value during writing is included in a second threshold value distribution are arranged.例文帳に追加

メモリセルアレイは、消去時のしきい値が第１のしきい値分布に含まれ、書き込み時のしきい値が第２のしきい値分布に含まれる複数の不揮発性メモリセルを配置してなる。 - 特許庁

To improve data reading speed in a flash memory, and perform reading, writing, or erasing operation in one bank while performing different operation in another bank in the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいて、データの読取り速度を改善するとともに、一つのバンクで読取り、書込みまたは消去動作を行っている間に、他のバンクで異なる動作を行うことを可能にする。 - 特許庁

To prevent, even in the occurrence of a trouble in clock in a memory PWA, the propagation of the trouble to each cluster in a structure for sharing one memory PWA (printed wired board assembly) by a plurality of clusters.例文帳に追加

一つのメモリＰＷＡを複数のクラスタで共有する構成において、メモリＰＷＡ内でクロックに不具合が発生しても、その不具合が各クラスタに伝搬しないようにする。 - 特許庁

As described in the claim 2, the temporary storage capacity of the built-in memory is ensured depending on the capacity of the rewrite limited memory in the digital camera described in the claim 1.例文帳に追加

請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のデジタルカメラにおいて、前記内蔵メモリの一時保管容量を書換え制限メモリの容量に応じて確保する構成とした。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which an optimum reading/verify operation is executed in accordance with variance in memory cell characteristics during production and fluctuation in the characteristics over time.例文帳に追加

メモリセル特性の製造時のばらつきや経時的な変動に対応して、最適な読み出し／ベリファイ動作を実行することができる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

An information processor currently executes firmware of a hypervisor 1a in a first memory area in a step S1, and stores firmware of a hypervisor 1b in a second memory area in a step S2.例文帳に追加

情報処理装置は、ステップＳ１で第１のメモリ領域内のハイパーバイザ１ａのファームウェアを実行中であり、ステップＳ２で第２のメモリ領域にハイパーバイザ１ｂのファームウェアを格納する。 - 特許庁

In one embodiment, in response to a plurality of events, (1) a plurality of data objects are created in memory, (2) data corresponding to ones of the events are related to ones of the data objects, and (3) the data are stored in the memory.例文帳に追加

一実施形態において、複数のイベントに応じて、１）メモリに複数のデータオブジェクトを作成し、２）イベントに関連するデータをデータオブジェクトに関連付け、３）データをメモリに格納する。 - 特許庁

To mutually transfer a memory dial registration content, to save the conventional operations of memory dial input/change and time required for the rations and to speedily register a memory dial in a communication apparatus provided with a memory dial function.例文帳に追加

メモリダイヤル機能を具備した通信装置において、メモリダイヤル登録内容を相互転送可能として、従来のメモリダイヤル入力や変更の操作及びそれに要する時間を省き、メモリダイヤル登録を速やかに行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a redundancy circuit in which a verification time is reduced and defect caused by interference between a regular memory cell and a memory cell to which a redundancy memory cell is adjacent can be detected.例文帳に追加

検証時間を減少させると共に、正規メモリセルとリダンダンシーメモリセルが隣接したメモリセルの相互間の干渉による不良を検出できるリダンダンシー回路を有する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a synchronous type memory and a memory system in which address information is not required to be supplied from the outside during non-synchronous operation of the synchronous type memory and the memory system performing non-synchronous operation after start from a power-down state.例文帳に追加

パワーダウン状態からの起動後に非同期動作を行う同期型メモリおよびメモリシステムの非同期動作時に、アドレス情報を外部から供給する必要がない同期型メモリおよびメモリシステムを提供すること。 - 特許庁

The memory control device includes two memory control circuits, and respective signals required for memory access are compared by a self-diagnosis function, whereby an failure in the memory control device is early detected to improve the safety.例文帳に追加

メモリ制御装置においてメモリ制御回路を二つ設けて、自己診断機能により各々のメモリアクセスに必要な信号を比較し、メモリ制御装置内の異常を早期に検出して安全性を向上させる。 - 特許庁

To reduce, in a flash memory system, the number of data transfer operations and data writing operations from a buffer within a memory controller to a flash memory without interfering with access to the flash memory by a host system.例文帳に追加

フラッシュメモリシステムにおいて、ホストシステムによるフラッシュメモリへのアクセスに支障を来たさずに、メモリコントローラ内のバッファからフラッシュメモリへのデータ転送動作及びフラッシュメモリへのデータ書込み動作の実行回数を減らす。 - 特許庁

To release a memory even when there is a difference in degree or frequency of memory leak of processing, by using software having a memory leak to continue a service and handling the memory leak at intervals regardless of the number of machines.例文帳に追加

メモリリークのあるソフトウェアを使って継続的なサービスを実現し、メモリリークの対処の間隔をマシン台数に関係なく実現し、メモリリークの程度や頻度が異なる処理が混在してもメモリリークの開放を可能とする。 - 特許庁

Thereafter, the control unit 11 detects the memory card allowing the data transfer through a communication interface, and assesses whether or not the memory ID of the detected memory card and the memory ID stored in the storage means match.例文帳に追加

その後、制御部１１は、通信インタフェースを介してデータ転送が可能なメモリカードを検出し、このように検出したメモリカードのメモリＩＤと記憶手段に記憶したメモリＩＤとが一致するか否かを判定する。 - 特許庁

The error correction code is stored in the sub-memory being different form the main memory, read-out speed of the error correction code can be increased by contriving layout of the main memory and the sub-memory, and time delay caused by error correction can be suppressed.例文帳に追加

誤り訂正コードをメインメモリと異なるサブメモリに格納し、かつメインメモリとサブメモリのレイアウトを工夫することによって、誤り訂正コードの読み出しを高速化でき、誤り訂正による時間遅延を抑制できる。 - 特許庁

In a timing chart 100; during a refresh operation of WL0, SA00 of a memory bank 101 and SA10 of a memory bank 102 are overdriven and SA20 of a memory bank 103 and SA30 of a memory bank 104 are not overdriven.例文帳に追加

タイミングチャート１００では、ＷＬ０のリフレッシュ動作時に、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０２のＳＡ１０をオーバードライブさせ、メモリバンク１０３のＳＡ２０とメモリバンク１０４のＳＡ３０をオーバードライブさせない。 - 特許庁

To reduce power consumption by such a way that stored data of a memory cell is not transferred to the other memory, as to a semiconductor memory such as a cache memory incorporated in a microprocessor.例文帳に追加

マイクロプロセッサに搭載されるキャッシュメモリなどに適用して好適な半導体メモリに関し、メモリセルの記憶データの他のメモリへの転送という処理を要せず、低消費電力化を図ることができるようにする。 - 特許庁

A memory arbitration circuit 13 sets up the priority of memory using right in each memory master 12 on the basis of the address signal and the read/write signal and asserts an acknowledge signal to the memory master 12 having the highest priority.例文帳に追加

メモリアービトレーション回路１３は、アドレス信号およびリードライト信号に基づき、各メモリマスタ１２にメモリ使用権の優先順位を設定し、最も優先順位の高いメモリマスタ１２に対してアクノリッジ信号をアサートする。 - 特許庁

To provide a method of controlling mode switching between normal mode (one bit is composed of one memory cell) and highly reliable mode (one bit is composed of two memory cells) in a cache memory; and a method of arranging highly reliable data to the cache memory.例文帳に追加

キャッシュメモリにおいて通常モード（１ビットを１メモリセルで構成）と高信頼性モード（１ビットを２メモリセルで構成）のモード切替を行う制御方法、キャッシュメモリへの高信頼性データの配置方法を提供する。 - 特許庁

The first apparatus (the slave unit 22) includes a first memory 6 and a means (a memory control unit) for storing the software read out from the second memory 10 in the first memory 6 according to the connection of the first apparatus and the second apparatus.例文帳に追加

第一の装置（子機２２）は、第一のメモリ６と、第一の装置と第二の装置との接続に応じて、第二のメモリ１０から読みだされたソフトウェアを第一のメモリ６に格納する手段（記憶制御部）とを備える。 - 特許庁

A buffer memory is configured of two stages, that is, a first buffer memory matched with the transfer unit of data with an external device and a second buffer memory matched with the write-in unit of a nonvolatile memory for temporarily storing data.例文帳に追加

データを一時的に格納するためにバッファメモリを、外部装置とのデータの転送単位にあわせた第１のバッファメモリと、不揮発性メモリの書き込み単位にあわせた第２のバッファメモリの２段階で構成する。 - 特許庁